DE102019212638B4 - Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink and the resulting arrangement - Google Patents
Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink and the resulting arrangement Download PDFInfo
- Publication number
- DE102019212638B4 DE102019212638B4 DE102019212638.3A DE102019212638A DE102019212638B4 DE 102019212638 B4 DE102019212638 B4 DE 102019212638B4 DE 102019212638 A DE102019212638 A DE 102019212638A DE 102019212638 B4 DE102019212638 B4 DE 102019212638B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- heat sink
- power electronic
- electronic module
- curvature
- carrier substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4846—Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper, bei dem in einem Aufbauprozess zur Fertigung des leistungselektronischen Moduls (10) zumindest ein oder mehrere Halbleiterbauteile (4) auf ein Trägersubstrat (2) aufgebracht und mit dem Trägersubstrat (2) verbunden werden, wobei- ein Kühlkörper (9, 13) mit einer gekrümmtem Oberfläche bereitgestellt wird,- der Aufbauprozess so durchgeführt wird, dass das leistungselektronische Modul (10) nach Abschluss des Aufbauprozesses gekrümmt ist und die Krümmung des leistungselektronischen Moduls (10) innerhalb vorgebbarer Toleranzen einer Krümmung der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers (9, 13) entspricht, und- das gekrümmte leistungselektronische Modul (10) anschließend mit der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers (9, 13) verbunden wird.Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink, in which at least one or more semiconductor components (4) are applied to a carrier substrate (2) and connected to the carrier substrate (2) in a construction process for manufacturing the power electronic module (10), wherein - a heat sink (9, 13) with a curved surface is provided, - the construction process is carried out in such a way that the power electronic module (10) is curved after completion of the construction process and the curvature of the power electronic module (10) is within predeterminable tolerances of a curvature corresponds to the curved surface of the heat sink (9, 13), and - the curved power electronic module (10) is then connected to the curved surface of the heat sink (9, 13).
Description
Technisches AnwendungsgebietTechnical application area
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper, bei dem in einem Aufbauprozess zur Fertigung des leistungselektronischen Moduls zumindest ein oder mehrere Halbleiterbauteile auf ein Trägersubstrat aufgebracht und mit dem Trägersubstrat verbunden werden, sowie eine mit dem Verfahren erhaltene Anordnung.The present invention relates to a method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink, in which at least one or more semiconductor components are applied to a carrier substrate and connected to the carrier substrate in a construction process for manufacturing the power electronic module, and to an arrangement obtained with the method .
Leistungselektronische Module erzeugen während des Betriebs eine starke thermische Verlustleistung und müssen daher effektiv gekühlt werden. Die Module weisen in der Regel ein elektrisch isolierendes Trägersubstrat mit wenigstens einer Metallisierung auf, über die ein oder mehrere Halbleiterbauteile, insbesondere Halbleiterchips, mit dem Trägersubstrat verbunden sind. Die Metallisierung kann bei geeigneter Strukturierung auch die Funktion von Leiterbahnen zur elektrischen Verbindung und/oder Kontaktierung der Halbleiterbauteile übernehmen. Leistungselektronische Module weisen häufig auch eine metallische Grundplatte auf, mit der das Trägersubstrat über eine weitere Metallisierung verbunden ist. Die Grundplatte wird dann auf einen ebenen Kühlkörper beispielsweise aufgeschraubt, um einen guten thermischen Kontakt herzustellen.Power electronic modules generate a lot of thermal power loss during operation and therefore need to be cooled effectively. The modules generally have an electrically insulating carrier substrate with at least one metallization, via which one or more semiconductor components, in particular semiconductor chips, are connected to the carrier substrate. With suitable structuring, the metallization can also take on the function of conductor tracks for electrically connecting and/or contacting the semiconductor components. Power electronic modules often also have a metallic base plate to which the carrier substrate is connected via further metallization. The base plate is then screwed onto a flat heat sink, for example, in order to establish good thermal contact.
Allerdings besteht vor allem bei leistungselektronischen Modulen mit Grundplatte häufig das Problem, dass sich das Modul aufgrund der verschiedenen Materialien mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und der erforderlichen Prozesstemperaturen beim Aufbauprozess verbiegt, so dass die Grundplatte zum Kühlkörper hin eine konkave Form aufweisen kann, durch die ein unerwünschter Hohlraum zwischen Kühlkörper und Grundplatte entsteht.However, there is often the problem, especially with power electronic modules with a base plate, that the module bends during the assembly process due to the different materials with different thermal expansion coefficients and the required process temperatures, so that the base plate can have a concave shape towards the heat sink, which results in an undesirable A cavity is created between the heat sink and the base plate.
Stand der TechnikState of the art
Zur Vermeidung dieser Problematik ist es beispielsweise aus der
Die
Die
Die
Die
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Fertigung und Aufbringung eines leistungselektronischen Moduls auf einen Kühlkörper anzugeben, das eine langlebige Anbindung an den Kühlkörper und einen verbesserten Wärmeabtransport ermöglicht.The object of the present invention is to provide a method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink, which enables a long-lasting connection to the heat sink and improved heat dissipation.
Darstellung der ErfindungPresentation of the invention
Die Aufgabe wird mit dem Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Patentanspruch 11 gibt eine mit dem Verfahren erhaltene Anordnung aus leistungselektronischem Modul und Kühlkörper an. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens und der Anordnung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche oder lassen sich der nachfolgenden Beschreibung sowie den Ausführungsbeispielen entnehmen.The task is solved using the method according to claim 1. Claim 11 specifies an arrangement of power electronic module and heat sink obtained with the method. Advantageous embodiments of the method and the arrangement are the subject of the dependent patent claims or can be found in the following description and the exemplary embodiments.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren werden in bekannter Weise in einem Aufbauprozess zur Fertigung des leistungselektronischen Moduls zumindest ein oder mehrere Halbleiterbauteile auf eine Oberseite eines Trägersubstrates aufgebracht. Das Trägersubstrat trägt dabei eine metallische Schicht, die auch erst während des Aufbauprozesses aufgebracht werden kann, und besteht aus einem elektrisch isolierenden Material. Das eine oder die mehreren Halbleiterbauteile werden dabei mit der metallischen Schicht verbunden. Als Trägersubstrat wird vorzugsweise ein keramisches Substrat eingesetzt. Auch ein Substrat aus einem organischen Material ist jedoch möglich. Wie bereits weiter oben angeführt, kann die metallische Schicht durch geeignete Strukturierung auch die Funktion von Leiterbahnen für das leistungselektronische Modul übernehmen. Die Verbindung der Halbleiterbauteile mit der metallischen Schicht kann dabei in bekannter Weise, beispielsweise mittels einer Lottechnik erfolgen. Bei den Halbleiterbauteilen handelt es sich vorzugsweise um Halbleiterchips. Weiterhin kann auch die Rückseite des Trägersubstrates eine metallische Schicht tragen oder im Aufbauprozess mit einer metallischen Schicht versehen werden und das Trägersubstrat über diese metallische Schicht mit einer elektrisch leitfähigen, insbesondere metallischen, Grundplatte verbunden werden. Die Grundplatte ist jedoch nicht in jedem Falle erforderlich. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass ein Kühlkörper mit einer gekrümmten Oberfläche bereitgestellt und der Aufbauprozess so durchgeführt wird, dass das leistungselektronische Modul nach Abschluss des Aufbauprozesses gekrümmt ist und die Krümmung innerhalb vorgebbarer Toleranzen der Krümmung der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers entspricht. Die Toleranzen können hierbei beispielsweise hinsichtlich des Krümmungsradius ± 10% sein. Die Krümmung wird jedoch in jedem Falle so erzeugt, dass sie der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers näherliegt als bei einer ebenen Ausgestaltung des leistungselektronischen Moduls. Die Krümmung kann hierbei nur um eine Achse oder auch um zwei (zueinander senkrechte) Achsen vorgegeben bzw. erzeugt werden. Dies hängt von der Geometrie des Trägersubstrates und/oder der Grundplatte ab. Bei einer rechteckigen länglichen Geometrie erfolgt die Krümmung hauptsächlich um die kurze Achse. Die Lage der Krümmungsachse kann auch über eine Strukturierung des Trägersubstrates oder der Grundplatte oder durch laterale Strukturierung der Metallisierung beeinflusst werden. Das gekrümmte leistungselektronische Modul wird anschließend in geeigneter Weise mit der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers verbunden, um die Wärmeableitung aus dem leistungselektronischen Modul in den Kühlkörper sicherzustellen.In the proposed method, at least one or more semiconductor components are applied to a top side of a carrier substrate in a known manner in a construction process for producing the power electronic module. The carrier substrate carries a metallic layer, which can only be applied during the construction process, and consists of an electrically insulating material. One or more The semiconductor components are connected to the metallic layer. A ceramic substrate is preferably used as the carrier substrate. However, a substrate made of an organic material is also possible. As already stated above, the metallic layer can also take on the function of conductor tracks for the power electronic module through suitable structuring. The semiconductor components can be connected to the metallic layer in a known manner, for example using soldering technology. The semiconductor components are preferably semiconductor chips. Furthermore, the back of the carrier substrate can also carry a metallic layer or can be provided with a metallic layer in the construction process and the carrier substrate can be connected to an electrically conductive, in particular metallic, base plate via this metallic layer. However, the base plate is not required in every case. The method is characterized in that a heat sink with a curved surface is provided and the construction process is carried out in such a way that the power electronic module is curved after completion of the construction process and the curvature corresponds to the curvature of the curved surface of the heat sink within predeterminable tolerances. The tolerances can be ± 10%, for example, with regard to the radius of curvature. However, the curvature is always created in such a way that it is closer to the curved surface of the heat sink than with a flat design of the power electronic module. The curvature can only be specified or generated around one axis or around two (mutually perpendicular) axes. This depends on the geometry of the carrier substrate and/or the base plate. In a rectangular elongated geometry, the curvature occurs primarily around the short axis. The position of the axis of curvature can also be influenced by structuring the carrier substrate or the base plate or by lateral structuring of the metallization. The curved power electronic module is then suitably connected to the curved surface of the heat sink to ensure heat dissipation from the power electronic module into the heat sink.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren wird somit die bisher als Nachteil empfundene Krümmung des leistungselektronischen Moduls während des Aufbauprozesses gezielt ausgenutzt, um eine verbesserte und langlebigere Anbindung des Moduls an den Kühlkörper zu erreichen. Hierzu werden die Fertigungsparameter gezielt so gewählt, dass die gewünschte Krümmung innerhalb der vorgegebenen Toleranzen erreicht wird. Zu den Fertigungsparametern zählen die Abmessungen, insbesondere die Dicke, des Trägersubstrats, der metallischen Schicht(en) und gegebenenfalls der Grundplatte und/oder eine gezielte Strukturierung der aufgebrachten Schicht(en) sowie die Prozesstemperaturen, d.h. insbesondere die Höhe und der zeitliche Verlauf der Prozesstemperaturen, wie sie beispielsweise für die Verbindungsprozesse erforderlich sind. Die für die gewünschte Krümmung erforderlichen Fertigungsparameter werden vorzugsweise vorab durch eine Simulationsrechnung ermittelt. Die Krümmung der Oberfläche des Kühlkörpers wird dabei natürlich so gewählt, dass das leistungselektronische Modul noch ohne Schädigung an diese Krümmung angepasst werden kann.In the proposed method, the curvature of the power electronic module, which was previously perceived as a disadvantage, is specifically exploited during the assembly process in order to achieve an improved and more durable connection of the module to the heat sink. For this purpose, the manufacturing parameters are specifically selected so that the desired curvature is achieved within the specified tolerances. The manufacturing parameters include the dimensions, in particular the thickness, of the carrier substrate, the metallic layer(s) and possibly the base plate and/or a targeted structuring of the applied layer(s) as well as the process temperatures, i.e. in particular the level and the time course of the process temperatures , such as those required for the connection processes. The manufacturing parameters required for the desired curvature are preferably determined in advance using a simulation calculation. The curvature of the surface of the heat sink is of course chosen so that the power electronic module can be adapted to this curvature without damage.
In einer bevorzugten Ausgestaltung wird ein Kühlkörper eingesetzt, der zumindest in einem Abschnitt, in dem das leistungselektronische Modul mit der Oberfläche des Kühlkörpers verbunden wird, zylinder-, kegelstumpf- oder rohrförmig ausgebildet ist. Der Kühlkörper kann natürlich auch vollständig zylinder-, kegelstumpf- oder rohrförmig ausgebildet sein. Ein oder mehrere der leistungselektronischen Module werden dann vorzugsweise mittels einer Manschette mit dem Kühlkörper verbunden, die in diesem Abschnitt um die Außenseite des zylinder- oder rohrförmigen Kühlkörpers mit dem oder den aufgebrachten leistungselektronischen Modul(en) gespannt wird. Bei Nutzung eines rohrförmigen Kühlkörpers kann das Modul - oder auch mehrere Module - auch an die Innenwandung des Rohrs angebracht und mittels einer entsprechend ausgebildeten Manschette gegen diese Innenwandung gedrückt werden. In beiden Fällen kann die Manschette auch so ausgestaltet sein, dass sie oder ein Teil davon die Funktion einer oder mehrerer elektrischer Leitungen des leistungselektronischen Moduls übernimmt. Die Manschette kann hierzu beispielsweise als mehrlagiger Folienleiter ausgeführt sein.In a preferred embodiment, a heat sink is used which is cylindrical, truncated or tubular, at least in a section in which the power electronic module is connected to the surface of the heat sink. The heat sink can of course also be completely cylindrical, truncated or tubular. One or more of the power electronic modules are then preferably connected to the heat sink by means of a sleeve, which in this section is stretched around the outside of the cylindrical or tubular heat sink with the applied power electronic module(s). When using a tubular heat sink, the module - or several modules - can also be attached to the inner wall of the tube and pressed against this inner wall using a correspondingly designed sleeve. In both cases, the sleeve can also be designed in such a way that it or a part of it takes on the function of one or more electrical lines of the power electronic module. For this purpose, the sleeve can be designed, for example, as a multi-layer film conductor.
Bei dem vorgeschlagenen Verfahren werden die Verbiegungskräfte aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der für den Aufbau des leistungselektronischen Moduls verwendeten Materialien ausgenutzt, um eine gewünschte Krümmung bzw. Verbiegung des Moduls herbeizuführen. Durch eine zum Kühlkörper hin konvexe Krümmung des Moduls in Verbindung einer mit konkaven Krümmung der Oberfläche des Kühlkörpers wird in einer vorteilhaften Ausgestaltung auch eine Erhöhung der Wärmespreizung und damit ein besserer thermischer Widerstand erreicht.In the proposed method, the bending forces due to different thermal expansion coefficients of the materials used to construct the power electronic module are exploited in order to bring about a desired curvature or bending of the module. In an advantageous embodiment, a convex curvature of the module towards the heat sink in conjunction with a concave curvature of the surface of the heat sink also achieves an increase in the heat spread and thus a better thermal resistance.
Mit dem Verfahren wird somit eine Anordnung aus einem oder mehreren gekrümmten leistungselektronischen Modulen und einem Kühlkörper mit einem gekrümmten Oberflächenbereich erhalten, bei der die Krümmung des einen oder der mehreren leistungselektronischen Module an den gekrümmten Oberflächenbereich des Kühlkörpers angepasst ist und das oder die leistungselektronischen Module in diesem Oberflächenbereich thermisch leitfähig mit dem Kühlkörper verbunden sind.With the method, an arrangement of one or more curved power electronic modules and a heat sink with a curved surface area is thus obtained, in which the curvature of the one or more power electronic modules is adapted to the curved surface area of the heat sink and the power electronic module or modules are connected to the heat sink in a thermally conductive manner in this surface area.
Das vorgeschlagene Verfahren lässt sich für alle Anwendungen leistungselektronischer Module einsetzen, insbesondere in Fällen, in denen die geometrischen Gegebenheiten eine plane Ausbildung einer Kühlkörperoberfläche nur mit zusätzlichem Aufwand ermöglichen.The proposed method can be used for all applications of power electronic modules, especially in cases in which the geometric conditions only allow a flat design of a heat sink surface with additional effort.
Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings
Das vorgeschlagene Verfahren wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen nochmals näher erläutert. Hierbei zeigen:
-
1 ein Beispiel für den Aufbau eines leistungselektronischen Moduls; -
2 eine schematische Darstellung einer Krümmung eines vereinfacht dargestellten leistungselektronischen Moduls während des Aufbauprozesses; -
3 ein Beispiel für eine Aufbringung leistungselektronischer Module auf einen zylinderförmigen Kühlkörper; -
4 ein Beispiel ist eine Aufbringung leistungselektronischer Module an die Innenwand eines rohrförmigen Kühlkörpers; und -
5 ein Beispiel für die Abhängigkeit der Stärker der Krümmung von der Dicke einer Bodenplatte.
-
1 an example of the structure of a power electronic module; -
2 a schematic representation of a curvature of a simplified power electronic module during the construction process; -
3 an example of applying power electronic modules to a cylindrical heat sink; -
4 an example is the application of power electronic modules to the inner wall of a tubular heat sink; and -
5 an example of the dependence of the strength of the curvature on the thickness of a floor slab.
Wege zur Ausführung der ErfindungWays of carrying out the invention
Ein beispielhafter Aufbau eines leistungselektronischen Moduls ist in
Leistungselektronische Module müssen zur Wärmeabführung auf einem geeigneten Kühlkörper aufgebracht werden. Hierzu werden bisher Kühlkörper mit einer planen Oberfläche eingesetzt, auf die das leistungselektronische Modul mit der Grundplatte aufgebracht wird. Da bei dem Aufbauprozess des leistungselektronischen Moduls jedoch aufgrund der Temperaturführung und der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der beteiligten Materialien häufig eine Verbiegung der Grundplatte auftritt, ist die möglichst großflächige Verbindung der Grundplatte mit dem Kühlkörper oft nicht ausreichend gewährleistet. Bei dem vorgeschlagenen Verfahren wird nun dieser Effekt gezielt ausgenutzt. Hierzu wird ein Kühlkörper verwendet, der eine gekrümmte Oberfläche aufweist. Der Aufbauprozess für das leistungselektronische Module wird dann so durchgeführt, dass das leistungselektronische Modul nach Abschluss des Aufbauprozesses eine Krümmung aufweist, die innerhalb vorgebbarer Toleranzen der Krümmung der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers entspricht. Das gekrümmte leistungselektronische Modul wird anschließend mit der gekrümmten Oberfläche des Kühlkörpers in geeigneter Weise verbunden, um eine ausreichend hohe Wärmeleitung in den Kühlkörper zu erzielen. Das leistungselektronische Modul kann hierbei mit einer Boden- bzw. Grundplatte wie in
Die Stärke der Krümmung kann beispielsweise über die Geometrie der beteiligten Komponenten gesteuert werden. So wird beim vollflächigen Auflöten eines Schaltungsträgers (60x30mm) bei einer Lottemperatur von 220°C auf eine Bodenplatte (80x40mm) aus Aluminium nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur eine unterschiedliche Krümmung (hier als Höhe der Mitte der durchgebogenen Bodenplatte über der Auflagefläche) in Abhängigkeit von der Dicke der Bodenplatte erhalten, wie dies in
Ein derartiges leistungselektronisches Modul mit einer entsprechenden Krümmung kann beispielsweise auf einen zylinderförmigen Kühlkörper, z.B. eine Antriebsstruktur einer Turbine, oder einen rohrförmigen Kühlkörper, z.B. eine Flüssigkeitsleitung, aufgebracht werden.
In einem weiteren Beispiel werden mehrere leistungselektronische Module 10 an die Innenwand eines rohrförmigen Kühlkörpers 13 angebracht, wie dies in
Grundsätzlich ergibt sich bei konvexer Kühlrichtung wie bei der Ausgestaltung der
BezugszeichenlisteReference symbol list
- 11
- MetallisierungMetallization
- 22
- Schaltungsträger bzw. TrägersubstratCircuit carrier or carrier substrate
- 33
- Grund- bzw. BodenplatteBase or floor plate
- 44
- HalbleiterbauelementSemiconductor component
- 55
- BonddrahtBonding wire
- 66
- AnschlussleitungConnection cable
- 77
- VergussmaterialPotting material
- 88th
- GehäuseHousing
- 99
- zylinderförmiger Kühlkörpercylindrical heat sink
- 1010
- leistungselektronisches Modulpower electronic module
- 1111
- Manschettecuff
- 1212
- mechanische Verspann- oder Verbindungsvorrichtungmechanical tensioning or connecting device
- 1313
- rohrförmiger Kühlkörpertubular heat sink
- 1414
- Manschettecuff
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019212638.3A DE102019212638B4 (en) | 2019-08-23 | 2019-08-23 | Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink and the resulting arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019212638.3A DE102019212638B4 (en) | 2019-08-23 | 2019-08-23 | Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink and the resulting arrangement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102019212638A1 DE102019212638A1 (en) | 2021-02-25 |
DE102019212638B4 true DE102019212638B4 (en) | 2023-12-14 |
Family
ID=74495516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102019212638.3A Active DE102019212638B4 (en) | 2019-08-23 | 2019-08-23 | Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink and the resulting arrangement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102019212638B4 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020140084A1 (en) | 2001-04-03 | 2002-10-03 | Naoto Kimura | Semiconductor device |
JP2003158229A (en) | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor module manufacturing device |
DE102012215052A1 (en) | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Infineon Technologies Ag | Elastic assembly of power modules |
DE102012218304A1 (en) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device module |
DE102015219830B3 (en) | 2015-10-13 | 2017-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a contact arrangement and contact arrangement |
-
2019
- 2019-08-23 DE DE102019212638.3A patent/DE102019212638B4/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020140084A1 (en) | 2001-04-03 | 2002-10-03 | Naoto Kimura | Semiconductor device |
JP2003158229A (en) | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor module manufacturing device |
DE102012215052A1 (en) | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Infineon Technologies Ag | Elastic assembly of power modules |
DE102012218304A1 (en) | 2012-03-22 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device module |
DE102015219830B3 (en) | 2015-10-13 | 2017-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a contact arrangement and contact arrangement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102019212638A1 (en) | 2021-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69615038T2 (en) | METHOD FOR SURFACE MOUNTING A HEAT SINK ON A CIRCUIT BOARD | |
DE69819216T2 (en) | Unsupported ball connection for integrated circuit chip packaging | |
DE10324909B4 (en) | Housing for a radiation-emitting component, method for its production and radiation-emitting component | |
DE102005047567B3 (en) | Power semiconductor module comprises a housing, connecting elements and an electrically insulated substrate arranged within the housing and semiconductor components with a connecting element and an insulating molded body | |
DE102011079708B4 (en) | SUPPORT DEVICE, ELECTRICAL DEVICE WITH SUPPORT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME | |
DE102006008807B4 (en) | Arrangement with a power semiconductor module and a cooling component | |
DE102015110653A1 (en) | Double sided cooling chip package and method of making same | |
DE69506957T2 (en) | Heat-emitting component made of highly oriented graphite | |
DE102005024900A1 (en) | Semiconductor device | |
DE102017200256A1 (en) | Electrode terminal, semiconductor device and power conversion device | |
DE102011083927A1 (en) | Power module and method of making the same | |
DE3835767A1 (en) | COOLING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MODULE | |
DE3335848C2 (en) | ||
DE102017212233A1 (en) | Electrical assembly and method of making an electrical assembly | |
EP1445799A2 (en) | Heat dissipation device for a semiconductor on a printed circuit board | |
DE3212592C2 (en) | Cooling device for communications engineering equipment | |
DE102011089886A1 (en) | Circuit carrier e.g. direct bonded copper substrate, for fixing power transistors in e.g. circuit device of power-electronic system of vehicle, has cooling structure formed of heat conductive layer applied on surface of carrier layer | |
DE102019212638B4 (en) | Method for manufacturing and applying a power electronic module to a heat sink and the resulting arrangement | |
DE102012202562A1 (en) | MULTILAYER CONDUCTOR PLATE | |
DE10217214B4 (en) | Cooling arrangement for a circuit arrangement | |
DE10125697B4 (en) | Power semiconductor module and method for manufacturing a power semiconductor module | |
DE202005004277U1 (en) | Circuit board, with densely packed semiconductor components, has recesses to take them at least partially with contact thermal couplings and cooling elements to dissipate their heat | |
DE102011006445B4 (en) | Semiconductor module and method of making the same | |
DE4105786A1 (en) | Liquid cooled electrical resistance - has track formed on housing that is box shaped and has liquid circulated through it | |
DE102021207489A1 (en) | Bonding wire, circuit with bonding wire, method for producing a bonding wire and method for producing a circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division |