DE10337640A1 - Power semiconductor module for fitting on a heat sink has a casing, power semiconductor components and an insulating substrate with metal layers on both sides - Google Patents

Power semiconductor module for fitting on a heat sink has a casing, power semiconductor components and an insulating substrate with metal layers on both sides

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DE10337640A1
DE10337640A1 DE2003137640 DE10337640A DE10337640A1 DE 10337640 A1 DE10337640 A1 DE 10337640A1 DE 2003137640 DE2003137640 DE 2003137640 DE 10337640 A DE10337640 A DE 10337640A DE 10337640 A1 DE10337640 A1 DE 10337640A1
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Abstract

Power semiconductor components (PSC) (30) fit on a first metal layer (FML) (22) that is structured in itself and consequently forms individual strip conductors. The PSC link to this FML as a circuit. The FML fits on the first main surface of a substrate (20) facing the inside of a power semiconductor module. A second metal layer (24) fits on a second main surface of the substrate.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul bestehend aus mindestens einem Substrat, das seinerseits aus einem Isolierstoffkörper sowie auf beiden Hauptflächen dieses Isolierstoffkörpers angeordneten metallischen Schichten besteht. The invention relates to a power semiconductor module comprising at least one substrate consisting, in turn, arranged in an insulating body, as well as on both major surfaces of this insulating material metallic layers. Die erste metallische Schicht ist hierbei in sich strukturiert und bildet einzelne Verbindungsbahnen. The first metallic layer is patterned into this and forms individual connection tracks. Auf diesen Verbindungsbahnen und mit diesen schaltungsgerecht verbunden sind Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet. Power semiconductor devices are connected to these connecting tracks and using this circuit-friendly arranged. Auf der zweiten Hauptfläche des Isolierstoffkörpers ist eine zweite, nach dem Stand der Technik unstrukturierte, metallische Schicht (Metallisierung) angeordnet. On the second major surface of the insulating material a second unstructured according to the prior art, metallic layer (metallization) is arranged. Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul ein rahmenartiges Gehäuse sowie einen Deckel auf, wobei diese beiden Teile auch einstückig ausgeführt sein können. Furthermore, the power semiconductor module on a frame-like housing and a cover, these two parts can also be designed in one piece.
  • Das Leistungshalbleitermodul wird entweder direkt mit der zweiten metallischen Schicht auf einem Kühlkörper montiert oder es weist eine zusätzliche metallische Grundplatte auf, auf der die zweite metallische Schicht des Substrats angeordnet ist. The power semiconductor module is mounted either directly or with the second metallic layer on a heat sink, it comprises an additional metal base plate, on which the second metallic layer of the substrate is arranged.
  • Die The DE 102 13 648 DE 102 13 648 zeigt beispielhaft ein Leistungshalbleitermodul der oben beschriebenen Art zur direkten Montage auf einem Kühlkörper. exemplary showing a power semiconductor module of the type described above for direct installation on a cooling body. Die The DE 103 16 355 DE 103 16 355 zeigt unter anderem ein Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte zur Montage auf einem Kühlkörper. shows, among other things, a power semiconductor module with a baseplate for mounting on a heat sink. Allen derartigen Leistungshalbleitermodulen nach dem Stand der Technik ist gemeinsam, dass deren Substrat eine strukturierte Metallisierung auf der ersten und eine unstrukturierte Metallisierung auf der zweiten Hauptfläche aufweist. All such power semiconductor modules according to the prior art have in common that the substrate has a patterned metallization on the first and a non-patterned metallization on the second major surface. Diese unterschiedliche Ausgestaltung führt zu Verspannungen innerhalb des Substrates. This different configuration results in stresses within the substrate. Ursächlich für diese Verspannungen ist der Herstellungsprozess des Substrates. The reason for this tension is the manufacturing process of the substrate. Bei der Herstellung werden auf beiden Seiten des Isolierstoffkörpers vorzugsweise identische Metallisierungen aufgebracht. In the preparation preferably identical metallizations are applied to both sides of the insulating material. Anschießend wird die erste Metallisierung strukturiert um die Leiterbahnen auszubilden. Anschießend the first metallization is patterned to form the interconnects. Die zweite Metallisierung ist nach dem Stand der Technik unstrukturiert. The second metallization is unstructured in the prior art. Aus diesem Unterschied der Strukturierung resultiert eine Verspannung des Substrates. This difference of structure results in a distortion of the substrate. Diese Verspannung kann zu einer Durchbiegung des Substrates führen. This stress may lead to a deflection of the substrate. Hieraus resultieren abhängig von der Art des Leistungshalbleitermoduls bei dessen Herstellung oder dessen Verwendung eine Mehrzahl von Nachteilen, beispielhaft sind drei der wichtigsten genannt: This results depending on the type of the power semiconductor module in its preparation or its use, a plurality of disadvantages, by way of example are called three of the most important:
    • • Bei der Herstellung wird die automatisierte Bestückung des Substrates mit Bauelementen erschwert. • In the preparation of the automated assembly of the substrate with components is difficult.
    • • Eine für den Wärmeabtransport während der Verwendung des Leistungshalbleiterbauelemente notwendige plane stoffschlüssige Auflage auf einer Grundplatte ist erschwert. • A necessary for the dissipation of heat during use of the power semiconductor components cohesive plane resting on a base plate is difficult.
    • • Bei grundplattenlosen Leistungshalbleitermodulen wird während der Verwendung der Wärmeübergang zu einem stoffbündig darunter angeordneten Kühlkörper verschlechtert. • If no base plate power semiconductor modules is deteriorated during use of the heat transfer material to a flush arranged underneath the heat sink.
  • Ausgangspunkt der Erfindung ist weiterhin die The starting point of the invention is the DE 43 18 241 A1 DE 43 18 241 A1 . , Hier wird die Ausgestaltung eines Substrates mit zwei Reihen von Öffnungen im Randbereich der Metallisierung der zweiten Hauptfläche vorgeschlagen. Here, the embodiment of a substrate with two rows of openings in the edge region of the metallization of the second major surface is proposed. Der Vorteil dieser Anordnung von kleinen Löchern, die im Vergleich mit der Dicke der Metallisierung eine geringere Tiefe aufweisen, liegt darin eine Rissbildung der Metallisierung im Randbereich bei thermischer Belastung durch Temperaturwechsel zu vermeiden. The advantage of this arrangement of small holes having a smaller depth in comparison with the thickness of the metallization, is to avoid thermal shock cracking by the metallization in the edge region in thermal stress. Diese Ausgestaltung hat allerdings keinen Einfluss auf die oben beschriebene Durchbiegung des Substrates. However, this configuration does not affect the above bending of the substrate.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, welches eine reduzierte Durchbiegung des Substrates aufweist und somit einen besseren thermischen Kontakt des Substrates zu einer Grundplatte oder einem Kühlkörper gewährleistet. the object of the present invention is to present a power semiconductor module which has a reduced flexing of the substrate, thus ensuring a better thermal contact of the substrate to a base plate or a heat sink.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul nach dem Anspruch 1, spezielle Ausgestaltungen finden sich in den Unteransprüchen. This object is achieved by a power semiconductor module according to claim 1, specific configurations are given in the subclaims.
  • Der Grundgedanke der Erfindung geht aus von einem Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper. The basic idea of ​​the invention is directed to a power semiconductor module with a baseplate, or for direct mounting onto a cooling body. Dieses besteht aus einem Gehäuse, mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement sowie mindestens einem beidseitig mit einer metallischen Schicht versehenen elektrisch isolierenden Substrat. This consists of a housing, at least one power semiconductor component and at least one provided on both sides with a metallic layer electrically insulating substrate. Das mindestens eine Leistungshalbleiterbauelement ist auf der ersten in sich strukturierten und somit einzelne Leiterbahnen bildenden metallischen Schicht angeordnet und mit dieser schaltungsgerecht beispielhaft mittels Drahtbondverbindungen verbunden. The at least one power semiconductor component is disposed on the first patterned in themselves and thus individual conductor tracks forming the metallic layer, and with this circuit-friendly way of example, connected by means of wire bond connections. Diese erste metallische Schicht befindet sich auf der ersten, dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten Hauptfläche des Substrates, während die zweite metallische Schicht auf der zweiten Hauptfläche des Substrates angeordnet ist. This first metallic layer located on the first, facing the interior of the power semiconductor module main surface of the substrate, while the second metallic layer is disposed on the second major surface of the substrate.
  • Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul weist auf der zweiten metallischen Schicht eine Vielzahl von Vertiefungen auf. The power semiconductor module according to the invention has a plurality of depressions on the second metallic layer. Dies Vertiefungen sind regelmäßig oder unregelmäßig über die gesamte Fläche der metallischen Schicht angeordnet. These recesses are arranged regularly or irregularly over the entire surface of the metallic layer. Weiterhin weisen diese Vertiefungen eine Tiefenausdehnung auf, die geringer ist als die Dicke der zweiten metallischen Schicht. Furthermore, these recesses have a depth dimension that is less than the thickness of the second metallic layer.
  • Vorteilhaft an dieser Ausgestaltung der zweiten metallischen Schicht des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls ist, dass durch die teilweise Unterbrechung der Oberfläche diese und damit die gesamte Schicht gezielt geschwächt wird. An advantage of this embodiment of the second metallic layer of the power semiconductor module according to the invention, that these and thus the entire layer is selectively weakened by the partial interruption of the surface. Diese Schwächung kompensiert die durch die Strukturierung der ersten Oberfläche dort entstandene Schwächung. This weakening compensates for the resulting there through the structuring of the first surface weakening. Somit wird eine oben beschriebene Durchbiegung des Substrates deutlich reduziert. Thus, a deflection of the substrate described above is significantly reduced.
  • Weiterhin vorteilhaft an der erfinderischen Ausgestaltung eines Leistungshalbleitermoduls ist, dass die Vertiefungen Inhomogenitäten oder Überschüsse des Auftrags von Wärmeleitpasten zwischen dem Substrat und eine Kühlkörper durch die Aufnahme dieser ausgleichen. It is also advantageous to the inventive embodiment of a power semiconductor module, that the depressions inhomogeneities or surplus of the order of thermal compounds between the substrate and a cooling body by the inclusion of this offset.
  • Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den The invention will be with reference to embodiments in conjunction with the 1 1 bis to 4 4 näher erläutert. explained.
  • 1 1 zeigt einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul zur direkten Montage auf einem Kühlkörper. shows a section through an inventive power semiconductor module for direct installation on a cooling body.
  • 2 2 zeigt die zweite Metallisierung des Substrates eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. shows the second metallization of the substrate of a power semiconductor module according to the invention.
  • 3 3 zeigt eine weitere Ausgestaltung der zweiter Metallisierung des Substrates. shows a further embodiment of the second metallization of the substrate.
  • 4 4 zeigt eine dritte Ausgestaltung der zweiter Metallisierung des Substrates. shows a third embodiment of the second metallization of the substrate.
  • 1 1 zeigt einen Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul ( shows a section through an inventive power semiconductor module ( 1 1 ) zur direkten Montage auf einem Kühlkörper ( ) (For direct installation on a cooling body 50 50 ). ). Dargestellt ist hierbei ein rahmenartiges Gehäuse ( Shown here is a frame-like housing ( 10 10 ) mit integriertem Deckel. ) With integrated cover. Dieses überdeckt das Substrat ( This covers the substrate ( 2 2 ), welches seinerseits aus einem Isolierstoffkörper ( ), Which in turn (from an insulating material 20 20 ) sowie auf dessen beiden Hauptflächen angeordneten metallischen Schichten ( ) And arranged on its two major surfaces of metallic layers ( 22 22 , . 24 24 ) besteht. ) consists. Die erste metallische Schicht ( The first metallic layer ( 22 22 ) ist zur Ausbildung von einzelnen voneinander isolierten Leiterbahnen in sich strukturiert. ) Is patterned to form individual conductor tracks isolated from one another in itself. Auf diesen Leiterbahnen sind Leistungshalbleiterbauelemente ( These traces are power semiconductor devices ( 30 30 ) angeordnet. ) Are arranged. Vorzugsweise geschieht dies durch einen Lötprozess. This is preferably done by a soldering process. Die Leistungshalbleiterbauelemente ( The power semiconductor devices ( 30 30 ) sind mit weiteren Leiterbahnen mittels Drahtbondverbindungen ( ) Are (with further conductor tracks by means of wire bond connections 32 32 ) schaltungsgerecht verbunden. ) Connected circuit-friendly. Das Leistungshalbleitermodul ( The power semiconductor module ( 1 1 ) ist vorteilhafterweise im Inneren mit einem Silikonkautschuk ( ) Is (advantageously inside with a silicone rubber 40 40 ) zur elektrischen Isolierung vergossen. ) Was coated for electrical insulation.
  • Derartige Leistungshalbleitermodule ( Such power semiconductor modules ( 1 1 ) werden zur Abfuhr der in den Leistungshalbleiterbauelementen ( ) Are used for removal of the (in the power semiconductor components 30 30 ) entstehenden Wärme auf einem Kühlkörper ( ) Heat generated on a heat sink ( 50 50 ) montiert. ) assembled. Die zweite metallische Schicht ( The second metallic layer ( 24 24 ) des Substrates ( () Of the substrate 2 2 ) dient hierbei dem Wärmeübergang. ) Is used here for heat transfer. Diese Schicht ist in This layer is in 1 1 zur Verdeutlichung dicker gezeichnet als die erste metallische Schicht ( drawn to illustrate thicker than the first metallic layer ( 22 22 ), allerdings ist bei der realen Ausgestaltung eine gleiche Schichtdicke beider Schichten ( ), But is a same layer thickness of both layers (on the real configuration 22 22 , . 24 24 ) bevorzugt. ) prefers. Zwischen der zweiten metallischen Schicht ( Between the second metallic layer ( 24 24 ) und dem Kühlkörper ist nach dem Stand der Technik eine Wärmeleitpaste (nicht gezeichnet) angeordnet. ) And the cooling body is arranged according to the prior art, a thermally conductive paste (not shown). Erfindungsgemäß weist die zweite metallische Schicht Vertiefungen ( According to the invention, the second metallic layer depressions ( 26 26 ) auf. ) on. Diese sind hier in den Bereichen der zweiten metallischen Schicht ( These are here in the areas of the second metallic layer ( 24 24 ) angeordnet, in den auf der gegenüberliegenden ersten metallischen Schicht ( ) Arranged (in the metal across the first layer 22 22 ) keine Leistungshalbleiterbauelemente ( ) No power semiconductor devices ( 30 30 ) angeordnet sind. ) Are arranged. Somit ist die zweite metallische Schicht geschwächt um die Durchbiegung des Substrates ( Thus, the second metallic layer is weakened to the deflection of the substrate ( 2 2 ) zu verringern. ) to reduce. Durch diese Anordnung ist der im wesentlichen direkte Wärmeübergang von den Leistungshalbleiterbauelementen ( By this arrangement, the substantially direct heat transfer (from the power semiconductor components 30 30 ) zum Kühlkörper nicht behindert. ) To the cooling body is not hindered. Weiterhin ist es hinreichend, wenn die Vertiefungen ( Furthermore, it is sufficient if the wells ( 26 26 ) eine Tiefe von maximal 50% der Dicke der zweiten metallischen Schicht ( ) Has a depth of at most 50% of the thickness of the second metallic layer ( 24 24 ) aufweisen. ) respectively. Die Vertiefungen ( The wells ( 26 26 ) weisen den zusätzlichen Vorteil auf, dass überschüssige Wärmeleitpaste in diesen Vertiefungen aufgenommen werden kann. ) Have the additional advantage that excess grease can be accommodated in these recesses.
  • Die The 2 2 bis to 4 4 zeigen verschiedene Ausgestaltungen der zweiten metallischen Schicht ( show various embodiments of the second metallic layer ( 24 24 ) eines Substrates ( () Of a substrate 2 2 ) eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls ( () Of a power semiconductor module of the invention 1 1 ). ). Weiterhin dargestellt sind die Positionen ( Also shown are the positions ( 32 32 ) der Leistungshalbleiterbauelemente ( () Of the power semiconductor components 30 30 ) auf der ersten metallischen Schicht ( ) (On the first metallic layer 22 22 ). ).
  • 2 2 zeigt drei Gruppen von Vertiefungen ( shows three sets of recesses ( 26 26 ), die sich jeweils zwischen den in Reihen angeordneten Leistungshalbleiterbauelementen ( ) Each extending (between the rows arranged in power semiconductor components 30 30 ) auf der ersten metallischen Schicht ( ) (On the first metallic layer 22 22 ) befinden. ) are located. Diese Gruppen sind senkrecht zur Längsseite des Substrates ( These groups are perpendicular (to the longitudinal side of the substrate 2 2 ) ausgerichtet, da entlang der Längsausdehnung die Verspannungen und damit die Durchbiegung größer ist verglichen mit der Querausdehnung. ) Aligned, since along the longitudinal extension of the tension and thus the sag is greater compared with the transverse dimension. Die Vertiefungen ( The wells ( 26 26 ) bestehen hier aus Kugelsegmenten gleicher Größe. ) Here consist of spherical segments of equal size.
  • 3 3 zeigt wie shows how 2 2 ebenfalls drei Gruppen von Vertiefungen ( also has three sets of recesses ( 26 26 ). ). Dargestellt sind hier schlitz- oder langlochartige Vertiefungen ( Shown here recesses are slot- or slot-like ( 26a 26a , . 26b 26b ). ). Vorteil hierbei ist, dass diese Vertiefungen ein Vorzugsrichtung aufweisen. The advantage here is that these indentations have a preferred direction. Es kann somit bei geeigneter Anordnung eine unterschiedliche Schwächung der metallischen Schicht ( It can thus, with a suitable arrangement, a different attenuation of the metallic layer ( 24 24 ) in Quer- sowie in Längsausdehnung erreicht werden. ) Can be achieved, both transversal and longitudinal expansion. Weiterhin können derartig gestaltete Vertiefungen ( Further, such wells can be designed ( 26a 26a , . 26b 26b ) verglichen mit Kugelsegmenten, auf Grund ihrer größeren Fläche projiziert auf den Isolierstoffkörper eine geringe Tiefe von nur 10% der Dicke der zweiten metallischen Schicht ( ) Compared with spherical segments, due to their larger surface projected onto the insulating body a small depth of only 10% of the thickness of the second metallic layer ( 24 24 ) aufweisen. ) respectively. Dies erweist sich als vorteilhaft, bei einer Lötverbindung zwischen einer Grundplatte ( This proves to be advantageous (in the case of a solder connection between a base plate 50 50 ) und der metallischen Schicht ( ) And the metallic layer ( 24 24 ). ).
  • Die Gesamtheit aller Vertiefungen weist hier eine Grundfläche projiziert auf den Isolierstoffkörper auf, die zwischen 3% und 10% der Gesamtfläche der metallischen Schicht ( The totality of all wells in this case has a base surface projected onto the insulating material, which (between 3% and 10% of the total area of ​​the metallic layer 24 24 ) liegt. ) lies. Dieser Wert hängt von der Gestaltung der Strukturierung der ersten metallischen Schicht ( This value depends on the design of the structuring of the first metallic layer ( 22 22 ) ab und muss ebenso wie die Verteilung und die am besten geeignete Ausgestaltung der Vertiefungen ( ) And has to as well as the distribution and the most appropriate configuration of the depressions ( 26 26 ) empirisch für das jeweilige Substrat ( ) Empirically (for the respective substrate 2 2 ) ermittelt werden. ) be determined. Die Grundfläche projiziert auf den Isolierstoffkörper einer einzelnen Vertiefung ( The base is projected (the insulating an individual well 26 26 ) ist geringer als 0,3% der Gesamtfläche der metallischen Schicht ( ) Is less than 0.3% of the total area of ​​the metallic layer ( 24 24 ). ).
  • 4 4 zeigt in einer weiteren Ausgestaltung der zweiten metallischen Schicht ( shows in a further embodiment, the second metallic layer ( 24 24 ) des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls ( () Of the power semiconductor module of the invention 1 1 ) eine homogen Verteilung der Vertiefungen ( ) A homogeneous distribution of the wells ( 26 26 ). ). Alle Vertiefungen sind hierbei hexagonal zueinander angeordnet und weisen untereinander einen Abstand von mehr als dem Dreifachen ihrer jeweiligen lateralen Ausdehnung auf. All wells are arranged in this case hexagonal each other and face each other a distance of more than three times of their respective lateral extension on. In der gezeigten Ausgestaltung weisen alle Vertiefungen ( In the illustrated embodiment, all recesses ( 26 26 ) eine kugelsegmentartige Form auf, allerdings weisen nicht alle die gleiche Fläche projiziert auf den Isolierstoffkörper auf. ) On a spherical segment-like shape, but not all have the same area projected onto the insulating body on. Die Vertiefungen sind in Reihen alternierend mit größerer Ausdehnung ( The depressions are alternately (in rows with greater expansion 26c 26c ) und geringerer Ausdehnung ( ) And a smaller dimension ( 26d 26d ) angeordnet. ) Are arranged.

Claims (8)

  1. Leistungshalbleitermodul mit Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper bestehend aus einem Gehäuse ( Power semiconductor module with a baseplate, or for direct mounting onto a cooling body comprising (a housing 10 10 ), mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement ( ), At least one power semiconductor component ( 30 30 ) sowie mindestens einem beidseitig mit einer metallischen Schicht versehenen isolierenden Substrat ( ) And at least one provided on both sides with a metallic layer insulating substrate ( 20 20 ), wobei das mindestens eine Leistungshalbleiterbauelement ( ), The (at least one power semiconductor component 30 30 ) auf der ersten in sich strukturierten und somit einzelne Leiterbahnen bildenden metallischen Schicht ( ) (On the first structured in itself and therefore individual conductor tracks forming the metallic layer 22 22 ) angeordnet und mit dieser schaltungsgerecht verbunden ist, diese erste metallische Schicht ( this first metallic layer is disposed) and is connected to this circuit just ( 12 12 ) auf der ersten dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten Hauptfläche des Substrates ( ) (On the first side facing the interior of the power semiconductor module main surface of the substrate 20 20 ) und die zweite metallische Schicht ( ) And the second metallic layer ( 24 24 ) auf der zweiten Hauptfläche des Substrates ( ) (On the second major surface of the substrate 10 10 ) angeordnet sind, wobei die zweite metallisch Schicht ( ) Are arranged, wherein the second metallic layer ( 24 24 ) über ihre gesamte Fläche eine Vielzahl von Vertiefungen ( ) Over its entire surface a plurality of depressions ( 26 26 ) aufweist und diese Vertiefungen eine Tiefe aufweisen, die geringer ist als die Dicke der zweiten metallischen Schicht. ), And these recesses have a depth which is less than the thickness of the second metallic layer.
  2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 26 ) homogen über die gesamte Fläche der zweiten metallischen Schicht ( ) Homogeneous (over the entire surface of the second metallic layer 24 24 ) verteilt sind. ) are distributed.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 26 ) nur in denjenigen Flächenabschnitten der zweiten metallischen Schicht ( ) (Only in those surface portions of the second metallic layer 24 24 ) angeordnet sind, denen direkt gegenüber auf der ersten metallischen Schicht Flächenabschnitte ( ) Are disposed facing (opposite to the first metallic layer surface portions 32 32 ) ohne Leistungshalbleiterbauelemente ( ) Without power semiconductor components ( 30 30 ) zugeordnet sind. ) assigned.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 26 ) eine auf den Isolierstoffkörper ( ) One (on the insulating 20 20 ) projizierte Grundfläche aufweisen, die geringer ist als 0,3% der Gesamtfläche der metallischen Schicht ( have) projected base surface that is less than 0.3% of the total area of ​​the metallic layer ( 24 24 ). ).
  5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die gesamte auf den Isolierstoffkörper ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein the total (on the insulating 20 20 ) projizierte Grundfläche aller Vertiefungen ( ) Projected base surface of each well ( 26 26 ) zwischen 3% und 10% der Gesamtfläche der zweiten metallischen Schicht ( ) Between 3% and 10% of the total area of ​​the second metallic layer ( 24 24 ) entspricht. ) Corresponds.
  6. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei der Abstand jeweils zweier Vertiefungen ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein the spacing of each two recesses ( 26 26 ) mindestens das 3-fache der lateralen Ausdehnung in der jeweiligen Richtung entspricht. ) Is at least 3 times the lateral extent in the respective direction corresponds.
  7. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Vertiefungen ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein the depressions ( 26 26 ) eine Tiefe von maximal 10% der Dicke der zweiten metallischen Schicht ( ) Has a depth of at most 10% of the thickness of the second metallic layer ( 24 24 ) aufweisen. ) respectively.
  8. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei einzelne Gruppen von Vertiefungen ( Power semiconductor module according to claim 1, wherein individual groups of recesses ( 26 26 ) senkrecht zur Längsseite des Substrates ( ) Perpendicular (to the longitudinal side of the substrate 2 2 ) ausgerichtet sind. ) Are aligned.
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