DE102012209499A1 - Gleichstromentkoppelte Strommessung - Google Patents

Gleichstromentkoppelte Strommessung Download PDF

Info

Publication number
DE102012209499A1
DE102012209499A1 DE102012209499A DE102012209499A DE102012209499A1 DE 102012209499 A1 DE102012209499 A1 DE 102012209499A1 DE 102012209499 A DE102012209499 A DE 102012209499A DE 102012209499 A DE102012209499 A DE 102012209499A DE 102012209499 A1 DE102012209499 A1 DE 102012209499A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
load
transistor
sense
current
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102012209499A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Bogner
Luca Petruzzi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of DE102012209499A1 publication Critical patent/DE102012209499A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/20Modifications of basic electric elements for use in electric measuring instruments; Structural combinations of such elements with such instruments
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00

Abstract

Es wird eine Schaltungsanordnung zum Messen eines Laststroms beschrieben, der an einem ersten Lastanschluss eines Lasttransistors für eine Last bereitgestellt wird. Gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung umfasst die Schaltungsanordnung einen mit dem Last-Transistor gekoppelten Sense-Transistor, um einen den Laststrom repräsentierenden Sense-Strom an einem ersten Lastanschluss des Sense-Transistors zur Verfügung zu stellen. Die ersten Lastanschlüsse des Last- und des Sense-Transistors liegen jeweils auf schwebendem (freien, floating) elektrischen Potenzial. Eine potenzialfreie Sensor-Schaltung ist zwischen die Lastanschlüsse des Sense-Transistors und des Load-Transistors gekoppelt. Zumindest in einem Betriebsmodus ist der Sensorschaltung der Sense-Strom zugeführt und sie stellt ein potenzialfreies Signal zur Verfügung, welches den Sense-Strom repräsentiert. Eine nicht potenzialfreie (non-floating) Messschaltung ist an die Sensorschaltung über einen Gleichstrom entkoppelnden Kondensator gekoppelt, um das potenzialfreie Signal, welches den Sense-Strom repräsentiert, zu der nicht potenzialfreien Messschaltung zu übertragen. Die Messschaltung ist dazu ausgebildet, ein Ausgangssignal zur Verfügung zu stellen, welches das potenztiert.

Description

  • Die vorliegende Beschreibung betrifft allgemein das Gebiet der Strommessung, beispielsweise digitale Ausgangsstrommessung bei hohen Gleichstrompotenzialen (DC-Potenzialen).
  • Zum Messen des Laststroms eines Leistungstransistors (insbesondere eines IGBT oder MOSFET) wird üblicherweise eine sogenannte Sense-Transistoranordnung verwendet. Eine frühe Publikation derartiger Sense-Transistoranordnungen (für Bipolar-Transistoren) ist zum Beispiel die US-Patentschrift US 5,023,693 . Insbesondere wenn Leistungstransistoren als High-Side-Halbleiterschalter verwendet werden, kann es notwendig sein, den Laststrom bei hohen Gleichstrompotenzialen zu messen. Eine Strommessung bei hohem Gleichstrompotenzial (DC-Potenzial) verlangt üblicherweise die Verwendung von hochspannungsfesten Schaltungskomponenten in der Messschaltung. Solche Hochspannungskomponenten verlangen meist ein komplexeres Schaltungsdesign und benötigen eine verhältnismäßig große Chipfläche. Insbesondere, wenn das Messergebnis als Digitalwert zur Verfügung gestellt werden soll, bedeuten die Anforderungen in Bezug auf die hohen Spannungsfestigkeiten nennenswerte Probleme beim Schaltungsdesign.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht folglich darin, eine Strommessschaltung zur Verfügung zu stellen, welche eine Strommessung bei hohen Gleichstrompotenzialen mit nur wenigen Hochspannungsschaltungskomponenten ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 1 gelöst. Unterschiedliche Weiterentwicklungen und Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Es wird eine Schaltungsanordnung zum Messen eines Laststroms beschrieben, der an einem ersten Lastanschluss eines Lasttransistors für eine Last bereitgestellt wird. Gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung umfasst die Schaltungsanordnung einen mit dem Lasttransistor gekoppelten Sense-Transistor, um einen den Laststrom repräsentierenden Sense-Strom an einem ersten Lastanschluss des Sense-Transistors zur Verfügung zu stellen. Die ersten Lastanschlüsse des Last- und des Sense-Transistors liegen jeweils auf schwebendem (freien, floating) elektrischen Potenzial. Eine potenzialfreie Sensor-Schaltung ist zwischen die Lastanschlüsse des Sense-Transistors und des Lasttransistors gekoppelt. Zumindest in einem Betriebsmodus ist der Sensorschaltung der Sense-Strom zugeführt und sie stellt ein potenzialfreies (floating) Signal zur Verfügung, welches den Sense-Strom repräsentiert. Eine nicht potenzialfreie (non-floating) Messschaltung ist an die Sensorschaltung über einen Gleichstrom entkoppelnden Kondensator gekoppelt, um das potenzialfreie Signal, welches den Sense-Strom repräsentiert, zu der nicht potenzialfreien Messschaltung zu übertragen. Die Messschaltung ist dazu ausgebildet, ein Ausgangssignal zur Verfügung zu stellen, welches das potenzialfreie Signal und somit den Sense-Strom repräsentiert.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung und die Abbildungen erläutert. Die in den Figuren dargestellten Komponenten sind nicht notwendigerweise als Einschränkung zu verstehen, vielmehr wird Wert darauf gelegt, das der Erfindung zugrunde liegende Prinzip zu erläutern. In den Abbildungen zeigt:
  • 1 ein allgemeines Beispiel einer Sense-Transistoranordnung;
  • 2 ein Beispiel einer Sense-Transistoranordnung, welche geeignet ist, ein in Bezug auf das Massepotenzial negatives Source-Potenzial zu verarbeiten;
  • 3 eine Sense-Transistoranordnung umfassend eine potenzialfreie Sensorschaltung sowie eine davon gleichstromentkoppelte Messschaltung als erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 4 zeigt das Beispiel aus 3 mit mehr Details;
  • 5A zeigt eine Alternative zu dem Beispiel aus 4;
  • 5B zeigt das Beispiel aus 5A in einem ersten Betriebsmodus; und
  • 5C zeigt das Beispiel aus 5A in einem zweiten Betriebsmodus.
  • 1 illustriert allgemein das Funktionsprinzip einer Sense-Transistoranordnung, wobei im vorliegenden Beispiel MOSFETs als Leistungs- und Sense-Transistoren verwendet werden. Der Leistungstransistor TL kann aus einer Vielzahl von Transistorzellen aufgebaut sein, um das Schalten eines hohen Laststroms iL zu ermöglichen, welcher einer Last mit einer Lastimpedanz ZL zugeführt ist. Im Gegensatz dazu werden nur eine oder einige wenige Transistorzellen dazu verwendet, den Sense-Transistor TS zu bilden, wobei die Transistorzellen beider Transistoren im Wesentlichen gleich aufgebaut sind und auch einen gemeinsamen Drain-(oder Kollektor-)Anschluss und einen gemeinsamen Gate-Anschluss haben können. Die getrennten Source-(oder Emitter-)Anschlüsse stellen den Laststrom iL bzw. den Sense-Strom iS bereit. Vorausgesetzt, dass beide Transistoren im selben Arbeitspunkt betrieben werden, ist der Sense-Strom iS proportional zum Laststrom iL. Der Proportionalitätsfaktor k = iL/iS ist dabei bestimmt durch das Verhältnis der aktiven Flächen der beiden Transistoren TL und TS, was im Wesentlichen äquivalent ist zu dem Verhältnis der Anzahl von aktiven Zellen in den Transistoren TL und TS. In dem vorliegenden Beispiel ist eine „Common-Drain/Separated-Source“-Transistorstruktur dargestellt. Alternativ können auch „Common-Source/Separated-Drain“-Transistorstrukturen verwendet werden. Es bleibt anzumerken, dass der Faktor k – abhängig von der jeweiligen Anwendung – üblicherweise im Bereich von 1000 (oder darunter) bis zu 10000 oder sogar darüber liegt.
  • Der Sense-Strom iS kann auf eine beliebige geeignete Weise gemessen werden. Beispielsweise kann der Sense-Strom iS über einen Messwiderstand RS (z.B. zum Massepotential hin) abgeleitet werden, wobei der Spannungsabfall iS·RS = iL·RS/k über dem Messwiderstand RS als Messwert, welcher den Laststrom iL repräsentiert, verwendet werden kann. Wie oben erwähnt gilt die Proportionalität zwischen dem Laststrom iL und dem Sense-Strom iS solange wie beide Transistoren (zumindest ungefähr) im selben Arbeitspunkt betrieben werden, das heißt, bei der selben Drain-Source-Spannung (oder Kollektor-Emitter-Spannung), während sie mit derselben Gate-Spannung (oder Basis-Spannung) versorgt werden. In dem in 1 gezeigten Beispiel sollen die Source-Potenziale VS und VL der beiden Transistoren TS und TL im Wesentlichen gleich sein, um die oben erläuterte Bedingung zu erfüllen und die Proportionalität zwischen Laststrom und Sense-Strom sicherzustellen.
  • Wie in 1 zu sehen ist, kann das Source-Potenzial VS bzw. VL eines jeden Transistors TS, TL signifikant hohe Werte erreichen, wenn der Lasttransistor TL leitend angesteuert wird und folglich im Wesentlichen die Versorgungsspannung VDD an der Lastimpedanz ZL anliegt. Aus diesem Grund umfasst üblicherweise jede Messschaltung zum direkten oder indirekten Messen des Sense-Stoms iS hochspannungsfeste Komponenten, welche – wie bereits weiter oben erwähnt – nachteilige Folgen für das Schaltungsdesign haben. Ein weiteres Problem tritt auf, wenn die Lastimpedanz ZL, welche mit dem Lasttransistor TL verbunden ist, eine induktive Komponente umfasst. In diesem Fall kann das Source-Potenzial VL des Lasttransistors TL negative Werte annehmen und die Proportionalität zwischen Last und Sense-Strom kann nicht aufrechterhalten werden, wenn konventionelle Sense-Transistoranordnungen verwendet werden.
  • 2 zeigt ein Beispiel einer Sense-Transistoranordnung, welche eine Strommessung auch während Phasen mit negativem Source-Potenzial VL ermöglicht. Aus 2 ist ersichtlich, dass ein derartiger Lösungsansatz in Bezug auf Chipfläche und Leistungsverbrauch ineffizient ist. Der benötigte Abgleich (das „Matching“) der Source-Spannungen VL und VS wird durch einen verhältnismäßig kleinen Shunt-Widerstand RS sichergestellt, welcher zwischen die Source-Anschlüsse des Lasttransistors TL und TS gekoppelt ist. Die Spannungsdifferenz VS = iS·RS hat nur eine vernachlässigbare Auswirkung auf den Arbeitspunkt des Sense-Transistors und folglich ist die Proportionalität zwischen dem Laststrom und dem Sense-Strom nicht beeinträchtigt. Der Operationsverstärker OA steuert das Gate des Transistors T1 derart, dass der Spannungsabfall über dem Widerstand R1 dem Spannungsabfall über dem Shunt-Widerstand RS entspricht. Der Strom durch den Transistor T1 wird durch den Stromspiegel, welcher durch die Transistoren T2 und T3 gebildet wird, „kopiert“, und der „Spiegelstrom“ i2 wird über den Widerstand R2 (z.B. zum Massepotential hin) abgeleitet, was einen Spannungabfall VS über den Widerstand R2 zur Folge hat, der (ungefähr) proportional zu dem Laststrom iL ist, auch wenn das Source-Potenzial VL des Lasttransistors TL negativ ist. Für den Fall, dass die Widerstände RS, R1 und R2 den gleichen Widerstandswert RS aufweisen, ergibt sich für die Sense-Spannung VS folgendes: VS = iS·RS = iL·RS/k.
  • Wie oben erwähnt wäre eine Implementierung, die einfacher und effizienter ist als das Beispiel aus 2, wünschenswert. Des Weiteren müssen die Transistoren T1, T2 und T3 hochspannungsfest sein und benötigen daher eine große Chipfläche. Die Verbesserung dieser Situation ist ein Designziel für alternative Lösungsansätze.
  • 3 zeigt ein Beispiel einer Sense-Transistoranordnung zum Messen des von einem Sense-Transistor TS bereit gestellten Sense-Stroms (der Sense-Transistor TS ist dabei wie in dem vorherigen Beispiel an einen Lasttransistor TL gekoppelt), auch wenn das Source-Potenzial VL des Lasttransistors TL unter ein Massepotenzial fällt (zum Beispiel aufgrund des Schaltens einer induktiven Last ZL). Die beispielhafte Schaltungsanordnung aus 3 umfasst zwei elektronisch steuerbare Schalter SW1 und SW2, welche abwechselnd ein- und ausgeschaltet werden, um zwei unterschiedliche Betriebsmodi zu gewährleisten (Modus 1: SW1 = aus und SW2 = ein, Modus 2: SW1 = ein und SW2 = aus).
  • In dem Falle, dass das Source-Potenzial VL des Lasttransistors TL über einen Schwellwert liegt (zum Beispiel wenn VL > 0V), wird der Schalter SW1 ausgeschaltet und der Schalter SW2 eingeschaltet (Modus 1 ist aktiv), was effektiv eine Schaltung zur Folge hat, die äquivalent zu der konventionellen Schaltung aus 1 ist. Der Sense-Strom iS kann über einen Messwiderstand RS, der zwischen die Source des Sense-Transistors TS und Masse GND gekoppelt ist, nach Masse abgeleitet werden. Der Spannungsabfall iSRS = iLRS/k über dem Messwiderstand RS kann als Messwert herangezogen werden, der (ungefähr) proportional zu dem Laststrom ist. Die Proportionalität zwischen dem Sense-Strom iS und dem Laststrom iL ist nicht perfekt, da die Source-Potenziale VL und VS geringfügig voneinander abweichen können. Jedoch ist dieser Effekt klein und folglich vernachlässigbar, vorausgesetzt dass die Source-Potenziale positiv sind und der Spannungsabfall VDS über den Laststrompfad der Transistoren TS und TL klein sind im Vergleich zur Versorgungsspannung VDD (VDS = iL·Ron, wobei Ron dem Einschaltwiderstand des Lasttransistors entspricht).
  • Im Fall, dass das Source-Potenzial VL des Lasttransistors TL unter einem Schwellwert liegt (zum Beispiel wenn VL < 0V ist) wird der Schalter SW1 eingeschaltet und der Schalter SW2 ausgeschaltet (Modus 2 ist aktiv). Folglich wird der Sense-Strom iS über die potenzialfreie (floating) Sensorschaltung und die Lastimpedanz ZL wie in 3 dargestellt zur Masse GND hin abgeleitet. Das heißt, die potenzialfreie Sensorschaltung 10 verbindet die Sourceanschlüsse des Sense-Transistors TS und des Last-Transistors TL. Die Sensorschaltung 10 ist dazu ausgebildet, den Betrag der Potenzialdifferenz VS – VL klein zu halten, um sicherzustellen, dass beide Transistoren (zumindest ungefähr) im selben Arbeitspunkt betrieben werden (das heißt, die Drain-Source-Spannungen sowie die Gate-Spannungen der Transistoren sind ungefähr gleich groß). Die potenzialfreie Sensorschaltung 10 ist weiter dazu ausgebildet, ein potenzialfreies (floating) Spannungssignal aufzunehmen, welches den Sense-Strom iS repräsentiert, und den Signalpegel auf eine massebezogene (d.h. nicht potenzialfreie) Messschaltung 20 zu übertragen unter Verwendung (zumindest) eines geschalteten Kondensators CD1. Da zum Übertragen der Sense-Spannungsinformation an die massebezogene Messschaltung 20 ein Kondensator CD1 verwendet wird, sind die beiden Schaltungen (Sensorschaltung 10 und Messschaltung 20) gleichstromentkoppelt (DC decoupled), was ein beliebig großes Source-Potenzial VS, VL (in Bezug auf das Messepotenzial) ermöglicht. Der einzig begrenzende Parameter ist die Spannungsfestigkeit des Entkopplungs-Kondensators CD1. 3 umfasst auch einen weiteren Kondensator CCLK, welche die erdfreie Sensorschaltung 10 und die Messschaltung 20 wechselstrommäßig koppelt. Dieser Kondensator CCLK ist vorgesehen zum Übertragen eines Taktsignals (TLK) von der „low side“ (das heißt der Messschaltung 20) auf die „high side“ (das heißt die erdfreie Sensorschaltung 10), wobei das Taktsignal zum Steuern des Schaltbetriebs der Schalter benötigt wird.
  • Die Steuerung der Schalter (was als Teil der Sensorschaltung 10 angesehen werden kann) ist nicht im Detail dargestellt. Es können zu diesem Zweck auch beliebige Niederspannungshalbleiterschalter (zum Beispiel DMOS-Schalter) verwendet werden. Die Halbleiterschalter können durch eine beliebige bekannte Treiberschaltung ein- oder ausgeschaltet werden. Die Messschaltung 20 kann durch eine separate Versorgungsspannung VS versorgt werden, welche niedriger ist als die Versorgungsspannung VDD und kann dazu ausgebildet sein, die von der potenzialfreien Sensorschaltung 10 erhaltene Sense-Strominformation in ein (analoges oder digitales) Ausgangssignal xOUT überzuführen, welches den Laststrom iL repräsentiert und in geeigneter Weise für die Weiterverarbeitung skaliert sein kann. Im Wesentlichen ist das Ausgangssignal xOUT (zumindest näherungsweise) proportional zum Laststrom iL wie oben erwähnt.
  • 4 zeigt das oben unter Bezugnahme auf 3 diskutierte Beispiel mit mehr Details. Insbesondere ist ein Beispiel einer Implementierung der Sensorschaltung 10 dargestellt. Es ist anzumerken, dass der Kondensator CCLK und die Details der Schaltung zum Ansteuern der Halbleiterschaltung weggelassen wurde, um die Darstellung nicht zu verkomplizieren. Wie bereits erwähnt sind Schaltungen zum Ansteuern der Halbleiterschalter SW1, SW2 etc. leicht verfügbar.
  • Während des oben erwähnten Betriebsmodus 1 arbeitet das in der vorliegenden 4 dargestellte Beispiel identisch wie das allgemeine Beispiel aus 3. Das heißt, der Sense-Strom iS wird über den Messwiderstand RS1 abgeleitet, welcher zwischen die Source des Sense-Transistors TS und Masse geschaltet ist, und der Spannungsabfall über dem Widerstand RS1 kann als Messwert, welcher den Laststrom iL repräsentiert, herangezogen werden.
  • Im vorliegenden Beispiel umfasst die Sensorschaltung 10 des Weiteren einen Shunt-Widerstand RS2, um während des oben erwähnten Betriebsmodus 2 einen Strompfad von der Source des Sense-Transistors TS zu der Source des Lasttransistors TL (welcher mit der Last verbunden ist) zu ermöglichen in ähnlicher Weise wie dies in dem Beispiel aus 2 der Fall ist. Die Schalter SW1 und SW2 haben dieselbe Funktion (das heißt Umschaltung des Betriebsmodus) wie in dem allgemeinen Beispiel aus 3). Zwei weitere Schalter SW3 und SW4 sind dazu vorgesehen, den „high-side“-Anschluss des Kondensators CD1 entweder mit dem an die Source des Sense-Transistors Ts gekoppelten Anschluss des Shunt-Widerstands RS2 zu verbinden oder mit dem Anschluss des Shunt-Transistors RS2, welcher mit der Source des Lasttransistors TL gekoppelt ist. Das heißt, der „high-side“-Anschluss des Kondensators CD1, der mit der Sensorschaltung 10 gekoppelt ist, ist entweder auf das Sense-Transistor-Source-Potenzial VS oder auf das Lasttransistor-Source-Potenzial VL aufgeschaltet, wobei die Potenzialdifferenz VS – VL dem Spannungsabfall RS2·iS über dem Shunt-Widerstand RS2 entspricht und folglich: VS – VL = RS2·iS. (1)
  • Der „low-side“-Anschluss des Gleichstromentkopplungs-Kondensators CD1 ist mit der (beispielsweise) auf Masse bezogenen Messschaltung 20 gekoppelt. Unter der Voraussetzung, dass der Kondensator CD1 auf eine definierte Spannung vorgeladen ist (wie zum Beispiel auf eine Spannung VL), während der Schalter SW3 geschlossen und der Schalter SW4 geöffnet ist, und unter der Voraussetzung, dass die den Kondensator CD1 entladenden Leckströme vernachlässigbar sind, kann der Spannungsabfall RS2·iS über dem Shunt-Widerstand RS2 als Spannungshub desselben Betrags RS2·iS an dem „low-side“-Anschluss des Kondensators CD1 beobachtet werden, wenn der Schalter SW3 aus und der Schalter SW4 eingeschaltet wird (und umgekehrt). Auf diese Weise kann die Sense-Strominformation von der potenzialfreien Sensorschaltung 10 auf die auf Masse bezogene (das heißt nicht potenzialfreie) Messschaltung 20 übertragen werden, ohne die Notwendigkeit von hochspannungsfesten Schaltungskomponenten abgesehen von dem Entkopplungskondensator CD1. Aufgrund der obigen Diskussion wird klar, dass die Schalter SW3 und SW4 abwechselnd ein- und ausgeschaltet werden und niemals gleichzeitig ein- bzw. ausgeschaltet sind. Das heißt die beiden Schalter SW3 und SW4 haben die Funktion eines einzelnen Wechselschalters. Das Gleiche gilt für die Schalter SW1 und SW2 analog, welche den Sense-Strom entweder zu dem Messwiderstand RS1 oder zu dem Shunt-Widerstand RS2 hin leiten.
  • 5 zeigt eine etwas komplexere Alternative zu dem Beispiel aus 4. Während des Betriebsmodus 2 (das heißt die Sense-Strommessung verwendet den Shunt-Widerstand RS2) arbeitet das Beispiel gemäß 5a exakt wie das Beispiel aus 4. In diesem Fall blockiert der Kaskode-Transistor TC den Sense-Strom iS, und der Kaskode-Transistor TC hat folglich den gleichen Effekt wie ein offener Schalter SW2 in dem Beispiel aus 4. Folglich ist in diesem Betriebsmodus der Schalter SW1 geschlossen. Der „verbleibende“ aktive Teil der Schaltung während diesem Betriebsmodus ist in 5c dargestellt. Die komplementäre Situation (Modus 1, Kaskode-Transistor TC ein, Schalter SW1 aus) ist in 5b dargestellt, in der alle Schaltungskomponenten, welche während dieses Modus inaktiv sind, weggelassen wurden, um die Aufmerksamkeit auf die relevanten Teile der Schaltung zu lenken. In der Folge wird die Funktion der Schaltung gemäß 5a unter Bezugnahme auf die 5b und 5c erläutert, welche die effektive Schaltung gemäß 5a in dem Betriebsmodus 1 bzw. 2 abdecken.
  • In Fällen, in denen das Source-Potenzial VS des Lasttransistors TL über einem Schwellwert liegt (wenn VL > 0V), wird der Schalter SW1 ausgeschaltet und der Kaskode-Transistor TC ist in einem eingeschalteten Zustand (Modus 1 ist aktiv), was eine effektive Schaltung entsprechend dem in 5b gezeigten Beispiel zur Folge hat. Demnach ist der „high-side“-Anschluss eines Entkopplungskondensators CD2 entweder mit dem Source-Potenzial VS des Sense-Transistors TS oder mit dem Source-Potenzial VL des Lasttransistors TL verbunden durch Schalten des Schalters SW4 bzw. SW3 während der jeweils andere Schalter offen ist.
  • Der „low-side“-Anschluss des Entkopplungskondensators CD2 ist an einen Eingang eines Komparators K1 gekoppelt, dessen Ausgang an ein Register 30 gekoppelt ist, welches beispielsweise als sukzessives Approximationsregister (SAR = „successive approximation register“) ausgebildet sein kann. Ein Digital/Analog-Konverter DAC mit Stromausgang ist an den Kaskode-Transistor TC gekoppelt, um den Sense-Strom iS (über den Stromausgang des DAC) abzuleiten, und ist dazu ausgebildet, den Sense-Strom auf einen analogen Stromwert einzustellen, welcher dem digitalen Eingangswert XCOUNT entspricht, welcher allgemein ein n-Bit-Binärwort ist, welches durch das Register 30 zur Verfügung gestellt wird. Es ist das Ziel, den Sense-Strom iS derart auf einen Wert einzustellen, dass die Source-Potenziale VS und VL gleich sind. In diesem ideal angepassten (abgeglichenen) Zustand („matching state“) sind der Sense-Strom iS und der Laststrom iL perfekt proportional. Ganz allgemein wird das n-Bit-Binärwort xCOUNT, welches dem Digital/Analog-Wandler DAC mit Stromausgang zugeführt ist, und folglich auch der Sense-Strom iS, variiert (zum Beispiel rampenförmig ansteigend beginnend von einem Anfangswert) bis der erwähnte angepasste Zustand (matching state) erreicht ist. Der angepasste Zustand kann mit Hilfe der Sensorschaltung 10, dem Entkopplungskondensator CD2 und dem Komparator K1 detektiert werden. Der Vorgang der Detektion ist in der Folge zusammengefasst.
  • Ein Messzyklus beginnt mit dem Variieren des n-bit-Worts xCOUNT, womit der Sense-Strom iS auf einen korrespondierenden analogen Stromwert eingestellt wird. Der Sense-Strom kann also als Ausgangsstrom des DAC mit Stromausgang („current output DAC“) angesehen werden. Die Variation kann beispielsweise darin bestehen, dass der momentane Registerwert xCOUNT sukzessive erhöht wird. Dann wird die auf dem Kondensator CD2 gespeicherte Ladung initialisiert. Zu diesem Zweck wird der Schalter SW3 geschlossen, wodurch der Kondensator CD2 zwischen die Source des Lasttransistors TL und den Komparatoreingang gekoppelt wird. Zur gleichen Zeit wird ein definiertes Potenzial an den Komparatoreingang angelegt, wodurch das Aufladen des Kondensators CD2 auf eine Spannung ermöglicht wird, welche von der Sourcespannung VL und dem erwähnten definierten Potenzial abhängt. Beispielsweise kann der Schalter SW5 dazu verwendet werden, den Komparator kurzzuschließen, wodurch der Komparatoreingang auf ein Potenzial gezwungen wird, welches dem Arbeitspunkt der internen Eingangsstufe des Komparators entspricht. In der Folge wird der Schalter SW5 geöffnet und des Weiteren der Schalter SW4 geschlossen, während der Schalter SW3 ebenfalls geöffnet wird. Dieses Umschalten hat einen Spannungshub an dem Komparatoreingang zur Folge, der gleich der Potenzialdifferenz VS – VL ist. In einem perfekt angepassten Zustand ist diese Differenz Null, der Registerwert xCOUNT wird als Messergebnis xOUT herangezogen. Im Falle einer unzureichenden Anpassung detektiert der Komparator K1 den erwähnten Spannungshub und der Komparatorausgang CMP triggert das Register 30, welches darauf erneut den Registerwert XCOUNT variiert und der Zyklus beginnt von vorne. Die zyklische Wiederholung der Messzyklen endet erst dann, wenn ein angepasster Zustand (ein „matching state“) erreicht und folglich ein vernünftiger Messwert xOUT gefunden wurde oder wenn eine maximale Anzahl von Zyklen ohne Ergebnis abgelaufen ist.
  • 5c illustriert den zu dem Beispiel aus 5b komplementären Fall. In diesem Betriebsmodus (Modus 2) schnürt der Kaskode-Transistor TC den Stromfluss ab, da das Source-Potenzial VS des Kaskode-Transistors TC (welches anhähernd gleich ist wie das Source-Potenzials des Sense-Transistors TS) zu niedrig oder sogar negativ ist. Der Schalter SW1 wird geschlossen (und ist daher in 5c nicht dargestellt) und die effektive Schaltung ist die Gleiche wie bereits unter Bezugnahme auf die 3 und 4 erläutert. Die massebezogene Messschaltung umfasst für diesen Fall einen Analog/Digital-Konverter, die einen Spannungseingang und einen Digitalausgang aufweist. Der Analog/Digital-Wandler ADC kann eine „Sample-and-Hold-Schaltung“ aufweisen, welche die Spannung an dem Entkopplungskondensator CD1 während der Analog/Digital-Konversion (annähernd) konstant hält.
  • Das Kriterium für ein Umschalten von Modus 1 (effektive Schaltung gemäß 5b) und Modus 2 (effektive Schaltung gemäß 5c) wurde bereits weiter oben erwähnt. Die Betriebsmodus-Umschaltung kann ausgelöst werden, wenn das Source-Potenzial VL des Lasttransistors unter einen bestimmten Schwellwert fällt (oder vice-versa über den Schwellwert ansteigt). Die tatsächliche Implementierung dieser Funktion ist für einen Fachmann nicht schwierig und ist deshalb an dieser Stelle nicht detaillierter beschrieben. Alternativ kann eine Betriebsmodusumschaltung ausgelöst werden, wenn in Betriebsmodus 1 ein vernünftiger Messwert nicht gefunden werden kann. Des Weiteren kann eine Betriebmodusumschaltung ausgelöst werden abhängig von dem Source-Potenzial des Kaskode-Transistors TC.
  • Trotz dem, dass verschiedene beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben wurden, wird für einen Fachmann deutlich, dass verschiedenste Änderungen bzw. Modifikationen gemacht werden können, um manche der Vorteile der Erfindung zu erreichen, ohne von dem Erfindungsgedanken abzuweichen. Es ist zudem für einen Fachmann klar, dass Komponenten, welche dieselbe Funktion erfüllen entsprechend substituiert werden können. Es bleibt zu erwähnen, dass Merkmale, die in Bezug auf eine spezifische Figur erläutert wurden, mit Merkmalen aus anderen Figuren kombiniert werden können, auch wenn dies nicht explizit erwähnt wurde. Des Weiteren können die beschriebenen Methoden sowohl in Software unter Verwendung geeigneter Prozessoren verwirklicht werden als auch als Hybridimplementierungen, welche eine Kombination von Hardware und Software verwenden, um das gleiche Ergebnis zu erzielen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 5023693 [0002]

Claims (11)

  1. Eine Schaltungsanordnung zum Messen eines Laststroms (iL), der für eine Last (ZL) über einen ersten Lastanschluss eines Lasttransistors (TL) bereitgestellt wird; die Schaltungsanordnung weist auf: ein Sense-Transistor (TS), der mit dem Lasttransistor (TL) gekoppelt ist, um einen den Laststrom (iL) repräsentierenden Sense-Strom (iS) an einem ersten Lastanschluss des Sense-Transistors (TS) bereitzustellen, wobei die ersten Lastanschlüsse von Last- bzw. Sense-Transistor (TL, TS) jeweils auf einem schwebenden Potenzial liegen; eine Potenzialfreie Sensor-Schaltung (10), die zwischen die ersten Lastanschlüsse von Last- bzw. Sense-Transistor (TL, TS) gekoppelt ist, wobei) in zumindest einem Betriebsmodus der Sensor-Schaltung (10) der Sense-Strom (iS) zugeführt ist und die Sensor-Schaltung (10) ein potenzialfreies Signal bereitstellt, welches den Sense-Strom (iS) repräsentiert; einen Gleichstrom entkoppelnden Kondensator (CD1, CD2); und eine nicht Potenzialfreie Messschaltung (20), die über den Gleichstrom entkoppelnden Kondensator (CD1, CD2) mit der Sensor-Schaltung (10) gekoppelt ist, um das potenzialfreie Signal, welches den Sense-Strom (iS) repräsentiert, auf die nicht Potenzialfreie Messschaltung (20) zu übertragen; wobei die Messschaltung (20) dazu ausgebildet ist, ein Ausgangssignal (xOUT) bereitzustellen, welches das potenzialfreie Signal und folglich den Sense-Strom repräsentiert.
  2. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 1, wobei die Potenzialfreie Sensor-Schaltung (10) und die nicht Potenzialfreie Messschaltung (20) dazu ausgebildet sind, das Potenzialfreie Signal durch Umschalten des Gleichstrom entkoppelnden Kondensators (CD1, CD2) zu übertragen.
  3. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Potenzialfreie Sensor-Schaltung (10) einen Shunt-Widerstand (RS2), welcher den Sense-Strom (iS) führt, und eine Schaltungsanordnung umfasst, die dazu ausgebildet ist, einen Anschluss des Gleichstrom entkoppelnden Kondensators (CD1) unter Verwendung von Halbleiterschaltern entweder mit einem ersten oder mit einem zweiten Anschluss des Shunt-Widerstands (RS2) zu verbinden.
  4. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 3, wobei die Messschaltung (20) dazu ausgebildet ist, eine definierte Spannung an den Gleichstrom entkoppelnden Kondensator (CD1) anzulegen während er mit dem ersten Anschluss des Shunt-Widerstands (RS2) verbunden ist, und einen Spannungshub (VS – VL) an einem Low-Side-Anschluss des Gleichstrom entkoppelnden Kondensators (CD1) zu beobachten, wenn der Gleichstrom entkoppelnden Kondensator (CD1) vom ersten Anschluss des Shunt-Widerstands (RS2) auf den zweiten Anschluss des Shunt-Widerstands (RS2) umgeschaltet wird.
  5. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 4, wobei die Messschaltung (20) einen Analog/Digital-Wandler (ADC) umfasst, der dazu ausgebildet ist, den Spannungshub in ein Ausgangs-Digitalwort (xOUT) zu konvertieren.
  6. Die Schaltungsanordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, die weiter aufweist: ein Digitalregister (30), welches ein erstes Digitalwort (xCOUNT) bereitstellt; einen Digital/Analog-Wandler (DAC) mit Stromausgang, der mit dem Sense-Transistor (TS) gekoppelt und dazu ausgebildet ist, den Sense-Strom (iS) auf einen Stromwert einzustellen, welcher das ersten Digitalwort (xCOUNT) repräsentiert; und einen Komparator (K1), der sequenziell an die Lastanschlüsse von Last- und Sense-Transistor (TL, TS) kapazitiv gekoppelt wird und dazu ausgebildet ist, die an den Lastanschlüssen anliegenden Potenziale (VL, VS) zu vergleichen, wobei, in einem zweiten Betriebsmodus, ein digitaler Registerwert (xCOUNT) iterativ variiert wird, bis entweder ein Abgleich der Potenziale an den Lastanschlüssen detektiert wird oder eine maximale Anzahl von Iterationen erreicht wurde.
  7. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 6, die weiter einen Koppelkondensator (CD2) aufweist, welcher über einen steuerbaren Schalter zwischen einen Eingang des Komparators (K1) und entweder den Lastanschluss des Sense-Transistors (TS) oder den Lastanschluss des Lasttransistors (TL) schaltbar ist.
  8. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 6 oder 7, bei der das Digitalregister (30) ein SAR ist
  9. Die Schaltungsanordnung gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, bei der der digitale Registerwert (xCOUNT) abhängig von einem Komparator-Ausgangssignal variiert wird, welches anzeigt, ob die Potenziale (VS, VL) der Lastanschlüsse abgeglichen sind oder welches Potenzial höher ist.
  10. Die Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 9, bei dem der digitale Registerwert (xCOUNT) erhöht wird, um den Ausgangsstrom des Digital/Analog-Wandlers (DAC) zu vergrößern, wenn das Potenzial (VS) am Lastanschluss des Sense-Transistors (TS) höher ist als das Potenzial (VL) am Lastanschluss des Lasttransistors (TL) und umgekehrt.
  11. Die Schaltungsanordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der der Betriebsmodus umgeschaltet wird abhängig von dem Potenzial am Lastanschluss des Lasttransistors (TL) oder des Sense-Transistors (TS).
DE102012209499A 2011-06-14 2012-06-05 Gleichstromentkoppelte Strommessung Pending DE102012209499A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/160,337 US8754635B2 (en) 2011-06-14 2011-06-14 DC decoupled current measurement
US13/160,337 2011-06-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102012209499A1 true DE102012209499A1 (de) 2012-12-20

Family

ID=47228631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012209499A Pending DE102012209499A1 (de) 2011-06-14 2012-06-05 Gleichstromentkoppelte Strommessung

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8754635B2 (de)
CN (1) CN102830320B (de)
DE (1) DE102012209499A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021132537B3 (de) 2021-12-09 2023-05-17 Infineon Technologies Ag Strommessschaltung

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9638720B2 (en) * 2013-08-26 2017-05-02 Intel Corporation Low power current sensor
JP6228865B2 (ja) * 2014-03-06 2017-11-08 アルプス電気株式会社 センサ装置の検査方法及びそのセンサ装置
US9152163B1 (en) * 2014-05-15 2015-10-06 Infineon Technologies Austria Ag Regulation of a load current-to-sensing current ratio in a current sensing power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
US9720020B2 (en) * 2014-05-28 2017-08-01 Nxp B.V. Broad-range current measurement using variable resistance
US9891249B2 (en) * 2014-05-28 2018-02-13 Nxp B.V. Broad-range current measurement using duty cycling
CN104730316A (zh) * 2015-03-19 2015-06-24 浪潮集团有限公司 一种侦测power mos电流的方法
US9755518B2 (en) * 2016-02-05 2017-09-05 Qualcomm Incorporated Current measurments in switching regulators
US10715136B2 (en) * 2018-02-20 2020-07-14 Maxim Integrated Products, Inc. Current sense devices and associated methods
DE102018212763A1 (de) * 2018-07-31 2020-02-06 Robert Bosch Gmbh Messeinrichtung
US11668733B2 (en) * 2018-11-09 2023-06-06 Keithley Instruments, Llc Multi-stage current measurement architecture
US11362504B2 (en) * 2020-07-20 2022-06-14 Analog Devices International Unlimited Company Over current sensing scheme for switch applications
CN112098800B (zh) * 2020-11-09 2021-02-05 西南交通大学 一种dab双晶体管时频衔接匹配度在线评定方法
US11852691B2 (en) * 2021-08-24 2023-12-26 Rockwell Automation Technologies, Inc. Input/output (IO) module power supply with online load test capability
CN113541657A (zh) * 2021-09-16 2021-10-22 南京沁恒微电子股份有限公司 一种功率开关过流检测电路及电流检测电路
US11899445B2 (en) 2021-09-27 2024-02-13 Rockwell Automation Technologies, Inc. High availability redundant power distribution systems and methods
US11860599B2 (en) 2021-09-27 2024-01-02 Rockwell Automation Technologies, Inc. High availability redundant power distribution system diagnostic operations

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5023693A (en) 1989-06-06 1991-06-11 Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho Transistor with current sensing function

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4368420A (en) * 1981-04-14 1983-01-11 Fairchild Camera And Instrument Corp. Supply voltage sense amplifier
US5304918A (en) * 1992-01-22 1994-04-19 Samsung Semiconductor, Inc. Reference circuit for high speed integrated circuits
CA2217359C (en) * 1997-09-30 2005-04-12 Mosaid Technologies Incorporated Method for multilevel dram sensing
US6104176A (en) * 1998-04-30 2000-08-15 Lucent Technologies, Inc. Voltage regulator and method of voltage regulation
WO2000017725A1 (en) * 1998-09-18 2000-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Voltage and/or current reference circuit
KR100298586B1 (ko) * 1999-07-13 2001-11-01 윤종용 비휘발성 메모리 소자
DE10042585C1 (de) * 2000-08-30 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Erfassung des Stromes in einem Lasttransistor
DE10133363A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Messzelle und Messfeld mit solchen Messzellen sowie Verwendung einer Messzelle und Verwendung eines Messfeldes
US7405689B2 (en) * 2005-01-05 2008-07-29 Exar Corporation Predictive analog to digital converters and methods of using
CN101189796A (zh) * 2005-06-01 2008-05-28 Nxp股份有限公司 确定负载电流的电路和方法
GB2431739A (en) * 2005-10-27 2007-05-02 Wolfson Microelectronics Plc Switch current sensing circuit
JP4455612B2 (ja) * 2007-05-21 2010-04-21 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7868643B2 (en) * 2008-10-29 2011-01-11 Infineon Technologies Ag Proportional regulation for optimized current sensor performance
US7911260B2 (en) * 2009-02-02 2011-03-22 Infineon Technologies Ag Current control circuits
FR2957449B1 (fr) * 2010-03-11 2022-07-15 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Micro-amplificateur de lecture pour memoire

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5023693A (en) 1989-06-06 1991-06-11 Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho Transistor with current sensing function

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021132537B3 (de) 2021-12-09 2023-05-17 Infineon Technologies Ag Strommessschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
CN102830320B (zh) 2014-12-24
US20120319677A1 (en) 2012-12-20
US9594097B2 (en) 2017-03-14
CN102830320A (zh) 2012-12-19
US8754635B2 (en) 2014-06-17
US20140292307A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012209499A1 (de) Gleichstromentkoppelte Strommessung
DE102009004564B4 (de) ADC mit energiesparender Abtastung
DE102015114371B4 (de) System und verfahren für einen schalter mit einem selbstleitenden transistor und einem selbstsperrenden transistor
DE102012209717B4 (de) Analog-Digital-Wandler
DE102015114373A1 (de) System und verfahren für einen schalter mit einem selbstleitenden transistor und einem selbstsperrenden transistor
DE102017113530B4 (de) Eine Treiberschaltung, entsprechendes Bauelement, Vorrichtung und Verfahren
DE102007055419B4 (de) Transistorschalter
DE102013211551A1 (de) System und verfahren für geboostete schalter
DE102014110748B4 (de) System und verfahren für eine wandlerschaltung
DE102015104568A1 (de) Leistungsschaltervorrichtung
DE102013219475A1 (de) Elektronischer schaltkreis mit einem elektronischenschalter und einem überwachungsschaltkreis
DE102012223606A1 (de) Halbleitertreiberschaltung und Halbleitervorrichtung
DE102018101177A1 (de) Schaltung mit geschalteten Kondensatoren und Verfahren zum Betreiben einer Schaltung mit geschalteten Kondensatoren
DE112005001308T5 (de) Bi-direktionale Stromerkennung durch Überwachen der VS Spannung in einer Halb- oder Vollbrückenschaltung
DE202016104258U1 (de) Integrierte Schaltsteuerung von Anti-Serienschaltern
DE102005061207B4 (de) Schaltungsanordnung zur Energieversorgung und Verfahren
DE102018200723A1 (de) Elektrische Schaltung zum Test primärer interner Signale eines ASIC
DE102008061129B4 (de) Vorrichtungen und Verfahren zum Steuern eines Transistors
DE102013110432A1 (de) Vorrichtung und Verfahren für Differenzverstärker mit weitem Gleichtaktbereich
DE112004001469T5 (de) Geschalteter Ladungs-Multiplizierer-Dividierer
DE112018004286T5 (de) Dac mit geschalteten kapazitäten unter verwendung von bootstrapped-schaltern
DE102019102132B4 (de) Schaltung mit Kondensatoren und entsprechendes Verfahren
DE19527384C2 (de) Schaltungsanordnung zur Analogsignalverarbeitung
DE102016115879B4 (de) Nachverfolgungs-Hochgeschwindigkeitsstromerfassungssystem
DE102015115021A1 (de) Taktüberwachung für sequentielle Logikschaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication