DE102012209053B4

DE102012209053B4 - Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102012209053B4
Application number: DE201210209053
Authority: DE
Inventors: Byeong Uk Gang; Seung Tae Kim; Ji Eun Lee; Hong Suk Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2011-10-31
Filing date: 2012-05-30
Publication date: 2014-10-23
Anticipated expiration: 2032-05-31
Also published as: GB2496231B; CN103094303B; DE102012209053A1; US20130106817A1; KR101420479B1; US9007355B2; KR20130047482A; CN103094303A; GB201209691D0; GB2496231A

Abstract

Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung umfassend: – einen Datentreiber (50) mit einem integrierten Treiberschaltkreis(IC)-Chip (51, 151, 251); – mehrere Datenleitungen (DL), die mit dem Treiber-IC-Chip (51, 151, 251) verbunden sind; – wenigstens eine Spannungsleitung (81, 83, 85; 181, 183, 185; 281, 283, 285), die die Datenleitungen (DL) kreuzt, wobei zwischen jeder der Datenleitungen (DL) und der Spannungsleitung (81, 83, 85; 181, 183, 185; 281, 283, 285) gebildete Kapazitäten gleich sind; und – eine Verbindungsleitung (82, 84, 86; 182, 184, 186; 282, 284, 286), die die Spannungsleitung (81, 83, 85; 181, 183, 185; 281, 283, 285) und den Treiber-IC-Chip (51, 151, 251) verbindet; wobei die Verbindungsleitung (82, 84, 86, 182, 184, 186; 282, 284, 286) die Datenleitungen (DL) überlappt und unmittelbar mit dem Treiber-IC-Chip (51, 151, 251) verbunden ist.

Description

Hintergrund
1. Technisches Gebiet
Die hier beschriebenen Ausführungsformen betreffen eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED-Vorrichtung).
2. Beschreibung des Stands der Technik
Vorrichtungen zum Anzeigen von Information werden weitläufig entwickelt. Anzeigevorrichtungen können Flüssigkristallanzeige(LCD)-Vorrichtungen, organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen (OLED-Vorrichtungen), Elektrophoreseanzeigevorrichtungen, Feldemissionsanzeige(FED)-Vorrichtungen und Plasmaanzeigevorrichtungen umfassen.
Unter diesen Anzeigevorrichtungen bieten die OLED-Vorrichtungen im Vergleich zu LCD-Vorrichtungen Eigenschaften wie geringen Energieverbrauch, einen großen Betrachtungswinkel, ein geringes Gewicht und eine große Helligkeit. Dementsprechend werden OLED-Vorrichtungen als Anzeigevorrichtungen der nächsten Generation betrachtet.
Eine OLED-Vorrichtung umfasst Gateleitungen und Datenleitungen, die auf einem Substrat in derselben Form wie bei einer LCD-Vorrichtung ausgebildet sind. Weiter umfasst die OLED-Vorrichtung mehrere Spannungsleitungen, die zum Anlegen von Spannung an jedes Pixel verwendet werden, im Unterschied zur LCD-Vorrichtung, die eine einzelne Spannungsleitung verwendet. Die Gateleitungen, die Datenleitungen und die Spannungsversorgungsleitungen werden in verschiedenen Schichten ausgebildet. Dementsprechend erzeugen die Gateleitungen, die Datenleitungen und die Spannungsversorgungsleitungen mehrere Überschneidungen, indem sie sich kreuzen.
Weiter erhöht der aktuelle Trend zu Anzeigevorrichtungen mit geringem Gewicht die Überschneidungen von Gateleitungen, Datenleitungen und Spannungsversorgungsleitungen. Aufgrund der Zunahme der Überschneidungen kann eine RC-Verzögerung, die durch einen parasitären Kondensator verursacht wird, verstärkt werden. Die vergrößerte parasitäre Kapazität verschlechtert die Anzeigequalität durch eine Verzerrung von Signalen.
US 8 004 480 B2 betrifft eine organische licht-emittierende Anzeige, bei der Ausgangsleitungen eines Datentreibers mit einem Demultiplexer verbunden sind, um das Datensignal an einer Vielzahl von Datenleitungen zuzuführen. Eine Spannungszufuhrleitung ist zwischen dem Pixelbereich und dem Datentreiber ausgebildet und führt einer Vielzahl von Pixelspannungszufuhrleitungen eine von einem Pad-Bereich erhaltene Spannung zu. Da der Demultiplexer zwischen dem Datentreiber und der Spannungszufuhrleitung angeordnet ist, wird eine Kapazität in dem Bereich gebildet, wo sich die Datenleitung und die Spannungszufuhrleitung überlappen.
US 2007/0080433 A1 betrifft eine Anzeigetafel, bei der eine RC-Verzögerung in Signalleitungen kompensiert wird. Hierfür ist eine Vielzahl von Bondingbereichen mit jeweils einer Vielzahl von Bondingpads mit einem Datentreiber verbunden und Datenleitungen sind mit einem jeweiligen Bondingpad über eine Verbindungsleitung verbunden. Die Verbindungsleitung weist einen Kompensationsbereich auf, an dem eine Kapazitätskompensationsvorrichtung gekoppelt ist, um einen Unterschied zwischen den RC-Verzögerungen der Verbindungsleitungen auszugleichen.
DE 103 60 454 A1 betrifft eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, wobei durch besondere Anordnung und Konfiguration eines Treiber-Dünnschichttransistors in einem Pixel elektrische Strombelastung verringert und Bildauflösung und Öffnungsverhältnis verbessert werden.
Zusammenfassung
Dementsprechend sind die Ausführungsformen auf eine OLED-Vorrichtung, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund der Begrenzungen und Nachteile des Stands der Technik vermeidet, und auf ein Herstellungsverfahren für dieselbe gerichtet.
Die hier diskutierten Ausführungsformen geben eine OLED-Vorrichtung an, die eine Anzeigequalität erhöht. Gemäß einer Ausführungsform erhöht die OLED-Vorrichtung eine Anzeigequalität durch Minimieren einer Kapazitätsabweichung zwischen Datenleitungen der OLED-Vorrichtung. Die Kapazitätsabweichung kann minimiert werden, indem ein Ausdehnungsbereich einer Spannungsleitung der OLED-Vorrichtung verwendet wird. Die Kapazitätsabweichung kann auch minimiert werden, indem ein Überlappungsmuster verwendet wird, das mehrere Datenleitungen überlappt.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine OLED-Vorrichtung einen Datentreiber, der mit wenigstens einem integrierten Treiberschaltungs-Chip (driver integrated circuit (IC) chip, Treiber-IC-Chip) versehen ist, mehrere Datenleitungen, die elektrisch mit den Treiber-IC-Chip verbunden sind, wenigstens eine Spannungsleitung, die in einer die Datenleitungen kreuzenden Richtung ausgebildet ist, wenigstens eine Verbindungsleitung, die verwendet wird, um die Spannungsleitung mit dem Treiber-IC-Chip zu verbinden, und ein Überlappungsmuster, das ausgebildet ist, um mit wenigstens einem Teil der Datenleitungen zwischen der Spannungsleitung und dem Treiber-IC-Chip zu überlappen.
Gemäß einer anderen Ausführungsform ist ein Herstellungsverfahren einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung angegeben, wobei das Verfahren umfasst: Positionieren eines Substrats; Ausbilden von Datenleitungen auf dem Substrat; Ausbilden einer Isolationsschicht über den Datenleitungen; und Ausbilden von mehrere Verbindungsleitungen auf der Isolationsschicht, wobei mehrere der Datenleitungen ausgebildet sind, sodass sie die Position wenigstens einer der mehreren Verbindungsleitungen überlappen.
Vorzugsweise umfasst das Ausbilden der Datenleitungen und das Ausbilden der mehreren Verbindungsleitungen: Ausbilden einer ersten Datenleitung; Ausbilden einer zweiten Datenleitung; Ausbilden einer dritten Datenleitung; Ausbilden einer vierten Datenleitung; Ausbilden einer ersten Verbindungsleitung; Ausbilden einer zweiten Verbindungsleitung; Ausbilden einer dritten Verbindungsleitung; und Ausbilden einer vierten Verbindungsleitung.
Die in dieser Zusammenfassung und der folgenden detaillierten Beschreibung beschriebenen Eigenschaften und Vorteile sind nicht als begrenzend beabsichtigt. Zahlreiche weitere Eigenschaften und Vorteile werden dem Fachmann aufgrund der Zeichnungen, der Beschreibung und der Ansprüche offensichtlich sein.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 zeigt ein Blockdiagramm einer OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
2 zeigt eine Draufsicht eines Datenverbindungsbereichs einer OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
3 zeigt eine Schnittansicht des Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung der 2 gemäß einer Ausführungsform.
4 zeigt ein Datenblatt der Kapazitätscharakteristik der Datenleitung der OLED-Vorrichtung der 2 gemäß der Ausführungsform.
5 zeigt eine Draufsicht eines Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
6A zeigt eine Schnittansicht des Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung der 5 gemäß einer Ausführungsform.
6B zeigt ein Herstellungsverfahren der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
7 zeigt ein Datenblatt der Kapazitätscharakteristik der Datenleitung der OLED-Vorrichtung der 5 gemäß der Ausführungsform.
8 zeigt ein Schaltkreisdiagramm, das teilweise einen Pixelbereich und einen Datentreiber der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsvorrichtung zeigt.
9 zeigt eine Draufsicht eines Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
Die Zeichnungen zeigen und die detaillierte Beschreibung beschreibt verschiedene nicht limitierende Ausführungsformen lediglich für Illustrationszwecke. Der Fachmann wird aus der folgenden Diskussion erkennen, dass alternative Ausführungsformen der hier gezeigten Strukturen und Verfahren realisiert werden können, ohne von den hier beschriebenen Prinzipien abzuweichen.
Detaillierte Beschreibung
In der vorliegenden Offenbarung ist zu verstehen, dass, wenn ein Element, wie beispielsweise ein Substrat, eine Schicht, ein Bereich, ein Film oder eine Elektrode in den verschiedenen hier beschriebenen Ausführungsformen als „auf” oder „unter” einem anderen Element ausgebildet beschrieben ist, dass das Element direkt auf oder und dem anderen Element sein kann, oder dass dazwischen liegende Elemente (indirekt) vorhanden sein können. Es wird angemerkt, dass der Ausdruck „auf” oder „unter” einem Element die Bedeutung „eine nach oben weisende Richtung” oder „eine nach unten weisende Richtung” in der Mitte des Elements umfassen kann.
1 zeigt ein Blockdiagramm einer OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform. Die OLED-Vorrichtung umfasst eine OLED-Tafel 10, eine Steuerung 30, einen Abtasttreiber 40, einen Datentreiber 50 und eine Spannungsversorgungseinheit 60. Der Abtasttreiber 40 kann erste Abtastsignale S1 und zweite Abtastsignale S2 an die OLED-Tafel 10 anlegen. Der Datentreiber 50 kann Datenspannungen Vdata an die OLED-Tafel 10 anlegen. Die Spannungsversorgungseinheit 60 kann mehrere Ansteuerspannungen an die Steuerung 30, den Abtasttreiber 40 und den Datentreiber 50 anlegen.
Obwohl es in 1 nicht gezeigt ist, umfasst die OLED-Tafel 10 mehrere Abtastleitungen, mehrere Datenleitungen und mehrere Spannungsversorgungsleitungen. Mehrere Pixelbereiche können durch die Schnittpunkte der Abtastleitungen und der Datenleitungen definiert sein.
Jeder der Pixelbereiche kann elektrisch mit einer Abtastleitung, einer Datenleitung und einer Spannungsversorgungsleitung verbunden sein. Beispielsweise kann eine Abtastleitung elektrisch mit mehreren Pixelbereichen verbunden sein, die in einer horizontalen Richtung angeordnet sind, und die Datenleitungen können elektrisch mit den mehreren Pixelbereichen verbunden sein, die in einer vertikalen Richtung angeordnet sind.
Ein Pixelbereich kann ein erstes Abtastsignal S1, ein zweites Abtastsignal S2, eine Vorladedatenspannung Vpre, eine Datenspannung Vdata, eine erste Spannungsversorgungsspannung VDD und eine zweite Spannungsversorgungsspannung VSS empfangen.
Insbesondere können die ersten Abtastsignale S1 und die zweiten Abtastsignale S2 sequentiell an die Pixelbereiche durch ihre jeweiligen Abtastleitungen angelegt werden. Die Vorladedatenspannung Vpre kann sequentiell an den Pixelbereich durch die jeweilige Datenleitung angelegt werden. Die erste Spannungsversorgungsspannung VDD und die zweite Spannungsversorgungsspannung VSS können an den Pixelbereich durch die jeweiligen Spannungsversorgungsleitungen angelegt werden. Eine Erfassungsspannung Vs für einen Knoten im Pixelbereich kann vom Pixelbereich an den Datentreiber 50 der 1 durch eine jeweilige Datenleitung ausgegeben werden.
2 zeigt eine Draufsicht eines Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform. Der Datenverbindungsbereich der OLED-Vorrichtung in 2 kann mehrere Treiber-IC-Chips umfassen. Für die Bequemlichkeit der Erläuterung ist der Datenverbindungsbereich in 2 jedoch so gezeigt, dass er nur einen einzelnen Treiber-IC-Chip 51 der mehreren Treiber-IC-Chips umfasst.
In einer Ausführungsform umfasst der Treiber-IC-Chip 51 eine Signaldomäne 53, die einen zentralen Bereich des Treiber-IC-Chips 51 belegt. Die Signaldomäne 53 empfängt Bildsignale von der Steuerung 30 der 1 und gibt die empfangenen Bildsignale an die OLED-Tafel 10 aus.
Der Treiber-IC-Chip 51 umfasst auch Spannungsdomänen 55, die an beiden Seiten (also an den Enden) der Signaldomäne 53 positioniert sind. Die Spannungsdomänen 55 empfangen Spannungen von der Spannungsversorgungseinheit 60 der 1 und geben die empfangenen Spannungen an die OLED-Tafel 10 aus. Die Spannnungsdomänen 55 können eine erste Spannungsdomäne 55a an einer Seite des Treiber-IC-Chips 51 und eine zweite Spannungsdomäne 55b an der anderen Seite des Treiber-IC-Chips 51 umfassen.
Ein Anzeigebereich 75 kann zum Anzeigen von Bildern verwendet werden, und kann unter dem Treiber-IC-Chip 51 angeordnet sein. Ein erster Verbindungsbereich 71 und ein zweiter Verbindungsbereich 73 können zwischen dem Treiber-IC-Chip 51 und dem Anzeigebereich 75 angeordnet sein. Der erste Verbindungsbereich 71 ist ein Bereich zwischen dem Treiber-IC-Chip 51 und dem zweiten Verbindungsbereich 73. Der zweite Verbindungsbereich 73 ist ein anderer Bereich zwischen dem ersten Verbindungsbereich 71 und dem Anzeigebereich 75.
Eine erste Spannungsleitung 81, eine zweite Spannungsleitung 83 und eine dritte Spannungsleitung 85 können im zweiten Verbindungsbereich 73 ausgebildet sein. Die ersten bis dritten Spannungsleitungen 81, 83 und 85 können ausgebildet sein, um sich entlang einer ersten Richtung zu erstrecken, die dieselbe ist wie die Hauptachse des Treiber-IC-Chips 51.
Die mehreren Datenleitungen DL können so ausgebildet sein, dass sie sich entlang einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung erstrecken und den ersten Verbindungsbereich 71 und den zweiten Verbindungsbereich 73 kreuzen. Ein Ende der mehreren Datenleitungen DL kann elektrisch mit der Signaldomäne 53 des Treiber-IC-Chips 51 verbunden sein. Das andere Ende der mehreren Datenleitungen DL erstreckt sich zum Inneren der OLED-Tafel 10.
Ein Teil der ersten Verbindungsleitung 82, ein Teil einer zweiten Verbindungsleitung 84 und eine dritte Verbindungsleitung 86 können im ersten Verbindungsbereich 71 ausgebildet sein. Die erste Verbindungsleitung 82 kann eine erste obere Verbindungsleitung 82a und eine erste untere Verbindungsleitung 82b umfassen. Die zweite Verbindungsleitung 84 kann eine zweite obere Verbindungsleitung 84a und eine zweite untere Verbindungsleitung 84b umfassen. Die erste obere Verbindungsleitung 82a, die zweite obere Verbindungsleitung 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 im ersten Verbindungsbereich 71 erstrecken sich entlang der zweiten Richtung.
In einer Ausführungsform verbindet die erste Verbindungsleitung 82 die Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 mit der ersten Spannungsleitung 81 elektrisch. Die zweite Verbindungsleitung 84 kann die Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 mit der zweiten Spannungsleitung 83 elektrisch verbinden. Die dritte Verbindungsleitung 86 kann die Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 mit der dritten Spannungsleitung 85 elektrisch verbinden.
Ein Ende der ersten oberen Verbindungsleitung 82a kann mit der Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 elektrisch verbunden oder gekoppelt sein, und das andere Ende der ersten oberen Verbindungsleitung 82a kann durch ein erstes Kontaktloch 91 elektrisch mit der ersten unteren Verbindungsleitung 82b verbunden sein. Ein Ende der ersten unteren Verbindungsleitung 82b kann elektrisch mit der ersten oberen Verbindungsleitung 82a verbunden oder gekoppelt sein, und das andere Ende der ersten unteren Verbindungsleitung 82b kann durch eine zweites Kontaktloch 92 elektrisch mit der ersten Spannungsleitung 81 verbunden oder gekoppelt sein.
Ein Ende der zweiten oberen Verbindungsleitung 84a kann elektrisch mit der Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 verbunden sein, und das andere Ende der zweiten oberen Verbindungsleitung 84a kann durch ein drittes Kontaktloch 93 elektrisch mit der zweiten unteren Verbindungsleitung 84b verbunden sein. Ein Ende der zweiten unteren Verbindungsleitung 84b kann elektrisch mit der zweiten oberen Verbindungsleitung 84a verbunden sein, und das andere Ende der zweiten unteren Verbindungsleitung 84b kann durch ein viertes Kontaktloch 94 elektrisch mit der zweiten Spannungsleitung 83 verbunden sein.
Die erste Verbindungsleitung 82, die zweite Verbindungsleitung 84 und die dritte Verbindungsleitung 86 können symmetrisch mit beiden Spannungsdomänen des Treiber-IC-Chips 51 verbunden sein. In anderen Worten können die ersten bis dritten Verbindungsleitungen 82, 84 und 86 symmetrisch mit sowohl der ersten Spannungsdomäne 55a als auch der zweiten Spannungsdomäne 55b verbunden sein, die an beiden Seiten des Treiber-IC-Chips 51 angeordnet sind.
Die in der Spannungsversorgungseinheit 60 der 1 erzeugten Spannungen können an die erste Spannungsleitung 81, die zweite Spannungsleitung 83 und die dritte Spannungsleitung 85 durch die Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 und durch die erste Verbindungsleitung 82, die zweite Verbindungsleitung 84 und die dritte Verbindungsleitung 86 angelegt werden. Die an jeder der ersten bis dritten Spannungsleitungen 81, 83 und 85 angelegte Spannung kann an die Pixelbereiche auf der OLED-Tafel 10 durch eine in 2 nicht gezeigte Leitung angelegt werden.
In einer Ausführungsform kann eine an die erste Spannungsleitung 81 angelegte erste Spannung eine Referenzspannung Vref sein. Eine an die zweite Spannungsleitung 83 angelegte zweite Spannung kann eine Massespannung sein. Eine an die dritte Spannungsleitung 85 angelegte dritte Spannung kann eine Versorgungsspannung VDD sein.
Die ersten bis dritten Spannungsleitungen 81, 83 und 85, die erste und zweite obere Verbindungsleitung 82a und 84a, und die dritte Verbindungsleitung 86 können in derselben Schicht ausgebildet sein. Die ersten bis dritten Spannungsleitungen 81, 83 und 85, die erste und die zweite obere Verbindungsleitung 82a und 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 können aus einem Datenmetall ausgebildet sein.
Die Datenleitungen DL, die erste untere Verbindungsleitung 82b und die zweite untere Verbindungsleitung 84b können in derselben Schicht ausgebildet sein. Die Datenleitungen DL, die erste untere Verbindungsleitung 82b, und die zweite Verbindungsleitung 84b können in einer anderen Schicht als die ersten bis dritten Spannungsleitungen 81, 83 und 85, die erste und die zweite obere Verbindungsleitung 82a und 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 ausgebildet sein. Die Datenleitungen DL und die erste und die zweite untere Verbindungsleitung 82b und 84b können aus einem Gatemetall ausgebildet sein. Das Gatemetall und das Datenmetall können ein metallisches Material sein, umfassend wenigstens Titan Ti, Chrom Cr, Nickel Ni, Aluminium Al, Platin Pt, Gold Au, Wolfram W, Kupfer Cu oder Molybdän Mo. In anderen Ausführungsformen können andere metallische Materialien verwendet werden.
Die vom Treiber-IC-Chip 51 ausgegebenen Datenspannungen werden auf einem breiteren Bereich als denjenigen des Treiber-IC-Chips übertragen. Dementsprechend verbreitern sich die Datenleitungen DL horizontal (also fächern aus), wenn die Datenleitungen DL vom oberen Rand des ersten Verbindungsbereichs 71 in Richtung des unteren Rands des ersten Verbindungsbereichs 71 laufen. Die oberen Enden der Datenleitungen DL sind auf eine engere Abmessung als die der Breite der Signaldomäne 53 des Treiber-IC-Chips 51 begrenzt, da die oberen Enden der Datenleitungen DL mit der Signaldomäne 53 des Treiber-IC-Chips 51 verbunden sind. Auf der anderen Seite müssen die unteren Enden der Datenleitungen DL so ausgebildet sein, dass sie dieselbe Dicke aufweisen und mit einem festen Abstand dazwischen weit voneinander entfernt sind, aufgrund des Anlegens der Datenspannungen an den breiteren Bereich.
Die Datenleitungen DL können mit den ersten bis dritten Verbindungsleitungen 82, 84 und 86 überlappen. Insbesondere können die Datenleitungen DL mit der ersten oberen Verbindungsleitung 82a, der zweiten oberen Verbindungsleitung 84a und der dritten Verbindungsleitung 86 überlappen. Diese Überlappung der Datenleitungen DL mit den Verbindungsleitungen führt zur Ausbildung eines parasitären Kondensators.
3 zeigt eine Schnittansicht des Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung entlang einer Linie A-A' in 2. Der Datenverbindungsbereich der OLED-Vorrichtung gemäß der in 2 gezeigten Ausführungsform kann ein Substrat 1, eine Pufferschicht 3 auf dem Substrat 1 und einen Gateisolationsfilm 5 auf der Pufferschicht 3 umfassen.
In einer Ausführungsform wird der Gateisolationsfilm 5 verwendet, um Datenleitungen von einer anderen Schicht elektrisch zu isolieren. Als solcher muss der Gateisolationsfilm 5 überragende dielektrische Eigenschaften aufweisen. Deshalb kann der Gateisolationsfilm 5 so ausgebildet sein, dass er entweder ein anorganisches Isolationsmaterial, wie beispielsweise Siliziumnitrid SiNx oder Siliziumoxid SiOx, oder ein organisches Isolationsmaterial, wie beispielsweise Benzozyclobuten (BBC) umfasst. In anderen Ausführungsformen könne andere Materialien verwendet werden.
Mehrere Datenleitungen DL können auf dem Gateisolationsfilm ausgebildet sein. Die mehreren Datenleitungen DL können eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2, eine dritte Datenleitung DL3 und eine vierte Datenleitung DL4 umfassen. Die Datenleitungen DL können aus einem Datenmetall ausgebildet sein.
Eine Isolationsschicht 7 kann auf dem Gateisolationsfilm 5 mit den Datenleitungen DL ausgebildet sein. Die Isolationsschicht 7 wird verwendet, um die Datenleitungen DL von einer Metallschicht zu isolieren, die verschieden von den Datenleitungen DL ist. Als solche muss die Isolationsschicht 7 überragende dielektrische Eigenschaften aufweisen. Deshalb kann die Isolationsschicht 7 so ausgebildet sein, dass sie entweder ein anorganisches Isolationsmaterial, wie beispielsweise Siliziumnitrid SiNx oder Siliziumoxid SiOx oder ein organisches Isolationsmaterial, wie beispielsweise Benzozyclobuten (BBC) umfasst. In anderen Ausführungsformen können andere Materialien verwendet werden.
Die ersten bis dritten Verbindungsleitungen 82, 84 und 86 können auf der Isolationsschicht ausgebildet sein. Insbesondere können die erste obere Verbindungsleitung 82a, die zweite obere Verbindungsleitung 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet sein. Die erste und die zweite obere Verbindungsleitung 82a und 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 können aus einem Datenmetall ausgebildet sein.
Eine Schutzschicht 9 kann auf der Isolationsschicht 7 mit der ersten und zweiten oberen Verbindungsleitung 82a und 84a und der dritten Verbindungsleitung 86 ausgebildet sein. Die Schutzschicht 9 wird verwendet, um die erste und zweite obere Verbindungsleitung 82a und 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 vor äußeren Einflüssen zu schützen und um zu verhindern, dass die erste und die zweite obere Verbindungsleitung 82a und 84a und die dritte Verbindungsleitung 86 ein äußeres Material oder Objekt kontaktieren. Als solche muss die Schutzschicht 9 überlegene dielektrische Eigenschaften aufweisen. Deshalb kann die Schutzschicht 9 so ausgebildet sein, dass sie entweder ein anorganisches Isolationsmaterial, wie beispielsweise Siliziumnitrit SiNx oder Siliziumoxid SiOx, oder ein organisches Isolationsmaterial, wie beispielsweise Benzozyclobuten (BBC) umfasst. In anderen Ausführungsformen könne andere Materialien verwendet werden.
Wie in 3 gezeigt, kann die erste Datenleitung DL1 mit der ersten oberen Verbindungsleitung 82 überlappen, die zweite Datenleitung DL2 kann mit der zweiten oberen Verbindungsleitung 84a überlappen, und die dritten Datenleitung DL3 kann mit der dritten Verbindungsleitung 86 überlappen. Die Überlappung der Datenleitungen DL mit den Verbindungsleitungen erzeugt eine parasitäre Kapazität. Die Kapazität existiert jedoch nicht in der vierten Datenleitung DL4, da die vierte Datenleitung DL4 nicht mit irgendeiner Verbindungsleitung überlappt. Dementsprechend wird ein Ungleichgewicht in der Kapazität zwischen den Datenleitungen DL erzeugt.
4 zeigt ein Datenblatt der Kapazitätseigenschaft der Datenleitungen der in 2 gezeigten OLED-Vorrichtung gemäß der Ausführungsform. Wie in 4 gezeigt, steigen und fallen die Kapazitäten der in der OLED-Vorrichtung enthaltenen Datenleitungen periodisch und wiederholt.
Minimale Kapazitätsbereiche in 4 entsprechen den Bereichen des ersten Verbindungsbereichs 71 gegenüber der Signaldomäne 53 des Treiber-IC-Chips 51 in 2. Die Datenleitungen, die in den Bereichen des ersten Verbindungsbereichs 71 gegenüber der Signaldomäne 53 des Treiber-IC-Chips 51 vorhanden sind, weisen eine kleine Kapazität auf, da sie nicht mit der Verbindungsleitung überlappen.
Die ansteigenden und abfallenden Kapazitätsbereiche in 4 entsprechen den anderen Bereichen des ersten Verbindungsbereichs gegenüber der Spannungsdomäne 55, insbesondere den Randbereichen des Treiber-IC-Chips 51 in 2. In den Bereichen des ersten Verbindungsbereichs gegenüber der Spannungsdomäne 55 des Treiber-IC-Chips 51 weisen die Datenleitungen DL eine erhöhte Kapazität aufgrund der Überlappung mit den Verbindungsleitungen auf. Eine solche unregelmäßige Kapazität verursacht Variationen in der Widerstands-Kondensator(RC)-Verzögerung. Deshalb werden Signale verzerrt, was zu einer Verschlechterung der Anzeigequalität führt.
5 zeigt eine Draufsicht eines Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung gemäß einer alternativen Ausführungsform. Die in 5 gezeigte Ausführungsform ist ähnlich zur in 2 gezeigten Ausführungsform mit Ausnahme davon, dass sich die dritte Spannungsleitung zum Treiber-IC-Chip 151 erstreckt. Deshalb werden die Beschreibungen der Ausführungsformen der 2, die sich in 5 wiederholen, für eine Einfachheit der Diskussion weggelassen.
Bezugnehmend auf 5 umfasst ein Treiber-IC-Chip 151 der OLED-Vorrichtung eine Signaldomäne 153, die einen zentralen Bereich des Treiber-IC-Chips 151 belegt, und Spannungsdomänen 155, die an beiden Seiten (also an beiden Enden) der Signaldomäne 153 angeordnet sind.
Ein Anzeigebereich 175, der zum Anzeigen von Bildern verwendet wird, kann unter dem Treiber-IC-Chip 151 vorgesehen sein. Ein erster Verbindungsbereich 171 und ein zweiter Verbindungsbereich 173 können zwischen dem Treiber-IC-Chip 151 und dem Anzeigebereich 175 vorgesehen sein.
Eine erste Spannungsleitung 181, eine zweite Spannungsleitung 183 und eine dritte Spannungsleitung 185 können im zweiten Verbindungsbereich 173 ausgebildet sein. Die ersten bis dritten Spannungsleitungen 181, 183 und 185 können so ausgebildet sein, dass sie sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, die dieselbe wie die Hauptachse des Treiber-IC-Chips 151 ist.
Die mehreren Datenleitungen DL können so ausgebildet sein, dass sie sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, die senkrecht zur ersten Richtung ist, und können den ersten und zweiten Verbindungsbereich 171 und 173 kreuzen. Ein Ende der mehreren Datenleitungen DL ist elektrisch mit den Signaldomänen 153 des Treiber-IC-Chips 151 verbunden. Das andere Ende der mehreren Datenleitungen DL erstreckt sich zum Inneren der OLED-Tafel 10.
Ein Teil einer ersten Verbindungsleitung 182, ein Teil einer zweiten Verbindungsleitung 184 und eine dritte Verbindungsleitung 186 können im ersten Verbindungsbereich 171 ausgebildet sein. Die erste Verbindungsleitung 182 umfasst eine erste obere Verbindungsleitung 182a und eine erste untere Verbindungsleitung 182b. Die zweite Verbindungsleitung 184 umfasst eine erste obere Verbindungsleitung 184a und eine erste untere Verbindungsleitung 184b. Die erste obere Verbindungsleitung 182a, die zweite obere Verbindungsleitung 184a und die dritte Verbindungsleitung 186, die im ersten Verbindungsbereich 171 bereitgestellt sind, können so ausgebildet sein, dass sie sich entlang der zweiten Richtung erstrecken.
Die erste Verbindungsleitung 182 kann die Spannungsdomäne 155 des Treiber-IC-Chips 151 mit der ersten Spannungsleitung 181 elektrisch verbinden. Die zweite Verbindungsleitung 184 kann die Spannungsdomäne 155 des Treiber-IC-Chips 151 mit der zweiten Spannungsleitung 183 elektrisch verbinden. Die dritte Verbindungsleitung 186 kann die Spannungsdomäne 155 des Treiber-IC-Chips 151 mit der dritten Spannungsleitung 185 elektrisch verbinden.
Ein Ende der ersten oberen Verbindungsleitung 182a kann elektrisch mit der Spannungsdomäne 155 des Treiber-IC-Chips 151 verbunden sein, und das andere Ende der ersten oberen Verbindungsleitung 182a kann durch ein erstes Kontaktloch 191 elektrisch mit der ersten unteren Verbindungsleitung 182b verbunden sein. Ein Ende der ersten unteren Verbindungsleitung 182b kann elektrisch mit der ersten oberen Verbindungsleitung 182a elektrisch verbunden sein, und das andere Ende der ersten unteren Verbindungsleitung 182b kann durch ein zweites Kontaktloch 192 elektrisch mit der ersten Spannungsleitung 181 verbunden sein.
Ein Ende der zweiten oberen Verbindungsleitung 184a kann elektrisch mit der Spannungsdomäne 155 des Treiber-IC-Chips 151 verbunden sein, und das andere Ende der zweiten oberen Verbindungsleitung 184a kann durch ein drittes Kontaktloch 193 elektrisch mit der zweiten unteren Verbindungsleitung 184b verbunden sein. Ein Ende der zweiten unteren Verbindungsleitung 184b kann elektrisch mit der zweiten oberen Verbindungsleitung 184a verbunden sein, und das andere Ende der zweiten unteren Verbindungsleitung 184b kann durch ein viertes Kontaktloch 194 elektrisch mit der zweiten Spannungsleitung 183 verbunden sein.
Die Datenleitungen DL können mit den ersten bis dritten Verbindungsleitungen 182, 184 and 186 überlappen. Insbesondere können die Datenleitungen DL mit der ersten Verbindungsleitung 182a, der zweiten oberen Verbindungsleitung 184a und der dritten Verbindungsleitung 186 überlappen. Diese Überlappung der Datenleitungen DL mit den Verbindungsleitungen führt zur Bildung parasitärer Kondensatoren.
In einer Ausführungsform umfasst die dritte Spannungsleitung 185 einen Ausdehnungsbereich, der sich von einem Rand der dritten Spannungsleitung gegenüber der Signaldomäne 153 des Treiber-IC-Chips 155 zum Inneren des ersten Verbindungsbereichs 171 erstreckt. Der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 kann auf eine solche Weise ausgebildet sein, dass der mittige Bereich 195 des Rands des Ende des Ausdehnungsbereiches vorsteht. Es wird angemerkt, dass sich der Ausdehnungsbereich in anderen Ausführungsformen von einem Rand der dritten Spannungsleitung erstrecken kann, der nicht der Signaldomäne 153 des Treiber-IC-Chips 155 gegenüberliegt. Der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 155, der sich zum Inneren des ersten Verbindungsbereichs 171 erstreckt, kann mit den Datenleitungen DL im ersten Verbindungsbereich 171 überlappen. Der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 kann mit einer Größe ausgebildet sein, die geeignet ist, um eine Kapazitätsabweichung zwischen den Datenleitungen DL, die mit der Spannungsdomäne 153 des Treiber-IC-Chips 151 und dem äußeren Bereich derselben verbunden sind, zu minimieren, sodass die über die Datenleitungen DL gebildeten Kapazitäten im Wesentlichen gleich sind. Der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 kann auch so ausgebildet sein, dass eine Widerstandsabweichung berücksichtigt wird, die durch einen Unterschied zwischen den Datenleitungen DL verursacht wird, sodass eine RC-Verzögerungsabweichung zwischen den Datenleitungen minimiert wird. Es wird angemerkt, dass eine mit der Mitte der Signaldomäne 153 des Treiber-IC-Chips 151 verbundene Datenleitung einen geringeren Leitungswiderstand aufweist als eine andere Datenleitung, die mit dem Äußeren der Signaldomäne 153 verbunden ist, da sie eine kürzere Länge aufweist. Dementsprechend kann der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 so ausgebildet sein, dass der mittige Bereich 195 des Randes des Endes des Ausdehnungsbereichs vorsteht. Der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 mit dem vorstehenden Endrand 195 kann die RC-Verzögerungsabweichung zwischen den Datenleitungen reduzieren. Der Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 kann im gesamten ersten Verbindungsbereich 171 oder in einem Teil des ersten Verbindungsbereichs 171 ausgebildet sein.
Obwohl es nicht in den Zeichnungen gezeigt ist, kann auch eine Datenleitung mit einem kürzeren relativen Abstand (z. B. eine mit der Mitte der Signaldomäne 53 verbundene Datenleitung) von der Signaldomäne 153 zur dritten Spannungsleitung 185 mit einer unregelmäßigen Form (z. B. Zickzack) ausgebildet sein, sodass die Pfadlänge der Datenleitung dieselbe wie die Pfadlänge der Datenleitung mit einem größeren relativen Abstand von der Signaldomäne 153 zur dritten Spannungsleitung 185 ist (z. B. eine mit dem Ende der Signaldomäne 153 verbundenen Datenleitung), um den Widerstandsunterschied zwischen den anderen Datenleitungen mit einer relativ großen Länge zu reduzieren. Durch die Datenleitungen mit derselben Pfadlänge weisen die Datenleitungen im Wesentlichen denselben Widerstand auf. Die Längenabweichung kann reduziert werden, indem ein Teil der Datenleitungen mit der unregelmäßigen Form ausgebildet wird, und die Widerstandsabweichung zwischen den Datenleitungen kann reduziert werden.
6A zeigt eine Schnittansicht des Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung entlang einer Linie B-B' in 5. Der Datenverbindungsbereich der OLED-Vorrichtung in 5 kann ein Substrat 1, eine Pufferschicht 3 auf dem Substrat 1 und einen Gateisolationsfilm 5 auf der Pufferschicht 3 umfassen.
Mehrere Datenleitungen DL können auf dem Gateisolationsfilm 5 ausgebildet sein. Die mehreren Datenleitungen DL können eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2, eine dritte Datenleitung DL3 und eine vierte Datenleitung DL4 umfassen. Eine Isolationsschicht 7 kann auf dem Gateisolationsfilm 5 über den mehreren Datenleitungen DL ausgebildet sein.
Die erste Verbindungsleitung 182, die zweite Verbindungsleitung 184 und die dritte Verbindungsleitung 186 können auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet sein. Insbesondere können die erste obere Verbindungsleitung 182a, die zweite obere Verbindungsleitung 184a und die dritte Verbindungsleitung 186 auf der Isolationsschicht 7 ausgebildet sein.
Eine Schutzschicht 9 kann auf der Isolationsschicht 7 mit der ersten oberen Verbindungsleitung 182a, der zweiten oberen Verbindungsleitung 184a und der dritten Verbindungsleitung 186 ausgebildet sein.
Die erste Datenleitung DL1 kann mit der ersten oberen Verbindungsleitung 182a überlappen. Die zweite Datenleitung DL2 kann mit der zweiten oberen Verbindungsleitung 184 überlappen. Die dritte Datenleitung DL3 und die vierte Verbindungsleitung DL4 können beide mit der dritten Verbindungsleitung 186 überlappen. Insbesondere kann die vierte Datenleitung DL4 mit dem Ausdehnungsbereich, der sich von der dritten Spannungsleitung 185 erstreckt und mit der dritten Verbindungsleitung 186 verbunden ist, überlappen.
Die Überlappung der Datenleitungen DL mit den Verbindungsleitungen erzeugt parasitäre Kapazitäten. Die Überlappung der vierten Datenleitung DL4 mit dem Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 kann eine Abweichung zwischen den Kapazitäten reduzieren. Die RC-Verzögerungsgrößen der Datenleitungen DL können im Wesentlichen gleich sein, was zu einer Erhöhung der Anzeigequalität der OLED-Vorrichtung führt.
7 zeigt ein Datenblatt der Kapazitätscharakteristik der Datenleitungen DL der in 5 gezeigten OLED-Vorrichtung gemäß der Ausführungsform. Wie in 7 gezeigt, weisen die in der OLED-Vorrichtung enthaltenen Datenleitungen eine feste Leitungskapazität auf. Es ist zu beachten, dass die in 7 gezeigten Kapazitätswerte lediglich der Erläuterung dienen und die Datenleitungen DL andere als in 7 gezeigte Kapazitätswerte aufweisen können. Die in 5 gezeigte OLED-Vorrichtung behält die Kapazitäten der Datenleitungen DL ungeachtet der Positionen der Datenleitungen, im Unterschied zur in 2 gezeigten Ausführungsform. Dies entsteht dadurch, dass die Abweichung zwischen den Datenleitungen durch das Überlappen der Datenleitungen, die mit der Signaldomäne des Treiber-IC-Chips 151 verbunden sind, mit dem Ausdehnungsbereich der dritten Spannungsleitung 185 reduziert wird. Die Datenleitungen mit einer festen Kapazität können eine feste RC-Verzögerungsgröße aufweisen. Deshalb kann eine Verzerrung von Signalen verhindert werden, und die Anzeigequalität der OLED-Vorrichtung ist verbessert.
6B zeigt ein Herstellungsverfahren der in 6A gezeigten OLED-Vorrichtung. Es ist zu beachten, dass in anderen Ausführungsformen andere Schritte durchgeführt werden können.
In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Positionieren 601 (also Anordnen) eines Substrats und das Ausbilden 603 einer Pufferschicht auf dem Substrat. Das Verfahren umfasst weiter das Ausbilden 605 eines Gateisolationsfilms auf der Pufferschicht und das Ausbilden 607 von mehreren Datenleitungen auf dem Gateisolationsfilm. Die mehreren Datenleitungen können die erste Datenleitung DL1, die zweite Datenleitung DL2, die dritte Datenleitung DL3 und die vierte Datenleitung DL4, die in 6A gezeigt sind, umfassen. Das Verfahren umfasst auch das Ausbilden 609 einer Isolationsschicht auf dem Gateisolationsfilm. Die Isolationsschicht kann über den mehreren Datenleitungen ausgebildet sein. Das Verfahren umfasst weiter das Ausbilden 611 von mehreren Verbindungsleitungen auf der Isolationsschicht. Insbesondere können die erste Verbindungsleitung 182, die zweite Verbindungsleitung 184 und die dritte Verbindungsleitung 186 auf der Isolationsschicht ausgebildet werden, wie in 6A gezeigt.
Es wird angemerkt, dass die erste Datenleitung DL1 so ausgebildet ist, dass sie mit der ersten oberen Verbindungsleitung 182a überlappt. Auf ähnliche Weise ist die zweite Datenleitung DL2 so ausgebildet, dass sie mit der zweiten oberen Verbindungsleitung 184a überlappt. Sowohl die dritte Datenleitung DL3 als auch die vierte Datenleitung DL4 sind so ausgebildet, dass sie mit der dritten Verbindungsleitung 186 überlappen. Insbesondere ist die vierte Datenleitung DL4 so ausgebildet, dass sie mit dem Ausdehnungsbereich überlappt, der so ausgebildet ist, dass er sich von der mit der dritten Verbindungsleitung 186 verbundenen dritten Spannungsleitung 185 erstreckt. Das in 6B gezeigte Verfahren umfasst weiter das Ausbilden 613 einer Schutzschicht auf der Isolationsschicht. Die Schutzschicht kann in einer Ausführungsform über den mehreren Verbindungsleitungen ausgebildet sein.
8 zeigt ein Schaltkreisdiagramm, das teilweise einen Pixelbereich und einen Datentreiber der OLED-Vorrichtung gemäß der einen Ausführungsform zeigt. In einer Ausführungsform umfasst die OLED-Vorrichtung einen ersten Transistor T1, einen zweiten Transistor T2, einen dritten Transistor T3, einen Speicherkondensator Cst, einen Ladekondensator Cload und ein organisches lichtemittierendes Element „OLED”, die in jedem Pixelbereich P ausgebildet sein können. Es wird angemerkt, dass andere Ausführungsformen der OLED-Vorrichtung andere Elemente als die in 8 gezeigten umfassen können. In anderen Worten kann die Anzahl von Transistoren und die Verbindungskonfiguration im Pixelbereich P auf verschiedene Arten modifiziert werden. Deshalb kann die vorliegende Ausführungsform von einem Designer bei jeder modifizierbaren Schaltkreiskonfiguration des Pixelbereichs angewendet werden.
Der erste Transistor T1 und der zweite Transistor T2 können jeweils als Schalttransistor dienen, die zum Übertragen eines Signals verwendet werden. Der dritte Transistor T3 kann als ein Treibertransistor dienen, der einen Ansteuerstrom zum Ansteuern des organischen lichtemittierenden Elements „OLED” erzeugt.
Der Speicherkondensator Cst hält eine Datenspannung während einer einzelnen Rahmenperiode aufrecht. Der Lastkondensator Cload lädt eine extern bereitgestellte Vorladedatenspannung Vpre und legt die geladene Vorladedatenspannung Vpre an das organische lichtemittierende Element „OLED” an. Das organische lichtemittierende Element „OLED” wird verwendet, um Licht zu erzeugen. Das im organischen lichtemittierenden Element „OLED” erzeugte Licht kann eine Helligkeit aufweisen, die basierend auf der Stärke des Ansteuerstroms variiert wird. Das organische lichtemittierende Element „OLED” kann ein rotes, grünes oder blaues organisches lichtemittierendes Element sein.
Die ersten bis dritten Transistoren T1 bis T3 können PMOS-Dünnschichttransistoren sein, aber sie können andere Arten von Transistoren sein, wie beispielsweise NMOS-Dünnschichttransistoren in anderen Ausführungsformen. Die ersten bis dritten Transistoren T1 bis T3 können durch ein Signal mit einem niedrigen Pegel angeschaltet werden, und können durch ein anderes Signal mit einem hohem Pegel abgeschaltet werden. Der hohe Pegel kann entweder eine Massespannung oder eine andere Spannung nahe daran sein. Der niedrige Pegel kann eine kleinere Spannung als die Massespannung sein.
Die erste Spannungsversorgungsspannung VDD kann ein Hochpegelsignal sein. Die zweite Spannungsversorgungsspannung VSS kann ein Niedrigpegelsignal sein. Die erste Versorgungsspannung VDD und die zweite Versorgungsspannung VSS können DC(direct current)-Spannungen sein, die stabil bei einem fixen Pegel gehalten werden.
Der Ladekondensator Cload kann mit der Datenleitung DL verbunden sein. Die Vorladespannung Vpre oder die Datenspannung Vdata kann in den Ladekondensator Cload geladen werden.
Der erste Transistor T1 umfasst eine Gateelektrode, die mit der ersten Abtastleitung S1 verbunden ist, eine Sourcelektrode, die mit dieser Datenleitung verbunden ist, und eine Drainelektrode, die mit einem ersten Knoten 52 verbunden ist. Die erste Abtastleitung S1 wird verwendet, um ein erstes Abtastsignal zu übertragen. Der erste Knoten 52 wird verwendet, um eine Sourcespannung des dritten Transistors T3 zu bilden.
Der erste Transistor T1 kann durch das erste Abtastsignal mit dem Niedrigpegel angeschaltet werden, das von der ersten Abtastleitung S1 angelegt wird. Die Vorladespannung Vpre oder die Datenspannung Vdata auf der Datenleitung können am ersten Knoten 52 geladen werden. Die Datenspannung kann zum Anzeigen eines Bildes verwendet werden.
Der erste Knoten 52 kann gemeinsam mit der Drainelektrode des ersten Transistors T1, dem Speicherkondensator Cst, einer Sourceelektrode des dritten Transistors T3 und der ersten Spannungsleitung VDD verbunden sein.
Der zweite Transistor T2 kann eine Gatelektrode, die mit der zweiten Abtastleitung S2 verbunden ist, eine Sourceelektrode, die mit einer Referenzspannungsleitung verbunden ist, und eine Drainelektrode, die mit einem zweiten Knoten 53 verbunden ist, umfassen. Die zweite Abtastleitung S2 kann verwendet werden, um ein zweites Abtastsignal zu übertragen. Die Referenzspannungsleitung überträgt eine Referenzspannung Vref
Der zweite Transistor T2 kann durch das zweite Abtastsignal mit dem Niedrigpegel angeschaltet werden, das von der zweiten Abtastleitung S2 angelegt wird. Zur selben Zeit kann der zweite Knoten 53 durch die Referenzspannung Vref entladen werden. Der zweite Knoten 53 kann gemeinsam mit der Drainelektrode des zweiten Transistors T3 und der Gateelektrode des dritten Transistors T3 verbunden sein.
Der Speicherkondensator Cst kann zwischen den ersten Knoten 52 und den zweiten Knoten 53 geschalten sein. Der Speicherkondensator Cst kann verwendet werden, um die Spannung am zweiten Knoten 53 entsprechend der Variation einer Spannung Vs, die am ersten Knoten 52 geladen ist, zu ändern.
Der dritte Transistor T3 kann die Gatelektrode, die mit dem zweiten Knoten 53 verbunden ist, und eine Sourceelektrode, die mit dem ersten Knoten 52 und der ersten Spannungsleitung VDD verbunden ist, umfassen. Der dritte Transistor T3 erzeugt den Ansteuerstrom, der mit der Spannung des zweiten Knotens 53 verändert wird. Der Ansteuerstrom, der vom dritten Transistor T3 erzeugt wird, wird an das organische lichtemittierende Element „OLED” angelegt. Das organische lichtemittierende Element „OLED” kann Licht unter Verwendung des Ansteuerstroms emittieren.
Obwohl in 8 nicht gezeigt, kann ein zusätzlicher Schalttransistor zwischen der ersten Spannungsleitung und der Sourceelektrode des dritten Transistors T3 angeordnet sein, oder kann zwischen der Drainelektrode des dritten Transistors T3 und einer Elektrode der OLED angeordnet sein. Der zusätzliche Schalttransistor kann durch ein Emissionssteuersignal schaltungsgesteuert sein.
Die Datenleitung DL ist mit dem Datentreiber 50 verbunden. Der Datentreiber 50 kann einen Digital-Analog-Wandler DAC, einen Analog-Digial-Wandler ADC und ein Auswahlelement 51 umfassen.
Der DAC kann die Vorladedatenspannung Vpre und die Datenspannung Vdata erzeugen. Der DAC kann ein Vorladedatensignal Dpre und ein Datensignal Ddata, die digitale Signale sind, in die Vorladedatenspannung Vpre und die Datenspannung Vdata wandeln, die analoge Signale sind. Der ADC kann ein analoges Erfassungssignal, das im Pixelbereich erfasst wird, in ein digitales Erfassungssignal wandeln. Das Auswahlelement 51 verbindet die Datenleitung DL selektiv entweder mit dem DAC oder dem ADC.
Das Auswahlelement 51 kann durch ein Auswahlsignal Sel schaltgesteuert sein. Beispielsweise kann das Auswahlelement 51 auf das Auswahlsignal mit dem niedrigen Pegel antworten und die Datenleitung DL so steuern, dass sie elektrisch mit dem DAC verbunden ist. Auf der anderen Seite kann das Auswahlelement 51 auf das Auswahlsignal mit dem hohen Pegel antworten und die Datenleitung DL so steuern, dass sie elektrisch mit dem DAC verbunden ist.
In einer Ausführungsform wird die Vorladespannung Vpre angelegt und die Erfassungsspannung Vs wird erhalten, teilweise unter Verwendung der Konfigurationen des Pixelbereichs und des Datentreibers 50. Dies resultiert daraus, dass die Vorladespannung mit einem geringen Fehler angelegt werden kann, und die Erfassungsspannung Vs mit einem kleinen Fehler erfasst werden kann, aufgrund der gleichmäßigen Kapazität oder der Gleichheit der Kapazitäten zwischen de Datenleitungen. Eigenschaften von Elementen, wie eine Schwellspannung Vth, können präzise gemessen und kompensiert werden. Dementsprechend ist die Anzeigequalität der OLED-Vorrichtung verbessert.
9 zeigt eine Draufsicht eines Datenverbindungsbereichs der OLED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform. Die in 9 gezeigte Ausführungsform ist ähnlich zur in 5 gezeigten Ausführungsform, mit Ausnahme des Ausbildens eines Überlappungsmusters 287 zwischen den dritten Verbindungsleitungen, die an beiden Seiten der Signaldomäne 253 angeordnet sind. Dementsprechend wird für die Einfachheit der Diskussion eine Beschreibung der in 9 gezeigten Elemente, die ähnlich denen der 5 sind, weggelassen.
In einer Ausführungsform umfasst ein Treiber-IC-Chip 251 der OLED-Vorrichtung eine Signaldomäne 253, die einen mittigen Bereich des Treiber-IC-Chips 251 belegt, und Spannungsdomänen 255, die an beiden Seiten der Signaldomäne 253 angeordnet sind.
Ein Anzeigebereich 275, der zum Anzeigen von Bildern verwendet wird, kann unter dem Treiber-IC-Chip 251 vorgesehen sein. Ein erster Verbindungsbereich 271 und ein zweiter Verbindungsbereich 273 können zwischen dem Treiber-IC-Chip 251 und dem Anzeigebereich 275 bereitgestellt sein.
Eine erste Verbindungsleitung 282, eine zweite Verbindungsleitung 284 und eine dritte Verbindungsleitung 286 können im ersten Verbindungsbereich 271 und im zweiten Verbindungsbereich 273 ausgebildet sein. Die ersten bis dritten Verbindungsleitungen 282, 284 und 286 können mit der Spannungsdomäne 255 des Treiber-IC-Chips 251 verbunden sein. Die ersten bis dritten Verbindungsleitungen 282, 284 und 286 können in Bereichen des ersten und zweiten Verbindungsbereichs 271 und 273 gegenüber beiden Spannungsdomänen des Treiber-IC-Chips 251 ausgebildet sein.
In einer Ausführungsform ist ein Überlappungsmuster 287 zwischen den dritten Verbindungsleitungen 286 im ersten Verbindungsbereich 271 ausgebildet. In einer Ausführungsform ist das Überlappungsmuster 287 ein Bereich oder eine Fläche, die zwischen den dritten Verbindungsleitungen 286 im ersten Verbindungsbereich 271 ausgebildet ist, der/die mehrere Datenleitungen DL überlappt. Es können mehrere Überlappungsbereiche zwischen den dritten Verbindungsleitungen 286 im ersten Verbindungsbereich 271 ausgebildet sein, wodurch ein Überlappungsmuster ausgebildet wird.
Das Überlappungsmuster 287 kann mit einem festen Abstand von den dritten Verbindungsleitungen 286 ausgebildet sein. Das Überlappungsmuster 287 kann entlang einer zur dritten Spannungsleitung 285 parallelen Richtung ausgebildet sein. Das Überlappungsmuster 287 kann so ausgebildet sein, dass es sich von den dritten Verbindungsleitungen 286 erstreckt. Das Überlappungsmuster kann so ausgebildet sein, dass es einen vorstehenden mittigen Bereich aufweist. Das Überlappungsmuster 287 kann mit den Datenleitungen DL auf einem Teil des ersten Verbindungsbereichs 271 gegenüber der Signaldomäne 253 des Treiber-IC-Chips 251 überlappen. Das Überlappungsmuster 287 kann mit einer Größe ausgebildet sein, die geeignet ist, um eine Kapazitätsabweichung zwischen Datenleitungen, die mit der Signaldomäne 253 und den Spannungsdomänen 255 (also 255a und 255b) des Treiber-IC-Chips 251 verbunden sind, zu minimieren. Das Überlappungsmuster 287 kann auch auf eine solche Weise ausgebildet sein, dass eine Widerstandsabweichung berücksichtigt wird, die durch einen Unterschied zwischen den Längen der Datenleitungen DL entsteht, sodass eine RC-Verzögerungsabweichung zwischen den Datenleitungen minimiert wird. In einer Ausführungsform weist eine Datenleitung, die mit der Mitte der Signaldomäne 253 des Treiber-IC-Chips 251 verbunden ist, einen kleineren Leitungswiderstand als eine andere Datenleitung auf, die mit dem Äußeren der Signaldomäne 253 verbunden ist, da sie kürzer ist. Hier kann das Überlappungsmuster 287 so ausgebildet sein, dass sein mittiger Bereich vorsteht. Der vorstehende mittige Bereich des Überlappungsmusters kann die RC-Verzögerungsabweichung zwischen den Datenleitungen reduzieren. Die Datenleitungen DL können unter Verwendung des Überlappungsmusters 287 ausgelegt sein, um kleine Abweichungen in der Kapazität und in der RC-Verzögerungsgröße aufzuweisen. Dementsprechend kann eine Verzerrung von Signalen verhindert werden, und die Anzeigequalität der OLED-Vorrichtung ist verbessert.
Auf diese Weise erlaubt es die in 9 gezeigte Ausführungsform, dass die Datenleitungen DL mit dem Überlappungsmuster überlappen, wodurch die Kapazität und die RC-Verzögerungsgröße zwischen den Datenleitungen konstant gehalten werden. Dementsprechend kann die Anzeigequalität der OLED-Vorrichtung verbessert werden.

Claims

Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung umfassend: – einen Datentreiber (50) mit einem integrierten Treiberschaltkreis(IC)-Chip (51, 151, 251); – mehrere Datenleitungen (DL), die mit dem Treiber-IC-Chip (51, 151, 251) verbunden sind; – wenigstens eine Spannungsleitung (81, 83, 85; 181, 183, 185; 281, 283, 285), die die Datenleitungen (DL) kreuzt, wobei zwischen jeder der Datenleitungen (DL) und der Spannungsleitung (81, 83, 85; 181, 183, 185; 281, 283, 285) gebildete Kapazitäten gleich sind; und – eine Verbindungsleitung (82, 84, 86; 182, 184, 186; 282, 284, 286), die die Spannungsleitung (81, 83, 85; 181, 183, 185; 281, 283, 285) und den Treiber-IC-Chip (51, 151, 251) verbindet; wobei die Verbindungsleitung (82, 84, 86, 182, 184, 186; 282, 284, 286) die Datenleitungen (DL) überlappt und unmittelbar mit dem Treiber-IC-Chip (51, 151, 251) verbunden ist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Spannungsleitung (185) einen Ausdehnungsbereich umfasst, der sich in eine Richtung zum Treiber-IC-Chip (151) erstreckt, um die mehreren Datenleitungen (DL) zu überlappen.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Ausdehnungsbereich Datenleitungen (DL) mehr überlappt, die einen kürzeren Abstand vom Treiber-IC-Chip (151) zur Spannungsleitung (185) aufweisen, als Datenleitungen (DL), die einen grösseren Abstand vom Treiber-IC-Chip (151) zur Spannungsleitung (185) aufweisen.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Datenleitungen (DL) mit dem kürzeren Abstand eine unregelmässige Form verglichen zu den Datenleitungen (DL) mit dem grösseren Abstand umfassen, sodass eine Pfadlänge der Datenleitungen (DL) mit dem kürzeren Abstand dieselbe ist wie eine Pfadlänge der Datenleitungen (DL) mit dem längeren Abstand.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Datenleitungen (DL) mit dem kürzeren Abstand und die Datenleitungen (DL) mit dem längeren Abstand einen selben Widerstand aufweisen.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der voranstehenden Ansprüche, weiter mit einem Überlappungsmuster (287), das mit den mehreren Datenleitungen (DL) zwischen der Spannungsleitung (281, 283, 285) und dem Treiber-IC-Chip (251) überlapptDatenleitungen (DL).
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Überlappungsmuster (287) parallel zur Spannungsleitung (285) ist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei ein Bereich des Überlappungsmusters (287) in eine Richtung zum Treiber-IC-Chip (251) vorsteht.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Treiber-IC-Chip (51, 151) umfasst: – eine Signaldomäne (53), die Bildsignale empfängt; und – Spannungsdomänen (55a, 55b), die Spannung für eine Anzeigetafel (10) der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung bereitstellen, wobei die Spannungsdomänen (55a, 55b) eine erste Spannungsdomäne (55a), die an einem ersten Ende der Signaldomäne (53) angeordnet ist, und eine zweite Spannungsdomäne (55b), die an einem zweiten Ende der Signaldomäne (53) angeordnet ist, umfassen.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, umfassend: – ein Substrat (1); – Datenleitungen (DL) auf dem Substrat (1); – eine Isolationsschicht (7), die über den Datenleitungen (DL) ausgebildet ist; und – mehrere Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) und mehrere Spannungsleitungen (81, 83, 85, 181, 183, 185), die auf der Isolationsschicht (7) ausgebildet sind; wobei die mehreren Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) die mehreren Spannungsleitungen (81, 83, 85, 181, 183, 185) und einen Treiber-IC-Chip (51, 151) verbinden, und wobei die mehreren Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) unmittelbar mit dem Treiber-IC-Chip (51, 151) verbunden sind und die Datenleitungen (DL) überlappen.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, weiter mit einer Pufferschicht (3) auf dem Substrat (1).
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, weiter mit einem Gateisolationsfilm (5) über der Pufferschicht (3).
Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, umfassend: – Anordnen (601) eines Substrats (1); – Ausbilden (607) von Datenleitungen (DL) auf dem Substrat (1); – Ausbilden (609) einer Isolationsschicht (7) über den Datenleitungen (DL); und – Ausbilden (611) von mehreren Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) und von mehreren Spannungsleitungen (81, 83, 85, 181, 183, 185) auf der Isolationsschicht (7); wobei mehrere der Datenleitungen (DL) ausgebildet sind, um mit der Position wenigstens einer der mehreren Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) zu überlappen, wobei die mehreren Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) die mehreren Spannungsleitungen (81, 83, 85, 181, 183, 185) und einen Treiber-IC-Chip (51, 151) verbinden, und wobei die mehreren Verbindungsleitungen (82, 84, 86, 182, 184, 186) unmittelbar mit dem Treiber-IC-Chip (51, 151) verbunden sind und die Datenleitungen (DL) überlappen.
Verfahren nach Anspruch 13, weiter umfassend das Ausbilden (603) einer Pufferschicht (3) auf dem Substrat (1).
Verfahren nach Anspruch 14, weiter umfassend das Ausbilden (605) eines Gateisolationsfilms (5) auf der Pufferschicht (3).