DE102012109339A1 - CIGS Solarzellenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L copper;2-amino-3-[(2-amino-2-carboxylatoethyl)disulfanyl]propanoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(N)CSSCC(N)C([O-])=O QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02491—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Dünnfilmeinheit mit den folgenden Schritten: Bilden einer rückwärtigen Kontaktschicht auf einem Substrat; Bilden einer Se-reichen Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht; Bilden einer Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Kupfer, Gallium oder Indium, was zu einer ersten Interimstruktur führt, Glühen oder Selenisieren der ersten Interimstruktur, wodurch Cu/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen entlang der Schnittstelle zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht und der Precursorschicht unter Bildung einer zweiten Interimstruktur gebildet werden; und Selenisieren der zweiten Interimstruktur, wodurch die Precursorschicht in eine CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht gewandelt wird.
Description
- Technisches Gebiet
- Die Offenbarung betrifft allgemein eine Kupfer/Indium/Gallium/Selen-Solarzellenstruktur und ein Verfahren zu deren Herstellung.
- Hintergrund
- Bei der üblichen Architektur einer Kupfer/Indium/Gallium/Selen („CIGS”) Dünnfilmschicht-Solarzelle besteht der Dünnschichtstapel im Allgemeinen aus einem Substrat, einer Molybden („Mo”) Dünnfilmschicht als eine rückwärtige Kontaktschicht (a. k. a. rückwärtige Elektrode) und einer CIGS-Dünnfilmschicht als Absorberschicht. Die Struktur weist weiter eine Pufferschicht aus beispielsweise CdS auf, gefolgt durch eine obere Dünnfilmschicht. Ein solcher üblicher Aufbau wird durch anfängliches Ablagern der Molybden-Dünnfilmschicht über das Substrat gebildet. Die CIGS Dünnfilmabsorberschicht wird sodann durch die Ablagerung eines Cu/In/Ga (CIG) Zwischenmetallprecursorschicht auf der Mo Dünnfilmschicht gefolgt von einer Selenisierung und optional Sulfurisierung des CIG-Precursors in einem Ofen gebildet, wobei die CIG Precursorschicht in die endliche CIGS/S-Schicht gewandelt wird. Die sich ergebende CIGS/S-Schicht, die auf der Molybden-Dünnfilmschicht gebildet wird, zeigt jedoch häufig Fehlstellen an der Schnittstelle zwischen der CIGS/S-Schicht und der Molybdenschicht begleitet von einer Delamination oder einem Abpellen der CIGS/S-Schicht.
- Cu/Ga intermetallische Verbindungen können an der Mo/Precursor-Schnittstelle gebildet werden. Diese intermetallischen Verbindungen führen zu einer Fehlstellenbildung an der Schnittstelle. Diese Fehlstellen zwischen der CIGS-Absorberschicht und der rückwärtigen Kontaktschicht sind unerwünscht, da sie die Schnittstelle zwischen der rückwärtigen Mo-Kontaktschicht und der CIGS-Absorberschicht schwächen.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilm-photovoltaischen-Einheit nach dem unabhängigen Anspruch 1. Bevorzugte Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen 2–5 definiert.
- Die vorliegende Erfindung schafft weiter ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmphotovoltaischen Einheit nach dem unabhängigen Anspruch 6. Bevorzugte Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen 7–9 definiert.
- Die vorliegende Erfindung schafft weiter eine CIGS-Solarzellenstruktur mit:
einem Substrat;
einer rückwärtigen Kontaktschicht, die auf dem Substrat ausgebildet ist;
einer CIGS-Absorberschicht, die auf der rückwärtigen Kontaktschicht ausgebildet ist, wobei die CIGS-Absorberschicht eine Se-Konzentration von 30–60 Atom% entlang seiner Schnittstelle mit der rückwärtigen Kontaktschicht hat. - Bei einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat ein Glassubstrat oder ein flexibles Metallsubstrat.
- Bei einem anderen Ausführungsbeispiel ist die rückwärtige Kontaktschicht eine Molybden-Filmschicht.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
-
1 zeigt den CIGS-Vorgang nach der vorliegenden Erfindung. -
2 zeigt ein Flussdiagramm des Verfahrens nach der vorliegenden Offenbarung. -
3 zeigt das Tiefenprofil von Se in der CIGS-Schicht. - Ausführliche Beschreibung
- Alle Zeichnungen sind schematisch und nicht maßstabsgerecht und sollen die tatsächlichen Dimensionen nicht zeigen.
- Diese Beschreibung beispielhafter Ausführungen sollen in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen gelesen werden, die als Teil der gesamten schriftlichen Beschreibung verstanden werden sollen. In der Beschreibung sollten relative Begriffe wie „unterer”, „oberer”, „horizontal”, „vertikal”, „über”, „unter”, „hoch”, „runter”, „Oberseite”, und „Unterseite” als auch Ableitungen daraus, beispielsweise „horizontal”, „nach unten”, „nach oben”, usw. verstanden werden als die Ausrichtung, wie sie beschrieben worden ist oder in den diskutierten Zeichnungen wiedergegeben ist. Diese relativen Ausdrücke dienen zum besseren Verständnis der Beschreibung und bedeuten nicht, dass die Vorrichtung in einer bestimmten Ausrichtung konstruiert oder betrieben werden muss.
- Ausdrücke bezüglich der Anbringung, Kupplung und dergleichen wie „verbunden” oder „ineinander verbunden” beziehen sich auf eine Beziehung, bei der die Strukturen aneinander gesichert sind oder aneinander angebracht sind, entweder direkt oder indirekt durch dazwischen liegende Strukturen als auch das beide beweglich sind oder feste Anbringungen oder Verhältnisse, wenn dies nicht ausdrücklich anders beschrieben worden ist.
- CIGS-Dünnfilmsolarzellen sind ein Typ kostengünstiger Solarzellen. Kupfer/Indium/Gallium/Selen/(CuIn1-xGaxSe2 oder CIGS) ist ein direkter Bandspalten-Halbleiter, der nützlich ist für die Herstellung von Solarzellen. Da das Material erheblich Sonnenlicht absorbiert, ist ein viel dünnerer Film erforderlich als bei anderen Halbleitermaterialien. Der CIGS-Absorber wird üblicherweise auf einem Substrat als Trägermaterial ausgebildet, gemeinsam mit Elektroden zum Sammeln des Stroms. Das Substrat ist im Allgemeinen ein Glassubstrat oder ein flexibles Metallsubstrat oder ein flexibles Metallsubstrat. Der Absorptionskoeffizient von CIGS ist höher als derjenige anderer Halbleiter, der für Solarmodule verwendet wird. Ein dünner Film einer Molybdenschicht wird aufgebracht durch Aufsprühen, was als rückwärtiger Kontakt und zum Reflektieren des meisten nicht absorbierten Lichts zurück in den CIGS-Absorber dient. Nachfolgend an die Molybdenablagerung wird eine CIGS-Absorberschicht vom p-Typ durch eine von mehreren einzigartigen Methoden aufgebracht, die die Bildung von CIGS Durchselenierung des CIGS Precursors in H2Se einschließt. Eine dünne Passivierungsschicht eines Materials vom n-Typ wird im Allgemeinen auf der Oberseite der CIGS-Absorberschicht gebildet. Die Passivierungsschicht kann CdS abgelagert sein über eine chemische Badablagerung nach dem Selenisierungsschritt. Bei manchen Prozessen wird die Passivierung erreicht ohne die Verwendung von Cd durch Ausführen einer Selenisierung in H2Se gefolgt durch eine Sulfurisation in H2S. Der Sulfurisierungsschritt soll die Passivierung der Fläche in einer Weise ähnlich zu dem H2S bewirken, ohne die Toxizität und die Umwelteffekte von Cd. Im Allgemeinen wird die Passivierungsschicht sodann mit einer dünnen intrinsischen ZnO-Schicht abgedeckt, die von einer dickeren, mit Al dotierten ZnO-Schicht abgeschlossen wird. Die ZnO und Al-dotierte ZnO bildet eine transparente Kontaktschicht (d. h., eine Elektrode) auf der Vorderseite der Solarzelle. Die Vorderseite bezieht sich auf die Seite, die sich auf auftreffende magnetische Wellen wie dem Sonnenlicht weist.
- Die vorliegende Offenbarung schlägt ein Verfahren zum Bilden der Se-reichen Schicht an der Schnittstelle der CIGS-Precursorschicht und der rückwärtigen Kontaktschicht in einer CIGS-Dünnfilmsolarzelle vor, die die CIGS-Absorberschicht-Filmqualität und die Adhäsion zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht und der CIGS-Absorberschicht verbessert. Das Verfahren schließt eine rückwärtige Kontaktschicht auf einem Substrat, Bilden einer Se-reichen Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht, Bilden einer Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Kupfer, Gallium und Indium vor, die zu einer ersten Interemstruktur führt, Glühen oder Selenieren der ersten Interimstruktur, wodurch C/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen entlang der Schnittstelle zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht und der Precursorschicht gebildet werden, was zu einer zweiten Interimsstruktur führt und Selenisierung der zweiten Interemstruktur, wobei die Precursorschicht in eine CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht gewandelt wird.
- Es wird jetzt auf
1 Bezug genommen. Bei einem Verfahren der Herstellung einer CIGS-Dünnfilmsolarzelle nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird eine rückwärtige Kontaktschicht20 auf einem Substrat10 abgelagert. Die rückwärtige Kontaktschicht20 ist eine Molybdenschicht und wird im Allgemeinen durch Aufsprühen abgelagert. Die rückwärtige Kontaktschicht reflektiert das meiste nicht absorbierte Licht zurück in die CIGS-Absorberschicht. Eine Se-reiche Schicht30 wird sodann über der rückwärtigen Kontaktschicht20 abgelagert. Die Se-reiche Schicht30 kann eine Schicht von Se-Elementen oder einen Film aus MoSe2, In2Se3, CuSe oder GaSe-Verbindungen wie MoSe2 oder In2Se3 sein. - Eine CIG-Precursorschicht
40 aus Cu/In/Ga wird über der Se-reichen Schciht30 abgelagert, was zu einer ersten Zwischenstruktur A führt. Die CIG-Precursorschicht40 wird durch Synchronisieren einer Dampfablagerung oder eines Selenisierungsprozesses abgelagert. Dies schließt im Allgemeinen das Ablagern wenigstens eines Klasse IB-Elements (beispielsweise Kupfer) wenigstens eines Klasse IIIA-Elements (beispielsweise Indium und Gallium) und wenigstens eines Klasse VIA-Elements (beispielsweise Selen) auf die Se-reiche Schicht30 ein. Der CIG-Precursorablagerungsvorgang ist dem Fachmann gut bekannt. - Nachfolgend wird die erste Zwischenstruktur A selenisiert in einer H2Se oder anderen gasförmigen Se-reichen Umgebung bei einigen Ausführungsbeispielen selenisiert. Dieser Verfahrensschritt wird durch den Pfeil
101A repräsentiert. Während des Selenisierungsschritts101A reagiert das Se aus dem Selenisierungsgas und der Se-reichen Schicht30 mit dem CIG-Precursor40 und bildet Cu/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen31 entlang der Schnittstelle der rückwärtigen Kontaktschicht20 und der CIG-Precursorschicht40 . Da die Se-reiche Schicht30 als Kristallisierungspunkt für die Bildung von Cu/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen wirkt, sind die Verbindungen im Allgemeinen gleichförmig über die Schnittstelle des rückwärtigen Kontakts20 und der CIG-Precursorschicht40 verteilt. Weiter unterdrückt die Vorsehung einer Se-reichen Schicht30 die Bildung der unerwünschten Cu/Ga-intermetallischen Verbindung an der Mo/CIG-Schnittstelle. Das Ergebnis ist die zweite Interimsstruktur B. - Wenn ein ausreichende Menge Se durch die Se-reiche Schicht
30 bereitgestellt wird, ist eine zusätzliche Se-Quelle zur Bildung von Cu/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen entlang der Schnittstelle zwischen dem rückwärtigen Kontakt20 und dem CIGS-Precursors40 während der Transformation der ersten Interimstruktur20 in die zweite Interimstruktur B nicht erforderlich. Mit anderen Worten, die erste Interimstruktur A kann verarbeitet werden durch ein Glühen (Schritt101B ), anders also als durch den Selenisierungsschritt101A . - Der Betrag von Se aus der Se-reichen Schicht
30 , der ausreichend wäre, um auf den Selenisierungsschritt101A auszukommen, ist abhängig von der Menge des Cu, In und Ga in dem CIGS-Precursors40 . Der Bereich der Menge von Se kann von 0,5 bis 1,2 des Se//Cu + In + G). Verhältnisses sein. Der Glühschritt101 kann ausgeführt werden bei einer Temperatur in dem Bereich von 300°C bis 600°C. Für die Se-reiche Schicht ist ein Material wie MoSe2 geeignet, vorzugsweise ist die Se-reiche Schicht30 vorzugsweise nicht zu dick, da Mo die Zusammensetzung der sich ergebenden CIGS ändern kann und auch die Adhäsion zwischen der sich ergebenden CIGS-Schicht50 und der rückwärtigen Kontaktschicht20 beeinflussen kann. - Das Se-reiche Material kann unter Verwendung jeder bekannten Technik wie Evaporation, Aufsprühen oder Ablagern in einem reaktiven Gas von H2Se erfolgen. Die Se-reiche Schicht kann mehrere hundert Nanometer haben, wenn In2Se3 oder Se verwendet wird, da diese Materialien mit dem Precursormaterialien (Cu/In/Ga) für die CIGS-Absorptionsschicht kompatibel sind.
- Nach einem Ausführungsbeispiel kann das Se-reiche Material
30 am Ende der Mo-Ablagerung für die rückwärtige Kontaktschicht20 in derselben Sprühkammer abgelagert werden. Dies kann erreicht werden unter Verwendung einer Mehrziel-Aufsprühkammer, wobei das Zielobjekt Mo ein anderes Zielobjekt das Se-reiche Material ist. Zum Abschluss des Mo-Aufsprühens kann das Se-reiche Material30 auf die Mo-Schicht aufgesprüht werden. In ähnlicher Weise kann das Se-reiche Material30 abgelagert werde zum Beginn der CIG-Precursorschichtablagerung in derselben Sprühkammer. Auf diese Weise wird eine Mehrzielobjektkammer versehen mit einem Se-reichen Materialzielobjekt zusätzlich zu den Zielobjekten für die CIG-Precursormaterialien. Das Se-reiche Material30 wird zunächst zum Ablagern einer Schicht des Se-reichen Materials auf der Mo-rückwärtigen Kontaktschicht aufgesprüht. Sodann werden die CIG-Precursormaterialien abgelagert. - Nachfolgend wird die zweite Interimstruktur B verarbeitet durch einen ersten Selenisierungsvorgang
102 und Wandeln der CIGS-Precursorschicht40 in eine CIGS-Absorberschicht50 . Der zweite Selenisierungsvorgangsschritt102 kann auch mit einem optionalen Sulfursisierungsprozess103 kombiniert werden, um die Bildung der CIGS-Absorberschicht weiter zu vergrößern. Im Allgemeinen ist die Zusammensetzung der CIGS-Absorberschicht50 CuyIn(1-x)GaxSe22, wobei y = 0,75~1,0 und x = 0,15~0,35. - Die sich ergebende Struktur Cm die in
1 gezeigt ist, repräsentiert die CIGS-Solarzellenstruktur nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Wie oben erwähnt, ist der Nutzen der Vorsehung der Se-reichen Schicht30 zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht20 und dem CIG-Precursor40 die Unterdrückung der Bildung von unerwünschten Cu/Ga, In/Ga oder Cu/In intermetallischen Verbindungen an der Schnittstelle der rückwärtigen Kontaktschicht20 und dem CIG-Precursor40 in Abwesenheit einer derartigen Se-reichen Schicht30 während des Glühprozesses (dem oben erwähnten Schritt240 ). Die Elimination der Cu/Ga, In/Ga oder Cu/In intermetallischen Verbindungen an der Schnittstelle zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht und der CIG-Precursorschicht verhindert die Bildung von Fehlerstellen während der nachfolgenden Selenisierung oder optimalen Selenisierungs- und Sulfrurisierungsprozessschritte (die oben erwähnten Schritte250 oder255 ). -
2 zeigt diesen Vorgang in einem Flussdiagramm200 . In dem Schritt210 wird eine rückwärtige Kontaktschicht auf einem Substrat geformt, beispielsweise wird eine Mo-rückwärtige Kontaktschicht20 auf dem Glassubstrat10 gebildet. In Schritt220 wird eine Se-reiche Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht gebildet, beispielsweise die Se-reiche Schicht30 auf der rückwärtigen Kontaktschicht20 . In dem Schritt230 wird eine CIG-Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht zur Bildung einer ersten Interimsstruktur gebildet. Als ein Beispiel wird die CIG-Precursorschicht40 auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Cu, Ga und In gebildet, was zu der ersten Interimsstruktur A, die in1 gezeigt ist, führt. In Schritt240 wird die erste Interimstruktur selenisiert oder geglüht unter Bildung einer zweiten Interimsstruktur. Die erste Interimsstruktur A von1 wird selenisiert (Selenisierungsschritt101A ) oder geglüht (Glühschritt101B ) abhängig von der Menge von Se, das von der Se-reichen Schicht30 geliefert wird und Bildung der zweiten Interimsstruktur B. In Schritt250 wird die zweite Interimstruktur B selenisiert (zweiter Selenisierungsschritt102 ) unter Bildung der CIGS-Absorberschicht50 auf der rückwärtigen Mo-Kontaktschicht20 . Alternativ kann in dem Schritt255 die zweite Interimstruktur B selenisiert werden (zweiter Selenisierungsschritt102 ) und sulfurisiert (Sulfurisierungsvorgang103 ) so zur Bildung einer CuInGa(Sse)2 („CIGSS”) Absorptionsschicht50 auf der rückwärtigen Mo Kontaktschicht20 . - Wie oben beschrieben, nehmen die Erfinder an, dass ohne an eine bestimmte Theorie gebunden zu sein, bei dem übrigen CIGS-Vorgang das Se in die CIG-Precursorschicht von der äußeren Fläche diffundiert, da H2Se Gas oder S auf der Oberseite des CIG-Precursors der einzigen Quelle von Se ist. Infolgedessen ist der unterseitige Bereich der CIG-Precursorschicht Se-arm (d. h., eine geringe Konzentration von Se hat), was die Bildung von Cu/Ga, In/Ga oder Cu/In intermetallischen Verbindungen an der Schnittstelle zwischen dem CIG-Precursor und der rückwärtigen Kontaktschicht fördert. Die Vorsehung der Se-reichen Schicht nach der vorliegenden Erfindung liefert Se zu der CIG-Precursorschicht von der Unterseite des CIG-Precursors und unterdrückt die Bildung von Cu/G, In/Ga oder Cu/In intermetallischen Verbindungen. Zunächst wird die Interimstruktur selenisiert unter Bildung einer CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht. Alternativ kann in dem Schritt
255 die Interimstruktur selenisiert und sulfurisiert werden. Wie oben beschrieben, schafft der Sulfurisierungsschritt eine Option zur Bildung einer CD-freien Passivierungsschicht vom n-Typ auf der Oberseite der CIGS-Absorberschicht. Die Passivierungsschicht kann sodann mit einer transparenten Kontaktschicht abgedeckt sein zur Bildung der vorderen Seite der Solarzelle. Eine transparente Kontaktschicht weist im Allgemeinen eine dünne intrinsische ZnO-Schicht auf, die mit einem dickeren, mit Al dotierten ZnO-Schicht abgeschlossen ist. -
3 zeigt einen Vergleich der berechneten Tiefenprofilen von Se in einer CIGS-Absorberschicht, die gebildet wird unter Verwendung eines üblichen Prozesses und einer zweiten CIGS-Absorberschicht50 , die unter Verwendung des Prozesses nach der vorliegenden Erfindung gebildet ist. Der Prozess nach der vorliegenden Erfindung erhöht, wie gezeigt, die Konzentration von Se nahe der rückwärtigen Kontaktseite der CIGS-Absorberschicht. Bei einem Ausführungsbeispiel ist die Konzentration von Se in der CIGS-Absorberschicht an der rückwärtigen Kontaktfläche von 30 bis 60 Atom%. - Nach einem Ausführungsbeispiel weist ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Dünnfilmeinrichtung die Schritte des Bereitstellen eines Substrats, Bilden einer rückwärtigen Kontaktschicht auf dem Substrat, Bilden einer Se-reichen Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht, Bilden einer Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Kupfer, Gallium oder Indium unter Gewinnung einer Interimstruktur, Glühen der Interimsstruktur und Selenisieren der Interimstruktur auf, wodurch eine CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht gebildet wird.
- Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Blindfilmeinnrichtung geschaffen unter Bereitstellen eines Substrats, Bilden einer rückwärtigen Kontaktschicht auf dem Substrat, Bilden einer Se-reichen Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht, Bilden einer Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Kupfer, Gallium und Indium, was zu einer Interimstruktur führt, Selenisierung und Glühen der Interimstruktur und Sulfurisieren der Interimstruktur unter Bildung einer CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht.
- Wie erwähnt, wird das Glühen bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 300°C und 600°C durchgeführt.
- Die Vorteile, des hier beschriebenen Verfahrens sind die Unterdrückung der Bildung von Cu/Ga intermetallischen Verbindungen, Fehlstellen, die durch Cu/G intermetallischen Verbindungen, die in dem Film erzeugt werden, können reduziert oder eliminiert werden. Weiter kann das Se, das an dem Boden des Precursors vorgesehen ist, Cu/Se und Ga/Se Verbindungen bilden, was die CIGS-Syntheserate erhöht, die begrenzt ist durch die Se-Diffusionsrate bei dem üblichen SAS-Vorgang.
- Obwohl vorliegend Ausführungsbeispiele beschrieben sind, ist die Erfindung nicht auf diese beschränkt. Die anhängenden Ansprüche sollten breit interpretiert werden, so dass andere Varianten und Ausführungsbeispiele, die dem Fachmann deutlich sind, eingeschlossen sind.
Claims (10)
- Ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Dünnfilmeinheit mit den folgenden Schritten: (a) Bilden einer rückwärtigen Kontaktschicht auf einem Substrat; (b) Bilden einer Se-reichen Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht; (c) Bilden einer Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Kupfer, Gallium oder Indium, was zu einer ersten Interimstruktur führt, (d) Glühen der ersten Interimstruktur, wodurch Cu/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen entlang der Schnittstelle zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht und der Precursorschicht unter Bildung einer zweiten Interimstruktur gebildet werden; und (e) Selenisieren der zweiten Interimstruktur, wodurch die Precursorschicht in eine CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht gewandelt wird.
- Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt (e) weiter das Sulfurisieren der zweiten Interimstruktur gemeinsam mit dem Selenisierungsschritt aufweist.
- Das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bilden der Se-reichen Schicht das Ablagern eines Films von Se, MoSe-Verbindung, InSe-Verbindung, CuSe-Verbindung oder GaSe-Verbindung aufweist.
- Das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Glühen bei einer Temperatur von 300°C und 600°C erfolgt.
- Das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die CIGS-Absorberschicht eine Se Konzentration von 30 bis 60 Atom% entlang seiner Schnittstelle mit der rückwärtigen Kontaktschicht aufweist.
- Ein Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Dünnfilmeinheit mit den folgenden Schritten: (a) Bilden einer rückwärtigen Kontaktschicht auf einem Substrat; (b) Bilden einer Se-reichen Schicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht; (c) Bilden einer Precursorschicht auf der Se-reichen Schicht durch Ablagern von Kupfer, Gallium oder Indium, was zu einer ersten Interimsstruktur führt, (d) Selenisierung der ersten Interimsstruktur, wodurch Cu/Se, Ga/Se oder CIGS-Verbindungen entlang der Schnittstelle zwischen der rückwärtigen Kontaktschicht und der Precursorschicht unter Bildung einer zweiten Interimstruktur gebildet werden; und (e) Selenisieren der zweiten Interimsstruktur, wodurch die Precursorschicht in eine CIGS-Absorberschicht auf der rückwärtigen Kontaktschicht gewandelt wird.
- Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Schritt (e) weiter das Sulfurisieren der zweiten Interimstruktur gemeinsam mit dem Selenisierungsschritt aufweist.
- Das Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Bilden der Se-reichen Schicht das Ablagern eines Films von Se, MoSe-Verbindung, InSe-Verbindung, CuSe-Verbidung oder GaSe-Verbindung aufweist.
- Das Verfahren nach einem der Ansprüche 6–8, wobei die CIGS-Absorberschicht eine Se Konzentration von 30 bis 60 Atom% entlang seiner Schnittstelle mit der rückwärtigen Kontaktschicht aufweist.
- Eine CIGS-Solarzellenstruktur mit: einem Substrat; einer rückwärtigen Kontaktschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; einer CIGS-Absorberschicht, die auf der rückwärtigen Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die CIGS-Absorberschicht eine Se Konzentration von 30 bis 60 Atom% entlang seiner Schnittstelle mit der rückwärtigen Kontaktschicht hat.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/445,997 | 2012-04-13 | ||
US13/445,997 US9018032B2 (en) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | CIGS solar cell structure and method for fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012109339A1 true DE102012109339A1 (de) | 2013-10-17 |
DE102012109339B4 DE102012109339B4 (de) | 2023-12-14 |
Family
ID=49232118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012109339.3A Active DE102012109339B4 (de) | 2012-04-13 | 2012-10-02 | CIGS Solarzellenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9018032B2 (de) |
CN (1) | CN103378215A (de) |
DE (1) | DE102012109339B4 (de) |
TW (1) | TWI492408B (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104576821B (zh) * | 2013-10-24 | 2017-04-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 太阳能电池的背面接触设计及其制造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8993370B2 (en) * | 2012-04-20 | 2015-03-31 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Reverse stack structures for thin-film photovoltaic cells |
TWI560891B (en) * | 2014-01-31 | 2016-12-01 | Nanoco Technologies Ltd | H2s reactive anneal to reduce carbon in nanoparticle-derived thin films |
EP2947682A1 (de) * | 2014-05-20 | 2015-11-25 | IMEC vzw | Verfahren zur herstellung von chalcogenidschichten |
CN105977317B (zh) * | 2016-07-13 | 2018-04-03 | 上海交通大学 | 一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法 |
KR101867310B1 (ko) * | 2017-08-25 | 2018-07-17 | 주식회사 메카로 | 칼코파이라이트계 박막 태양전지의 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2012
- 2012-04-13 US US13/445,997 patent/US9018032B2/en active Active
- 2012-09-06 TW TW101132458A patent/TWI492408B/zh active
- 2012-10-02 DE DE102012109339.3A patent/DE102012109339B4/de active Active
- 2012-10-19 CN CN201210401135XA patent/CN103378215A/zh active Pending
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---|---|
TW201342652A (zh) | 2013-10-16 |
US20130269778A1 (en) | 2013-10-17 |
TWI492408B (zh) | 2015-07-11 |
US9018032B2 (en) | 2015-04-28 |
CN103378215A (zh) | 2013-10-30 |
DE102012109339B4 (de) | 2023-12-14 |
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Legal Events
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R012 | Request for examination validly filed | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LT, TW Free format text: FORMER OWNER: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. SOLAR LTD., TAICHUNG, TW |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LT, TW Free format text: FORMER OWNER: TSMC SOLAR LTD., TAICHUNG CITY, TW |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division |