DE10201179B4 - Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken - Google Patents

Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken Download PDF

Info

Publication number
DE10201179B4
DE10201179B4 DE10201179A DE10201179A DE10201179B4 DE 10201179 B4 DE10201179 B4 DE 10201179B4 DE 10201179 A DE10201179 A DE 10201179A DE 10201179 A DE10201179 A DE 10201179A DE 10201179 B4 DE10201179 B4 DE 10201179B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bank
data lines
bundle
read
addressed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10201179A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10201179A1 (de
Inventor
Ullrich Menczigar
Johann Pfeiffer
Helmut Fischer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10201179A priority Critical patent/DE10201179B4/de
Priority to US10/342,901 priority patent/US7064999B2/en
Publication of DE10201179A1 publication Critical patent/DE10201179A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10201179B4 publication Critical patent/DE10201179B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/1042Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using interleaving techniques, i.e. read-write of one part of the memory while preparing another part
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1048Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/002Isolation gates, i.e. gates coupling bit lines to the sense amplifier

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Digitale Speicherschaltung, enthaltend:
mindestens zwei Paare benachbarter Bänke (BK00–BK11) mit jeweils einer Vielzahl von Speicherzellen in jeder Bank, die eine matrixförmige Anordnung von Reihen und Spalten bilden und adressierbar sind durch Bankadressensignale (BAD), Reihenadressensignale (RAD) und Spaltenadressensignale (SAD),
wobei an jede Bank zwei Bündel von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen (LD) angeschlossen sind, die den Spalten unterschiedlicher Hälften (gerade, ungerade) der Bank zugeordnet sind, um an jeder Bankhälfte gleichzeitig n/2 Datenbits an n/2 gleichzeitig adressierten Spalten einschreiben oder auslesen zu können;
ein Bündel von n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen zum Eingeben und Ausgeben von n/2 Datenbits in Parallelform;
eine Steuereinrichtung (120;320), die auf die Bankadressensignale, die Reihenadressensignale, die Spaltenadressensignale und ein Taktsignal (CLK) anspricht, um während jeweils einer Periode des Taktsignals Datenübertragungswege zwischen gleichzeitig adressierten Speicherzellen und zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen herzustellen;
eine Umschalteinrichtung (40, 30; 40, 50), die abhängig vom Taktsignal steuerbar ist, um die n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen (EA) während einer ersten Halbperiode des Taktsignals mit den der ersten Hälfte der adressierten Speicherbank zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen zu verbinden und während der folgenden zweiten Halbperiode des Taktsignals mit den der zweiten Hälfte der adressierten Speicherbank zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen zu verbinden,
dadurch gekennzeichnet, daß
für jedes Paar benachbarter Bänke (z.B. BK00, BK10) nur jeweils zwei Bündel (LDa, LDb) von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen vorgesehen sind, deren erstes (LDa) der ersten Hälfte (gerade) der einen Bank (BK00) und der zweiten Hälfte (ungerade) der anderen Bank (BK10) zugeordnet ist und deren zweites (LDb) der zweiten Hälfte der einen Bank (BK00) und der ers ten Hälfte der anderen Bank (BK10) zugeordnet ist,
und daß die Umschalteinrichtung (40, 30; 40, 50) zwischen verschiedenen Schaltzuständen umsteuerbar ist, um die Eingabe/Ausgabe-Leitungen (EA) entweder mit dem ersten Bündel (LDa) oder mit dem zweiten Bündel (LDb) der Lese/Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars (BK00, BK10) zu verbinden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine digitale Speicherschaltung, die mindestens ein Paar benachbarter Speicherbänke enthält und mit doppelter Datenrate betreibbar ist, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Bekannte Speicherschaltungen dieser Gattung erfordern bei Integration auf einem Halbleiterchip relativ großen Abstand zwischen den benachbarten Bänken, um die Lese/Schreib-Datenleitungen von den Bänken zu einem zentralen Bankmultiplexer zu führen, der diese Leitungen mit den zentralen Datenleitungen des Chips verbindet. Dies ist ein Problem, weil es Grenzen für die Miniaturisierung setzt. Mit der vorliegenden Erfindung soll dieses Problem gelöst werden.
  • Das der Erfindung zugrundeliegende Problem, die Aufgabe der Erfindung und deren erfindungsgemäße Lösung werden nachstehend anhand von Zeichnungen näher erläutert, in denen
  • 1 ein Beispiel einer Speicherschaltung nach dem Stand der Technik zeigt,
  • 2 eine Beispiel einer Speicherschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt, und
  • 3 eine Beispiel einer Speicherschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Die 1 zeigt schematisch den Aufbau einer mit doppelter Datenrate betriebenen RRM-Speicherschaltung (DDR-DRAM) nach dem Stand der Technik. Diese Speicherschaltung enthält vier Bänke, deren jede bezeichnet ist mit der Buchstabenkombination BK und einer nachgestellten Kombination von zwei Binärziffern, welche die Binäradresse der betreffenden Bank darstellen. Jeder der vier Bänke BK00, BK01, BK10 und BK11 enthält eine große Vielzahl binärer Speicherzellen, die eine Matrix aus Reihen und Spalten bilden. Die Speicherschaltung enthält ferner eine Steuereinrichtung 120 mit einem Bankadressendecoder 21, einem Reihenadressendecoder 22 und einem Spaltenadressendecoder 23.
  • Sowohl die einzelnen Bänke BK00 bis BK11 als auch die Reihen und Spalten innerhalb jeder Bank sind jeweils selektiv adressierbar, um eine gewünschte Speicherzelle für das Einschreiben oder Auslesen eines binären Datums auszuwählen. Die Adressierung einer Bank BK erfolgt durch Aktivierung einer zugeordneten Bankselektions-Steuerleitung BS mittels des Bankadressendecoders 23 abhängig von einer Bankadresse BAD. Die Adressierung einer Reihe erfolgt durch Aktivierung einer zugeordneten Reihenselektions-Steuerleitung RS mittels des Reihenadressendecoders 21 abhängig von einer digitalen Reihenadresse RAD. Die Adressierung einer Spalte erfolgt durch Aktivierung von Spaltenselektions-Steuerleitungen SS mittels des Spaltenadressendecoders 22 abhängig von einer Spaltenadresse SAD, um einen Datenübertragungsweg zwischen der durch diese Adresse definierten Spalte und einer Lese/Schreib-Datenleitung durchzuschalten.
  • An jeder Bank BK ist eine Mehrzahl n solcher Lese/Schreib-Datenleitungen LD vorgesehen, um Daten gleichzeitig an n verschiedenen Spalten einer Bank BK schreiben oder lesen zu können. Die Menge der n Lese/Schreib-Datenleitungen LD an jeder Bank BK ist aufgeteilt in zwei Teilmengen, jeweils bestehend aus einem Bündel n/2 Leitungen, und jedes dieser Bündel ist einer eigenen Hälfte der betreffenden Bank fest zugeordnet. Zur Unterscheidung wird die eine Bankhälfte als "gerade Hälfte" und die andere Bankhälfte als "ungerade Hälfte" bezeichnet. Jedes der erwähnten Bündel von jeweils n/2 Lese/-Schreib-Datenleitungen ist bezeichnet mit der Buchstabenkombination LD und einer nachgestellten Kombination dreier Binärziffern, deren erste beiden die Adresse der betreffenden Bank BK und deren letzte die jeweils zugeordnete Bankhälfte bezeichnet, wobei "0" für "gerade" steht und "1" für "ungerade" steht.
  • Der Spaltenadressendecoder 23 ist so ausgelegt, daß er gleichzeitig eine Gruppe von n/2 Spalten der geraden Bankhälfte und eine Gruppe n/2 Spalten der ungeraden Bankhälfte adressiert. Die Adressierung und das Schreiben bzw. Lesen von Daten an den Bänken BK erfolgt im Takt der Perioden eines Taktsignals CLK mit der Frequenz f. Das heißt, innerhalb jeder Taktperiode der Dauer T = 1/f werden über die Adressendecoder 21, 22 und 23 eine Bank, eine Reihe sowie eine Gruppe von n/2 Spalten in jeder Hälfte dieser Bank adressiert, und über die Lese/Schreib-Datenleitungen LD der adressierten Bank erfolgt das Schreiben oder Lesen von Daten gleichzeitig an den Speicherzellen, die sich in der adressierten Reihe an den Positionen der adressierten Spalten befinden. Die Lese/-Schreib-Datenleitungen LD jeder Bank BK sind über einen Bankmultiplexer 30 mit einem Bündel von n zentralen Datenleitungen ZD verbindbar.
  • Die Eingabe bzw. Ausgabe der Daten an der Speicherschaltung erfolgt über ein Bündel von n/2 parallelen Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA mit der doppelten Taktfrequenz. Hierzu sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA an eine Eingabe/Ausgabe-Schaltung 41 angeschlossen, die sowohl mit der steigenden als auch mit der fallenden Flanke des Taktsignals CLK getaktet wird. Das heißt, zum gleichzeitigen Schreiben von n Daten an einer adressierten Bank BK wird sowohl bei der steigenden Flanke als auch bei der fallenden Flanke des Taktsignals CLK jeweils ein Satz von n/2 parallelen Datenbits auf die n/2 parallelen Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA gegeben. Innerhalb einer Taktperiode T erscheinen also insgesamt n Datenbits, aufgeteilt in zwei zeitlich aufeinanderfolgende Teilmengen, deren eine der steigenden Taktflanke und deren andere der fallenden Taktflanke zugeordnet ist. Diese beiden Teilmengen von jeweils n/2 Datenbits müssen ihrerseits den beiden LD-Bündeln der betreffenden Bank BK eindeutig zugeordnet werden.
  • Um diese Zuordnung herzustellen, ist ein n/2-poliger Umschalter 40 vorgesehen, der das Bündel der n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen in einem ersten Schaltzustand mit einer ersten Hälfte der n zentralen Datenleitungen ZD verbindet und in einem zweiten Schaltzustand mit der zweiten Hälfte der n zentralen Datenleitungen ZD verbindet. Der Bankmultiplexer 30 ist so beschaffen, daß er unter Steuerung der Bankadressenbits BAD[0:1] die erste Hälfte der Datenleitungen ZD mit demjenigen LD-Bündel verbindet, das der geraden Hälfte der jeweils adressierten Bank BK zugeordnet ist, und die andere Hälfte der Datenleitungen ZD mit demjenigen LD-Bündel verbindet, das der ungeraden Hälfte der jeweils adressierten Bank BK zugeordnet ist.
  • Zum Zwecke der Veranschaulichung ist der n/2-polige Umschalter 40 in der Zeichnung symbolisch als mechanischer Umschalter dargestellt, dessen schwenkbarer Arm als dicker Balken gezeichnet ist, der n/2 parallele Einzelarme symbolisiert. In ähnlicher Weise sind im Bankmultiplexer 30 drei Umschalter 31, 32 und 33 gezeichnet, die allerdings die doppelte Anzahl von Polen haben, also n-polig sind und somit n parallele Einzelarme beinhalten, dargestellt durch zwei parallele dicke Balken, deren jeder n/2 parallele Einzelarme symbolisiert. Jeder der Umschalter 40 und 31–33 ist durch jeweils ein binäres Steuersignal steuerbar, symbolisiert durch eine gestrichelt gezeichnete Steuerleitung. Hat das Steuersignal den Binärwert (Logikwert} "0", dann nimmt der vielpolige Schaltarm des betreffenden Umschalters die mit "0" bezeichnete Position (0-Position) ein. Hat das Steuersignal den Logikwert "1", dann nimmt der vielpolige Schaltarm des betreffenden Umschalters die mit "1" bezeichnete Position (1-Position) ein.
  • Der Umschalter 40 wird durch ein "Takthälfte"-Signal CLH gesteuert, das mittels eines Signalgebers 24 in der Steuereinrichtung 120 aus dem Taktsignal CLK abgeleitet wird, derart daß es vor jeder steigenden Taktflanke auf "0" geht und vor jeder fallenden Taktflanke auf "1" geht. Der Umschalter 31 im Bankmultiplexer 30 wird gesteuert durch das niedrigerwertige Bit BAD[0] der Bankadresse, so daß er in die 0-Position geht, wenn eine der beiden oberen Bänke BK00 oder BK10 adressiert ist, und in die 1-Position geht, wenn eine der beiden unteren Bänke BK01 oder BK11 adressiert ist. Die Umschalter 32 und 33 im Bankmultiplexer 30 werden gesteuert durch das höherwertige Bit BAD[1] der Bankadresse, so daß sie in die 0-Position gehen, wenn eine der beiden linken Bänke BK00 oder BK01 adressiert ist, und in die 1-Position gehen, wenn eine der beiden rechten Bänke BK10 oder BK11 adressiert ist.
  • Die gezeigte Ausbildung und Steuerung der Umschalter 40 und 31-33 führt dazu, daß bei steigender Taktflanke genau dasjenige LD-Bündel, das der geraden Hälfte der adressierten Bank BK zugeordnet ist, mit den n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA verbunden wird, und daß bei fallender Taktflanke genau dasjenige LD-Bündel, das der ungeraden Hälfte der adressierten Bank BK zugeordnet ist, mit den n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA verbunden wird. Somit werden Daten, die im Schreibbetrieb bei steigender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA eingegeben und somit in eine gerade Bankhälfte geschrieben wurden, im Lesebetrieb auch nur bei steigender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA ausgegeben. In gleicher Weise werden Daten, die im Schreibbetrieb bei fallender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA eingegeben und somit in eine ungerade Bankhälfte geschrieben wurden, im Lesebetrieb auch nur bei fallender Taktflanke an den Eingabe/-Ausgabe-Leitungen EA ausgegeben. Die nachstehende Tabelle 1 veranschaulicht die mit der Schaltung nach 1 hergestellte Zuordnung zwischen den Taktflanken, der Bankadresse, den Umschalter-Positionen und den Bankhälften: Tabelle 1
    Figure 00060001
  • Bei der Speicherschaltung nach 1 müssen dem Bankmultiplexer 30 von jedem Paar benachbarter Bänke jeweils vier Bündel von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen LD zugeführt werden. Bei dem oberen Bankpaar BK00, BK10 sind es die vier LD-Bündel LD00-0, LD 00-1, LD10-0 und LD10-1, und bei dem unteren Bankpaar BK01, BK11 sind es die vier LD-Bündel LD01-0, LD 01-1, LD11-0 und LD11-1. In integrierten Speicherschaltungen müssen diese Leitungsbündel zwischen den Bänken verlaufen, so daß relative große Zwischenräume zwischen benachbarten Bänken erforderlich sind. Dies steht dem Wunsch nach möglichst kleiner Chipfläche entgegen.
  • Aus der US 2001/0034819 A1 ist eine digitale Speicherschaltung bekannt, die im Interleave-Betrieb die von einer geraden Speicherbank und einer ungeraden Speicherbank gelesenen Daten auf ein Bündel von Ausgabeleitungen schaltet.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, bei einer mit mehreren Speicherbänken versehenen und mit doppelter Datenrate zu betreibenden Speicherschaltung den Platzbedarf für die Anordnung der Speicherbänke zu minimieren. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst. Besondere Ausführungsformen der Erfindung sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Demnach wird die Erfindung realisiert an einer digitalen Speicherschaltung, die folgendes enthält: mindestens zwei Paare benachbarter Bänke mit jeweils einer Vielzahl von Speicherzellen in jeder Bank, die eine matrixförmige Anordnung von Reihen und Spalten bilden und adressierbar sind durch Bankadressensignale, Reihenadressensignale und Spaltenadressensignale, wobei an jede Bank zwei Bündel von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen angeschlossen sind, die den Spalten unterschiedlicher Hälften der Bank zugeordnet sind, um an jeder Bankhälfte gleichzeitig n/2 Datenbits an n/2 gleichzeitig adressierten Spalten einschreiben oder auslesen zu können; ein Bündel von n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen zum Eingeben und Ausgeben von n/2 Datenbits in Parallelform; eine Steuereinrichtung, die auf die Bankadressensignale, die Reihenadressensignale, die Spaltenadressensignale und ein Taktsignal anspricht, um während jeweils einer Periode des Taktsignals Datenübertragunswege zwischen gleichzeitig adressierten Speicherzellen und zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen herzustellen; eine Umschalteinrichtung, die abhängig vom Taktsignal steuerbar ist, um die n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen während einer ersten Halbperiode des Taktsignals mit den der ersten Hälfte der adressierten Speicherbank zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen zu verbinden und während der folgenden zweiten Halbperiode des Taktsignals mit den der zweiten Hälfte der adressierten Speicherbank zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen zu verbinden. Erfindungsgemäß sind für jedes Paar benachbarter Bänke nur jeweils zwei Bündel von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen vorgesehen, deren erstes der ersten Hälfte der einen Bank und der zweiten Hälfte der anderen Bank zugeordnet ist und deren zweites der zweiten Hälfte der einen Bank und der ersten Hälfte der anderen Bank zugeordnet ist, und die Umschalteinrichtung ist zwischen verschiedenen Schaltzuständen umsteuerbar ist, um die Eingabe/Ausgabe-Leitungen entweder mit dem ersten Bündel oder mit dem zweiten Bündel der Lese/Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars zu verbinden.
  • In der erfindungsgemäßen Speicherschaltung ist also die Anzahl der Lese/Schreib-Datenleitungen für jedes Paar benachbarter Bänke nur halb so groß wie beim Stand der Technik, so daß die für die Führung der Lese/Schreib-Datenleitungen benötigte Chipfläche zwischen den benachbarten Bänken kleiner ist und die Bänke einander näher liegen können. Die erlaubt eine Verkleinerung des Chips.
  • In einer ersten Ausführungsform der Erfindung enthält die Umschalteinrichtung einen zentralen n/2-poligen Umschalter, der in einem ersten Schaltzustand die Eingabe/Ausgabe-Leitungen mit einem ersten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen verbindet und in einem zweiten Schaltzustand die Eingabe/Ausgabe-Leitungen mit einem zweiten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen verbindet. Ferner ist für jedes Bankpaar einen eigens zugeordneter n-poliger Umschalter vorgesehen, der abhängig von der Bankadressierung derart steuerbar ist, daß er das erste Bündel der zentralen Datenleitungen mit dem ersten Bündel der Lese/Schreib-Datenleitungen der jeweils adressierten Bank verbindet und gleichzeitig das zweite Bündel der zentralen Datenleitungen mit dem zweiten Bündel der Lese/Schreib-Datenleitungen der jeweils adressierten Bank verbindet. Außerdem ist eine Umschalt-Steuereinrichtung vorgesehen, die auf das Taktsignal anspricht, um den ersten Umschalter während der ersten Halbperiode des Taktsignals in den ersten Schaltzustand zu versetzen und während der folgenden zweiten Halbperiode des Taktsignals in den zweiten Schaltzustand zu versetzen.
  • In einer zweiten, alternativen Ausführungsform der Erfindung enthält die Umschalteinrichtung ebenfalls einen zentralen n/2-poligen Umschalter, der in einem ersten Schaltzustand die Eingabe/Ausgabe-Leitungen mit einem ersten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen verbindet und in einem zweiten Schaltzustand die Eingabe/Ausgabe-Leitungen mit einem zweiten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen verbindet. Eine erste Verbindungseinrichtung ist ausgelegt zum Verbinden des ersten Bündels der zentralen Datenleitungen mit dem ersten Bündel der Lese/Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars. Eine zweite Verbindungseinrich tung ist ausgelegt zum Verbinden des zweiten Bündels der zentralen Datenleitungen mit dem zweiten Bündel der Lese/-Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars. Ferner ist eine Umschalt-Steuereinrichtung vorgesehen, die auf das Taktsignal und die Spaltenadressierung an der jeweils adressierten Bank anspricht, um den zentralen Umschalter während der ersten Halbperiode des Taktsignals in den ersten Schaltzustand zu versetzen, wenn die adressierte Spalte in einer ersten Bankhälfte liegt, und in den zweiten Zustand zu versetzen, wenn die adressierte Spalte in einer zweiten Bankhälfte liegt, und um den zentralen Umschalter während der zweiten Halbperiode des Taktsignals in den jeweils anderen Schaltzustand umzuschalten.
  • Die verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend anhand der in der 2 und 3 gezeigten Schaltungsbeispiele näher erläutert.
  • Die in 2 gezeigte erfindungsgemäße Speicherschaltung enthält ebenso wie die Speicherschaltung nach 1 vier Speicherbänke BK00 bis BK11, eine Steuereinrichtung 120, einen Bankmultiplexer 30 mit drei n-poligen Umschaltern 31, 32 und 33, n zentrale Datenleitungen ZD, einen n/2-poligen Umschalter 40 und ein Bündel von n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA. Alle diese Elemente sind in der gleichen Weise ausgebildet und werden in der gleichen Weise gesteuert, wie es oben in Verbindung mit der 1 beschrieben wurde. Nur die Anschlußweise der Lese/Schreib-Datenleitungen LD an den Bänken BK und die Verbindung dieser Leitungen mit den Umschaltern 32 und 33 ist anders als in 1.
  • In der Speicherschaltung nach 2 ist die gerade Hälfte der Bank BK00 an das selbe Bündel LDa von n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen angeschlossen wie die ungerade Hälfte der Bank BK10, und die ungerade Hälfte der Bank BK00 ist an das selbe Bündel LDb von n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen angeschlossen wie die gerade Hälfte der Bank BK10. In ähnlicher Weise ist die gerade Hälfte der Bank BK01 an das selbe Bündel LDc von n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen angeschlossen wie die ungerade Hälfte der Bank BK11, und die ungerade Hälfte der Bank BK01 ist an das selbe Bündel LDd von n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen angeschlossen wie die gerade Hälfte der Bank BK11.
  • Die LD-Bündel LDa, LDb, LDc und LDd sind in derartiger Weise mit den Anschlüssen der n-poligen Umschalter 32 und 33 des Bankmultiplexers 30 verbunden, daß sich in Kombination mit der Steuerung der Umschalter 31, 32, 33 im Bankmultiplexer 30 und des Umschalters 40 die in der nachstehenden Tabelle 2 veranschaulichte Zuordnung zwischen den Taktflanken und der Datenverbindung zum Lesen und Schreiben an den Bänken ergibt: Tabelle 2
    Figure 00110001
  • Wie aus 2 und der Tabelle 2 ersichtlich, sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA bei steigender Taktflanke sowohl mit der geraden Hälfte der jeweils adressierten Bank BK (z.B. BK00) als auch mit der ungeraden Hälfte der jeweiligen Nachbarbank (z.B. BK10) verbunden (z.B. über das LD-Bündel LDa). Bei fallender Taktflanke sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA sowohl mit ungeraden Hälfte der adressierten Bank (z.B. BK00) als auch mit der geraden Hälfte der Nachbarbank (z.B. BK10) verbunden (z.B. über das LD-Bündel LDb). An der jeweiligen Nachbarbank erfolgt aber kein Lese- oder Schreibbe trieb, weil diese Bank nicht adressiert ist, also nicht über die zugeordnete Bankselektions-Steuerleitung BS aktiviert ist. Somit ist sichergestellt, daß Daten, die im Schreibbetrieb bei steigender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA eingegeben und somit in eine gerade Bankhälfte geschrieben wurden, im Lesebetrieb auch nur bei steigender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA ausgegeben werden. In gleicher Weise ist sichergestellt, daß Daten, die im Schreibbetrieb bei fallender Taktflanke an den Eingabe/-Ausgabe-Leitungen EA eingegeben und somit in eine ungerade Bankhälfte geschrieben wurden, im Lesebetrieb auch nur bei fallender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA ausgegeben werden.
  • Im Vergleich zu der bekannten Speicherschaltung nach 1 ist bei der erfindungsgemäßen Ausführungsform nach 2 die Anzahl der dem Bankmultiplexer 30 zuzuführenden Lese/Schreib-Datenleitungen LD auf die Hälfte vermindert, weil jeweils zwei benachbarte Bänke gemeinsam die selben Lese/Schreib-Datenleitungen nutzen. Diese Technik "doppelt-genutzter" Lese/Schreib-Datenleitungen vermindert also den Abstand, der zwischen den benachbarten Bänken BK00 und BK10 und zwischen den benachbarten Bänken BK01 und BK11 eingehalten werden muß, um die Lese/Schreib-Datenleitungen LD unterzubringen.
  • Bei der Ausführungsform nach 2 ist der Schaltungsaufwand und somit der Platzbedarf des Bankmultiplexers 30 genau so groß wie bei der Speicherschaltung nach 1. Es ist wünschenswert, auch diesen Platzbedarf zu vermindern, um den Abstand der Bänke BK noch weiter verringern zu können. Dies gelingt mit einer alternativen Ausführungsform der Erfindung, wie sie in 3 als Beispiel dargestellt ist.
  • Die in 3 gezeigte Speicherschaltung unterscheidet sich von der Speicherschaltung nach 2 dadurch, daß der Bankmultiplexer 30 durch einen wesentlich einfacheren Bankmultiplexer 50 ersetzt ist und daß der n/2-polige Umschalter 40 nicht durch das binäre Takthälfte-Signal CLH sondern durch ein binäres Schaltsignal USS gesteuert wird, welches von einer Verknüpfungsschaltung 25 in der Steuereinrichtung 320 erzeugt wird durch logische Verknüpfung des Takthälfte-Signals CLH mit einer Information, die anzeigt, ob die jeweils adressierte Spalte in geraden Hälfte oder in der ungeraden Hälfte der adressierten Speicherbank liegt. Alle anderen Teile der Speicherschaltung nach 3 sind genau so ausgebildet und werden in der gleichen Weise gesteuert wie die mit gleichen Bezugszahlen bezeichneten Teile der Speicherschaltung nach 2.
  • Die Verknüpfungsschaltung 25 ist so ausgelegt, daß sie das Schaltsignal USS genau dann auf den Logikwert "0" treibt und somit den Umschalter 40 in die 0-Position bringt, wenn das Takthälfte-Signal CLH den Logikwert "0" hat und eine Spalte in der geraden Bankhälfte adressiert ist. Die Verknüpfungsschaltung 25 treibt das Schaltsignal USS genau dann auf den Logikwert "1" und bringt somit den Umschalter 40 in die 1-Position genau dann, wenn das Takthälfte-Signal CLH den Logikwert "1" hat und eine Spalte in einer ungeraden Bankhälfte adressiert ist. Die Information darüber, ob die adressierte Spalte in der geraden Hälfte oder in der ungeraden Hälfte der adressierten Speicherbank liegt, also eine binäre "Gerade/-Ungerade-Information", läßt sich unmittelbar aus der Spaltenadresse SAD und der jeweils gültigen Bankadresse BAD ableiten.
  • Wenn die Beziehung zwischen Spaltenadresse und Bankhälfte bei allen Bänken gleich ist, genügt allein die Spaltenadresse SAD als Gerade/Ungerade-Information. Vorzugsweise ist der Spaltenadressendecoder 23 so organisiert, daß ein einziges Bit an einer bestimmten Bitposition "i" der Spaltenadresse SAD die Bankhälfte auswählt. Meistens ist dieses "Bankhälftenbit" SAD[i] das höchstwertige Bit (MSB) oder das niedrigstwertige Bit (LSB) der Spaltenadresse. Für das hier beschriebene Ausführungsbeispiel sei angenommen, daß SAD[i] für Spalten der geraden Bankhälfte den Wert "0" hat und für Spalten der ungeraden Bankhälfte den Wert "1" hat.
  • Der Bankmultiplexer 50 enthält nur zwei n/2-polige Umschalter 51 und 52, die beide vom niedrigerwertigen Bit BAD[0] der Bankadresse gesteuert werden. Ist eine der beiden Bänke BK00, BK10 des oberen Bankpaars adressiert, dann ist BAD[0] logisch "0" und die Umschalter 51 und 52 sind in ihrer 0-Position. Bei Adressierung einer der Bänke BK01, BK11 ist BAD[0] logisch "1", und die Umschalter sind in ihrer 1-Position.
  • Die Umschalter 51 und 52 sind derart zwischen den Anschlüssen des Umschalters 40 und den Bündeln LDa, LDb, LDc und LDd angeordnet, daß sich im Betrieb der Speicherschaltung die in der nachstehenden Tabelle 3 aufgeführten Zuordnungen zwischen der Bankadressierung, den Taktsignalflanken und dem Schreiben bzw. Lesen an den Bankhälften ergibt: Tabelle 3
    Figure 00140001
  • Der Tabelle 3 kann entnommen werden, daß das binäre Schaltsignal USS eine logische XOR-Funktion (Exklusiv-Oder-Funktion) des Bankhälftenbits SAD[i] und des Takthälfte-Signals CLH ist. Somit kann die Verknüpfungsschaltung 25 ein simples XOR-Gatter sein, wie in 3 gezeigt.
  • Wie aus der Tabelle 3 und der 3 ersichtlich, gilt für die linken Bänke BK00 und BK01 in jedem Bankpaar BK00, BK10 bzw. BK01, BK11 folgendes: Nur bei steigender Taktflanke (CLH=0) sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA mit den Lese/-Schreib-Datenleitungen LD der geraden Hälfte der adressierten Bank verbunden, wenn die adressierte Spalte zur geraden Bankhälfte gehört (SAD[i]=0). Nur bei fallender Taktflanke (CLH=1) sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA mit den Lese/-Schreib-Datenleitungen LD der ungeraden Hälfte der adressierten Bank verbunden, wenn die adressierte Spalte zur ungeraden Bankhälfte gehört (SAD[i]=1).
  • Für die rechten Bänke BK10 und BK11 jedes Bankpaars gilt das Umgekehrte: Nur bei steigender Taktflanke (CLH=0) sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA mit den Lese/Schreib-Datenleitungen LD der ungeraden Hälfte der adressierten Bank verbunden, wenn die adressierte Spalte zur ungeraden Bankhälfte gehört (SAD[i]=1). Nur bei fallender Taktflanke (CLH=1) sind die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA mit den Lese/Schreib-Datenleitungen LD der geraden Hälfte der adressierten Bank verbunden, wenn die adressierte Spalte zur geraden Bankhälfte gehört (SAD[i]=0).
  • Diese Umkehrung des Betriebs der linken Bank gegenüber dem Betrieb der rechten Bank ist unkritisch. Trotz dieser Umkehrung ist nämlich sichergestellt, daß jeweils die selben Daten, die im Schreibbetrieb bei steigender Taktflanke über die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA an irgendeiner gewählten Adresse eingeschrieben wurden, nur bei steigender Taktflanke an den Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA ausgegeben werden, wenn die gleiche Adresse beim Lesen gewählt wird. In gleicher Weise ist sichergestellt, daß Daten, die im Schreibbetrieb bei fallender Taktflanke über die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA an einer irgendeiner gewählten Adresse eingeschrieben wurden, bei Wahl der gleichen Adresse im Lesebetrieb nur bei fallender Taktflanke über die Eingabe/Ausgabe-Leitungen EA ausgegeben werden.
  • Die in den 2 und 3 gezeigten Speicherschaltungen sind nur Beispiele für verschiedene Ausführungsformen, die natürlich auch abgewandelt können, ohne das Prinzip der Erfindung zu verlassen. Gewünschtenfalls kann der n-polige Umschalter 31 im Bankmultiplexer 30 nach 2 durch eine feste n-polige Verzweigung ersetzt werden, so daß die zentralen Datenleitungen bleibend mit den beiden anderen n-poligen Umschaltern verbunden sind. Hierdurch sind die zentralen Datenleitungen zwar gleichzeitig mit Bänken aller Paare verbunden, ein Schreib- oder Lesebetrieb erfolgt jedoch immer nur an der adressierten Bank. Allerdings ist bei dieser Variante die Belastung der Datenquelle höher. In ähnlicher Weise können die n/2-poligen Umschalter 51 und 52 in der Speicherschaltung nach 3 durch jeweils eine feste n/2-polige Verzweigung ersetzt werden.
  • Die Anzahl der Bankpaare kann auch kleiner oder größer als 2 sein. Wenn nur ein einziges Bankpaar vorhanden ist, entfällt bei der Ausführungsform nach 2 der zentrale n-polige Umschalter 31 sowie einer der n-poligen Umschalter 31, 32; und die zentralen Datenleitungen ZD sind dann fest an den verbleibenden einzigen n-poligen Umschalter angeschlossen. Bei der Ausführungsform nach 3 entfallen die beiden n/2-poligen Umschalter 51 und 52, und die beiden Bündel der Datenleitungen ZD sind direkt mit den beiden Bündeln der Lese/-Schreib-Datenleitungen des einzigen Bankpaars verbunden. Sind mehr als zwei Bankpaare vorhanden, sind der Umschalter 31 in 3 bzw. die Umschalter 51 und 52 in 3 zu ersetzen durch Umschalter, die mehr als zwei Positionen einnehmen können, um Verbindungen mit den Lese/Schreib-Datenleitungen jedes Bankpaar individuell herstellen zu können.
  • Die mehrpoligen Umschalter sind in den Zeichnungsfiguren sym bolisch wie mechanische Umschalter dargestellt, um die Schaltfunktionen anschaulich zu zeigen. In Wirklichkeit handelt es sich natürlich um elektronische Schaltmittel, vorzugsweise unter Verwendung von MOS-Feldeffekttransistoren.
  • 21
    Bankadressendecoder
    22
    Reihenadressendecoder
    23
    Spaltenadressendecoder
    24
    Takthälfte-Signalgeber
    25
    XOR-Gatter
    30
    Bankmultiplexer
    31
    n-poliger Umschalter
    32
    n-poliger Umschalter
    33
    n-poliger Umschalter
    40
    n/2-poliger Umschalter
    41
    Eingabe/Ausgabe-Schaltung
    50
    Bankmultiplexer
    51
    n/2-poliger Umschalter
    52
    n/2-poliger Umschalter
    BAD
    Bankadressensignal
    BK
    Speicherbank
    BS
    Bankselektions-Steuerleitung
    CLK
    Taktsignal
    CLH
    Takthälfte-Signal
    USS
    Umschalt-Steuersignal
    EA
    Eingabe/Ausgabe-Leitungen
    LD
    Lese/Schreib-Datenleitungen
    RAD
    Reihenadressensignal
    RS
    Reihenselektions-Steuerleitung
    SAD
    Spaltenadressensignal
    SS
    Spaltenselektions-Steuerleitung
    ZD
    zentrale Datenleitungen

Claims (6)

  1. Digitale Speicherschaltung, enthaltend: mindestens zwei Paare benachbarter Bänke (BK00–BK11) mit jeweils einer Vielzahl von Speicherzellen in jeder Bank, die eine matrixförmige Anordnung von Reihen und Spalten bilden und adressierbar sind durch Bankadressensignale (BAD), Reihenadressensignale (RAD) und Spaltenadressensignale (SAD), wobei an jede Bank zwei Bündel von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen (LD) angeschlossen sind, die den Spalten unterschiedlicher Hälften (gerade, ungerade) der Bank zugeordnet sind, um an jeder Bankhälfte gleichzeitig n/2 Datenbits an n/2 gleichzeitig adressierten Spalten einschreiben oder auslesen zu können; ein Bündel von n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen zum Eingeben und Ausgeben von n/2 Datenbits in Parallelform; eine Steuereinrichtung (120; 320), die auf die Bankadressensignale, die Reihenadressensignale, die Spaltenadressensignale und ein Taktsignal (CLK) anspricht, um während jeweils einer Periode des Taktsignals Datenübertragungswege zwischen gleichzeitig adressierten Speicherzellen und zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen herzustellen; eine Umschalteinrichtung (40, 30; 40, 50), die abhängig vom Taktsignal steuerbar ist, um die n/2 Eingabe/Ausgabe-Leitungen (EA) während einer ersten Halbperiode des Taktsignals mit den der ersten Hälfte der adressierten Speicherbank zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen zu verbinden und während der folgenden zweiten Halbperiode des Taktsignals mit den der zweiten Hälfte der adressierten Speicherbank zugeordneten Lese/Schreib-Datenleitungen zu verbinden, dadurch gekennzeichnet, daß für jedes Paar benachbarter Bänke (z.B. BK00, BK10) nur jeweils zwei Bündel (LDa, LDb) von jeweils n/2 Lese/Schreib-Datenleitungen vorgesehen sind, deren erstes (LDa) der ersten Hälfte (gerade) der einen Bank (BK00) und der zweiten Hälfte (ungerade) der anderen Bank (BK10) zugeordnet ist und deren zweites (LDb) der zweiten Hälfte der einen Bank (BK00) und der ers ten Hälfte der anderen Bank (BK10) zugeordnet ist, und daß die Umschalteinrichtung (40, 30; 40, 50) zwischen verschiedenen Schaltzuständen umsteuerbar ist, um die Eingabe/Ausgabe-Leitungen (EA) entweder mit dem ersten Bündel (LDa) oder mit dem zweiten Bündel (LDb) der Lese/Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars (BK00, BK10) zu verbinden.
  2. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung (30, 40) folgendes enthält: einen zentralen n/2-poligen Umschalter (40), der in einem ersten Schaltzustand (0) die Eingabe/Ausgabe-Leitungen (EA) mit einem ersten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen (ZD) verbindet und in einem zweiten Schaltzustand (1) die Eingabe/Ausgabe-Leitungen mit einem zweiten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen (ZD) verbindet; für jedes Bankpaar (BK00, BK10 bzw. BK10, BK11) einen eigens zugeordneten n-poligen Umschalter (32 bzw. 33), der abhängig von der Bankadressierung derart steuerbar ist, daß er das erste Bündel der zentralen Datenleitungen mit dem ersten Bündel (LDa bzw. LDc) der Lese/Schreib-Datenleitungen der adressierten Bank verbindet und gleichzeitig das zweite Bündel der zentralen Datenleitungen mit dem zweiten Bündel (LDb bzw. LDd) der Lese/Schreib-Datenleitungen der adressierten Bank verbindet, eine Umschalt-Steuereinrichtung (24), die auf das Taktsignal (CLK) anspricht, um den ersten Umschalter (40) während der ersten Halbperiode des Taktsignals in den ersten Schaltzustand zu versetzen und während der folgenden zweiten Halbperiode des Taktsignals in den zweiten Schaltzustand zu versetzen.
  3. Speicherschaltung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen zentralen n-poligen Umschalter (31), der abhängig von der Bankadressierung steuerbar ist, um die beiden Bündel der zentralen Datenleitungen (ZD) nur mit demjenigen n-poligen Umschalter (32 oder 33) zu verbinden, der dem die adressierte Bank enthaltenden Bankpaar zugeordnet ist.
  4. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung (40, 50) einen zentralen n/2-poligen Umschalter (40) enthält, der in einem ersten Schaltzustand (0) die Eingabe/Ausgabe-Leitungen (EA) mit einem ersten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen verbindet und in einem zweiten Schaltzustand (1) die Eingabe/Ausgabe-Leitungen mit einem zweiten Bündel von n/2 zentralen Datenleitungen (ZD) verbindet; eine erste Verbindungseinrichtung (51) zum Verbinden des ersten Bündels der zentralen Datenleitungen (ZD) mit dem ersten Bündel (LDa bzw. LDc) der Lese/Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars (BK00, BK10 bzw. BK01, BK11); eine zweite Verbindungseinrichtung (52) zum Verbinden des zweiten Bündels der zentralen Datenleitungen mit dem zweiten Bündel (LDb bzw. LDd) der Lese/Schreib-Datenleitungen zumindest des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars (BK00, BK10 bzw. BK01, BK11); eine Umschalt-Steuereinrichtung (24, 25), die auf das Taktsignal (CLK) und die Spaltenadressierung an der jeweils adressierten Bank anspricht, um den zentralen Umschalter (40) während der ersten Halbperiode des Taktsignals in den ersten Schaltzustand zu versetzen, wenn die adressierte Spalte in einer ersten Bankhälfte liegt, und in den zweiten Zustand zu versetzen, wenn die adressierte Spalte in einer zweiten Bankhälfte liegt, und um den zentralen Umschalter (40) während der zweiten Halbperiode des Taktsignals in den jeweils anderen Schaltzustand umzuschalten.
  5. Speicherschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Verbindungseinrichtung (51) ein n/2-poliger Umschalter ist, der abhängig von der Bankadressierung steuerbar ist, um das erste Bündel der zentralen Datenleitungen (ZD) mit dem ersten Bündel (LDa bzw. LDc) der Lese/-Schreib-Datenleitungen nur des die adressierte Bank enthal tenden Bankpaars (BK00, BK10 bzw. BK01, BK11) zu verbinden, und daß die zweite Verbindungseinrichtung (52) ein n/2-poliger Umschalter ist, der abhängig von der Bankadressierung steuerbar ist, um das zweite Bündel der zentralen Datenleitungen (ZD) mit dem zweiten Bündel (LDa bzw. LDc) der Lese/-Schreib-Datenleitungen nur des die adressierte Bank enthaltenden Bankpaars (BK00, BK10 bzw. BK01, BK11) zu verbinden.
  6. Speicherschaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Spaltenadresse (SAD) für alle Bänke in gleicher Weise derart binärcodiert ist, daß der binäre Logikwert eines bestimmten Spaltenadressenbits (SAD[i]) anzeigt, ob die adressierte Spalte in der ersten oder in der zweiten Hälfte der Bank liegt, und daß die Umschalt-Steuereinrichtung (24, 25) einen Signalgeber (24) enthält, der auf das Taktsignal (CLK) anspricht, um ein Ausgangssignal (CLH) zu erzeugen, das während der ersten Halbperiode des Taktsignals (CLK) einen ersten Logikwert und während der zweiten Halbperiode des Taktsignals (CLK) einen zweiten Logikwert hat, und ein XOR-Gatter (25), das an einem ersten Eingang das genannte Spaltenadressenbit (SAD[i]) und an einem zweiten Eingang das Ausgangssignal (CLH) des Signalgebers (24) empfängt und dessen Ausgangssignal (USS) den zentralen Umschalter (40) steuert.
DE10201179A 2002-01-15 2002-01-15 Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken Expired - Fee Related DE10201179B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10201179A DE10201179B4 (de) 2002-01-15 2002-01-15 Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken
US10/342,901 US7064999B2 (en) 2002-01-15 2003-01-15 Digital memory circuit having a plurality of memory banks

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10201179A DE10201179B4 (de) 2002-01-15 2002-01-15 Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10201179A1 DE10201179A1 (de) 2003-08-14
DE10201179B4 true DE10201179B4 (de) 2004-02-19

Family

ID=27587968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10201179A Expired - Fee Related DE10201179B4 (de) 2002-01-15 2002-01-15 Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7064999B2 (de)
DE (1) DE10201179B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8364864B2 (en) * 2010-03-17 2013-01-29 Juniper Networks, Inc. Multi-bank queuing architecture for higher bandwidth on-chip memory buffer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10034819B2 (en) * 2012-09-24 2018-07-31 Firmenich Sa Multilayered core/shell microcapsules

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766587A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Fujitsu Ltd Static semiconductor storage device
EP1122735B1 (de) 2000-01-31 2010-09-01 STMicroelectronics Srl Verschachtelter Datenpfad und Ausgabesteuerungsarchitektur für einen verschachtelten Speicher sowie Impulsgeber zum Ausgeben von gelesenen Daten
US6337830B1 (en) * 2000-08-31 2002-01-08 Mosel Vitelic, Inc. Integrated clocking latency and multiplexer control technique for double data rate (DDR) synchronous dynamic random access memory (SDRAM) device data paths

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10034819B2 (en) * 2012-09-24 2018-07-31 Firmenich Sa Multilayered core/shell microcapsules

Also Published As

Publication number Publication date
US20040088613A1 (en) 2004-05-06
US7064999B2 (en) 2006-06-20
DE10201179A1 (de) 2003-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3741878C2 (de)
DE3727688C2 (de) Halbleiterspeichersystem
DE2633079C3 (de) Anordnung zum elektrischen Verbinden von auf einem Halbleiterscheibchen aufgebauten Schaltungseinheiten mit einer gemeinsamen Sammelleitung
DE4025151C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren für eine Halbleiterspeichereinrichtung
DE2803989A1 (de) Wahlfreie zugriffsspeichervorrichtung fuer digitale daten
DE3207210A1 (de) Monolithische speichervorrichtung
DE10206249B4 (de) Verfahren zum Erzeugen von Testsignalen für eine integrierte Schaltung sowie Testlogik
DE3618136C2 (de)
DE3221872A1 (de) Informations-speicheranordnung
DE4018296A1 (de) Elektrische schaltung fuer einen parallelschreibtest eines breiten mehrfachbytes in einer halbleiterspeichereinrichtung
DE2415600C2 (de)
EP1205938B1 (de) Integrierte Schaltung mit Testbetriebsart und Verfahren zum Testen einer Vielzahl solcher integrierter Schaltungen
EP0217122B1 (de) Schaltungsanordung mit einer matrixförmigen Speicheranordnung zur variabel einstellbaren Verzögerung digitaler Signale
DE4129133C1 (de)
DE10335012B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement mit mehreren Speicherfeldern und zugehöriges Datenverarbeitungsverfahren
DE10201179B4 (de) Digitale Speicherschaltung mit mehreren Speicherbänken
DE2744886B2 (de) Schaltungsanordnung zum Umschwenken einer Binärdatenmatrix
DE3333974A1 (de) Dynamischer mos-speicher mit wahlfreiem zugriff
DE69333792T2 (de) Halbleiteranordnung
DE2437287A1 (de) Schaltungsanordnung zur steuerung der ueberlappungszeit zweier sich ueberlappender, auf getrennten kanaelen zu uebertragender impulse
DE10147201A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Ersetzen einer Redundanzschaltung
DE2605066A1 (de) Kanalzuordnungsschaltung zur herstellung einer zeitvielfach-breitbandverbindung
DE2942235A1 (de) Zeitmultiplex-schaltkreis
DE19944040C2 (de) Integrierter Speicher mit zwei Burstbetriebsarten
DE3331043C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee