DE102011117869A1

DE102011117869A1 - Vorrichtung zum Ansaugen eines Substrats und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten

Info

Publication number: DE102011117869A1
Application number: DE201110117869
Authority: DE
Inventors: wird später genannt werden Erfinder
Original assignee: Centrotherm Thermal Solutions GmbH and Co KG
Current assignee: Centrotherm Photovoltaics AG
Priority date: 2011-11-08
Filing date: 2011-11-08
Publication date: 2013-05-08

Abstract

Es ist eine Vorrichtung zum Ansaugen eines wenigstens teilweise aus einem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium bestehenden Substrats mittels Vakuum beschrieben. Die Vorrichtung weist wenigstens ein erstes und ein zweites Plattenelement auf, die jeweils aus Halbleitermaterial bestehen, und einander in wenigstens ihrem Randbereich im Wesentlichen umlaufend kontaktieren. Die Seite des ersten Plattenelements, die zum zweiten Plattenelement weist, ist derart bearbeitet ist, dass sie wenigstens eine Vertiefung zur Bildung einer Unterdruckkammer zwischen den Plattenelementen bildet, wobei die Unterdruckkammer mit wenigstens einer ersten Öffnung zum Anschluss einer Unterdruckquelle in Verbindung steht, und wobei wenigstens eines der Plattenelemente eine Vielzahl von zweiten Öffnungen aufweist, die mit der Unterdruckkammer in Verbindung stehen und die zum Ansaugen des Substrats angeordnet sind.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ansaugen eines wenigstens teilweise aus einem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium bestehenden Substrats mittels Vakuum, sowie eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleitersubstraten.
In der Technik sind unterschiedliche Vorrichtungen zum thermischen Behandeln von Substraten bekannt, sowie unterschiedliche Vorrichtungen zum Halten der Substrate in einer Prozesskammer der Vorrichtungen zum thermischen Behandeln der Substrate.
Eine bekannte Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern sieht zum Beispiel eine Erwärmung mittels elektromagnetischer Strahlung vor, die von Lampen, beispielsweise Wolfram-Halogenlampen ausgeht. Solche Vorrichtungen werden üblicherweise auch als RTP-Anlagen (RTP = rapid thermal processing) oder Schnellheizanlagen bezeichnet, da sie sehr rasche Temperaturwechsel erlauben. Innerhalb einer Prozesskammer der Schnellheizanlagen ist in der Regel eine Waferauflage vorgesehen, auf der der Wafer während der thermischen Behandlung aufliegt. Hierbei sind sowohl Auflagen bekannt, die für die elektromagnetische Strahlung der Lampen im Wesentlichen transparent sind, als auch Auflagen die für die elektromagnetische Strahlung der Lampen im Wesentlichen opak sind. Die erst genannten Auflagen sollen eine direkte Erwärmung der Wafer mittels der elektromagnetischen Strahlung der Lampen ermöglichen. Die zuletzt genannten Auflagen sollen hingegen eine Erwärmung der Auflage mittels der elektromagnetischen Strahlung der Lampen und indirekt hierüber eine Erwärmung des Wafers ermöglichen. Beiden Ausführungsformen ist gemein, dass der Wafer in der Regel frei auf der jeweiligen Auflage aufliegt, und keine Kraftwirkung auf den Wafer möglich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, die in der Lage ist, an ein wenigstens teilweise aus einem Halbleitermaterial bestehendes Substrat eine Kraft anzulegen, um es sicher zu halten und gegebenenfalls zu verformen.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung zum Ansaugen eines Substrats nach Anspruch 1 und eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten nach Anspruch 10 gelöst. Weitere Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den jeweiligen abhängigen Ansprüchen und der Beschreibung.
Insbesondere ist die Vorrichtung zum Ansaugen eines wenigstens teilweise aus einem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium bestehenden Substrats mittels Vakuum vorgesehen. Die Vorrichtung weist wenigstens ein erstes und ein zweites Plattenelement auf, die jeweils aus Halbleitermaterial bestehen und einander in wenigstens ihrem Randbereich umlaufend oder im wesentlichen umlaufend kontaktieren, wobei die Seite des ersten Plattenelements, die zum zweiten Plattenelement weist, derart bearbeitet ist, dass sie wenigstens eine Vertiefung zur Bildung einer Unterdruckkammer zwischen den Plattenelementen bildet. Die Unterdruckkammer steht mit wenigstens einer ersten Öffnung zum Anschluss an eine Unterdruckquelle in Verbindung und eines der Plattenelemente weist eine Vielzahl von zweiten Öffnungen auf, die mit der Kammer in Verbindung stehen und die zum Ansaugen des Substrats angeordnet sind. Der Begriff „im wesentlichen umlaufend kontaktieren” soll in diesem Zusammenhang bedeuten, daß sich erstes und zweites Plattenelement so kontaktieren, dass sie eine Abdichtung für die Unterdruckkammer vorsehen. Die Vorrichtung ist dadurch, dass die Plattenelemente aus einem Halbleitermaterial bestehen, für den Einsatz mit Halbleitersubstraten besonders geeignet, da durch das Material solcher Plattenelemente keine unerwünschten Verunreinigungen in das Substrat eingetragen wird. Ferner können die notwendigen Strukturen für die Unterdruckkammer sowie die ersten und zweiten Öffnungen mit hoher Genauigkeit leicht mit bekannten Mitteln, wie zum Beispiel der Photolithographie, hergestellt werden. Zusätzlich kann auch die Seite des zweiten Plattenelements, die zum ersten Plattenelement weist, bearbeitet sein, um eine der ersten Vertiefung entsprechende Vertiefung aufzuweisen.
Vorzugsweise ist die Vielzahl von zweiten Öffnungen (Durchgangsöffnungen) in einem Flächenbereich ausgebildet, der an die Form eines anzusaugenden Substrats angepasst ist, und der kleiner ist, als das anzusaugende Substrat. Hierdurch wird einerseits eine gleichmäßige Ansaugung des Substrats ermöglicht und andererseits über das Substrat selbst, welches größer ist als der Flächenbereich, in dem die zweiten Öffnungen ausgebildet sind, eine Abdichtung zur Umgebung hin vorgesehen. Insbesondere kann eine Umfangskontur des Flächenbereichs des Plattenelements einer Umfangskontur des Substrats entsprechen. Für einen guten Halt beziehungsweise eine gezielte Verformung von Teilbereichen des Substrats kann die Verteilung der zweiten Öffnungen einer Verteilung von Strukturen des anzusaugenden und gegebenenfalls lokal zu verformenden Substrats entsprechen.
Um die strukturelle Stabilität des ersten Plattenelements über die Vertiefung hinaus nicht zu beeinträchtigen, ist die Vielzahl von Durchgangsöffnungen bevorzugt in dem zweiten Plattenelement ausgebildet.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist die Seite des ersten Plattenelements, die zum zweiten Plattenelement weist, derart bearbeitet, dass die Vertiefung um eine Vielzahl von Abstandhaltern herum ausgebildet ist, die geeignet sind die zum ersten Plattenelement weisende Seite des zweiten Plattenelements zu kontaktieren. Hierdurch wird einerseits das zu evakuierende Volumen der Unterdruckkammer verringert und andererseits eine Verformung der Plattenelemente in die Unterdruckkammer hinein verhindert. Auch her zeigt sich wieder der besondere Vorteil der Verwendung eines Halbleitermaterials wie beispielsweise Silizium, da sowohl die Vertiefung als auch die Abstandshalter in einem einzigen photolithographischen Prozess ausgebildet werden können. Um den Aufbau der Plattenelemente zu vereinfachen sind die Abstandshalter bevorzugt so angeordnet, dass sie versetzt zu den zweiten Öffnungen liegen.
Vorzugsweise ist die wenigstens eine erste Öffnung radial nach außen bezüglich eines durch die Vielzahl von zweiten Öffnungen begrenzten Bereichs versetzt. Hierdurch kann ein Einfluss der ersten, für einen Anschluss an eine Unterdruckquelle dienenden Öffnung auf Prozesse, die auf das Substrat wirken, verringert werden. Für eine gleichmäßige Verteilung des Unterdrucks kann eine Vielzahl von ersten Öffnungen vorgesehen sein, die jeweils an voneinander beabstandeten Bereichen mit der Unterdruckkammer in Verbindung stehen.
Für einen Einsatz in einer Schnellheizanlage, in der mittels Lampenstrahlung eine Erwärmung des Substrats vorgesehen wird, besteht wenigstens eines der Plattenelemente vorzugsweise aus einem hoch dotierten Halbleitermaterial, wie beispielsweise aus hochdotiertem Silizium, welches eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens 1·10¹⁶ cm^–3, besonders vorzugsweise eine Dotierstoffkonzentration von mehr als 1·10¹⁷ cm^–3 aufweist, da dieses auch bei niedrigen Temperaturen eine gute Absorption von Lampenstrahlung ermöglicht. Vorzugsweise besteht wenigstens eines der Plattenelemente aus demselben Halbleitermaterial wie das Substrat beziehungsweise die aus Halbleitermaterial bestehenden Teilbereiche des Substrats.
Die Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten weist insbesondere wenigstens eine Prozesskammer zur Aufnahme des Substrats, wenigstens eine Vorrichtung zum Ansaugen eines Substrats des zuvor beschriebenen Typs und wenigstens eine Strahlungsquelle auf, die angeordnet ist Strahlung in die Prozesskammer zu emittieren.
Vorzugsweise ist wenigstens eine Strahlungsquelle so angeordnet, dass sie Strahlung in Richtung des Plattenelements emittiert, das keine Vielzahl von zweiten Öffnungen aufweist. Bei einer solchen Anordnung kann das angestrahlte Plattenelement zunächst die Strahlung absorbieren und das Substrats dann indirekt erwärmen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigt:
1 eine schematische Seitenschnittansicht durch eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern;
2 eine schematische Draufsicht auf ein erstes Plattenelement einer Ansaugeinheit, die in der Vorrichtung gemäß 1 einsetzbar ist;
3 eine schematische Draufsicht auf ein zweites Plattenelement der Ansaugeinheit;
4 eine schematische Draufsicht auf das zweite Plattenelement der Ansaugeinheit mit darunter liegendem ersten Plattenelement;
5 eine schematische Querschnittansicht der Ansaugeinheit entlang der Linie V-V in 4.
In der nachfolgenden Beschreibung verwendete Bezeichnungen, wie oben, unten, links und rechts und ähnliches, beziehen sich auf die Figuren und sollen in keiner Weise einschränkend sein, obwohl sie sich auf eine bevorzugte Ausführungsform beziehen. Die Formulierung „im Wesentlichen”, bezogen auf Winkel und Anordnungen, soll Abweichungen bis 10° vorzugsweise bis 5° umfassen, sofern nicht andere Angaben gemacht sind.
1 zeigt eine schematische Seitenschnittansicht einer Vorrichtung 1 zum thermischen Behandeln von Substraten S. Obwohl im nachfolgenden der allgemeine Begriff Substrat verwendet wird, sei bemerkt, dass es sich generell um ein flächiges Substrat S (gegebenenfalls aus mehreren Lagen) handelt, das wenigstens Teilbereiche aus einem Halbleitermaterial, insbesondere aus Silizium aufweist. Andere Teilbereiche können beispielsweise aus einem anderen, bevorzugt bei hohen Temperaturen verformbaren Material bestehen. Das Substrat S kann eine vorgegebene Verteilung der unterschiedlichen Teilbereiche aufweisen.
Die Vorrichtung 1 weist ein Gehäuse 2 mit einem Innenraum auf, der unter anderem eine Prozesskammer 3 bildet. Die Prozesskammer 3 ist auf ihrer Ober- und Unterseite durch Wandelemente 5 bzw. 6 begrenzt und seitlich durch das Gehäuse 2. Oberhalb des Wandelements 5 ist im Gehäuse 2 eine Lampenkammer 7 vorgesehen, die verspiegelt sein kann und in der eine Heizquelle in der Form von mehreren Lampen 8 vorgesehen ist. Unterhalb des Wandelements 6 ist ebenfalls eine Lampenkammer 9 ähnlich der Kammer 7 vorgesehen, in der eine Heizquelle in der Form von mehreren Lampen 10 vorgesehen ist.
Die Seitenwände der Prozesskammer 3 können ebenfalls eine gewisse Spiegelwirkung für wenigstens einen Teil der in der Prozesskammer 3 vorhandenen elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Ferner umfasst wenigstens eine der Seitenwände der Prozesskammer 3 eine nicht dargestellte Prozesskammertür, um das Einführen und Herausnehmen des Substrats S zu ermöglichen. Ferner können nicht näher dargestellte Gaseinlässe und Gasauslässe für die Prozesskammer vorgesehen sein.
Innerhalb der Prozesskammer 3 ist eine Ansaugeinheit 12 vorgesehen, die sich im Wesentlichen parallel zu den Wandelementen 5, 6 erstreckt und ungefähr mittig zwischen den beiden angeordnet ist. Die Ansaugeinheit 12 dient zur Aufnahme und zum Ansaugen des Substrats S. Der Aufbau der Ansaugeinheit 12 wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 2 bis 5 noch näher erläutert.
Die Wandelemente 5 und 6, welche die Prozesskammer 3 nach oben und unten begrenzen, bestehen jeweils aus einem für die Strahlung der Lampen 8, 10 im Wesentlichen transparenten Material, wie beispielsweise Quarz. Als Lampen 8, 10 können beispielsweise häufig in Schnellheizanlagen eingesetzte Wolfram-Halogenlampen verwendet werden. Es ist aber auch möglich anderer Lampentypen zu verwenden, wie beispielsweise Blitzlampen, die auch als Flash-Lampen bezeichnet werden. Diese Lampen können natürlich auch anders als dargestellt angeordnet sein, und es ist auch möglich, die Lampentypen miteinander oder auch mit anderen Lampentypen zu kombinieren oder durch andere Lampentypen auszutauschen. Insbesondere ist es auch möglich, auf die obere oder die untere Lampenkammer 7, 9 und die entsprechenden Lampen 8, 10 zu verzichten und nur eine Lampenkammer vorzusehen.
Nachfolgend wird nun die Ansaugeinheit 12, die durch ein ersten Plattenelement 16 und ein zweites Plattenelement 18 gebildet wird, unter Bezugnahme auf die 2 bis 5 näher erläutert. 2 zeigt dabei eine schematische Draufsicht auf das erste Plattenelement 16, die 3 und 4 zeigen jeweils eine schematische Draufsicht auf das zweite Plattenelement 18 ohne (3) beziehungsweise mit (4) darunter liegendem ersten Plattenelement 16, und 5 zeigt eine schematische Querschnittansicht durch die Plattenelemente 16, 18 entlang der Linie V-V in 4.
Die Plattenelemente 16, 18 bestehen jeweils aus einem Halbleitermaterial, bevorzugt aus demselben Halbleitermaterial wie das Halbleitermaterial des Substrats S, und insbesondere aus Silizium. Dabei kann das Halbleitermaterial eine hohe Dotierstoffkonzentration von beispielsweise wenigstens 1·10¹⁶ cm^–3, vorzugsweise eine Dotierstoffkonzentration von mehr als 1·10¹⁷ cm^–3 aufweisen, um für die Strahlung der Lampen 8, 10 auch schon bei niedrigen Temperaturen eine hohe Absorption zu ermöglichen. Somit können die Plattenelemente 16, 18 als sogenannte lichttransformierende Platten dienen, die im Betrieb von den Lampen 8, 10 abgestrahlte Strahlung absorbieren, um selbst erwärmt zu werden und anschließend Wärmestrahlung zum Wärmen des Substrats S mit einer anderen Wellenlänge als die der Lampenstrahlung abgeben. Natürlich findet in einem Kontaktbereich zwischen den Plattenelementen und dem Substrat auch eine Erwärmung des Substrats über Wärmeleitung statt.
Die Plattenelemente 16, 18 besitzen jeweils dieselbe Größe und eine quadratische Grundform, obwohl dies nicht zwingend erforderlich ist. Zur Bildung der Ansaugeinheit 12 liegen die Plattenelemente deckungsgleich übereinander.
Optional kann die Ansaugeinheit 12 mit einem Rotationsmechanismus verbunden sein und in der Prozesskammer 3 kann ein das Substrat S in seiner Ebene radial umgebender Kompensationsring vorgesehen sein, wie es in der Technik bei Schnellheizanlagen bekannt ist.
Wie am besten in der Draufsicht gemäß 2 und der Schnittansicht gemäß 5 zu erkennen ist, weist das erste Plattenelement 16 eine erste Vertiefung 20 sowie vier zweite Vertiefungen 22 in einer zum zweiten Plattenelement 18 weisenden Oberfläche auf.
Die erste Vertiefung 20 besitzt in der Draufsicht eine im Wesentlichen runde Grundform und ist um eine Vielzahl von Abstandshaltern 24 herum ausgebildet. Die Abstandshalter 24 sind Teil des ersten Plattenelements 16 und sie bilden mit außerhalb der Vertiefungen 20, 22 liegenden Bereichen des ersten Plattenelements 16 eine Anlageebene für das zweite Plattenelement 18. Die Abstandshalter 24 besitzen in der dargestellten Draufsicht jeweils eine runde Form, sie können aber auch eine hiervon abweichende, beliebige andere Form aufweisen. Die Abstandshalter 24 sind in einem vorbestimmten Muster angeordnet und besitzen somit eine vorbestimmte Verteilung.
Die zweiten Vertiefungen 22 erstrecken sich jeweils radial zur kreisförmigen Grundform der ersten Vertiefung 20 und zwar in Richtung der Ecken des ersten Plattenelements 16. Die innen liegenden Enden der zweiten Vertiefungen 22 stehen jeweils in Strömungsverbindung mit der ersten Vertiefung 20. Die außen liegenden Enden der zweiten Vertiefungen 22 liegen innerhalb des Umfangs des ersten Plattenelements 16, d. h. die zweiten Vertiefungen erstrecken sich nicht bis zum Rand des ersten Plattenelements 16. Im Bereich der außen liegenden Enden der zweiten Vertiefungen 22 ist jeweils eine Öffnung 26 im ersten Plattenelement ausgebildet. Über diese Öffnungen 26 können die jeweiligen zweiten Vertiefungen 22 und somit die erste Vertiefung 20 mit einer nicht dargestellten Unterdruckquelle in Strömungsverbindung gebracht werden. Statt, wie dargestellt vier Vertiefungen 22 vorzusehen ist es auch möglich eine hiervon abweichende Anzahl vorzusehen oder ganz auf eine zweite Vertiefung zu verzichten. Im letzteren Fall könnte zum Beispiel wenigstens eine Öffnung, wie die Öffnung 26, direkt im Bereich der ersten Vertiefung 20 vorgesehen sein. Auch könnten sich die zweiten Vertiefungen 22 alternativ bis zum Rand des ersten Plattenelements 16 erstrecken, um über den Rand eine Strömungsverbindung zu einer Unterdruckquelle herstellen zu können. In diesem Fall könnten die Öffnungen 26 entfallen. Die Öffnungen 26 könnten beispielsweise auch entfallen, wenn entsprechende Öffnungen im zweiten Plattenelement 18 vorgesehen sind, über die eine Strömungsverbindung zwischen einer Unterdruckquelle und den zweiten Vertiefungen 22 hergestellt werden kann.
Wie am besten in den Draufsichten der 3 und 4 zu erkennen ist, weist das zweite Plattenelement 18 eine Vielzahl von Öffnungen 30 auf. Die Öffnungen 30 im zweiten Plattenelement 18 besitzen jeweils eine runde Form, können aber auch eine hiervon abweichende, beliebige andere Form besitzen. Die Öffnungen 30 im zweiten Plattenelement 18 sind gleichmäßig mit einem vorbestimmten Muster innerhalb eines Kreisbereichs, der durch eine gestrichelte Linie in 3 angedeutet ist, verteilt. Das Muster kann an die Struktur des Substrats und insbesondere an lokal zu verformende Teilbereiche desselben angepasst sein. Dieser Kreisbereich entspricht der Grundform der ersten Vertiefung 20 im ersten Plattenelement.
In der Draufsicht der 4 ist das erste Plattenelement 16 mit gestrichelten Linien angedeutet, da es ja in der Draufsicht durch das zweite Plattenelement 18 verdeckt wäre. Ferner ist mit einer gepunkteten Linie ein Substrat S angedeutet, dass eine runde Grundform mit einem Durchmesser besitzt, der größer ist als ein Durchmesser der runden Grundform der ersten Vertiefung 20 im ersten Plattenelement 16.
Wie in der Draufsicht der 4 zu erkennen ist, sind die Öffnungen 30 im zweiten Plattenelement 18 versetzt zu den Abstandshaltern 24 des ersten Plattenelements 16 angeordnet, wenn die Plattenelemente 16, 18 übereinander angeordnet sind. Zwischen den Plattenelementen 16, 18 wird somit im Bereich der ersten Vertiefung 20 im ersten Plattenelement 16 eine Kammer gebildet. Diese kann über die zweiten Vertiefungen 22 und die Öffnungen 26 im ersten Plattenelement 16 und über eine nicht dargestellte Unterdruckquelle mit Unterdruck beaufschlagt werden. Über die Öffnungen 30 im zweiten Plattenelement 18 kann dann ein Substrat S angesaugt und gegebenenfalls lokal verformt werden.
Die Erfindung wurde anhand einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erläutert, ohne auf diese Ausführungsform beschränkt zu sein. Beispielsweise könnte die Ansaugeinheit auch in anderen Bereichen, dass heißt außerhalb einer Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten eingesetzt werden. Die Verwendung von Plattenelementen aus Halbleitermaterial ermöglicht eine problemlose Verwendung von Substraten, die das gleiche Halbleitermaterial aufweisen. Ferner können die erforderlichen Strukturen der Plattenelemente leicht mittels photolithographischer Prozesse mit hoher Genauigkeit hergestellt werden. Es ist auch denkbar eine der ersten Vertiefung entsprechende Vertiefung im zweiten Plattenelement vorzusehen, die dann gemeinsam mit der ersten Vertiefung eine Unterdruckkammer bilden würde. Auch ist es möglich die Abstandshalter an dem zweiten Plattenelement oder auch an beiden Plattenelementen auszubilden. Ferner könnte beide Plattenelemente jeweils eine Vielzahl von zweiten Öffnungen aufweisen, was ein Ansaugen von Substraten an beide Seiten der Ansaugeinheit ermöglichen würde.

Claims

Vorrichtung zum Ansaugen eines wenigstens teilweise aus einem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium bestehenden Substrats mittels Vakuum, wobei die Vorrichtung wenigstens ein erstes und ein zweites Plattenelement aufweist, die jeweils aus Halbleitermaterial bestehen, und einander in wenigstens ihrem Randbereich im Wesentlichen umlaufend kontaktieren, wobei die Seite des ersten Plattenelements, die zum zweiten Plattenelement weist, derart bearbeitet ist, dass sie wenigstens eine Vertiefung zur Bildung einer Unterdruckkammer zwischen den Plattenelementen bildet, wobei die Unterdruckkammer mit wenigstens einer ersten Öffnung zum Anschluss einer Unterdruckquelle in Verbindung steht, und wobei wenigstens eines der Plattenelemente eine Vielzahl von zweiten Öffnungen aufweist, die mit der Kammer in Verbindung stehen und die zum Ansaugen des Substrats angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von zweiten Öffnungen in einem Flächenbereich ausgebildet ist, der an die Form eines anzusaugenden Substrats angepasst ist, und der kleiner ist als das anzusaugende Substrat.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Vielzahl von zweiten Öffnungen in dem zweiten Plattenelement ausgebildet ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, wobei die Seite des ersten Plattenelements, die zum zweiten Plattenelement weist, derart bearbeitet ist, dass die Vertiefung um eine Vielzahl von Abstandhaltern herum ausgebildet ist, die geeignet sind die zum ersten Plattenelement weisende Seite des zweiten Plattenelements zu kontaktieren.
Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Abstandshalter so angeordnet sind, dass sie versetzt zu den zweiten Öffnungen liegen.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine erste Öffnung radial nach außen bezüglich eines durch die Vielzahl von zweiten Öffnungen begrenzten Bereichs versetzt ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweiten Öffnungen eine vorbestimmte Verteilung besitzen, die an eine Verteilung von Strukturen des anzusaugenden Substrats angepasst ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens eines der Plattenelemente aus hoch dotiertem Silizium besteht.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens eines der Plattenelemente aus demselben Halbleitermaterial besteht wie das Substrat oder dessen Teilbereiche aus Halbleitermaterial.
Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleitersubstraten, die folgendes aufweist: wenigstens eine Prozesskammer zur Aufnahme des Substrats; wenigstens eine Vorrichtung zum Ansaugen eines Substrats nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vorrichtung zum Ansaugen eines Substrats in der Prozesskammer angeordnet ist; und wenigstens eine Strahlungsquelle die angeordnet ist, Strahlung in die Prozesskammer zu emittieren.
Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei wenigstens eine Strahlungsquelle so angeordnet ist, dass sie Strahlung in Richtung eines Plattenelements emittiert, das keine Vielzahl von zweiten Öffnungen aufweist.