DE102005045718B4 - Träger für ein Substrat - Google Patents

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Abstract

Träger für ein Substrat, wobei wenigstens Teile des Trägers aus einem Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bestehen, der größer als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats ist, dadurch gekennzeichnet, dass in einem vorgegebenen Bereich des Trägers (1) ein Steg (17) mittig befestigt ist, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient kleiner als der des Bereichs ist, an dem er befestigt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Träger nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • In Sputteranlagen werden oft Substrate an einem so genannten Target vorbeigeführt, von dessen Oberfläche Teilchen zerstäubt werden, die sich auf dem Substrat niederschlagen. Als Substrate kommen zum Beispiel Glasscheiben in Frage, die durch eine Inline-Sputter-Anlage transportiert werden. Diese Glasscheiben sind in einen Rahmen eingelassen, der mit einer Transportvorrichtung verbunden ist.
  • So ist eine Vorrichtung für den Transport von Substraten in und durch Vakuum-Behandlungsanlagen bekannt, die ein massives Fußteil aufweist, das aus zwei Radsätzen besteht, die mit einer Schiene und einem Stützlager korrelieren ( DE 41 39 549 A1 ). Hierbei werden die zu behandelnden Substrate mittels eines rechteckigen Substrathalters gehalten.
  • Weiterhin ist ein ringförmiger Substrathalter für die Halterung einer runden Substratscheibe bekannt, wobei dieser Substrathalter seinerseits von vier gleichverteilten Haltearmen gehalten wird ( DE 102 11 827 C1 ).
  • Weisen die in Rahmen gehaltenen Substrate einen anderen Wärmeausdehnungskoeffizienten auf als der Rahmen selbst, können die Substrate an den Rändern ungleichmäßig und einseitig in zu hohem Maße abgedeckt werden. Bei Wafern spricht man dann von einer „edge exclusion", d. h. von einem peripheren Bereich des Wafers, der nicht beschichtet wird.
  • Bei einem weiteren bekannten Substrathalter, der als Rahmen ausgebildet ist ( JP 09217173 A ), spielen die Wärmeausdehnungskoeffizienten keine Rolle.
  • Ferner ist ein Substrathalter bekannt, der aus Ti oder einer Ti-Legierung besteht ( JP 04325679 A ). Hierdurch soll erreicht werden, dass sich der Substrathalter bei hoher Temperatur nur wenig verformt. Das Problem der „edge exclusion" ist nicht angesprochen.
  • Es ist auch eine Haltevorrichtung zum Bilden eines Films auf einem Glassubstrat bekannt, die mit einem Verriegelungshaken versehen ist ( JP 2004211133 A ). Die nicht beschichteten Teile eines Substrats spielen hierbei ebenfalls keine Rolle. Entsprechendes gilt für die Substrathalter, die in der JP 2000129441 A und in der JP 05230651 A beschrieben sind.
  • Schließlich ist auch noch ein Halterahmen zum Festhalten von einem scheibenartigen Substrat bekannt, das einen Halterahmen aufweist, der biegeweich ausgebildet ist ( CH 684 602 A5 ). Das Problem, dass periphere Bereiche von Substraten nicht beschichtet werden, ist in dieser Druckschrift nicht angesprochen.
  • Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen Träger für Substrate zu schaffen, bei dem die Substrate am Rand gleichmäßig und nicht zu stark abgedeckt werden.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Die Erfindung betrifft somit einen Träger für ein Substrat, wobei wenigstens Teile des Trägers aus einem Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bestehen, der größer als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats ist. Um eine ungleichmäßige Beschichtung des Substrats an den Rändern, insbesondere beim Sputter-Verfahren, zu vermeiden oder wenigstens zu verringern, wird ein Steg mittig mit dem Träger verbunden. Dieser Steg hat einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten als der Bereich des Trägers, an dem er befestigt ist.
  • Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, dass durch die Kombination von leichtem, kostengünstigem Aluminium, das sich sehr stark ausdehnt, mit einer Zentrierung aus einem sich weniger stark ausdehnenden Material, z. B. Titan eine „edge exclusion" verringert wird.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1a bis 1c Prinzipdarstellungen eines Substratträgers mit einem Substrat bei verschiedenen Wärmedehnungen;
  • 2 einen rahmenförmiger Substratträger mit einem Steg aus einem Material mit relativ kleinem Wärmeausdehnungskoeffizienten, beispielsweise aus Titan;
  • 3a bis 3c schematische Darstellungen zur Erläuterung der Wirkungsweise der Erfindung;
  • 4 einen Schnitt B-B durch die Vorrichtung der 3a.
  • In den 1a bis 1c ist das Prinzip der Lagerung eines flächigen Substrats 2 auf Stegen 3, 4 eines herkömmlichen Substratträgers 1 dargestellt. Anhand dieser Figur soll die Problematik aufgezeigt werden, die es zu lösen gilt. Bei dem Substrat 2 soll es sich um Glas handeln, während der Substratträger 1 aus Aluminium besteht.
  • Die 1a zeigt den Zustand bei etwa 20°C (0°C = 273,15 K, d. h. 20°C = 293,15 K). Die Enden 40, 41 des Substrats 2 stoßen hierbei an die Vorsprünge 42, 43 der Stege 3, 4 an. Mit 44 ist diejenige Seite des Substrats 2 bezeichnet, die beschichtet werden soll. In der in 1a gezeigten Position des Substrats 2 würden diejenigen Bereiche a, b, die von den Stegen 3, 4 abgedeckt werden, nicht beschichtet, wenn gesputtert würde. Die Bereiche a und b sind hierbei gleich groß.
  • Das Sputtern findet indessen bei einer beispielsweise um 220 K (= ca. 513,15 K) höheren Temperatur statt, bei welcher sich Glas und Aluminium unterschiedlich ausdehnen. Die Darstellungen der 1b und 1c zeigen, wie sich diese unterschiedliche Ausdehnung auswirkt. Die miteinander verbundenen Stege 3, 4 aus Aluminium – die Verbindungen sind nicht dargestellt – wandern hierbei weitaus mehr nach der Seite hin als das Substrat 2. Dabei kann es zu zwei verschiedenen Konstellationen kommen, von denen die eine in 1b und die andere in 1c dargestellt ist.
  • Wie die Praxis zeigt, liegt einer der Endbereiche 45, 46 des Substrats 2 immer etwas fester als der andere auf den Stegen 3, 4, mit dem Ergebnis, dass ein Endbereich – in 1b der Endbereich 46 – sich von dem Vorsprung 42 entfernt, während der andere Endbereich 45 seine ursprüngliche Position beibehält.
  • Hierdurch wird das Substrat 2 im Endbereich 46 fast vollständig beschichtet, während der Endbereich 45 unbeschichtet bleibt.
  • 1c zeigt den Fall, dass der Endbereich 46 in seiner ursprünglichen Lage verbleibt, während der Endbereich 45 relativ zum Steg 4 wandert.
  • In 1b findet somit die „edge exclusion" im Endbereich 45, in 1c dagegen im Endbereich 46 statt.
  • Handelt es sich bei dem Substrat um eine 1950 mm breite Glasscheibe und beträgt die Temperaturdifferenz zum Beispiel ΔT = 220 K, so ergibt sich für das Glas eine Wärmedehnung von 1,6 mm und für Aluminium eine Wärmedehnung von 10,2 mm. Die Strecke E beträgt somit 8,6 mm.
  • In der 2 ist ein erfindungsgemäßer Substratträger 1 mit dem Substrat 2 dargestellt. Bei dem Substrat 2 handelt es sich wieder um eine Glasscheibe. Der Substratträger 1 wird im Wesentlichen durch einen Rahmen mit zwei vertikalen Stegen 3, 4 und zwei horizontalen Platten 5, 6 gebildet. Bei den vertikalen Stegen 3, 4 handelt es sich beispielsweise um Stege aus Titan. Sie können jedoch auch aus einem anderen Material bestehen. Die horizontalen Platten 5, 6 bestehen vorzugsweise aus Aluminium und sind über Schrauben oder Nieten 7, 8, 9, 10 bzw. 11 bis 16 mit den Enden der vertikalen Stege 3, 4 verbunden. Dicht unterhalb des Substrats 2 verläuft ein relativ dünner Steg 17 aus Titan, der an seinen Enden jeweils einen nach oben gerichteten Finger 18, 19 aufweist. Dieser Steg 17 ist über eine Schraube 20 oder dergleichen mittig mit der Aluminium-Platte 6 verbunden. In der Aluminium-Platte 6 ist unter dem Steg 17 eine nicht dargestellte Rinne vorgesehen, durch welche der Titan-Steg 17 geführt wird.
  • Wird das Substrat 2 ohne den Steg 17 und die Finger 18, 19 – also nur auf den Aluminium-Platten 5, 6 aufliegend – durch eine erhitzte Sputterkammer transportiert, so dehnen sich die Aluminium-Platten 5, 6 stärker aus als das aus Glas bestehende Substrat 2. Die Stege 3, 4 entfernen sich also voneinander – wie in den 1a bis 1c dargestellt –, was bedeutet, dass das Substrat 2 nicht mehr durch diese Stege 3, 4 begrenzt wird. Das Substrat 2 kann sowohl mit seiner linken Kante (vgl. 1c) am Steg 3 als auch mit seiner rechten Kante (vgl. 1b) am Steg 4 liegen. In beiden Fällen liegt es nicht mehr zentrisch zu den Stegen 3, 4, was zu ungleichmäßig beschichteten Rändern des Substrats 2 führen kann.
  • Liegt dagegen das Substrat 2 zwischen den Fingern 18, 19 des Titan-Stegs 17, so bleibt das Substrat 2 zentriert, weil der Titan-Steg 17 in seiner Mitte mit der Mitte der Aluminium-Platte 6 verbunden ist. Der Titan-Steg 17 wandert symmetrisch zur Schraube 20 nach links und nach rechts.
  • Da Titan einen wesentlich geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als Aluminium besitzt, verschiebt sich das Substrat 2 relativ zu den Fingern 18, 19 nur gering. Es bleibt somit relativ zu den vertikalen Stegen 3, 4 zentriert.
  • In den 3a bis 3c ist dies noch einmal im Prinzip dargestellt.
  • Die 3a zeigt die Situation bei etwa 20°C. Die Finger 18, 19 des Titan-Stegs 17 stoßen hierbei einerseits an die Vorsprünge 42, 43 und andererseits an die Enden 40, 41 des Substrats.
  • Bei einer beispielsweise um 220 K erhöhten Temperatur stellt sich entweder die Konstellation gemäß 3b oder die Konstellation gemäß 3c ein.
  • Da sich Titan weitaus weniger als Aluminium bei zunehmender Wärme dehnt, hat das Substrat 2 nur ein geringes Spiel c bzw. d gegenüber dem Finger 19 bzw. 18 des Titan-Stegs 17. Die Beschichtung des Substrats 2 ist somit wesentlich gleichmäßiger als im Fall der 1b und 1c. Bei einer Temperaturdifferenz von 220 K dehnt sich der Titan-Steg 17 bei einer angenommenen Breite nur um 3,5 mm aus. Die Abstände c und d betragen damit nur 1,9 mm. Statt Titan können auch andere Materialien mit geringerer Wärmeausdehnung verwendet werden, z. B. Keramiken, die gegebenenfalls mit Glasfasern verstärkt sind.
  • In der 4 ist ein Schnitt B-B durch die Anordnung gemäß 3a gezeigt. Man erkennt hierbei wieder die Finger 18, 19 des Titan-Stegs 17. Der Rahmen 3, 4, 50 ist hierbei überall aus dem gleichen Material, z. B. aus Aluminium.

Claims (10)

  1. Träger für ein Substrat, wobei wenigstens Teile des Trägers aus einem Material mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten bestehen, der größer als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats ist, dadurch gekennzeichnet, dass in einem vorgegebenen Bereich des Trägers (1) ein Steg (17) mittig befestigt ist, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient kleiner als der des Bereichs ist, an dem er befestigt ist.
  2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Steg (17) an seinen Enden Vorsprünge (18, 19) aufweist, zwischen denen ein Ende des Substrats (2) liegt.
  3. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (1) rahmenförmig ausgebildet ist.
  4. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens Teile (5, 6) des Trägers (1) aus Aluminium bestehen.
  5. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er zwei vertikale Stege (3, 4) und zwei horizontale Platten (5, 6) aufweist, wobei die horizontalen Platten (5, 6) aus Aluminium bestehen.
  6. Träger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden vertikalen Stege (3, 4) aus Titan bestehen.
  7. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) eine Glasscheibe ist.
  8. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der an dem Träger (1) befestigte Steg (17) aus Titan besteht.
  9. Träger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die horizontalen Platten (5, 6) mit den Enden der vertikalen Stege (3, 4) des Trägers (1) verbunden sind und der Steg (17) mit der unteren der horizontalen Platten (6) mittig in Verbindung steht.
  10. Rahmenförmiger Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (6), auf welcher der Steg (17) angeordnet ist, eine horizontale Führung für diesen Steg (17) aufweist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2423350A1 (de) 2010-08-27 2012-02-29 Applied Materials, Inc. Substratträger und Aufbauverfahren dafür

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101029937B1 (ko) * 2010-09-24 2011-04-19 김철수 캐리어 프레임 구조
CN102615605A (zh) * 2011-01-31 2012-08-01 进准光学(江苏)有限公司 夹具
GB2489474A (en) * 2011-03-29 2012-10-03 Kromek Ltd Crystal growth apparatus
TWI491755B (zh) * 2011-12-13 2015-07-11 聯華電子股份有限公司 基材載具及其應用
TW201424873A (zh) * 2012-12-21 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 清洗裝置
KR101488879B1 (ko) * 2013-01-18 2015-02-04 주식회사 대고테크 캐리어 프레임 구조
WO2017170125A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社アルバック 透明導電膜付き基板の製造方法、透明導電膜付き基板の製造装置、透明導電膜付き基板、及び太陽電池

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04325679A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Vacuum Metallurgical Co Ltd 基板ホルダー
JPH05230651A (ja) * 1992-02-24 1993-09-07 Nikon Corp スパッタ成膜基板ホルダ−
CH684602A5 (de) * 1991-11-06 1994-10-31 Balzers Hochvakuum Halterahmen zum Festhalten von einem scheibenartigen Substrat.
JPH09217173A (ja) * 1996-02-14 1997-08-19 Nissin Electric Co Ltd 基板保持装置およびそれへの基板装着方法
JP2000129441A (ja) * 1998-10-27 2000-05-09 Read Rite Smi Kk スパッタリング装置における基板保持方法、並びに、プラズマ雰囲気中で基板表面に薄膜を形成する装置の基板ホルダー
JP2004211133A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Optrex Corp ガラス基板成膜用治具

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789464A (en) * 1980-11-21 1982-06-03 Daido Steel Co Ltd Free-cutting austenitic stainless steel
JPH04288881A (ja) * 1991-03-18 1992-10-13 Central Glass Co Ltd 太陽電池の製造方法並びにその装置
DE4139549A1 (de) 1991-11-30 1993-06-03 Leybold Ag Vorrichtung fuer den transport von substraten
JPH07102366A (ja) * 1993-10-01 1995-04-18 Vacuum Metallurgical Co Ltd 薄膜形成装置
DE4425874A1 (de) 1994-07-09 1996-01-11 Ges Zur Foerderung Angewandter Optik Optoelektronik Quantenelektronik & Spektroskopie Ev Substratträger
JP3540504B2 (ja) 1996-04-24 2004-07-07 三菱重工業株式会社 基板搬送装置
CH691308A5 (de) 1996-05-10 2001-06-29 Satis Vacuum Ind Vertriebs Ag Substrat-Träger für Vakuum-Beschichtungsanlagen.
WO1998053484A1 (en) * 1997-05-20 1998-11-26 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
US6168668B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
US6022298A (en) * 1999-02-19 2000-02-08 Svedarsky; Alex Exercise device
US6623563B2 (en) * 2001-01-02 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Susceptor with bi-metal effect
DE10211827C1 (de) 2002-03-16 2003-10-30 Karlsruhe Forschzent Lagerung eines Substrathalterrades mit darin eingebautem/verankertem Substrathalter
JP2004059990A (ja) 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成膜装置
DE10355682B4 (de) 2003-11-28 2008-10-30 Singulus Technologies Ag Trägeranordnung
DE10355679B4 (de) 2003-11-28 2008-08-14 Singulus Technologies Ag Substratträger, Vorrichtung und Verfahren zum Handhaben des Substratträgers und Verwendung in Beschichtungsprozessen
KR101002936B1 (ko) * 2003-12-17 2010-12-21 삼성전자주식회사 캐리어 기판, 이를 이용한 플라스틱 기판의 적층 방법 및유연한 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2006117995A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Alps Electric Co Ltd スパッタ装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04325679A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Vacuum Metallurgical Co Ltd 基板ホルダー
CH684602A5 (de) * 1991-11-06 1994-10-31 Balzers Hochvakuum Halterahmen zum Festhalten von einem scheibenartigen Substrat.
JPH05230651A (ja) * 1992-02-24 1993-09-07 Nikon Corp スパッタ成膜基板ホルダ−
JPH09217173A (ja) * 1996-02-14 1997-08-19 Nissin Electric Co Ltd 基板保持装置およびそれへの基板装着方法
JP2000129441A (ja) * 1998-10-27 2000-05-09 Read Rite Smi Kk スパッタリング装置における基板保持方法、並びに、プラズマ雰囲気中で基板表面に薄膜を形成する装置の基板ホルダー
JP2004211133A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Optrex Corp ガラス基板成膜用治具

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Pat. Abstr. of Jp. & JP 04325679 A *
Pat. Abstr. of Jp. & JP 05230651 A *
Pat. Abstr. of Jp. & JP 09217173 A *
Pat. Abstr. of Jp. & JP 2000129441 A *
Pat. Abstr. of Jp. & JP 2004211133 A *
Pat. Abstr. of Jp. 09217173 A Pat. Abstr. of Jp. 04325679 A Pat. Abstr. of Jp. 2004211133 A Pat. Abstr. of Jp. 2000129441 A Pat. Abstr. of Jp. 05230651 A

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2423350A1 (de) 2010-08-27 2012-02-29 Applied Materials, Inc. Substratträger und Aufbauverfahren dafür
WO2012025484A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Applied Materials, Inc. Carrier for a substrate and a method for assembling the same

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US20070069351A1 (en) 2007-03-29

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