DE102011116988B4

DE102011116988B4 - Entfernbare Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands von Substraten

Info

Publication number: DE102011116988B4
Application number: DE102011116988.5A
Authority: DE
Inventors: Buu Diep; Roland W. Gooch
Original assignee: Raytheon Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 2010-11-05
Filing date: 2011-10-26
Publication date: 2020-11-05
Anticipated expiration: 2031-10-27
Also published as: IL216011A; US9073298B2; IL216011A0; TW201232718A; FR2967301B1; US8454789B2; FR2967301A1; TWI484599B; JP5823252B2; JP2012104815A; US20120111492A1; US20130255876A1; DE102011116988A1

Abstract

Vorrichtung mit
einem Aufbringsystem (20), eingerichtet zum Aufbringen einer Anordnung (60) zur Kontrolle eines Verbindungsabstands auf eine Außenseite eines ersten Substrats (50; 50a), wobei die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands die Geometrie der Verbindungslinie (62) eines Verbindungsmaterials (64) bestimmt, und zum Aufbringen des Verbindungsmaterials (64) auf die Außenseite des ersten Substrats (50; 50a);
einem Verbindungssystem (24), eingerichtet zum Verbinden des ersten Substrats (50; 50a) mittels des Verbindungsmaterials (64) mit einem zweiten Substrat (50b), um eine Verbundstruktur (70) zu erhalten; und
einem Entfernungssystem (26), das die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands nach dem Verbinden des ersten Substrats (50; 50a) mit dem zweiten Substrat (50b) zumindest teilweise wieder von der Verbundstruktur (70) entfernt,
dadurch gekennzeichnet, dass
das zweite Substrat (50b) mit Hilfe der Verbindungslinie (62) des Verbindungsmaterials (64) einen abgeschlossenen Bereich (52; 74) auf dem ersten Substrat (50; 50a) ausbildet,
und
das Aufbringsystem (20) die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands außerhalb des abgeschlossenen Bereichs (52; 74) an der Außenseite des ersten Substrats (50; 50a) aufbringt.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Substrate mit elektronischen Schaltungen und insbesondere entfernbare Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstands von Substraten mit elektronischen Schaltungen.
US 2008/0217709 A1 offenbart ein System zur Unterteilung von MEMS-Einheiten mit den Merkmalen des Oberbegriffs des vorliegenden Anspruchs 1. Weitere herkömmliche Systeme sind in DE 10 2004 043 663 A1 und US 2009/0029500 A1 beschrieben.
Ein Substrat mit elektronischen Schaltungen kann zum Beispiel aus einem Halbleiterwafer bestehen. Ein Halbleiterwafer ist eine dünne Scheibe aus einem Halbleitermaterial, auf und in dem die elektronischen Schaltungen ausgebildet sind. Mehrere solcher Halbleiterwafer können mittels eines Verbindungsmaterials zu einer Verbundstruktur zusammengefasst werden. Zum Beispiel können ein Bauteilwafer und ein Abdeckwafer mittels eines Klebers oder mittels Lot verbunden werden, um ein mikroelektromechanisches System (MEMS) zu bilden. Bei manchen Anwendungen ist es dabei erforderlich, dass das Verbindungsmaterial eine im Wesentlichen gleichmäßige Verbindungslinie ausbildet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anordnung zu schaffen, die auf eine einfache Weise zuverlässig eine solche gleichmäßige Verbindungslinie herstellt.
Diese Aufgabe wird mit der Vorrichtung nach Patentanspruch 1 und dem Verfahren nach Patentanspruch 2 gelöst. Die Unteransprüche beschreiben jeweils vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens.
Demgemäß wird erfindungsgemäß eine entfernbare Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands auf die Außenseite eines ersten Substrats aufgebracht. Die Anordnung dient dazu, die Geometrie der Verbindungslinie zu kontrollieren, die von einem Verbindungsmaterial gebildet wird. Das Verbindungsmaterial wird ebenfalls auf die Außenseite des ersten Substrats aufgebracht und das erste Substrat mittels des Verbindungsmaterials mit einem zweiten Substrat verbunden. Anschließend wird die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands vollständig oder teilweise wieder von den Substraten entfernt.
Die erfindungsgemäße Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands zwischen zwei Substraten hat den Vorteil, dass die Anordnung nach dem Verbinden der beiden Substrate zumindest teilweise und vorzugsweise vollständig wieder entfernt wird. Die Anordnung kann daher von einer Vielzahl von Materialien gebildet werden, wobei auch Materialien verwendet werden können, deren Vorhandensein bei nachfolgenden Bearbeitungsprozessen an den Substraten Probleme bereiten würden.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

1 in Blockform ein Beispiel für ein System, bei dem eine entfernbare Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands zwischen zwei miteinander verbundenen Substraten verwendet wird;
2 in der Form eines Ablaufdiagramms ein Beispiel für ein Verfahren zum Verbinden von Substraten;
3 eine Ausführungsform einer entfernbaren Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands auf einem Substrat; und
4A und 4B ein Beispiel für eine Verbundstruktur, die mittels einer entfernbaren Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands zwischen zwei Substraten erhalten wird.

Anhand der 1 bis 4 der Zeichnung werden nun Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert, wobei in den verschiedenen Darstellungen für gleiche und einander entsprechende Teile die gleichen Bezugszeichen verwendet werden.
Die 1 zeigt in Blockform ein Beispiel für ein System 10, bei dem eine entfernbare Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands zwischen miteinander verbundenen Substraten verwendet wird. Die Substrate können zum Beispiel Siliziumwafer sein, die mit Hilfe eines Verbindungsmaterials miteinander verbunden werden. Nach dem Verbinden formt das Verbindungsmaterial zwischen den beiden Substraten eine Verbindungslinie aus. Die Gleichmäßigkeit der Verbindungslinie wird davon beeinflusst, wie eben die Substrate sind und auch davon, wie gleichmäßig die Verbindungskraft einwirkt, die beim Verbinden der Substrate aufgebracht wird.
Zur Steuerung und Kontrolle der Gleichmäßigkeit der Verbindungslinie wird bei dem System 10 eine Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands zwischen den miteinander verbundenen Substraten verwendet. Die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann als mechanische Begrenzung dienen, die verhindert, dass sich das Verbindungsmaterial in einer nicht erwünschten Weise ausbreitet. Die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands ist entfernbar, das heißt sie kann bei der Weiterbearbeitung der miteinander verbundenen Substrate wieder entfernt werden. Bei dem System 10 wird die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands nach dem Verbinden der beiden Substrate teilweise oder vollständig wieder entfernt. Da die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands wieder entfernt wird, kann sie auch aus einem Material bestehen, das, wenn es weiter vorhanden wäre, bei der Weiterbearbeitung der Substrate Probleme verursachen würde. Nicht störende Teile der Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands können auf den Substraten verbleiben.
Bei dem System 10 können Substrate in der Form von Wafern verwendet werden. Der Wafer kann aus einem Halbleitermaterial wie Silizium oder Germanium, aus Keramik oder einem anderen Material wie Glas bestehen. Der Wafer kann zur Herstellung von integrierten Schaltungen und anderen Mikroelementen verwendet werden und dabei als Substrat für mikroelektronische Einrichtungen dienen, die in und am Substrat ausgebildet werden. Auf diese Weise können die Substrate zu mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), mikrooptoelektromechanischen Systemen (MOEMS), Infrarotdetektoren und dergleichen ausgebildet werden.
Bei dem in der 1 gezeigten Beispiel umfasst das System 10 ein Aufbringsystem 20, ein Verbindungssystem 24 und ein Entfernungssystem 26. Das Aufbringsystem 20 bringt eine Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands und ein Verbindungsmaterial auf die Außenseite eines ersten Substrats auf. Die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands kontrolliert die Geometrie der Verbindungslinie, die das Verbindungsmaterial ausbildet. Das Verbindungssystem 24 verbindet das erste Substrat mittels des Verbindungsmaterials mit einem zweiten Substrat, um so eine Verbundstruktur zu erhalten. Das Entfernungssystem 26 entfernt die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands teilweise oder vollständig wieder aus der Verbundstruktur.
Das Aufbringsystem 20 bringt beim Aufbringen der Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands und des Verbindungsmaterials das jeweils dafür geeignete Material auf die Außenseite des ersten Substrats auf. Die Materialien können dabei zum Beispiel durch Aufsprühen mittels eines Druckkopfes wie bei einem Tintenstrahldrucker oder durch eine Düse, die physikalisch oder elektromechanisch Material ausstößt; durch Aufschleudern; mittels eines durch Stanzen vorgeformten Materials, etwa einer Lötmittel-Vorform; durch Aufdampfen; durch galvanisches Abscheiden, mittels Siebdruck; mit einer Photolithographie oder mit einem anderen Verfahren aufgebracht werden. Für verschiedene Materialien kann das Aufbringsystem 20 verschiedene Methoden anwenden. Zum Beispiel kann durch eine Methode wie das Ausstoßen durch eine Düse die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands abgeschieden werden und mit einer anderen Methode, etwa mittels einer Lötmittel-Vorform, ein Verbindungsmaterial in der Art eines Lötmittels aufgebracht werden.
Die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann aus jedem geeigneten Material bestehen. Die Entfernbarkeit erweitert die Auswahl an den zur Verfügung stehenden Materialien, da die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands nach dem Verbinden der Substrate wieder entfernt wird. Die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann aus einem mit Licht strukturierbaren Polymer bestehen, zum Beispiel dem Photolack SU-8 oder bichloriertem Buten (BCB). Die Verwendung von mit Licht strukturierbaren Materialien ermöglicht die Ausbildung der Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands auf dem Abdecksubstrat oder dem Basissubstrat. Die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann aus einem geeigneten organischen oder anorganischen Material bestehen, zum Beispiel aus Borphosphorsiliziumglas (BPSG) oder Tetraethylorthosilikat (TEOS).
Das Verbindungsmaterial kann ein Lot, ein Klebstoff oder ein anderes Material sein, das zur Verbindung der Substrate zwischen diesen angeordnet wird. Lot ist eine schmelzbare metallische Legierung. Ein Klebstoff ist eine Mischung, die die Substrate miteinander verbindet und die Substrate aneinander haften lässt. Beispiele für Klebstoffe sind Wärme- oder UV-aktivierte Epoxydharze.
Das Verbindungssystem 24 verbindet die Substrate auf eine geeignete Weise. Das Verbindungssystem 24 richtet die zu verbindenden Substrate zueinander aus, wobei auf einem Substrat oder mehreren der Substrate das Verbindungsmaterial aufgebracht ist. Das Verbindungssystem 24 übt dann Wärme und/oder Druck auf eines oder mehrere der Substrate aus, um die Substrate miteinander zu verbinden.
Das Entfernungssystem 26 entfernt eine oder mehrere der Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstandes nach dem Verbinden der Substrate zumindest teilweise wieder. Vorzugsweise werden die Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstandes nach dem Verbinden der Substrate vollständig wieder entfernt. Das Entfernungssystem 26 kann zum Beispiel die Substrate beschneiden, etwa durch Sägen und/oder Laserschneiden, und dabei die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstandes zumindest teilweise wieder entfernen. Das Entfernungssystem 26 kann zum Entfernen der Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstandes auch die Kraft eines Flüssigkeitsstrahls anwenden, zum Beispiel durch das Ausstoßen von Wasser aus einer Düse. Das Entfernungssystem 26 kann die Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstandes auch chemisch entfernen, etwa durch Säureätzen und/oder durch Auflösen in einem Lösungsmittel.
Das System 10 kann weitere bzw. zusätzliche Systeme umfassen. Zum Beispiel kann das System 10 ein Drucksystem enthalten, das ein Muster auf ein Substrat drucken kann, und/oder ein Plasma-Reinigungssystem, das ein Substrat vor dem Verbinden mit anderen Substraten reinigt.
Die 2 zeigt ein Beispiel für ein Verfahren zum Verbinden von Substraten, das mit dem System 10 ausgeführt werden kann. Das Verfahren beginnt mit dem Schritt 110, in dem ein erstes Substrat aufgenommen wird. Im Schritt 114 wird bzw. werden auf die Außenseite des ersten Substrats ein oder mehrere Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstands aufgebracht. Dabei bringt das Aufbringsystem 20 etwa mittels des Ausstoßens durch Düsen die Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstands auf die Außenseite des ersten Substrats auf. Die Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstands werden dabei in bestimmten Bereichen aufgebracht, damit die Anordnungen die Geometrie der Verbindungslinie des Verbindungsmaterials steuern und kontrollieren können. Im Schritt 118 wird dann das Verbindungsmaterial auf die Außenseite des ersten Substrats aufgebracht. Das Verbindungsmaterial kann dabei vom Aufbringsystem 20 aufgebracht werden.
Im Schritt 120 wird das erste Substrat mit Hilfe des Verbindungsmaterials mit einem zweiten Substrat verbunden, um eine Verbundstruktur zu erhalten. Das Verbindungssystem 24 richtet dabei das erste und das zweite Substrat zueinander aus und wendet dann an das erste und/oder zweite Substrat Wärme an und/oder übt Druck darauf aus, um die Substrate miteinander zu verbinden. Im Schritt 124 werden dann eine oder mehrere der Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstands zumindest teilweise wieder von der Verbundstruktur entfernt. Dabei können die Anordnungen zur Kontrolle des Verbindungsabstands zum Beispiel dadurch entfernt werden, dass das Entfernungssystem 26 die Verbundstruktur entlang vorgegebener Schnittlinien zuschneidet. Damit endet das Verfahren.
Die 3 zeigt eine Ausführungsform einer Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands auf einem Substrat 50 mit Chips mit elektronischen Schaltungen. Das Substrat 50 weist als Trennbereiche Sägelinien 54 oder Ritzbereiche auf sowie abgeschlossene Bereiche 52. Eine Sägelinie 54 bezeichnet den Bereich, in dem im Substrat ein Schnitt ausgeführt wird, um das Substrat 50 in die einzelnen Chips aufzuteilen. Ein Ritzbereich dient dem gleichen Zweck, wobei jedoch das Substrat 50 nicht zerschnitten, sondern eingeritzt und anschließend gebrochen wird. Die Mitte der Sägelinie 54 ist in der 3 durch eine strichpunktierte Linie bezeichnet. Die Sägelinien 54 bzw. die Ritzbereiche befinden sich somit in den Bereichen des Substrats 50, entlang denen das Substrat 50 in die einzelnen Chips mit Halbleiterelementen getrennt wird.
Der abgeschlossene Bereich 52 umschließt bestimmte Bauteile eines Chips auf dem Substrat 50. Im abgeschlossenen Bereich 52 wird zum Beispiel ein Vakuum aufrecht erhalten, um die Bauteile darin zu schützen. Zum Beispiel kann ein Dichtring MEMS-Bauteile von der äußeren Umgebung abschirmen.
Auf der Außenseite des Substrats 50 können ein oder mehrere der Anordnungen 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands angeordnet sein. Die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann als mechanische Begrenzung dienen, die die Geometrie der Verbindungslinie 62 des Dichtrings bestimmt. Die Verbindungslinie 62 wird nach dem Verbinden vom Verbindungsmaterial gebildet. Die Geometrie der Verbindungslinie 62 umfasst die Höhe und die Breite der Verbindungslinie 62. Die Höhe der Verbindungslinie 62 gibt den Abstand zwischen den verbundenen Substraten vor, sie wird in der Richtung senkrecht zur ebenen Oberfläche des Substrats 50 gemessen. Die Breite der Verbindungslinie 62 wird längs der flachen Oberfläche des Substrats 50 gemessen.
Anwendungen erfordern in der Regel eine gleichmäßige Geometrie der Verbindungslinie 62. Die Gleichmäßigkeit der Verbindungslinie 62 wird jedoch von der Ebenheit der Substrate und der beim Verbinden aufgebrachten Verbindungskraft bestimmt. Die Anordnung 60 zum Kontrollieren des Verbindungsabstands kontrolliert die Höhe und die Breite der Verbindungslinie 62 und sorgt daher für eine gleichmäßigere Verbindungslinie.
Die Anordnung 60 zum Kontrollieren des Verbindungsabstands kann jede geeignete Form und Größe haben. Zum Beispiel kann die Anordnung 60 zum Kontrollieren des Verbindungsabstands eine Breite im Bereich 1 bis 10, im Bereich 10 bis 50, im Bereich 50 bis 100 oder über 100 Mikrometer (µm) haben, eine Länge im Bereich 50 bis 100, im Bereich 100 bis 200 oder über 200 µm und eine Höhe im Bereich 1 bis 5, im Bereich 5 bis 10, im Bereich 10 bis 20 oder von über 20 µm haben (wobei die Höhe in der Richtung senkrecht zur ebenen Oberfläche des Substrats 50 gemessen wird). Wenn zwischen den Substraten 50 ein Abstand x gewünscht ist, weist die Anordnung 60 zum Kontrollieren des Verbindungsabstands die Höhe x auf. Die Höhe der Anordnung 60 zum Kontrollieren des Verbindungsabstands ist in anderen Fällen größer oder kleiner als x. Die Anordnung 60 zum Kontrollieren des Verbindungsabstands kann eine kontinuierliche Linie sein oder ein Bereich in der Form einer Insel.
Die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann in jedem dafür geeigneten Bereich auf dem Substrat 50 vorgesehen werden. Sie befindet sich dabei vorzugsweise außerhalb der Gebiete, die sie möglicherweise beeinflusst, etwa außerhalb des abgeschlossenen Bereichs 52, um diesen nicht durch Ausgasen und dergleichen zu beeinflussen. Die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands kann sich zum Beispiel in einem Gebiet befinden, in dem keine Schaltungen ausgebildet sind, etwa im Säge- oder Ritzbereich. Die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands befindet sich dabei vorzugsweise in einem Gebiet, das später entfernt wird, etwa im Bereich der Sägelinien 54 oder allgemein in den Trennbereichen des Substrats 50.
Die 4A und 4B zeigen ein Beispiel für eine Verbundstruktur 70, die mit der entfernbaren Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands erhalten wird. In der 4A umfasst die Verbundstruktur 70 ein erstes Substrat, das von einem Bauteilwafer 50a gebildet wird. Auf der Oberseite bzw. Außenseite des Bauteilwafers 50a sind die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands, ein Verbindungsmaterial 64 und Elemente 68 für ein mikroelektromechanisches System (MEMS) angeordnet. Auf der Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands und dem Verbindungsmaterial 64 und über den MEMS-Elementen 68 ist ein zweites Substrat in der Form eines Abdeckwafers 50b angeordnet. Das zweite Substrat bzw. der Abdeckwafer 50b steht mit dem Verbindungsmaterial 64 und der Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands in Kontakt und bildet mit Hilfe des Verbindungsmaterials 64 einen abgeschlossenen Bereich 74 aus, in dem sich die MEMS-Elemente 68 befinden. Die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands weist in der Richtung senkrecht zur Oberfläche des Bauteilwafers 50a eine Höhe t und senkrecht dazu eine Breite w auf. Die Höhe t bestimmt den Abstand des Abdeckwafers 50b vom Bauteilwafer 50a im Bereich des Verbindungsmaterials 64. Die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands befindet sich im Bereich der Sägelinie, entlang der die Verbundstruktur aus dem Bauteilwafer 50a und dem Abdeckwafer 50b in einzelne Chips aufgeteilt wird.
Die 4B zeigt die Verbundstrukturen 70a und 70b, die beim Zerschneiden der Verbundstruktur 70 längs der Sägelinie erhalten werden. Beim Aufteilen der Verbundstruktur 70 entlang der Sägelinien in die einzelnen Strukturen bzw. Chips 70a und 70b wird die Anordnung 60 zur Kontrolle des Verbindungsabstands zumindest teilweise wieder entfernt.
Bezugszeichenliste

10: System
20: Aufbringsystem
24: Verbindungssystem
26: Entfernungssystem
50: Substrat
50a: Bauteilwafer
50b: Abdeckwafer
52: abgeschlossener Bereich
54: Sägelinie
60: Anordnung zur Kontrolle des Verbindungsabstands Abstandhalter
62: Verbindungslinie
64: Verbindungsmaterial
68: MEMS-Element
70(a,b): Verbundstruktur
74: abgeschlossener Bereich

Claims

Vorrichtung mit einem Aufbringsystem (20), eingerichtet zum Aufbringen einer Anordnung (60) zur Kontrolle eines Verbindungsabstands auf eine Außenseite eines ersten Substrats (50; 50a), wobei die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands die Geometrie der Verbindungslinie (62) eines Verbindungsmaterials (64) bestimmt, und zum Aufbringen des Verbindungsmaterials (64) auf die Außenseite des ersten Substrats (50; 50a); einem Verbindungssystem (24), eingerichtet zum Verbinden des ersten Substrats (50; 50a) mittels des Verbindungsmaterials (64) mit einem zweiten Substrat (50b), um eine Verbundstruktur (70) zu erhalten; und einem Entfernungssystem (26), das die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands nach dem Verbinden des ersten Substrats (50; 50a) mit dem zweiten Substrat (50b) zumindest teilweise wieder von der Verbundstruktur (70) entfernt, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Substrat (50b) mit Hilfe der Verbindungslinie (62) des Verbindungsmaterials (64) einen abgeschlossenen Bereich (52; 74) auf dem ersten Substrat (50; 50a) ausbildet, und das Aufbringsystem (20) die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands außerhalb des abgeschlossenen Bereichs (52; 74) an der Außenseite des ersten Substrats (50; 50a) aufbringt.
Verfahren mit den Schritten des Aufbringens einer Anordnung (60) zur Kontrolle eines Verbindungsabstands auf eine Außenseite eines ersten Substrats (50; 50a), wobei die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands die Geometrie der Verbindungslinie (62) eines Verbindungsmaterials (64) bestimmt; des Aufbringens des Verbindungsmaterials (64) auf die Außenseite des ersten Substrats (50; 50a); des Verbindens des ersten Substrats (50; 50a) mittels des Verbindungsmaterials (64) mit einem zweiten Substrat (50b), um eine Verbundstruktur (70) zu erhalten; und des zumindest teilweisen Entfernens der Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands von der Verbundstruktur (70) nach dem Verbinden des ersten Substrats (50; 50a) mit dem zweiten Substrat (50b), dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Substrat (50b) mit Hilfe der Verbindungslinie (62) des Verbindungsmaterials (64) einen abgeschlossenen Bereich (52; 74) auf dem ersten Substrat (50; 50a) ausbildet, und das Aufbringsystem (20) die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands außerhalb des abgeschlossenen Bereichs (52; 74) an der Außenseite des ersten Substrats (50; 50a) aufbringt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, oder Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands ein organisches Material umfasst.
Vorrichtung nach Anspruch 1, oder Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands ein anorganisches Material umfasst.
Vorrichtung nach Anspruch 1, oder Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands in einem Trennbereich (54) an der Außenseite des ersten Substrats (50; 50a) aufgebracht wird, in dem das erste Substrat (50; 50a) in einzelne Chips aufgeteilt wird.
Vorrichtung oder Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Trennbereich eine Sägelinie (54) umfasst, entlang der das erste Substrat (50; 50a) in einzelne Chips zerschnitten wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1, oder Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands durch Ausstoßen an einer Düse an der Außenseite des ersten Substrats (50; 50a) aufgebracht wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1, oder Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands dadurch wenigstens teilweise von der Verbundstruktur (70) entfernt wird, dass die Verbundstruktur (70) so in Teile zerschnitten wird, dass dabei die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands wenigstens teilweise wieder entfernt wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1, oder Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung (60) zur Kontrolle des Verbindungsabstands dadurch wenigstens teilweise von der Verbundstruktur (70) entfernt wird, dass ein Flüssigkeitsstrahl auf die Anordnung (60) gerichtet wird.