DE102011008562B4 - Verfahren zur Bildung von lötbaren Seitenflächen-Anschlüssen von QFN-(Quad No-Lead Frame)-Gehäusen für integrierte Schaltungen - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Bildung eines integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1) mit einem Anschluss (120-1) an einer geschnittenen Seitenfläche (122-1) und einer Unterseite des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1), das Folgendes umfasst:
a) Entfernen von Oxiden von der Seitenfläche (122-1) des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1);
b) Abdecken der Unterseite des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1) mit einer Abdeckung oder Dichtung (225);
c) Bilden eines Lotüberzugs auf der Seitenfläche (122-1) des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1), während die Unterseite des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1) abgedeckt wird und
d) Entfernen der Abdeckung (225) von dem integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) nachdem der Lotbeschichtungsprozess abgeschlossen ist;
- Bilden eines Stapels aus den einzelnen integrierten Schaltungs-Gehäusen (101-1) und Abdeckungen (225) in einer abwechselnden Art und Weise;
- Unterziehen des Stapels einem Lötbad (235), um einen Lotüberzug auf der Seitenfläche (122-1) der Anschlüsse (120-1) der einzelnen integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) auszubilden und,
- nachdem der Lotbeschichtungsprozess vollendet ist, Zerlegen der Stapelanordnung und Unterziehen der integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) einem Reinigungsprozess.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Gehäuse bzw. Packages für integrierte Schaltungen (IS) (im Folgenden auch „IS-Gehäuse“ genannt) und insbesondere auf ein Verfahren zur Bildung von lötbaren Seitenflächen-Anschlüssen von IS-Gehäusen der Bauart ,Quad No-Lead Frame (QFN)' oder dergleichen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bei dem typischen Prozess zur Herstellung von Gehäusen bzw. Packages für integrierte Schaltungen (IS) bzw. IS-Gehäusen der Bauart Quad No-Lead Frame (QFN) oder Thin QFN (TQFN) wird eine Anordnung von abgestützten Halbleiterchips elektrisch mit einem gemeinsamen Anschlussrahmen bzw. Systemträger (Lead Frame) verbunden, und dann werden diese mittels einer Spritzgussmasse gemeinsam eingekapselt. Dann wird die eingekapselte Struktur einem Vereinzelungsprozess unterzogen, bei dem die Struktur würfelig zerschnitten wird, um einzelne IS-Gehäuse zu bilden, die jeweils einen entsprechenden Halbleiterchip und andere zugehörige Elemente einschließen bzw. einkapseln.
  • Gemäß der Offenbarung der DE 10 2008 046 095 A1 wird dementsprechend ein Schneidwerkzeug verwendet, um Haltestege zu durchtrennen und den Halbleiterbaustein von einem Rahmen zu vereinzeln, so dass der Halbleiterbaustein in seiner freistehenden Form bereitgestellt wird.
  • Wie unten noch ausführlicher besprochen werden wird, führt der Vereinzelungsprozess dazu, dass sich eine ungeschützte Seite der Gehäuseanschlüsse ergibt, die dann der Umgebung ausgesetzt ist. Als eine Folge davon können sich auf den Anschlussseiten Oxide bilden, die zu einer schlechten Lötbarkeit der IS-Anschlüsse während einer späteren Montage des IS-Gehäuses auf einer Leiterplatte (PCB; Printed Circuit Board) führen können. Dies wird unter Bezugnahme auf das nachfolgende Beispiel besser erklärt werden.
  • 1A veranschaulicht eine transparente Vorderansicht einer Anordnung 100 von beispielhaften QFN-IS-Gehäusen bzw. -Packages vor dem Vereinzelungsherstellungsschritt. In diesem Beispiel sind zur leichteren Erklärung nur zwei (2) nebeneinander liegende QFN-Gehäuse 101-1 und 101-2 gezeigt. Jedes QFN-Gehäuse (101-1 oder 101-2) kann einen Halbleiterchip (104-1 oder 104-2) umfassen, der mittels einer Klebstoffschicht (108-1 oder 108-2) sicher auf einem Wärmeleitpad bzw. einer Wärmefalle (Thermal Pad) (110-1 oder 110-2) angeordnet ist. Jeder Halbleiterchip (104-1 oder 104-2) umfasst Kontaktpads bzw. Anschlusskontaktflächen (106-1 oder 106-2), die mit einem Kupfer-(Cu)-Anschlussrahmen bzw. -Systemträger 120 durch jeweilige Drahtverbindungen (112-1 oder 112-2) elektrisch gekoppelt sind. In der integrierten Anordnung 100 sind die Kontaktpads von nebeneinander liegenden Halbleiterchips über die entsprechenden Drahtverbindungen mit dem gleichen Anschluss des Anschlussrahmens bzw. Systemträgers 120 elektrisch verbunden. Vor der Vereinzelung wird eine dünne Schicht einer lötbaren Beschichtung 130 (z.B. eine Beschichtung auf Sn-Basis) auf der Unterseite jedes Anschlusses des Anschlussrahmens 120 zum Beispiel unter Verwendung eines Galvanisierungsprozesses ausgebildet. Während der Vereinzelung wird die Anordnung 100 entlang einer im Wesentlichen vertikalen Linie an dem Mittelpunkt zwischen benachbarten QFN-Gehäusen würfelig zerschnitten, wie dies durch die gestrichelten Schnittlinien veranschaulicht ist. Das Schneiden der Anordnung 100 kann unter Verwendung eines Stanzwerkzeugs oder eines Sägewerkzeugs durchgeführt werden.
  • 1 B veranschaulicht eine transparente Vorderansicht des beispielhaften QFN-IS-Gehäuses 101-1 nach der Vollendung des Vereinzelungsherstellungsschrittes. Wie erwähnt worden ist, wird die Unterseite des Anschlusses 120-1 des QFN-IS-Gehäuses 101-1 im Wesentlichen von der lötbaren Beschichtung 130-1 abgedeckt, die darauf aufgebracht worden ist. Dadurch ist die Unterseite des Anschlusses 120-1 vor Oxidation in Folge von Alterung und/oder einer späteren Verarbeitung des QFN-IS-Gehäuses 101-1 geschützt. Aber die lötbare Beschichtung 130-1 ist nicht auf den Seiten der Anschlüsse 120-1 vorhanden, an denen der Schneidevorgang bzw. die Trennung der einzelnen QFN-IS-Gehäuse stattgefunden hat. Demzufolge sind die Seiten der Anschlüsse 120-1 nicht vor einer Oxidation in Folge von Alterung oder einer späteren Verarbeitung geschützt. Somit sind die Seiten der Anschlüsse 120-1 anfällig für eine Oxidation und sind empfindlich, was das Ausgesetztsein gegenüber anderen Verschmutzungen angeht. Die Seitenflächen 122-1 der Anschlüsse 120-1 sind durch eine gepunktete schattierte Darstellung dargestellt, um die oxidierten und verschmutzten Flächen dazustellen, wie dies am besten in 1C gezeigt ist. Solche Flächen weisen allgemein schlechte Lötbarkeitseigenschaften auf, was die Montage des QFN-Gehäuses auf einer PCB schwierig und unzuverlässig machen kann. Die schlechten Lötbarkeitseigenschaften können zur Bildung von Lotkugeln und anderen Defekten führen, die auf den seitlichen Anschlüssen des IS-Gehäuses ausgebildet werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung eines Gehäuses für eine integrierte Schaltung (IS) bzw. eines IS-Gehäuses, das (a) das Entfernen von Oxiden von Seitenflächen von Anschlüssen des IS-Gehäuses; (b) im Wesentlichen das Abdecken einer Unterseite der Anschlüsse des IS-Gehäuses; und (c) das Bilden eines Lotüberzugs auf den Seitenflächen von Anschlüssen der IS-Gehäuse, während die Unterseite der Anschlüsse des IS-Gehäuses abgedeckt werden, umfasst. Der Lotüberzug auf den Seitenflächen der Anschlüsse schützt die Anschlüsse vor einer Oxidation in Folge von Alterung oder nachfolgenden Prozessen. Außerdem verbessert der Lotüberzug auf den Seitenflächen der Anschlüsse beträchtlich die Lötbarkeit des IS-Gehäuses auf Leiterplatten (PCBs) oder anderen Trägern. Dadurch wird auch die Prüfung der Lötbefestigung unter Verwendung von weniger teuren und komplizierten Verfahren möglich.
  • Weitere Aspekte, Vorteile und neuartige Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung offensichtlich, wenn diese in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen betrachtet wird.
  • Figurenliste
    • 1A veranschaulicht eine transparente Vorderansicht einer Anordnung von beispielhaften QFN-IS-Gehäusen vor einem Vereinzelungsherstellungsschritt.
    • 1B veranschaulicht eine transparente Vorderansicht eines der beispielhaften QFN-IS-Gehäuse nach der Vollendung des Vereinzelungsherstellungsschrittes.
    • 1C veranschaulicht eine nicht transparente Seitenansicht eines der beispielhaften QFN-IS-Gehäuse nach der Vollendung des Vereinzelungsherstellungsschrittes.
    • 2 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines beispielhaften Verfahrens zur Bildung eines IS-Gehäuses und Seitenansichten des beispielhaften IS-Gehäuses in verschiedenen Phasen des
  • Verfahrens in Übereinstimmung mit einem Aspekt der Erfin dung.
    • 3 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines anderen beispielhaften Verfahrens zur Bildung eines IS-Gehäuses und Seitenansichten des beispielhaften IS-Gehäuses in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Erfindung.
    • 4 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines beispielhaften Verfahrens zur Verarbeitung einer Vielzahl von IS-Gehäusen und Seitenansichten der IS-Gehäuse in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Erfindung.
    • 5 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines anderen beispielhaften Verfahrens zur Verarbeitung einer Vielzahl von IS-Gehäusen und Seitenansichten der IS-Gehäuse in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der Erfindung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER EXEMPLARISCHEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • 2 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines beispielhaften Verfahrens 200 zur Bildung eines IS-Gehäuses bzw. IS-Package und Seitenansichten des beispielhaften IS-Gehäuses 101-1 in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung. Obwohl ein IS-Gehäuse vom Typ QFN oder TQFN zur Veranschaulichung der Konzepte der hier beschriebenen Methodik verwendet wird, soll es selbstverständlich sein, dass das Verfahren 200 auch bei anderen Typen von IS-Gehäusen angewendet werden kann. Der Ausgangspunkt des Verfahrens 200 ist derjenige, dass das IS-Gehäuse 101-1 bereits dem Vereinzelungsprozess unterzogen worden ist und die Unterseite der Anschlüsse 120-1 mit einer dünnen Schicht eines lötbaren Materials 130-1 überzogen worden ist.
  • In Übereinstimmung mit dem Verfahren 200 werden das IS-Gehäuse 101-1 und vor allem die geschnittenen Seitenflächen 122-1 seiner Anschlüsse 120-1 einem Flussmittel 215 (und/oder einer anderen Lösung und / oder Behandlung) ausgesetzt, um die Oxidation und / oder andere Verschmutzungen von den Seitenflächen 122-1 der Anschlüsse 120-1 im Wesentlichen zu entfernen (Schritt 210). Der Zweck des Schrittes 210 liegt darin, die kupferexponierte Oberfläche 122-1 für eine nachfolgende Lotbeschichtungsoperation vorzubereiten.
  • Dann wird die Unterseite des IS-Gehäuses 101-1 sicher auf einer Abdeckung oder Dichtung 225 (z.B. einer nachgiebigen Gummidichtung, die aus einem gummierten elastischen Material, einem hitzebeständigen Silikon oder einem anderen Material hergestellt ist) angeordnet (Schritt 220). Der Zweck des Schrittes 220 liegt darin, die Lotüberzüge 130-1 auf der Unterseite der Anschlüsse 120-1 davor zu schützen, dass diese dem nachfolgenden Seitenanschluss-Lotbeschichtungsprozess und anderen damit in Beziehung stehenden Chemikalien und Umweltbedingungen ausgesetzt werden. Eine Vorrichtung, wie etwa eine Klemme oder Klammer, kann verwendet werden, um das IS-Gehäuse 101-1 sicher an der Abdeckung 225 anzubringen, wie dies durch die negative Kraft (-F) und die positive Kraft (+F) repräsentiert ist, die jeweils an die Oberseite des IS-Gehäuses und die Unterseite der Abdeckung 225 angelegt werden. Die Vorrichtung sollte das IS-Gehäuse 101-1 sicher an der Abdeckung 225 in einer nicht mechanisch zerstörerischen Art und Weise befestigen, so dass die Vorrichtung die obere Seite des IS-Gehäuses nicht wesentlich zerkratzt. Die Befestigungsvorrichtung sollte auch der Umgebungsbedingung standhalten, die mit dem nachfolgenden Lotbeschichtungsschritt assoziiert ist, da sie dabei Temperaturen von bis zu 220 bis 260°C ausgesetzt sein kann. Die Befestigungsvorrichtung kann zum Beispiel aus einem Kunststoffmaterial hergestellt sein, das solche Temperaturen aushält.
  • Nachdem die Abdeckung 225 sicher an der Unterseite des IS-Gehäuses 101-1 befestigt worden ist, werden die Seitenflächen der Anschlüsse 120-1 einem Lötbad 235 unterzogen, um einen dünnen Lotüberzug 140-1 mit einer niedrigen Oberflächenspannung (z.B. ein auf Sn basierendes Lot) darauf auszubilden (Schritt 230). Der dünne Lotüberzug 140-1 schützt die Seiten der Anschlüsse 120-1 vor der Oxidation und vor anderen ungünstigen Einwirkungen, die sich dadurch ergeben können, dass diese der Umgebung ausgesetzt werden. Außerdem stellt der Lotüberzug 140-1 eine zusätzliche lötbare Fläche der Anschlüsse 120-1 des IS-Gehäuses 101-1 bereit. Dadurch wird die Montage des IS-Gehäuses 101-1 auf einer PCB wesentlich verbessert. Ein akzeptables Kriterium für den dünnen Lotüberzug 140-1 kann sein, dass wenigstens 50 % der Seitenfläche des Anschlusses 120-1 von dem Lotüberzug bedeckt sind.
  • Der Lotbeschichtungsprozess kann zuerst das Durchführen eines langsamen Vorwärmens des IS-Gehäuses 101-1 auf eine Temperatur im Wesentlichen nahe bei der Temperatur des Lötbades 235 in einer mit Stickstoff gespülten bzw. gefüllten Umgebung und dann das Unterziehen des IS-Gehäuses 101-1 dem Lötbad umfassen. Dadurch wird die thermische Beanspruchung bzw. Wärmespannung bei dem IS-Gehäuse 101-1 reduziert. Außerdem wird es dem IS-Gehäuse 101-1, nachdem die Lotbeschichtung 130-1 fertig gestellt ist, erlaubt, langsam abzukühlen, was wiederum erfolgt, um die Wärmespannung bei dem IS-Gehäuse 101-1 zu reduzieren.
  • Nachdem der Lotbeschichtungsprozess abgeschlossen ist, werden die Befestigungsvorrichtung und die Abdeckung 225 von dem IS-Gehäuse 101-1 entfernt, und das IS-Gehäuse wird einem Reinigungsprozess unterzogen (es wird zum Beispiel mit DI-Wasser abgespült), um ein restliches Flussmittel, ein restliches Lot und/oder andere Verschmutzungen von dem IS-Gehäuse zu entfernen (Schritt 240). Außerdem kann das IS-Gehäuse 101-1 einem Lasermarkierungsschritt und einem elektrischen Endtest unterzogen werden, bevor es zu den Endbenutzern zur Endmontage auf Produkten versendet wird.
  • 3 veranschaulicht ein Blockdiagramm eines anderen beispielhaften Verfahrens 300 zur Bildung eines IS-Gehäuses und Seitenansichten des beispielhaften IS-Gehäuses 101-1 in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Erfindung. Wiederum soll es selbstverständlich sein, dass, obwohl ein IS-Gehäuse vom Typ QFN oder TQFN verwendet wird, um die Konzepte der hier beschriebenen Methodik zu veranschaulichen, das Verfahren 300 auch bei anderen Arten bzw. Typen von IS-Gehäusen verwendet werden kann. In ähnlicher Weise ist der Ausgangspunkt des Verfahrens 300 derjenige, dass das IS-Gehäuse 101-1 bereits dem Vereinzelungsprozess unterzogen worden ist und die Unterseite der Anschlüsse 120-1 mit einer dünnen Schicht eines lötbaren Materials 130-1 überzogen worden ist.
  • In Übereinstimmung mit dem Verfahren 300 wird die Unterseite des IS-Gehäuses 101-1 sicher auf einer Abdeckung oder Dichtung 225 (z. B. einer nachgiebigen Gummidichtung, die aus einem gummierten elastischen Material, einem hitzebeständigen Silikon oder aus einem anderen Material hergestellt worden ist) angeordnet (Schritt 310). Der Zweck des Schrittes 310 liegt darin, die Lotüberzüge 130-1 auf der Unterseite der Anschlüsse 120-1 davor zu schützen, dass diese einer nachfolgenden Verarbeitung, wie zum Beispiel Flussmittelaufbringungs- und Lotbeschichtungsprozessen, und anderen damit in Beziehung stehenden Chemikalien und Umweltbedingungen ausgesetzt werden. Eine Vorrichtung, wie zum Beispiel eine Klemme oder Klammer, kann verwendet werden, um das IS-Gehäuse 101-1 sicher an der Abdeckung 225 zu befestigen, wie dies durch die negative Kraft (-F) und die positive Kraft (+F) repräsentiert ist, die jeweils an die Oberseite des IS-Gehäuses und die Unterseite der Abdeckung 225 angelegt werden. Die Vorrichtung soll das IS-Gehäuse 101-1 an der Abdeckung 225 in einer nicht mechanisch zerstörerischen Art und Weise so befestigen, dass die Vorrichtung die obere Seite des IS-Gehäuses nicht wesentlich zerkratzt. Die Befestigungsvorrichtung sollte auch der Umgebungsbedingung standhalten, die mit den nachfolgenden Prozessen assoziiert ist, da sie dabei Temperaturen von bis zu 220 bis 260°C ausgesetzt sein kann. Die Befestigungsvorrichtung kann zum Beispiel aus einem Kunststoffmaterial hergestellt sein, das solche Temperaturen aushalten kann.
  • Dann werden in Übereinstimmung mit dem Verfahren 300 das IS-Gehäuse 101-1 und insbesondere die Seitenflächen 122-1 seiner Anschlüsse 120-1 einem Flussmittel (und / oder einer anderen Lösung und / oder Behandlung) ausgesetzt, um die Oxidation und / oder andere Verschmutzungen von den Seitenflächen 122-1 der Anschlüsse 120-1 im Wesentlichen zu entfernen (Schritt 320). Der Zweck des Schrittes 320 liegt darin, die Oberfläche 122-1 für eine nachfolgende Lotbeschichtungsoperation vorzubereiten. In diesem Fall schützt die Abdeckung 225 den Lotüberzug 130-1 und die Unterseite des IS-Gehäuses 101-1 vor dem Flussmittelaufbringungsprozess.
  • Nachdem die Oxide und Verschmutzungen von der Seitenfläche 122-1 der Anschlüsse 120-1 entfernt sind, werden die Seitenflächen der Anschlüsse 120-1 einem Lötbad 235 unterzogen, um einen dünnen Lotüberzug 140-1 mit einer niedrigen Oberflächenspannung (z.B. ein auf Sn basierendes Lot) darauf auszubilden (Schritt 330). Der dünne Lotüberzug 140-1 schützt die Seiten der Anschlüsse 120-1 vor dem Oxidieren und vor anderen schädlichen Einwirkungen, die durch das Ausgesetztsein gegenüber der Umgebung bedingt sind. Außerdem stellt der Lotüberzug 140-1 eine zusätzliche lötbare Fläche der Anschlüsse 120-1 des IS-Gehäuses 101-1 bereit. Dadurch wird die Montage des IS-Gehäuses 101-1 auf einer PCB beträchtlich verbessert. Ein akzeptables Kriterium für den dünnen Lotüberzug 140-1 kann sein, dass wenigstens 50 % der Seitenfläche des Anschlusses 120-1 von dem Lotüberzug bedeckt werden.
  • Der Lotbeschichtungsprozess kann zuerst das Durchführen eines langsamen Vorwärmens des IS-Gehäuses 101-1 auf eine Temperatur im Wesentlichen nahe bei der Temperatur des Lötbads 235 in einer mit Stickstoff gespülten bzw. gefüllten Umgebung und dann das Unterziehen des IS-Gehäuses 101-1 dem Lötbad umfassen. Dadurch wird die thermische Beanspruchung bzw. Wärmespannung bei dem IS-Gehäuse 101-1 reduziert. Außerdem wird es dem IS-Gehäuse 101-1, nachdem die Lotbeschichtung 130-1 abgeschlossen ist, erlaubt, langsam abzukühlen, was wiederum erfolgt, um die Wärmebeanspruchung bei dem IS-Gehäuse 101-1 zu reduzieren.
  • Nachdem der Lotbeschichtungsprozess abgeschlossen ist, werden die Befestigungsvorrichtung und die Abdeckung 225 von dem IS-Gehäuse 101-1 entfernt, und das IS-Gehäuse wird einem Reinigungsprozess unterzogen (es wird zum Beispiel mit DI-Wasser abgespült), um ein restliches Flussmittel, ein restliches Lot und/oder andere Verschmutzungen von dem IS-Gehäuse zu entfernen (Schritt 340). Außerdem kann das IS-Gehäuse 101-1 einem Lasermarkierungsschritt und einem elektrischen Endtest unterzogen werden, bevor es zu den Endbenutzern zur Endmontage auf Produkten versendet wird.
  • 4 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines beispielhaften Verfahrens 400 zur Verarbeitung einer Vielzahl von IS-Gehäusen und Seitenansichten der IS-Gehäuse in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Erfindung. Das vorliegende Verfahren 400 ist insbesondere für die gleichzeitige Verarbeitung einer Vielzahl von (z.B. zwei oder mehr) IS-Gehäusen geeignet. Obwohl IS-Gehäuse vom Typ QFN oder TQFN zur Veranschaulichung der Konzepte der hier beschriebenen Methodik verwendet werden, soll es selbstverständlich sein, dass das Verfahren 400 auch bei anderen Arten und Typen von IS-Gehäusen angewendet werden kann. In ähnlicher Weise ist der Ausgangspunkt des Verfahrens 400 derjenige, dass die IS-Gehäuse 101-1 bereits dem Vereinzelungsprozess unterzogen worden sind und die Unterseiten ihrer Anschlüsse mit einer dünnen Schicht eines lötbaren Materials überzogen worden sind.
  • In Übereinstimmung mit dem Verfahren 400 werden eine Vielzahl von IS-Gehäusen 101-1 und vor allem ihre Anschluss-Seitenflächen einem Flussmittel 215 (und / oder einer anderen Lösung und/oder Behandlung) ausgesetzt, um die Oxidation und/oder andere Verschmutzungen von den Seitenflächen der Anschlüsse im Wesentlichen zu entfernen (Schritt 410). Der Zweck des Schrittes 410 liegt darin, die kupferexponierten Anschlussflächen für eine nachfolgende Lotbeschichtungsoperation vorzubereiten.
  • Dann wird ein Stapel aus IS-Gehäusen 101-1 und Abdeckungen oder Dichtungen 225 gebildet (Block 420). Bei dieser Stapelanordnung wird die Unterseite jedes IS-Gehäuses 101-1 sicher auf einer Abdeckung oder Dichtung 225 (z.B. einer nachgiebigen Gummidichtung, die aus einem gummierten elastischen Material, einem hitzebeständigen Silikon, etc. hergestellt ist) angeordnet. Der Zweck des Schrittes 420 liegt darin, die Lotüberzüge auf der Unterseite der Anschlüsse davor zu schützen, dass diese dem nachfolgenden Seitenanschluss-Lotbeschichtungsprozess und anderen damit in Beziehung stehenden Chemikalien und Umweltbedingungen ausgesetzt werden. Eine Vorrichtung, wie etwa eine Klemme oder Klammer, wie diese durch die negative Kraft (-F) und die positive Kraft (+F) repräsentiert ist, die jeweils an die oberen und unteren IS-Gehäuse des Stapels angelegt werden, kann verwendet werden, um die Stapelanordnung sicher aufrecht zu erhalten. Die Vorrichtung sollte die Stapelanordnung in einer nicht mechanisch zerstörerischen Art und Weise aufrecht erhalten, so dass sie die obersten und untersten IS-Gehäuse nicht wesentlich zerkratzt. Die Befestigungsvorrichtung sollte auch der Umweltbedingung standhalten, die mit dem nachfolgenden Lotbeschichtungsschritt assoziiert ist, da sie dabei Temperaturen von bis zu 220 bis 260°C ausgesetzt sein kann. Die Befestigungsvorrichtung kann zum Beispiel aus einem Kunststoffmaterial hergestellt sein, das solche Temperaturen aushält.
  • Nachdem die Stapelanordnung gebildet worden ist, werden die Seitenflächen der Anschlüsse der IS-Gehäuse 101-1 einem Lötbad 235 unterzogen, um einen dünnen Lotüberzug mit einer niedrigen Oberflächenspannung (z. B. ein auf Sn basierendes Lot) darauf auszubilden (Schritt 430). Der dünne Lotüberzug schützt die Seiten der Anschlüsse vor der Oxidation und anderen ungünstigen Einwirkungen, die durch das Ausgesetztsein gegenüber der Umgebung bedingt sind. Außerdem stellt der Lotüberzug eine zusätzliche lötbare Fläche der Anschlüsse der IS-Gehäuse 101-1 bereit. Dadurch wird die Montage der IS-Gehäuse 101-1 auf PCBs beträchtlich verbessert. Ein akzeptables Kriterium für den dünnen Lotüberzug kann sein, dass wenigstens 50% der Seitenfläche jedes IS-Gehäuse-Anschlusses von dem Lotüberzug bedeckt sind.
  • Der Lotbeschichtungsprozess kann zuerst das Durchführen eines langsamen Vorwärmens der IS-Gehäuse 101-1 auf eine Temperatur im Wesentlichen nahe bei der Temperatur des Lötbads 235 in einer mit Stickstoff gespülten bzw. gefüllten Umgebung und dann das Unterziehen der IS-Gehäuse 101-1 dem Lötbad umfassen. Dadurch wird die thermische Beanspruchung bzw. Wärmespannung bei den IS-Gehäusen 101-1 reduziert. Außerdem kann es den IS-Gehäusen 101-1, nachdem die Lotbeschichtung vollendet ist, erlaubt werden, langsam abzukühlen, was wiederum erfolgt, um die Wärmebeanspruchung bei den IS-Gehäusen zu reduzieren.
  • Nachdem der Lotbeschichtungsprozess abgeschlossen ist, wird die Stapelanordnung zerlegt und die IS-Gehäuse 101-1 werden einem Reinigungsprozess unterzogen (sie werden zum Beispiel mit DI-Wasser 245 abgespült), um ein restliches Flussmittel, ein restliches Lot und/oder andere Verschmutzungen von den IS-Gehäusen zu entfernen (Schritt 440). Außerdem können die IS-Gehäuse 101-1 einem Lasermarkierungsschritt und einem elektrischen Endtest unterzogen werden, bevor sie zu den Endbenutzern zur Endmontage auf Produkten versendet werden.
  • 5 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines anderen beispielhaften Verfahrens zur Verarbeitung einer Vielzahl von IS-Gehäusen und Seitenansichten der IS-Gehäuse in verschiedenen Phasen des Verfahrens in Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der Erfindung. Das vorliegende Verfahren 500 ist ebenfalls insbesondere für die gleichzeitige Verarbeitung einer Vielzahl von (z.B. zwei oder mehr) IS-Gehäusen geeignet. Obwohl IS-Gehäuse vom Typ QFN oder TQFN zur Veranschaulichung der Konzepte der hier beschriebenen Methodik verwendet werden, soll es selbstverständlich sein, dass das Verfahren 500 auch bei anderen Arten und Typen von IS-Gehäusen angewendet werden kann. In ähnlicher Weise ist der Ausgangspunkt des Verfahrens 500 derjenige, dass die IS-Gehäuse 101-1 bereits dem Vereinzelungsprozess unterzogen worden sind und die Unterseiten ihrer Anschlüsse mit einer dünnen Schicht eines lötbaren Materials überzogen worden sind.
  • In Übereinstimmung mit dem Verfahren 500 wird ein Stapel aus IS-Gehäusen 101-1 und Abdeckungen oder Dichtungen 225 gebildet (Block 510). Bei dieser Stapelanordnung wird die Unterseite jedes IS-Gehäuses 101-1 sicher auf einer Abdeckung oder Dichtung 225 (z.B. einer nachgiebigen Gummidichtung, die aus einem gummierten elastischen Material, einem hitzebeständigen Silikon, etc. hergestellt worden ist) angeordnet. Der Zweck des Schrittes 510 liegt darin, die Lotüberzüge auf der Unterseite der Anschlüsse vor dem Ausgesetztsein gegenüber den nachfolgenden Flussmittelaufbringungs- und Lotbeschichtungsprozessen und anderen damit in Beziehung stehenden Chemikalien und Umweltbedingungen zu schützen. Eine Vorrichtung, wie zum Beispiel eine Klemme oder Klammer, wie diese durch die negative Kraft (-F) und die positive Kraft (+F) repräsentiert ist, die jeweils an die obersten und untersten IS-Gehäuse angelegt werden, kann verwendet werden, um die Stapelanordnung sicher aufrecht zu erhalten. Die Vorrichtung soll die Stapelanordnung in einer nicht mechanisch zerstörerischen Art und Weise sicher so aufrecht erhalten, dass sie die obersten und untersten IS-Gehäuse nicht wesentlich zerkratzt. Die Befestigungsvorrichtung sollte auch der Umgebungsbedingung standhalten, die mit dem nachfolgenden Lotbeschichtungsschritt assoziiert ist, da sie dabei Temperaturen von bis zu 220 bis 260°C ausgesetzt sein kann. Die Befestigungsvorrichtung kann zum Beispiel aus einem Kunststoffmaterial hergestellt sein, das solche Temperaturen aushalten kann.
  • Nachdem die Stapelanordnung gebildet ist, werden die Vielzahl von IS-Gehäusen 101-1 und insbesondere ihre Anschluss-Seitenflächen einem Flussmittel 215 (und / oder einer anderen Lösung und/oder Behandlung) ausgesetzt, um die Oxidation und/oder andere Verschmutzungen von den Seitenflächen der Anschlüsse im Wesentlichen zu entfernen (Schritt 520). Der Zweck des Schrittes 520 liegt darin, die kupferexponierten Anschlussflächen für eine nachfolgende Lotbeschichtungsoperation vorzubereiten.
  • Nach dem Schritt 520 werden die Seitenflächen der Anschlüsse der IS-Gehäuse 101-1 einem Lötbad 235 unterzogen, um einen dünnen Lotüberzug mit einer niedrigen Oberflächenspannung (z.B. ein auf Sn basierendes Lot) darauf auszubilden (Schritt 530). Der dünne Lotüberzug schützt die Seiten der Anschlüsse vor Oxidation und anderen ungünstigen Einwirkungen, die durch das Ausgesetztsein gegenüber der Umgebung bedingt sind. Außerdem stellt der Lotüberzug eine zusätzliche lötbare Fläche der Anschlüsse der IS-Gehäuse 101-1 bereit. Dadurch wird die Montage der IS-Gehäuse 101-1 auf PCBs wesentlich verbessert. Ein akzeptables Kriterium für den dünnen Lotüberzug kann sein, dass wenigstens 50 % der Seitenfläche jedes IS-Gehäuse-Anschlusses von dem Lotüberzug abgedeckt werden.
  • Der Lotbeschichtungsprozess kann zuerst das Durchführen eines langsamen Vorwärmens der IS-Gehäuse 101-1 auf eine Temperatur im Wesentlichen nahe bei der Temperatur des Lötbads 235 in einer mit Stickstoff gespülten bzw. gefüllten Umgebung und dann das Unterziehen der IS-Gehäuse 101-1 dem Lötbad umfassen. Dadurch wird die thermische Beanspruchung bzw. Wärmespannung bei den IS-Gehäusen 101-1 reduziert. Außerdem kann es den IS-Gehäusen 101-1, nachdem die Lotbeschichtung fertig gestellt ist, erlaubt werden, langsam abzukühlen, was wiederum erfolgt, um die Wärmebeanspruchung bei den IS-Gehäusen zu reduzieren.
  • Nachdem der Lotbeschichtungsprozess vollendet ist, wird die Stapelanordnung zerlegt, und die IS-Gehäuse 101-1 werden einem Reinigungsprozess unterzogen (sie werden z.B. mit DI-Wasser 245 abgespült), um ein restliches Flussmittel, ein restliches Lot und / oder andere Verschmutzungen von dem IS-Gehäuse zu entfernen (Schritt 540). Außerdem können die IS-Gehäuse 101-1 einem Lasermarkierungsschritt und einem elektrischen Endtest unterzogen werden, bevor sie zu den Endbenutzern zur Endmontage auf Produkten versendet werden.

Claims (4)

  1. Verfahren zur Bildung eines integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1) mit einem Anschluss (120-1) an einer geschnittenen Seitenfläche (122-1) und einer Unterseite des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1), das Folgendes umfasst: a) Entfernen von Oxiden von der Seitenfläche (122-1) des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1); b) Abdecken der Unterseite des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1) mit einer Abdeckung oder Dichtung (225); c) Bilden eines Lotüberzugs auf der Seitenfläche (122-1) des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1), während die Unterseite des Anschlusses (120-1) des integrierten Schaltungs-Gehäuses (101-1) abgedeckt wird und d) Entfernen der Abdeckung (225) von dem integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) nachdem der Lotbeschichtungsprozess abgeschlossen ist; - Bilden eines Stapels aus den einzelnen integrierten Schaltungs-Gehäusen (101-1) und Abdeckungen (225) in einer abwechselnden Art und Weise; - Unterziehen des Stapels einem Lötbad (235), um einen Lotüberzug auf der Seitenfläche (122-1) der Anschlüsse (120-1) der einzelnen integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) auszubilden und, - nachdem der Lotbeschichtungsprozess vollendet ist, Zerlegen der Stapelanordnung und Unterziehen der integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) einem Reinigungsprozess.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) in dem Reinigungsprozess mit DI-Wasser (245) abgespült werden, um ein restliches Flussmittel, ein restliches Lot und/oder andere Verschmutzungen von dem integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) zu entfernen.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) einem Lasermarkierungsschritt unterzogen werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die integrierten Schaltungs-Gehäuse (101-1) einem elektrischen Endtest unterzogen werden.
DE102011008562.9A 2010-01-15 2011-01-14 Verfahren zur Bildung von lötbaren Seitenflächen-Anschlüssen von QFN-(Quad No-Lead Frame)-Gehäusen für integrierte Schaltungen Active DE102011008562B4 (de)

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DE1894359U (de) * 1963-09-30 1964-06-11 Siemens Ag Geraeteeinheit mit mehreren, bauelemente tragenden schalteinheiten.
DE102008046095A1 (de) 2007-09-07 2009-04-16 Infineon Technologies Ag Vereinzelter Halbleiterbaustein

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