DE102010055649A1

DE102010055649A1 - Filteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Filteranordnung

Info

Publication number: DE102010055649A1
Application number: DE201010055649
Authority: DE
Inventors: Gerhard Maurer; Dr. Schmidhammer Edgar
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: SnapTrack Inc
Priority date: 2010-12-22
Filing date: 2010-12-22
Publication date: 2012-06-28
Anticipated expiration: 2030-12-23
Also published as: WO2012085235A1; DE102010055649B4; US20130335164A1; US9099987B2; CN103262412B; CN103262412A

Abstract

Eine Filteranordnung (10) umfasst ein Substrat (16) mit einem ersten Serienresonator (11) sowie einem ersten und einem zweiten Parallelresonator (12, 13). Weiter umfasst die Filteranordnung (10) einen Träger (18), auf dem das Substrat (16) angeordnet ist und der eine erste Induktivität (17) umfasst, deren erster Anschluss über den ersten Parallelresonator (12) mit einem ersten Anschluss des ersten Serienresonators (11) und über den zweiten Parallelresonator (13) mit einem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators (11) gekoppelt ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Filteranordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Filteranordnung.
Eine Filteranordnung kann beispielsweise eine Induktivität, einen Kondensator, ein Volumenwellenfilter oder ein Oberflächenwellenfilter umfassen. In Funksystemen werden Duplexer verwendet, um ein von einem Sendeverstärker abgegebenes Sendesignal zu einer Antenne und ein Empfangssignal von der Antenne zu einem Empfangsverstärker zu führen. Dazu weist der Duplexer eine erste Filteranordnung als ein Sendefilter und eine zweite Filteranordnung als ein Empfangsfilter auf.
Dokument US 2008/0100397 A1 befasst sich mit einem Volumenwellenfilter und einem Duplexer. Der Duplexer weist einen Serienresonator, zwei Ableitresonatoren und zwei Induktivitäten auf, welche auf einem einzelnen Chip integriert sind.
Dokument EP 1 225 695 A2 beschreibt einen monolithischen Duplexer. Auf einem Glassubstrat sind mehrere Volumenwellenfilter und eine Spule angeordnet. Zur Herstellung der Volumenwellenfilter und der Spule wird das Substrat mit einer Vielzahl von Herstellungsschritten bearbeitet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Filteranordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Filteranordnung bereitzustellen, die eine flexible Wahl der Herstellungsverfahren ermöglichen.
Diese Aufgabe wird mit den Gegenständen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind jeweils Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
In einer Ausführungsform umfasst eine Filteranordnung ein Substrat und einen Träger. Das Substrat umfasst einen ersten Serienresonator sowie einen ersten und einen zweiten Parallelresonator. Das Substrat ist auf dem Träger angeordnet. Der Träger weist eine erste Induktivität auf. Ein erster Anschluss der Induktivität ist über den ersten Parallelresonator mit einem ersten Anschluss des ersten Serienresonators gekoppelt. Weiter ist der erste Anschluss der ersten Induktivität über den zweiten Parallelresonator mit einem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators gekoppelt.
Mit Vorteil sind der erste Serienresonator sowie der erste und der zweite Parallelresonator auf dem Substrat angeordnet sowie die erste Induktivität auf dem Träger angeordnet. Somit können die Herstellungsprozesse zur Herstellung des ersten Serienresonators sowie des ersten und des zweiten Parallelresonators auf dem Substrat getrennt von den Herstellungsprozessen der Induktivität auf dem Träger optimiert werden.
In einer Ausführungsform bilden das Substrat und der Träger eine Stapelanordnung. Die Stapelanordnung ermöglicht eine Platz sparende Realisierung der Filteranordnung, da die erste Induktivität, der erste Serienresonator sowie der erste und der zweite Parallelresonator zumindest teilweise übereinander angeordnet sind und damit nicht auf einem Untergrund nebeneinander angeordnet sind. Das Substrat kann auf dem Träger in Flip-Chip Technik aufgebracht sein.
In einer Ausführungsform ist das Substrat einkristallin.
Das Substrat kann ein Halbleiterkörper oder ein Isolatorkörper sein. Das Substrat kann als Siliziumkörper wie beispielsweise als Siliziumwafer oder Siliziumchip implementiert sein. Alternativ kann das Substrat als Quarzkörper realisiert sein.
In einer Ausführungsform umfasst ein Duplexer ein Empfangsfilter und ein Sendefilter. Das Empfangsfilter kann als Filteranordnung ausgebildet sein. Ebenso kann das Sendefilter als Filteranordnung realisiert sein. Der Duplexer ist als ein Oberflächenwellen-/Volumenwellen-Duplexer ausgebildet.
In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Filteranordnung das Herstellen eines ersten Serienresonators sowie eines ersten und eines zweiten Parallelresonators auf einem Substrat. Darüber hinaus wird eine erste Induktivität auf einem Träger hergestellt. Weiter wird das Substrat auf dem Träger angeordnet. Dazu wird das Substrat mit dem Träger mechanisch verbunden. Ferner wird das Substrat mit dem Träger elektrisch leitend verbunden. Dabei wird ein erster Anschluss der ersten Induktivität über den ersten Parallelresonator mit einem ersten Anschluss des ersten Serienresonators und über den zweiten Parallelresonator mit einem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators elektrisch leitend verbunden.
Mit Vorteil wird das Substrat getrennt vom Träger hergestellt. Die Herstellungsprozesse des ersten Serienresonators sowie des ersten und des zweiten Parallelresonators können somit getrennt von den Herstellungsprozessen der Induktivität gewählt werden. Weiter kann als Material für das Substrat und als Material für den Träger jeweils dasjenige Material gewählt werden, das für die Herstellung des Serienresonators, des ersten und des zweiten Parallelresonators beziehungsweise der ersten Induktivität besonders gut geeignet ist.
Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand der Figuren näher erläutert. Funktions- beziehungsweise wirkungsgleiche Strukturen, Bauelements und Schaltungselemente tragen gleiche Bezugszeichen. Insoweit sich Strukturen, Bauelemente oder Schaltungsteile in ihrer Funktion entsprechen, wird deren Beschreibung nicht in jeder der folgenden Figuren wiederholt. Es zeigen
1A, 1B, 2A und 2B beispielhafte Ausführungsformen einer Filteranordnung als Schaltbild und im Querschnitt,
3A bis 3D weitere beispielhafte Ausführungsformen einer Filteranordnung,
4A und 4B beispielhafte Ausführungsformen eines Funksystems,
5 eine beispielhafte Ausführungsform eines Volumenwellenresonators,
6 eine beispielhafte Ausführungsform einer Induktivität,
7 eine beispielhafte Ausführungsform einer Filteranordnung in einem Gehäuse und
8A bis 8C beispielhafte Charakteristiken einer Filteranordnung.
1A zeigt eine beispielhafte Filteranordnung 10 nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die Filteranordnung 10 umfasst einen ersten Serienresonator 11 sowie einen ersten und einen zweiten Parallelresonator 12, 13. Ein erster Filteranschluss 14 der Filteranordnung 10 ist über den ersten Serienresonator 11 mit einem zweiten Filteranschluss 15 der Filteranordnung 10 gekoppelt. Ein erster Anschluss des ersten Parallelresonators 12 ist an einen Knoten zwischen dem ersten Filteranschluss 14 und dem ersten Serienresonator 11 angeschlossen. Entsprechend ist ein erster Anschluss des zweiten Parallelresonators 13 an einen Knoten zwischen dem ersten Serienresonator 11 und dem zweiten Filteranschluss 15 angeschlossen. Ein Substrat 16 der Filteranordnung 10 umfasst den ersten Serienresonator 11 sowie den ersten und den zweiten Parallelresonator 12, 13.
Weiter umfasst die Filteranordnung 10 eine erste Induktivität 17. Ein erster Anschluss der ersten Induktivität 17 ist über den ersten Parallelresonator 12 mit einem ersten Anschluss des ersten Serienresonators 11 verbunden. Weiter ist der erste Anschluss der ersten Induktivität 17 über den zweiten Parallelresonator 13 mit einem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators 11 verbunden. Dazu ist der erste Anschluss der ersten Induktivität 17 mit einem zweiten Anschluss des ersten Parallelresonators 12 und mit einem zweiten Anschluss des zweiten Parallelresonators 13 verbunden. Darüber hinaus umfasst das Substrat 16 eine erste Masseanschlussfläche 22. Über die erste Masseanschlussfläche 22 ist der erste Parallelresonator 12 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 gekoppelt. Weiter umfasst das Substrat 16 eine zweite Masseanschlussfläche 23. Die zweite Masseanschlussfläche 23 koppelt den zweiten Parallelresonator 13 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17. Ein Träger 18 der Filteranordnung 10 umfasst die erste Induktivität 17. Ein zweiter Anschluss der ersten Induktivität 17 ist an einen Bezugspotenzialanschluss 19 angeschlossen. Am Bezugspotentialanschluss 19 ist ein Bezugspotential VSS abgreifbar.
Zusätzlich umfasst die Filteranordnung 10 eine erste Kopplungsinduktivität 20, welche den ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 mit dem ersten Parallelresonator 12 verbindet. Darüber hinaus umfasst die Filteranordnung 10 eine zweite Kopplungsinduktivität 21, die den ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 mit dem zweiten Parallelresonator 13 verbindet. Die erste und die zweite Kopplungsinduktivität 20, 21 sind auf dem Träger 18 angeordnet.
Mit Vorteil wird die erste Induktivität 17 für die Kopplung sowohl des ersten wie auch des zweiten Parallelresonators 12, 13 mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verwendet. Dadurch kann mit Vorteil die Fläche für die Realisierung von Induktivitäten auf dem Träger 18 klein gehalten werden.
1B zeigt einen beispielhaften Querschnitt der in 1A gezeigten Filteranordnung 10. Das Substrat 16 und der Träger 18 sind als Stapelanordnung aufeinander angeordnet. Auf einer ersten Hauptfläche 24 des Substrats 16 sind der erste Serienresonator 11 sowie der erste und der zweite Parallelresonator 12, 13 angeordnet. Darüber hinaus sind auf der ersten Hauptfläche 24 des Substrats 16 die erste und die zweite Masseanschlussfläche 22, 23 angeordnet. Aus Übersichtlichkeitsgründen sind die Verbindungen zwischen den Resonatoren 11, 12, 13 und den Masseanschlussflächen 22, 23 auf dem Substrat 16 nicht eingezeichnet. In den Träger 18 ist die erste Induktivität 17 integriert. Ebenfalls sind im Träger 18 die erste und die zweite Kopplungsinduktivität 20, 21 integriert. Der Träger 18 weist eine erste Metallisierungslage 25 auf. Die erste Induktivität 17 umfasst eine Leiterbahn in der ersten Metallisierungslage 25. Ferner weist der Träger 18 eine zweite Metallisierungslage 26 auf. Die erste und die zweite Kopplungsinduktivität 21, 22 umfassen jeweils Leiterbahnen in der zweiten Metallisierungslage 26. Eine dritte Metallisierungslage 27 des Trägers 18 verbindet die erste und die zweite Kopplungsinduktivität 20, 21 mit der ersten Induktivität 17. Zwischen zwei benachbarten Metallisierungslagen ist jeweils eine Isolationslage des Trägers 18 angeordnet.
Weiter umfasst eine erste Hauptfläche 30 des Trägers 18 eine erste Anschlussfläche 28, die mit der ersten Masseanschlussfläche 22 des Substrats 16 verbunden ist. Zwischen der ersten Masseanschlussfläche 22 und der ersten Anschlussfläche 28 ist eine Lötkugel 32 oder ein Löthöcker, englisch bump, angeordnet. Entsprechend umfasst der Träger 18 eine zweite Anschlussfläche 29, welche auf der ersten Hauptfläche 30 des Trägers 18 angeordnet ist. Die zweite Anschlussfläche 29 ist mit der zweiten Masseanschlussfläche 23 des Substrats 16 verbunden. Zwischen der zweiten Anschlussfläche 29 und der zweiten Masseanschlussfläche 23 ist ebenfalls eine Lötkugel 32 oder ein Löthöcker angeordnet.
Der erste Filteranschluss 14 der Filteranordnung 10 ist als Anschlussfläche auf einer zweiten Hauptfläche 31 des Trägers 18 angeordnet. Die Anschlussfläche 14 ist über eine oder mehrere Durchkontaktierungen im Träger 18, eine Anschlussfläche auf der ersten Hauptfläche 30 des Trägers 18, einem Löthöcker oder Lötkugel 32 und einer Anschlussfläche auf der ersten Hauptfläche 24 des Substrats 16 mit dem ersten Anschluss des ersten Serienresonators 11 gekoppelt. Eine Durchkontaktierung kann als Via bezeichnet werden. Entsprechend ist der zweite Filteranschluss 15 als Anschlussfläche auf der zweiten Hauptfläche 31 des Trägers 18 realisiert. Der zweite Filteranschluss 15 ist über eine oder mehrere Durchkontaktierungen im Träger 18, einer Anschlussfläche auf der ersten Hauptfläche 30 des Trägers 18, einem Löthöcker oder einer Lötkugel 32 und eine Anschlussfläche auf der ersten Hauptfläche 24 des Substrats 16 mit dem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators 11 gekoppelt. Der Bezugspotenzialanschluss 19 ist als Anschlussfläche auf der zweiten Hauptfläche 31 des Trägers 18 implementiert.
In den 1A und 1B ist die Zusammenführung zweier Parallelresonatoren, nämlich des ersten und des zweiten Parallelresonators 12, 13, beispielsweise in einem Sendezweig schematisch gezeigt. Dabei werden der erste und der zweite Parallelresonators 12, 13 einzeln vom Substrat 16 herausgeführt und im Träger 18 zusammengeschaltet. Das Substrat 16 ist als Chip realisiert. Der Träger 18 ist eine Keramik. Die Keramik ist mehrlagig. Die Keramik umfasst mindestens ein passives Bauelement, wie etwa die erste Induktivität 17. Die Keramik weist mehrere Metallisierungslagen 25, 26, 27 auf. Das mindestens eine passive Bauelement wird mit Metallstrukturen auf den Einzellagen 25, 26, 27 realisiert. Somit ist mit Vorteil die Filteranordnung 10 Platz sparend realisiert.
In einer nicht gezeigten, alternativen Ausführungsform ist die erste Kopplungsinduktivität 20 weggelassen und durch eine Leiterbahn ersetzt. Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Kopplungsinduktivität 21 weggelassen und durch eine Leiterbahn ersetzt sein.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist der Träger 18 zusätzlich Massestege auf, welche verschiedene Strukturen auf dem Träger 18, insbesondere die Induktivitäten 17, 22, 21, entkoppeln.
2A zeigt eine weitere beispielhafte Ausführungsform der Filteranordnung 10 nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Dabei ist der zweite Anschluss des ersten Parallelresonators 12 mit dem zweiten Anschluss des zweiten Parallelresonators 13 verbunden. Die Verbindung der zweiten Anschlüsse des ersten und des zweiten Parallelresonators 12, 13 ist auf dem Substrat 16 realisiert. Die erste Masseanschlussfläche 22 ist somit an den zweiten Anschluss des ersten Parallelresonators 12 und an den zweiten Anschluss des zweiten Parallelresonators 13 angeschlossen. Die erste Masseanschlussfläche 22 ist mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 gekoppelt. Somit entfallen die zweite Masseanschlussfläche 23 sowie die erste und die zweite Kopplungsinduktivität 20, 21. Der Platzbedarf für die Realisierung auf dem Substrat 16 ist somit weiter verringert.
2B zeigt einen beispielhaften Querschnitt der in 2A gezeigten Filteranordnung 10. Auf dem Träger 18 ist somit die erste Masseanschlussfläche 22 sowie die Anschlussflächen für den ersten und den zweiten Filteranschluss 14, 15, der erste Serienresonator 11 sowie der erste und der zweite Parallelresonator 12, 13 angeordnet. Die erste Induktivität 17 umfasst Leiterbahnen in mindestens zwei Metallisierungslagen, nämlich der ersten, zweiten und dritten Metallisierungslage 25, 26, 27. Die Leiterbahnen der ersten Induktivität 17 sind als übereinander liegende Windungen in den mindestens zwei Metallisierungslagen, nämlich der ersten, zweiten und dritten Metallisierungslage 25, 26, 27, realisiert. Somit erfolgt eine Zusammenführung von zwei Parallelresonatoren, nämlich des ersten und des zweiten Parallelresonators 12, 13, auf dem Substrat 16. Das Substrat 16 ist als Volumenwellen-Chip implementiert.
In einer Ausführungsform kann die Windung der ersten Induktivität 17 in mindestens einer Metallisierungslage aus einer Gruppe umfassend die erste, die zweite und die dritte Metallisierungslage 25, 26, 27 spiralförmig realisiert sein.
3A bis 3D zeigen weitere beispielhafte Ausführungsformen der Filteranordnung 10 nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die Ausführungsformen sind Weiterbildungen der in den 1A, 1B, 2A und 2B gezeigten Ausführungsbeispiele der Filteranordnung. In 3A umfasst die Filteranordnung 10 zusätzlich einen zweiten Serienresonator 40, der zwischen dem ersten Filteranschluss 14 und dem ersten Serienresonator 11 angeordnet ist. Dabei koppelt der erste Parallelresonator 12 einen Knoten zwischen dem ersten und dem zweiten Serienresonator 11, 40 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17. Weiter weist die Filteranordnung 10 einen dritten Parallelresonator 41 auf, der einen Knoten zwischen dem ersten Filteranschluss 14 und dem zweiten Serienresonator 40 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 verbindet. Dazu weist das Substrat 16 eine dritte Masseanschlussfläche 42 auf, über die der dritte Parallelresonator 41 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 gekoppelt ist. Zusätzlich umfasst der Träger 18 eine dritte Kopplungsinduktivität 43, die den dritten Parallelresonator 41 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 verbindet.
Ferner weist die Filteranordnung 10 einen dritten Serienresonator 44 auf, der den ersten Filteranschluss 14 mit dem zweiten Serienresonator 40 koppelt. Der erste Anschluss des dritten Parallelresonators 41 ist an einen Knoten zwischen dem zweiten und dem dritten Serienresonator 40, 44 angeschlossen. Darüber hinaus umfasst die Filteranordnung 10 einen zusätzlichen Serienresonator 45, welcher den ersten Serienresonator 11 mit dem zweiten Filteranschluss 15 verbindet. Dabei ist der erste Anschluss des zweiten Parallelresonators 13 an einen Knoten zwischen dem ersten Serienresonator 11 und dem zusätzlichen Serienresonator 45 angeschlossen. Die Filteranordnung 10 weist somit drei Parallelresonatoren 12, 13, 41 und vier Serienresonatoren 11, 40, 44, 45 auf. Somit umfasst die Filteranordnung 10 mindestens drei Stufen. Da die Anzahl der Serienresonatoren größer als die Anzahl der Parallelresonatoren ist, kann auch die Angabe verwendet werden, dass die Filteranordnung 10 3,5 Stufen aufweist.
In einer alternativen, nicht dargestellten Ausführungsform ist der zusätzliche Serienresonator 45 weggelassen und durch eine Leiterbahn ersetzt.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform ist der dritte Serienresonator 44 weggelassen und durch eine Leiterbahn ersetzt. Zusätzlich kann optional der dritte Parallelresonator 41 weggelassen sein.
In 3B ist der dritte Parallelresonator 41 über eine zweite Induktivität 50 mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verbunden. Der dritte Parallelresonator 41 ist somit nicht mit der ersten Induktivität 17 gekoppelt. Zwar steigt dadurch der Flächenverbrauch auf dem Träger 18 zur Realisierung der verschiedenen Induktivitäten, jedoch wird die Entkopplung der Signale an den verschiedenen Parallelresonatoren 12, 13, 41 verbessert. 3A und 3B stellen eine Weiterentwicklung der in den 1A und 1B gezeigten Ausführungsform dar. 1A, 1B, 3A und 3B zeigen mindestens zwei Parallelresonatoren 12, 13, die mit einem gemeinsamen Masseanschluss, der als Bezugspotenzialanschluss 19 realisiert ist, über getrennte Masseanschlussflächen, nämlich der ersten und der zweiten Masseanschlussfläche 22, 23 und über die gemeinsame ersten Induktivität 17 gekoppelt sind. Das Substrat 16 ist als Volumenwellen-Chip realisiert. Die getrennten Masseanschlussflächen, nämlich die erste, zweite und dritte Masseanschlussfläche 22, 23, 42 stellen Volumenwellen-Chipausgänge dar.
Die den Träger 18 bildende Keramik kann fünf Lagen aufweisen. Beispielsweise sind von fünf Lagen zwei Metallisierungslagen und zwei dielektrische Lagen, auch Isolationslagen genannt. Eine Lage kann eine Dicke von 150 μm aufweisen. Die zur Realisierung der ersten und der zweiten Induktivität 17, 50 in der Keramik hergestellten Metallstrukturen werden über nicht gezeigte Masseabtrennungen gegeneinander geschirmt. Dadurch wird ein gegenseitiges Übersprechen verhindert und die geforderten Unterdrückungs- und Isolationsniveaus eingehalten. Zusätzlich können nicht gezeigte Masseabschirmungen in der Keramik zwischen den Strukturen hergestellt werden. Alternativ umfasst die Keramik sechs Lagen mit einer Dicke von jeweils 125 μm. Einer Bauteilfläche von 3,8 × 3,8 mm² kann über eine Fläche von 3,0 × 2,5 mm² zu einer Fläche von 2,5 × 2,0 mm² verringert werden. Die Bauteilhöhe verringert sich von einer Höhe von 1,2 mm auf eine maximale Bauteilhöhe von 0,95 mm.
In 3C umfasst die Filteranordnung 10 den zweiten Serienresonator 40 sowie den dritten Parallelresonator 41. Der dritte Parallelresonator 41 verbindet einen Knoten zwischen dem zweiten Serienresonator 40 und dem ersten Filteranschluss 14 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17. Dabei verbindet die erste Masseanschlussfläche 22 den dritten Parallelresonator 41 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17. Mit Vorteil ist ausschließlich ein Masseanschluss, nämlich die erste Masseanschlussfläche 22, dafür vorgesehen, den ersten, zweiten und dritten Parallelresonator 12, 13, 41 mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität 17 zu verbinden. Folglich ist eine sehr geringe Anzahl von Verbindungen zwischen dem Substrat 16 und dem Träger 18 erforderlich. Die Anzahl beträgt eins.
Darüber hinaus umfasst die Filteranordnung 10 den dritten Serienresonator 44 sowie den zusätzlichen Serienresonator 45. Zur Beschaltung der Filteranordnung 10, welche drei Parallelresonatoren, nämlich den ersten, zweiten und dritten Parallelresonator 12, 13, 41, umfasst, ist ausschließlich eine Induktivität, nämlich die erste Induktivität 17, erforderlich. Bei einem dreistufigen Filter ist die Nutzung eines gemeinsamen Masseanschlusses, nämlich der ersten Masseanschlussfläche 22, von drei Parallelresonatoren, nämlich dem ersten, zweiten und dritten Parallelresonator 12, 13, 41, möglich. Somit können mit Vorteil zwei große Induktivitäten und deren Platzbedarf eingespart werden. Da das Zusammenschalten zweier oder dreier Parallelresonatoren auf dem Substrat 16 erfolgt, kann zusätzlich zum Flächengewinn im Träger 18 auch eine Masseanschlussfläche eingespart werden. Eine Masseanschlussfläche weist typischerweise eine Kreisfläche mit einem Durchmesser von 125 μm auf. Die Flächeneinsparung bei den Anschlussflächen kann für eine Vergrößerung der Flächen der Serien- und der Parallelresonatoren auf dem Substrat 16 genutzt werden.
Mindestens drei Parallelresonatoren 12, 13, 41 werden über einen gemeinsamen Masseanschluss, nämlich in Form der ersten Masseanschlussfläche 22 mit der ersten Induktivität 17 verbunden. Somit übernimmt die erste Induktivität 17 die Funktion von mindestens drei Induktivitäten, die ansonsten jeweils einzeln den entsprechenden Parallelresonator mit dem Bezugspotenzial verbinden würden. Die erste Induktivität 17 ist über mehrere Lagen des Trägers 18 und somit über mehrere Keramiklagen verteilt. Die erste Induktivität 17 kann auf derjenigen Metallisierungslage des Trägers 18 realisiert sein, die dem Substrat 16 am nächsten ist. Die Zusammenführung mehrerer Parallelresonatoren, wie dem ersten, dem zweiten und dem dritten Parallelresonator 12, 13, 41, kann entsprechend 3C auf dem Substrat 16 oder entsprechend 3A auf dem Träger 18 erfolgen. Die Zusammenführung mehrerer Parallelresonatoren 12, 13, 41 kann kurz und Platz sparend sein.
In 3D umfasst die Filteranordnung 10 den zweiten Serienresonator 40 sowie den dritten Parallelresonator 41. Der dritte Parallelresonator 41 ist über die zweite Masseanschlussfläche 23 und die zweite Induktivität 50 mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verbunden. Somit ist die Anzahl der Parallelresonatoren größer als die Anzahl der Induktivitäten, welche die Parallelresonatoren mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verbindet. In der Filteranordnung 10 umfasst das Substrat 16 drei Parallelresonatoren, nämlich den ersten, zweiten und dritten Parallelresonator 12, 13, 41, und der Träger 18 zwei Induktivitäten, nämlich die erste und die zweite Induktivität 17, 50. Die 3C und 3D stellen Weiterbildungen der in den 2A und 2B gezeigten Ausführungsformen der Filteranordnung dar. 2A, 2B, 3C, 3D zeigen mindestens zwei Parallelresonatoren, insbesondere den ersten und den zweiten Parallelresonator 12, 13, mit einer gemeinsamen ersten Masseanschlussfläche 22 im Substrat 16, wobei die erste Masseanschlussfläche 22 über die gemeinsame erste Induktivität 17 mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verbunden ist.
4A zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines Funksystems 60. Das Funksystem 60 weist einen Duplexer 61 auf. Der Duplexer 61 umfasst ein Sendefilter 62 und ein Empfangsfilter 63. Das Sendefilter 62 ist gemäß einer der in den obigen Figuren dargestellten Ausführungsformen der Filteranordnung 10 realisiert. In dem in 4A gezeigten Beispiel ist das Sendefilter 62 gemäß der in 3A dargestellten Ausführungsform implementiert. Der Duplexer 61 umfasst im Sendepfad zwei im Träger 18, der als Keramikträger realisiert ist, zusammengeschaltete Parallelresonatoren 12, 13. Das Empfangsfilter 63 umfasst den ersten, den zweiten, den dritten und den zusätzlichen Serienresonator 11, 40, 44, 45. Weiter umfasst das Empfangsfilter 63 den ersten, den zweiten, den dritten und einen vierten Parallelresonator 12, 13, 41, 64. Der vierte Parallelresonator 64 koppelt einen Knoten zwischen dem dritten Serienresonator 44 und dem ersten Filteranschluss 14 mit dem Bezugspotenzialanschluss 19. Der erste, der zweite, der dritte und der vierte Parallelresonator 12, 13, 41, 64 sind über jeweils eine Induktivität, nämlich die erste, die zweite, eine dritte und eine vierte Induktivität 17, 50, 70, 71, mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verbunden.
Der Duplexer 61 weist somit eine Filteranordnung 10 mit zusammengeschlossenen Induktivitäten und eine weitere Filteranordnung 10' mit getrennten Induktivitäten auf. Der erste Filteranschluss 14 des Sendefilters 62 ist an den zweiten Filteranschluss 15 des Empfangsfilters 63 angeschlossen. Das Funksystem 60 weist darüber hinaus einen Sendeverstärker 65 auf, der einen Eingang 66 des Funksystems 60 mit dem zweiten Filteranschluss 15 des Sendefilters 62 verbindet. Der Sendeverstärker 65 ist als Leistungsverstärker ausgebildet. Darüber hinaus umfasst das Funksystem 60 eine Antenne 67, die an einen Knoten zwischen dem ersten Filteranschluss 14 des Sendefilters 62 und dem zweiten Filteranschluss 15 des Empfangsfilters 63 angeschlossen ist. Weiter weist das Funksystem 60 einen Empfangsverstärker 68 auf, welchen den ersten Filteranschluss 14 des Empfangsfilters 63 mit einem Ausgang 69 des Funksystems 60 verbindet. Der Empfangsverstärker 68 ist als rauscharmer Verstärker realisiert.
Ein Sendesignal TX wird über den Sendeverstärker 65 und das Sendefilter 62 der Antenne 67 zugeleitet. Ein an der Antenne 67 abgreifbares Empfangssignal SIG wird über das Empfangsfilter 63 und den Empfangsverstärker 68 als empfangenes Signal RX am Ausgang 69 des Funksystems 60 bereitgestellt.
Der Duplexer 61 ist ausgelegt, das Sendesignal TX vom Sendeverstärker 65 zur Antenne 67 und das Empfangssignal SIG von der Antenne 67 zum Empfangsverstärker 68 zu führen. Der Duplexer 61 ermöglicht es dem Funksystem 60, gleichzeitig zu senden und zu empfangen. Das Funksystem 60 ist als Sender-Empfänger-Schaltung implementiert. Dafür sind im Duplexer 60 jeweils das Sendefilter 62 und das Empfangsfilter 63 miteinander verschaltet und die gegenseitige Beeinflussung berücksichtigt. Das Sendefilter 62 und das Empfangsfilter 63 weisen jeweils mindestens eine Stufe auf. Eine Stufe umfasst einen Serienresonator und einen Parallelresonator, die jeweils einzeln einen Schwingkreis mit Resonanzfrequenz bilden. Somit hat die Stufe eine Serien- und eine Parallelresonanzfrequenz. Typischerweise weisen das Sendefilter 62 und das Empfangsfilter 63 jeweils zwei oder drei vereinzelt auch vier Stufen auf. Die Parallelresonanzfrequenz einer Stufe wird durch die Serienschaltung einer Induktivität, wie beispielsweise der ersten und der zweiten Induktivität 17, 50, verändert. Dabei wird der Wert der Resonanzfrequenz verschoben. Dazu wird von jedem Parallelresonator eine Verbindung vom Substrat 16 weg geführt und mit dem Träger 18 verbunden.
Der Bezugspotenzialanschluss 19 ist als Gesamtduplexermasse realisiert. So kann die erste, zweite, dritte oder vierte Induktivität 17, 50, 70, 71 zwischen den Parallelresonatoren 12, 13, 41, 64 und dem Bezugspotenzialanschluss 19 geschaltet werden oder mehrere Parallelresonatoren 12, 13, 41 über die gemeinsame erste Induktivität 17 mit dem Bezugspotenzialanschluss 19 verbunden werden.
Mit Vorteil wird die Gesamtlänge für die Induktivitäten in der Keramik des Trägers 18 und damit die Gesamtfläche für die Induktivitäten in der Keramik dadurch reduziert, dass die Parallelresonatoren 12, 13, 41 nicht einzeln, sondern über gemeinsame Masseanschlussflächen 22, 23 mit den Induktivitäten 17, 50 in der Keramik verbunden sind und somit die Induktivitäten in der Keramik gemeinsam genutzt werden.
Bei der Nutzung eines gemeinsamen Masseanschlusses, wie etwa des ersten Masseanschlusses 22, werden zwei Parallelresonatoren, wie beispielsweise der erste und der zweite Parallelresonator 12, 13, über kurze Leitungsstücke oder sehr kleine Induktivitätswerte zusammengeschlossen und über eine deutlich größere Induktivität, nämlich die erste Induktivität 17, mit dem Bezugspotential VSS verbunden. Der Induktivitätswert der ersten und der zweiten Kopplungsinduktivität 20, 21 ist kleiner als der Induktivitätswert der ersten Induktivität 17. Die erste und die zweite Kopplungsinduktivität 20, 21 weist dabei beispielsweise eine Induktivität aus einem Bereich von 0,1 bis 0,3 nH auf. Die erste Induktivität 17 weist Werte aus einem Bereich von 0,5 bis 2,0 nH auf. Dies erspart gegenüber der getrennten Verschaltung mit zwei großen Induktivitäten gegen das Bezugspotential VSS Fläche auf dem Träger 18. Die Fläche des Trägers 18 kann somit verringert werden. Gemäß 2A und 2B erfolgt die Zusammenschaltung des ersten und des zweiten Parallelresonators 12, 13 auf dem Substrat 16 und damit auf dem Volumenwellen-Chip, abgekürzt BAW-Chip. Die beiden Parallelresonatoren 12, 13 werden ausschließlich über einen Anschluss, nämlich den ersten Masseanschluss 22, nach außen geführt. Mit Vorteil erspart die Zusammenschaltung zweier Parallelresonatoren 12, 13 gegenüber der getrennten Verschaltung mit zwei großen Induktivitäten, beispielsweise 0,5 bis 2,0 nH, gegenüber dem Bezugspotenzial VSS deutlich an Induktivität und damit Fläche. Die Ersparnis beträgt typisch 500 × 500 μm² über alle Lagen; inklusive den Massestegen kann die Ersparnis beispielsweise 700 × 700 μm² erreichen. Wird sowohl das Sende- wie auch der Empfangsfilter 62, 63 nach dem vorgeschlagenen Prinzip realisiert, kann die doppelte Fläche eingespart werden. Aufgrund des verminderten Platzbedarfs entfällt die Notwendigkeit, weitere Lagen im Träger 18 bei Verkleinerungsschritten in der Bauteilfläche und -höhe vorzusehen. Weiter ist keine Verdünnung der benötigten Lagen wegen der zusätzlichen Lagen notwendig. Es werden somit bei einer Bauteilverkleinerung Panelkosten durch Einsparung der Prozesskosten bei der Panelherstellung verringert.
Durch das Zusammenschalten von zwei Parallelresonatoren, wie beispielsweise dem ersten und dem zweiten Parallelresonator 12, 13, kann mit einem deutlich kleineren Induktivitätswert der ersten Induktivität 17 ein Polpaar zu niedrigen Frequenzen hin verschoben werden. Dadurch kann ein Pol gezielt zur Unterdrückung anderer Störfrequenzen genutzt werden. Das Empfangsfilter 63 des Duplexers 61 kann das Sendesignal TX im Frequenzbereich des Global Positioning Systems, abgekürzt GPS, zwischen 1570 und 1580 MHz reduzieren. Somit wird der GPS-Empfänger im Mobiltelefon durch das Mobiltelefonsendesignal TX weniger gestört und ist deshalb im Telefonier- und Standby-Betrieb empfindlicher. Im Duplexer 61 wird ein zusätzlicher Pol erzeugt. Der zusätzlich erzeugte Pol erzeugt eine Unterdrückung des Sendesignals von mindestens –38 dB im Sendefilter 62. Die Funktionen des Duplexers 61 bleiben von der Realisierung der Filteranordnung 10 unbeeinflusst. Mit Hilfe der ersten Induktivität 17 kann die Filteranordnung 10 in einem Frequenzbereich eingesetzt werden, welcher mit einem herkömmlichen Design nur bei sehr hohem Aufwand erreichbar ist.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform sind der erste und der zweite Parallelresonator 12, 13 des Empfangsfilters 63 zusammengeschaltet und über die erste Induktivität 17 mit dem Bezugspotentialanschluss 19 gekoppelt sowie der dritte und der vierte Parallelresonator 41, 64 des Empfangsfilters 63 zusammengeschaltet und über die zweite Induktivität 50 mit dem Bezugspotentialanschluss 19 gekoppelt.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist der Träger 18 zusätzlich Massestege auf, welche verschiedene Strukturen auf dem Träger 18, insbesondere die Induktivitäten 17, 50, 20, 21, entkoppeln.
4B zeigt eine weitere beispielhafte Ausführungsform des Funksystems 60. Das Sendefilter 62 ist gemäß der in 3D gezeigten Ausführungsform der Filteranordnung 10 realisiert. Der Duplexer 61 weist zwei im Substrat 16 zusammengeführte Parallelresonatoren 12, 13 im Sendepfad auf. In den 4A und 4B sind das Empfangs- und das Sendefilter 62, 63 jeweils als Volumenwellenfilter, englisch bulk acoustic wave filter, abgekürzt BAW-Filter, realisiert. Mit Vorteil ist der Duplexer 61 als BAW-Duplexer mit gemeinsamen Masseanschlüssen 22, 23 implementiert, wobei Induktivitäten eingespart sind.
In einer alternativen, in den 4A und 4B nicht gezeigten Ausführungsform ist mindestens eine Filteranordnung aus einer Gruppe umfassend das Empfangsfilter 63 und das Sendefilter 62 als Oberflächenwellenfilter, englisch surface acoustic wave filter, abgekürzt SAW-Filter, ausgebildet.
In einer alternativen, in den 4A und 4B nicht gezeigten Ausführungsform ist das Sendefilter 62 in einer anderen in den obigen Figuren gezeigten Ausführungsform der Filteranordnung 10 realisiert.
In einer alternativen, in den 4A und 4B nicht gezeigten Ausführungsform ist das Empfangsfilter 63 mit einer der in den 1A, 1B, 2A, 2B sowie 3A bis 3D gezeigten Ausführungsform der Filteranordnung 10 realisiert.
5 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines Resonators. Der Resonator 80 kann als Parallel- oder Serienresonator in der Filteranordnung 10 gemäß einer der obigen Figuren eingesetzt werden. Der Resonator ist als Dünnfilm-Volumenwellen Resonator, englisch film bulk acoustic, wave resonator, abgekürzt FBAR, ausgebildet. Der Resonator 80 ist auf der ersten Hauptfläche 24 des Substrats 16 realisiert. Der Resonator 80 weist eine erste Metallelektrode 81, eine piezoelektrische Schicht 82 sowie eine zweite Metallelektrode 83, die übereinander angeordnet sind, auf. Die erste Metallelektrode 81 berührt die zweite Metallelektrode 83 nicht. Die erste und die zweite Metallelektrode 81, 83 bilden einen Plattenkondensator, welcher die piezoelektrische Schicht 82 als Isolatorschicht aufweist. Die erste und die zweite Metallelektrode 81, 83 dienen sowohl der Zuführung von Strom und Spannung wie auch als akustischer Spiegel für eine akustische Welle in der piezoelektrischen Schicht 82. Das Substrat 16 ist als einkristallines Siliziumsubstrat realisiert.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform ist zwischen dem Substrat 16 und der ersten Metallelektrode 81 eine Isolatorschicht angeordnet.
6 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform einer Induktivität 88. Die Induktivität 88 gemäß 6 kann als erste oder zweite Induktivität 17, 50 oder als Koppelungsinduktivität 20, 21, 43 in einen Träger 18 gemäß einer der obigen Figuren eingesetzt sein. Die Induktivität 88 ist hier in Aufsicht gezeigt. Die Induktivität 88 umfasst eine spiralförmige Leiterbahn 84 in einer Metallisierungslage wie etwa der ersten Metallisierungslage 25. Ein Ende der Leiterbahn 84 ist an einen Anschluss 85 der Induktivität angeschlossen. Eine weitere Leiterbahn 86 in einer benachbarten Metallisierungslage, zum Beispiel der dritten Metallisierungslage 27, verbindet das sich im Inneren der spiralförmigen Leiterbahn 84 befindliche Leiterbahnende mit einem weiteren Anschluss 87 der Induktivität 88.
7 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform der Filteranordnung 10 in einem Gehäuse. Der Träger 18 ist als Keramikträger ausgebildet. Der Träger 18 kann als Low-Temperature Co-Fired Ceramics, abgekürzt LTCC, oder als High-Temperature Co-Fired Ceramics, abgekürzt HTCC, implementiert sein. Der Träger 18 ist über zwei Lötkugeln 32 mit dem Substrat 16 verbunden. Die Lötkugel 32 kann englisch als solder ball bezeichnet sein. Der Träger 18 weist die erste Metallisierungslage 25 auf, die zwischen zwei dielektrischen Lagen eingebettet ist. Der Träger 18 kann als zweilagiges Substrat bezeichnet werden. Auf der zweiten Oberfläche 31 des Trägers 18 sind die Anschlussflächen für den ersten und den zweiten Filteranschluss 14, 15 angeordnet. Die Anschlussfläche des ersten und des zweiten Filteranschlusses 14, 15 kann jeweils auch als Surface Mounted Device Pad, abgekürzt SMD-Pad, bezeichnet werden.
Weiter umfasst die Filteranordnung 10 ein Laminat 90, das eine zweite Hauptfläche des Substrats 16, die seitlichen Kanten des Substrats 16 und einen Bereich zwischen dem Substrat 16 und dem Träger 18 bedeckt. Darüber hinaus ist das Laminat 90 wiederum von einer hermetischen Beschichtung 91 bedeckt. Die Beschichtung 91 verhindert das Eindringen von Feuchtigkeit in den Zwischenraum zwischen dem Substrat 16 und dem Träger 18. Somit ist die Filteranordnung 10 sehr kompakt.
In einer alternativen Ausführungsform umfasst der Träger 18 mehr als zwei Lagen, wie etwa ein sechslagiges Substrat.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weisen das Sendefilter 62 und das Empfangsfilter 63 jeweils ein eigenes Substrat 16 auf. Die beiden Substrate 16 des Sende- und des Empfangsfilters 62, 63 sind gemeinsam auf dem Träger 18 angeordnet. Die Anschlussflächen an der zweiten Hauptfläche 31 des Trägers 18 verbinden den Duplexer 61 mit dem Sendeverstärker 65, der Antenne 67, dem Empfangsverstärker 68 und dem Bezugspotentialanschluss 19. Der Duplexer 61 ist wie in 7 gezeigt gehäust.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist der Duplexer 61, umfassend das Sendefilter 62 und das Empfangsfilter 63, ausschließlich ein Substrat, nämlich das Substrat 16, und einen Träger, nämlich den Träger 18, auf. Das Substrat 16 des Sende- und des Empfangsfilters 62, 63 ist auf dem Träger 18 angeordnet. Die Anschlussflächen an der zweiten Hauptfläche 31 des Trägers 18 verbinden den Duplexer 61 mit dem Sendeverstärker 65, der Antenne 67, dem Empfangsverstärker 68 und dem Bezugspotentialanschluss 19. Der Duplexer 61 ist wie in 7 gezeigt gehäust.
In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform ist der Träger 18 als Leiterplatte, englisch printed circuit board, realisiert. Die Leiterplatte kann als Muli-Layer-Leiterplatte ausgebildet sein. Die erste Induktivität 17 sowie die weiteren Induktivitäten können mittels mindestens einer Metallisierungslage der Leiterplatte realisiert sein.
8A bis 8C zeigen beispielhafte Filtercharakteristiken der Filteranordnung 10 nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die jeweiligen Größen sind in Abhängigkeit von der Frequenz f dargestellt. Während in den 8A und 8B die Durchgangsdämpfungen |S12| und |S23| gezeigt sind, ist in 8C die Isolation |S13| in Abhängigkeit der Frequenz f dargestellt. In 8B ist ein Ausschnitt der Charakteristik von 8A gezeigt. Der Volumenwellen-Duplexer 61 weist eine Baugröße von 3,0·2,5 mm² auf. Die mit s gekennzeichneten Messkurven zeigen die Charakteristiken von einem Sendefilter 62 ohne verbundene Parallelresonatoren, wobei im GPS-Frequenzbereich eine Dämpfung von 30 dB erzielt wird. Die mit r gekennzeichneten Messkurven zeigen die Charakteristiken von einem Sendefilter 62 mit verbundenen Parallelresonatoren, wobei im GPS-Frequenzbereich eine Dämpfung von 38 dB erreicht wird.
Bezugszeichenliste

10, 10': Filteranordnung
11: erster Serienresonator
12: erster Parallelresonator
13: zweiter Parallelresonator
14: erster Filteranschluss
15: zweiter Filteranschluss
16: Substrat
17: erste Induktivität
18: Träger
19: Bezugspotenzialanschluss
20: erste Kopplungsinduktivität
21: zweite Kopplungsinduktivität
22: erste Masseanschlussfläche
23: zweite Masseanschlussfläche
24: erste Hauptfläche
25: erste Metallisierungslage
26: zweite Metallisierungslage
27: dritte Metallisierungslage
28: erste Anschlussfläche
29: zweite Anschlussfläche
30: erste Hauptfläche
31: zweite Hauptfläche
32: Lötkugel
40: zweiter Serienresonator
41: dritter Parallelresonator
42: dritte Masseanschlussfläche
43: dritte Kopplungsinduktivität
44: dritter Serienresonator
45: zusätzlicher Serienresonator
50: zweite Induktivität
60: Funksystem
61: Duplexer
62: Sendefilter
63: Empfangsfilter
64: vierter Parallelresonator
65: Sendeverstärker
66: Eingang
67: Antenne
68: Empfangsverstärker
69: Ausgang
70: dritte Induktivität
71: vierte Induktivität
80: Resonator
81: erste Metallelektrode
82: piezoelektrische Schicht
83: zweite Metallelektrode
84: Leiterbahn
85: Anschluss
86: weitere Leiterbahn
87: weiterer Anschluss
88: Induktivität
90: Laminat
91: Beschichtung
f: Frequenz
RX: empfangenes Signal
SIG: Empfangssignal
TX: Sendesignal
VSS: Bezugspotential

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 2008/0100397 A1 [0003]
EP 1225695 A2 [0004]

Claims

Filteranordnung, umfassend – ein Substrat (16) mit einem ersten Serienresonator (11) sowie einem ersten und einem zweiten Parallelresonator (12, 13) und – einen Träger (18), auf dem das Substrat (16) angeordnet ist und der eine erste Induktivität (17) umfasst, deren erster Anschluss über den ersten Parallelresonator (12) mit einem ersten Anschluss des ersten Serienresonators (11) und über den zweiten Parallelresonator (13) mit einem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators (11) gekoppelt ist.
Filteranordnung nach Anspruch 1, bei der das Substrat (16) als einkristallines Substrat mit einer ersten Hauptfläche (24), an der der erste Serienresonator (11) sowie der erste und der zweite Parallelresonator (12, 13) angeordnet sind, realisiert ist.
Filteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das Substrat (16) als einkristalliner Halbleiterkörper, insbesondere Siliziumkörper, oder als einkristalliner Isolatorkörper, insbesondere Quarzkörper, realisiert ist.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der das Substrat (16) in Flip-Chip Technik mit dem Träger (18) verbunden ist.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das Substrat (16) umfassend eine erste Masseanschlussfläche (22), die mit dem ersten und dem zweiten Parallelresonator (12, 13) sowie mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität (17) verbunden ist.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das Substrat (16) umfassend – eine erste Masseanschlussfläche (22), die mit dem ersten Parallelresonator (12) und mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität (17) verbunden ist, und – eine zweite Masseanschlussfläche (23), die von der ersten Masseanschlussfläche (22) beabstandet ist und mit dem zweiten Parallelresonator (13) und mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität (17) verbunden ist.
Filteranordnung nach Anspruch 6, der Träger (18) umfassend mindestens eine Kopplungsinduktivität aus einer Gruppe, umfassend eine erste Kopplungsinduktivität (20), welche die erste Masseanschlussfläche (22) mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität (17) koppelt, und eine zweite Kopplungsinduktivität (21), welche die zweite Masseanschlussfläche (23) mit dem ersten Anschluss der ersten Induktivität (17) koppelt.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der mindestens ein Resonator aus einer Gruppe, umfassend den ersten Serienresonator (11) sowie den ersten und den zweiten Parallelresonator (12, 13), als akustischer Volumenwellen-Resonator realisiert ist.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das Substrat (16) umfassend mindestens einen weiteren Serienresonator (40, 44), der seriell zum ersten Serienresonator (11) geschaltet ist, und mindestens einen weiteren Parallelresonator (41), der den ersten Anschluss der Induktivität (17) mit einem Anschluss des weiteren Serienresonators (40, 44) koppelt.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, der Träger (18) umfassend mindestens ein Substrat aus einer Gruppe, die eine Leiterplatte und ein Keramiksubstrat, insbesondere eine LTCC oder eine HTCC, umfasst.
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, der Träger (18) umfassend mindestens eine Isolationslage und mindestens zwei Metallisierungslagen (25, 26, 27).
Filteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der die erste Induktivität (17) im Träger (18) integriert ist und als planare Spule realisiert ist.
Filteranordnung nach Anspruch 12, bei der die planare Spule – in mindestens einer Metallisierungslage (25, 26, 27) hergestellt ist und eine spiralförmige Leiterbahn (84) aufweist, – in mindestens zwei Metallisierungslagen (25, 26, 27) hergestellt ist und übereinander liegende Windungen aufweist.
Duplexer, umfassend ein Sendefilter (62) und ein Empfangsfilter (63), wobei mindestens ein Filter aus einer Gruppe, umfassend das Sendefilter (62) und das Empfangsfilter (63), eine Filteranordnung (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13 aufweist.
Verfahren zum Herstellen einer Filteranordnung (10), umfassend – Herstellen eines ersten Serienresonators (11) sowie eines ersten und eines zweiten Parallelresonators (12, 13) auf einem Substrat (16), – Herstellen einer ersten Induktivität (17) auf einem Träger (18) und – Anordnen des Substrats (16) auf dem Träger (18) derart, dass das Substrat (16) mit dem Träger (18) mechanisch verbunden ist und derart elektrisch leitend verbunden ist, dass ein erster Anschluss der ersten Induktivität (17) über den ersten Parallelresonator (12) mit einem ersten Anschluss des ersten Serienresonators (11) und über den zweiten Parallelresonator (13) mit einem zweiten Anschluss des ersten Serienresonators (11) elektrisch leitend verbunden ist.