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Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2009-0072182 , eingereicht am 05. August 2009, welche hiermit durch Bezugnahme eingeschlossen wird.
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine In-Plane-Switching-(IPS)-Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), insbesondere eine transflektive IPS-LCD-Vorrichtung, bei der die Reflexionseffizienz und das Kontrastverhältnis verbessert sind, und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung.
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Im Allgemeinen nutzt eine LCD-Vorrichtung die optische Anisotropie und die Polarisationseigenschaften von Flüssigkristallmolekülen zur Erzeugung eines Bildes. Da die LCD-Vorrichtung mit einer niedrigeren Leistung betrieben wird als eine Kathodenstrahlröhre (CRT) und Vorteile bezüglich kleinerer Abmessungen und eines dünneren Profils aufweist, werden LCD-Vorrichtungen in großem Umfang für Flachbildschirme (FPD oder Flat Panel Display) für Monitore oder Fernseher verwendet. Da ferner die LCD-Vorrichtung aufgrund ihres leichten Gewichts gut transportierbar ist, findet die LCD-Vorrichtung breite Verwendung als Anzeige für Notebook-Computer oder persönliche tragbare Eingabegeräte.
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Die LCD-Vorrichtung umfasst zwei Substrate, die einander zugewandt sind, und eine Flüssigkristallschicht zwischen den zwei Substraten. Zwei Elektroden sind auf inneren Oberflächen der zwei Substrate ausgebildet, und ein elektrisches Feld wird durch eine Spannungsdifferenz zwischen den zwei Elektroden erzeugt. Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht werden durch das elektrische Feld ausgerichtet, und die Durchlässigkeit der Flüssigkristallschicht wird angepasst. Dies führt dazu, dass die LCD-Vorrichtung ein Bild anzeigt.
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Da die LCD-Vorrichtung vom Licht emittierenden Typ ist, ist eine Lichtquelle für die LCD-Vorrichtung erforderlich. Daher umfasst die LCD-Vorrichtung eine Flüssigkristallplatte mit zwei Substraten und eine Flüssigkristallschicht zwischen den zwei Substraten und eine Hintergrundbeleuchtungseinheit unter der Flüssigkristallplatte. Das Licht von der Hintergrundbeleuchtungseinheit wird auf die Flüssigkristallplatte geworfen, und die Flüssigkristallschicht passt das Licht entsprechend der Ausrichtung der Flüssigkristallmoleküle an, so dass das Bild angezeigt wird.
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Da eine transmittierende LCD-Vorrichtung, bei der das Licht von der Hintergrundbeleuchtungseinheit die Flüssigkristallplatte passiert, eine künstliche Lichtquelle wie etwa die Hintergrundbeleuchtungseinheit verwendet, zeigt die transmittierende LCD-Vorrichtung ein helles Bild in dunkler Umgebung an. Da jedoch die Hintergrundbeleuchtungseinheit Energie verbraucht, hat die transmittierende LCD-Vorrichtung den Nachteil eines relativ hohen Energieverbrauchs.
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Um den Nachteil der transmittierenden LCD-Vorrichtung zu verbessern, wurde eine reflektierende LCD-Vorrichtung vorgeschlagen, die Umgebungslicht verwendet. Da die reflektierende LCD-Vorrichtung eine natürliche Umgebungslichtquelle oder künstliches Umgebungslicht nutzt, weist eine reflektierende LCD-Vorrichtung einen relativ niedrigen Energieverbrauch auf, verglichen mit der transmittierenden LCD-Vorrichtung. Daher finden reflektierende LCD-Vorrichtungen breite Verwendung als Anzeigevorrichtung für eine transportable Eingabevorrichtung wie etwa einen persönlichen digitalen Assistenten (PDA). Obwohl die reflektierende LCD-Vorrichtung ohne zusätzliche Lichtquelle den Vorteil eines niedrigen Energieverbrauchs aufweist, kann die reflektierende LCD-Vorrichtung andererseits nicht bei schwachem Umgebungslicht oder ohne Umgebungslicht verwendet werden.
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Kürzlich wurden transflektive LCD-Vorrichtungen vorgeschlagen, welche die Vorteile der transmittierenden LCD-Vorrichtungen und der reflektierenden LCD-Vorrichtungen vereinen. Die transflektierende LCD-Vorrichtung kann entweder einen elektrisch gesteuerten Doppelbrechungsmodus (ECB) oder einen Vertikalausrichtungsmodus (VA) aufweisen. Eine transflektive LCD-Vorrichtung im ECB-Modus hat jedoch den Nachteil eines kleinen Einblickswinkels, und eine transflektive LCD-Vorrichtung vom VA-Modus hat den Nachteil hoher Produktionskosten für eine Vielzahl von Ausgleichsschichten.
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LCD-Vorrichtungen werden nicht nur in persönlichen Anzeigevorrichtungen wie etwa Notebook-Rechnern verwendet, sondern auch in Massenmedien-Anzeigevorrichtungen wie etwa Fernsehern. Hierbei betrachten mehrere Benutzer die LCD-Vorrichtung unter verschiedenen Einblickswinkeln, und der Einblickswinkel der LCD-Vorrichtung ist das Thema jüngerer Forschungsaktivitäten. Um die Nachteile eines engen Einblickswinkels einer transflektiven LCD-Vorrichtung im ECB-Modus und einer transflektiven LCD-Vorrichtung im VA-Modus zu vermeiden, wurden transflektive LCD-Vorrichtungen im In-Plane-Switching-Modus (IPS) entwickelt, in welchem eine Pixel-Elektrode und eine gemeinsame Elektrode auf dem gleichen Substrat ausgebildet sind und die Flüssigkristallmoleküle durch ein horizontales elektrisches Feld ausgerichtet werden.
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1 ist ein Querschnitt durch eine transflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik. Gemäß 1 umfasst eine transflektive Flüssigkristall-(LCD)-Vorrichtung 1 vom In-Plane-Switching-Tip (IPS) erste und zweite Substrate 2 und 83 und eine Flüssigkristallschicht 90 zwischen den ersten und zweiten Substraten 2 und 83. Die ersten und zweiten Substrate 2 und 83 sind einander zugewandt und voneinander beabstandet. Obwohl in 1 nicht dargestellt, sind eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf einer inneren Oberfläche des ersten Substrats 2 ausgebildet. Die Gate-Leitung kreuzt die Datenleitung zur Festlegung eines Pixelbereichs P mit einem transmittierenden Bereich TA und einem reflektierenden Bereich RA. Ferner kreuzt, obwohl in 1 nicht dargestellt, eine gemeinsame Leitung parallel zur Gate-Leitung den Pixel-Bereich P, und ein umschaltender Dünnschicht-Transistor (TFT) ist in dem Pixelbereich P angeordnet. Eine reflektierende Schicht 50 aus einem metallischen Material mit einem relativ hohen Reflexionsvermögen ist in dem reflektierenden Bereich RA angeordnet, und eine Pixelelektrode 70 ist auf der reflektierenden Schicht 50 ausgebildet. Die Pixel-Elektrode 70 ist in dem reflektierenden Bereich RA und in dem transmittierenden Bereich TA ausgebildet. Eine Isolationsschicht 72 ist auf der Pixelelektrode 70 ausgebildet, und eine gemeinsame Elektrode 80, die mit der gemeinsamen Leitung verbunden ist, ist auf der Isolationsschicht 72 ausgebildet. Die gemeinsame Elektrode 80 umfasst eine Anzahl erster Öffnungen op1 und eine Anzahl zweiter Öffnungen op2, die jeweils stabförmig sind. Die ersten Öffnungen op1 und die zweiten Öffnungen op2 sind in den transmittierenden und reflektierenden Bereichen TA und RA jeweils angeordnet.
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Eine schwarze Matrix (nicht dargestellt) ist auf einer inneren Oberfläche des zweiten Substrats 83 ausgebildet, und eine Farbfilterschicht 86 ist auf der schwarzen Matrix ausgebildet. Die schwarze Matrix entspricht einer Grenze zwischen den benachbarten Pixelbereichen P, und die Farbfilterschicht 86 entspricht dem Pixelbereich P. Zusätzlich ist eine Deckschicht 88 auf der Farbfilterschicht 86 angebracht. Erste und zweite Polarisationsplatten 93 und 95 sind jeweils auf äußeren Oberflächen der ersten und zweiten Substrate 2 und 83 angebracht.
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Die transflektive IPS-LCD-Vorrichtung 1 umfasst erste und zweite Zelllücken d1 und d2 jeweils in den transmittierenden und reflektierenden Bereichen TA und RA. Die erste Zelllücke d1, die einer Dicke der Flüssigkristallschicht 90 in dem transmittierenden Bereich TA entspricht, ist das Zweifache der zweiten Zelllücke d2 entsprechend einer Dicke der Flüssigkristallschicht 90 in dem reflektierenden Bereich RA, so dass eine Verzögerung von Licht, das die Flüssigkristallschicht 90 in dem transmittierenden Bereich TA passiert, die gleiche sein kann wie die Verzögerung von Licht, das die Flüssigkristallschicht 90 in dem reflektierenden Bereich RA passiert. Das Licht von einer Hintergrundbeleuchtungseinheit (nicht dargestellt) unter dem ersten Substrat 2 passiert die Flüssigkristallschicht 90 in dem transmittierenden Bereich TA, während das Umgebungslicht die Flüssigkristallschicht 90 passiert, und das Umgebungslicht wird an der reflektierenden Schicht 50 reflektiert, und das reflektierende Umgebungslicht passiert die Flüssigkristallschicht 90 wieder in dem reflektierenden Bereich RA. Somit passiert das Licht in der Flüssigkristallschicht 90 in dem transmittierenden Bereich TA einmal, während das Licht die Flüssigkristallschicht 90 in dem reflektierenden Bereich RA zweimal passiert.
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Da die Lichtverzögerung proportional zur Länge des Lichtwegs ist, unterscheidet sich die Verzögerung des Lichts in dem transmittierenden Bereich TA von der Verzögerung des Lichts in dem reflektierenden Bereich RA, wenn die erste Zelllücke d1 die Gleiche ist wie die zweite Zelllücke d2. Um die Verzögerungen in den transmittierenden und reflektierenden Bereichen TA und RA einander anzupassen, ist die Flüssigkristallschicht 90 so ausgebildet, dass die erste Zelllücke d1 dem Zweifachen der zweiten Zelllücke d2 entspricht (d1 = 2 × d2). Beispielsweise kann die Flüssigkristallschicht 90 in dem transmittierenden Bereich TA als eine λ/2-Zelle ausgebildet sein, in der sich die Phase des Lichts um π ändert, während die Flüssigkristallschicht 90 in dem reflektierenden Bereich RA als λ/4-Zelle ausgebildet sein kann, in der die Phase des Lichts um π/2 ändert.
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In dem transmittierenden Bereich TA der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung 1 erhält man ein schwarzes Bild, wenn ein Ausrichter, der eine längere Achse eines Flüssigkristallmoduls darstellt, der Flüssigkristallschicht 90 der λ/2-Zelle parallel zu einer Polarisationsachse der zweiten Polarisationsplatte 95 steht. In dem reflektierenden Bereich RA der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung 1 erhält man das schwarze Bild, wenn der Ausrichter der Flüssigkristallschicht 90 der λ/4-Zelle einen Winkel von 45° mit der Polarisationsachse der zweiten Polarisierungsplatte 95 einschließt. Da die Orientierungsrichtungen für das erste und das zweite Substrat 2 und 83 in den transmittierenden und reflektierenden Bereichen TA und RA sich voneinander unterscheiden, kann die geteilte Orientierung der transmittierenden und reflektierenden Bereiche TA und RA nur durch ein Ultraviolett-(UV)-Orientierungsverfahren erreicht werden.
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Die transflektive IPS-LCD-Vorrichtung 1 weist jedoch die Nachteile einer niedrigen Reflexionseffizienz und eines Zuwachses der Helligkeit des schwarzen Bildes in dem reflektierenden Bereich RA auf, wo die Flüssigkristallschicht 90 eine kleinere Dicke aufweist.
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2 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen und einer Spannungsdifferenz entsprechend einer Zelllücke in einer transflektiven Flüssigkristallvorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik, 3 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen und einer Spannungsdifferenz entsprechend einer Wellenlänge in einer transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik, und 4 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen eines schwarzen Bildes und einer Wellenlänge in einer transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik.
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Wenn gemäß 2 eine Zelllücke abnimmt, nimmt das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich ab, wenn die Spannungsdifferenz zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode innerhalb eines Bereichs von etwa 2 V bis etwa 7 V liegt. Wenn beispielsweise die Spannungsdifferenz von etwa 5 V an der Flüssigkristallschicht in dem reflektierenden Bereich anliegt, ist das Reflexionsvermögen durch die Flüssigkristallschicht mit der Zelllücke von etwa 1,8 μm etwa 0,74, und das Reflexionsvermögen durch die Flüssigkristallschicht mit einer Zelllücke von etwa 4,3 μm ist etwa 0,85. Somit ist das Reflexionsvermögen durch die Flüssigkristallschicht mit der Zelllücke von etwa 1,8 μm um etwa 15% des Reflexionsvermögens durch die Flüssigkristallschicht mit der Zelllücke von etwa 4,3 μm reduziert.
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Ferner nimmt die Helligkeit eines weißen Bildes ab, wenn die Zelllücke abnimmt. Das weiße Bild kann in dem reflektierenden Bereich erhalten werden, wenn die Spannungsdifferenz zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode innerhalb eines Bereichs von etwa 6 V bis 7 V liegt. Wenn die Zelllücke abnimmt, wird die Gleichförmigkeit der Ausrichter entsprechend der Positionen verschlechtert. Wenn ferner die Flüssigkristallschicht durch die Spannungsdifferenz angetrieben wird, wächst die Veränderung der Helligkeit des weißen Bilds aufgrund der Veränderung des Ausrichters an, wenn Ausrichter so ausgerichtet wird, dass er stärker parallel zur Polarisationsachse der zweiten Polarisierungsplatte steht.
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Gemäß 3 ist die Helligkeit der schwarzen Bilder für Wellenlängen von etwa 650 nm und 450 nm größer als die Helligkeit des schwarzen Bilds für eine Wellenlänge von etwa 550 nm. Die schwarzen Bilder für die Wellenlängen von etwa 650 nm, etwa 550 nm und etwa 450 nm können in dem reflektierenden Bereich erhalten werden, wenn die Spannungsdifferenz zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode etwa 0 V beträgt. Wenn beispielsweise die Spannungsdifferenz von etwa 0 V an die Flüssigkristallschicht in dem reflektierenden Bereich angelegt wird, kann das Reflexionsvermögen für grünfarbiges Licht mit der Wellenlänge von etwa 550 nm etwa 0 sein, und das schwarze Bild für grünes Licht kann eine relativ niedrige Helligkeit haben. Wenn jedoch die Spannungsdifferenz von etwa 0 V an die Flüssigkristallschicht in dem reflektierenden Bereich angelegt wird, kann das Reflexionsvermögen für blaufarbiges Licht mit einer Wellenlänge von etwa 450 nm etwa 0,23 betragen, und das schwarze Bild für das blaufarbige Licht kann eine relativ hohe Helligkeit aufweisen.
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Wenn gemäß 4 die Spannungsdifferenz von etwa 0 V an die Flüssigkristallschicht angelegt wird, hat das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich einen Minimalwert bei der Wellenlänge von etwa 550 nm, und das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich wächst an, wenn die Wellenlänge anwächst oder abnimmt. Beispielsweise kann das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich etwa 0 bei der Wellenlänge von etwa 550 nm sein, und das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich kann größer als 0 für die übrigen Wellenlängen sein. Der Zuwachs der Helligkeit des schwarzen Bilds kann eine Verschlechterung des Kontrastverhältnisses der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung bewirken.
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Demnach ist die vorliegende Erfindung auf eine transflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Line-Switching-Typ und ein Verfahren zur Herstellung derselben zu schaffen, die im wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik lösen.
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Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Schaffung einer transflektiven Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung vom In-Line-Switching-Typ, bei der eine Reflexionseffizienz und eine Helligkeit eines schwarzen Bildes aufgrund einer Vergrößerung einer Zelllücke in einem reflektierenden Bereich verbessert sind.
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Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung einer transflektiven Flüssigkristallvorrichtung vom In-Line-Switching-Typ, bei der ein Freiheitsgrad bei der Herstellung und der Produktivität aufgrund einer verdrehten Ausrichtung in einem reflektierenden Bereich und einer Optimierung eines Verdrehungswinkels von Flüssigkristallmolekülen verbessert sind.
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Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung deutlich, oder werden durch die Anwendung der Erfindung ersichtlich. Diese oder weitere Vorteile der Erfindung werden durch den Aufbau realisiert und erhalten, der im folgenden beschrieben wird und aus den beigefügten Ansprüchen sowie aus den beigefügten Zeichnungen ersichtlich ist.
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Zur Erreichung dieser und weiterer Vorteile wird erfindungsgemäß, wie im folgenden beschrieben, eine transflektive Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung vom In-Line-Switching-Typ geschaffen, umfassend: Erste und zweite Substrate, die einander zugewandt und voneinander beabstandet sind; eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf einer inneren Oberfläche des ersten Substrats, welche Gate-Leitung und welche Daten-Leitung einander kreuzen zur Festlegung eines Pixelbereichs mit einem transmittierenden Bereich und einem reflektierenden Bereich; eine gemeinsame Leitung parallel zur Gate-Leitung; einen Dünnschicht-Transistor, der mit der Gate-Leitung und der Daten-Leitung verbunden ist; eine erste Passivierungsschicht über dem Dünnschicht-Transistor; eine Reflexionsschicht über der ersten Passivierungsschicht in dem reflektierenden Bereich; eine zweite Passivierungsschicht über der Reflexionsschicht; eine Pixel-Elektrode über der zweiten Passivierungsschicht, welche Pixel-Elektrode eine Plattenform in dem Pixelbereich aufweist und mit dem Dünnschicht-Transistor verbunden ist; eine dritte Passivierungsschicht über der Pixel-Elektrode; eine gemeinsame Elektrode über der dritten Passivierungsschicht, welche gemeinsame Elektrode mit der gemeinsamen Leitung verbunden ist, und welche gemeinsame Elektrode eine Anzahl erster Öffnungen entlang einer erster Richtung in den transmittierenden Bereich und eine Anzahl zweiter Öffnungen entlang einer zweiten Richtung unterschiedlich von der ersten Richtung in den reflektierenden Bereich aufweist, wobei jede der ersten Öffnungen und zweiten Öffnungen eine stabförmige Form hat; eine Farbfilterschicht auf einer inneren Oberfläche des zweiten Substrats; und eine Flüssigkristallschicht zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat.
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Gemäß einem weiteren Aspekt umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ: Die Bildung einer Gate-Leitung und einer Daten-Leitung auf einer inneren Oberfläche eines ersten Substrats, welche Gate-Leitung und welche Daten-Leitung einander kreuzen zur Festlegung eines Pixel-Bereichs mit einem Transmissionsbereich und einem reflektierenden Bereich; die Bildung einer gemeinsamen Leitung parallel zu der Gate-Leitung; die Bildung eines Dünnschicht-Transistors, der mit der Gate-Leitung und der Daten-Leitung verbunden ist; die Bildung einer ersten Passivierungsschicht über dem Dünnschicht-Transistor; die Bildung einer reflektierenden Schicht über der ersten Passivierungsschicht in dem reflektierenden Bereich; die Bildung einer zweiten Passivierungsschicht über der reflektierenden Schicht, die Bildung einer Pixel-Elektrode über der zweiten Passivierungsschicht, welche Pixel-Elektrode eine plattenförmige Form in dem Pixelbereich aufweist und mit dem Dünnschicht-Transistor verbunden ist; die Bildung einer dritten Passivierungsschicht über der Pixel-Elektrode; die Bildung einer gemeinsamen Elektrode über der dritten Passivierungsschicht, welche gemeinsame Elektrode mit der gemeinsamen Leitung verbunden ist und welche gemeinsame Elektrode eine Anzahl erster Öffnungen entlang einer ersten Richtung in dem transmittierenden Bereich und eine Anzahl zweiter Öffnungen entlang einer zweiten Richtung unterschiedlich von der ersten Richtung in dem reflektierenden Bereich aufweist, wobei jede der ersten Öffnungen und zweiten Öffnungen eine stabförmige Form hat; die Bildung einer Farbfilterschicht auf einer inneren Oberfläche eines zweiten Substrats; die Verbindung der ersten und zweiten Substrate derart, dass die gemeinsame Elektrode der Farbfilterschicht zugewandt ist; und die Bildung einer Flüssigkristallschicht zwischen dem ersten und zweiten Substrat.
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Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft zu verstehen sind und zur weiteren Erläuterung der in den Ansprüchen festgelegten Erfindung dienen.
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Die beigefügten Zeichnungen, die zum besseren Verständnis der Erfindung dienen sollen und einen Teil der Beschreibung bilden, stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
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1 ist ein Schnitt durch eine transflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik;
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2 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen und einer Spannungsdifferenz entsprechend einer Zelllücke in einer transflektiven LCD-Anzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik;
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3 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen und einer Spannungsdifferenz entsprechend einer Wellenlänge in einer transflektiven LCD-Anzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik;
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4 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen eines schwarzen Bildes und einer Wellenlänge in einer transflektiven LCD-Anzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß dem Stand der Technik;
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5 ist eine Draufsicht auf eine transflektive LCD-Anzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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6 ist ein Schnitt entlang einer Linie VI-VI in 5;
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7 ist ein Koordinatensystem zur Darstellung von Orientierungsrichtungen, Polarisationsachsen und Richtungen von Öffnungen in einer transflektiven LCD-Anzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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8 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen und einer Spannungsdifferenz in transflektiven LCD-Anzeigevorrichtungen vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und gemäß dem Stand der Technik; und
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9 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen eines schwarzen Bildes und einer Wellenlänge in transflektiven LCD-Anzeigevorrichtungen vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und dem Stand der Technik.
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Es folgt eine detaillierte Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die beispielhaft in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wo es möglich ist, sind gleiche Bezugsziffern für gleiche oder ähnliche Bauteile verwendet.
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5 ist eine Draufsicht auf eine transflektive LCD-Anzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 6 ist ein Schnitt entlang einer Linie VI-VI in 5.
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In den 5 und 6 umfasst eine transflektive IPS-Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (LCD) 101 erste und zweite Substrate 102 und 181, die einander zugewandt und voneinander beabstandet sind und eine erste Flüssigkristallschicht 190 zwischen den ersten und zweiten Substraten 102 und 181. Die ersten und zweiten Substrate 102 und 181 umfassen einen Pixelbereich P mit einem transmittierenden Bereich TA und einem reflektierenden Bereich RA. Eine Gate-Leitung 103, eine Daten-Leitung 125 und eine gemeinsame Leitung 109 sind auf einer inneren Oberfläche des ersten Substrats 102 ausgebildet. Die Gate-Leitung 103 und die Daten-Leitung 122 kreuzen einander zur Festlegung des Pixelbereichs P. Die gemeinsame Leitung 109 ist parallel zu der Gate-Leitung 103 und kreuzt den Pixelbereich P. Ein erster gemeinsamer Vorsprung 110, der sich von der gemeinsamen Leitung 109 erstreckt, ist in dem reflektierenden Bereich RA ausgebildet, und ein zweiter gemeinsamer Vorsprung 111, der sich von der gemeinsamen Leitung 109 erstreckt, ist so ausgebildet, dass er teilweise die Datenleitung 125 überlappt.
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Ferner ist ein Dünnschicht-Transistor (TFT) Tr mit der Gate-Leitung 103 verbunden, und die Daten-Leitung 125 ist in dem Pixelbereich P ausgebildet. Der TFT Tr umfasst eine Gate-Elektrode 106, eine Gate-Isolationsschicht 115, eine Halbleiterschicht 120, eine Source-Elektrode 130 und eine Drain-Elektrode 133. Die Gate-Elektrode ist mit der Gate-Leitung 103 verbunden, und die Source-Elektrode 130 ist mit der Daten-Leitung 125 verbunden. Die Halbleiterschicht 120 umfasst eine aktive Schicht 120a aus intrinsischem amorphen Silicium und eine ohmsche Kontaktschicht 120b aus mit Verunreinigungen dotiertem amorphem Silicium. Die Source- und Drain-Elektroden 130 und 133 sind voneinander beabstandet. Die Drain-Elektrode 133 überlappt den ersten gemeinsamen Vorsprung 110 zur Bildung eines Kondensator-Speichers StgC unter Verwendung des ersten gemeinsamen Vorsprungs 110, der Gate-Isolationsschicht 115 und der Drain-Elektrode 133 als erster Kondensator-Elektrode, einer dielektrischen Schicht und einer zweiten Kondensator-Elektrode.
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Eine erste Passivierungsschicht 136 aus anorganischem isolierenden Material ist auf dem TFT Tr und der Daten-Leitung 125 ausgebildet, und eine zweite Passivierungsschicht 140 aus einem organischen Isolationsmaterial ist auf der ersten Passivierungsschicht 136 ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 140 kann eine Anzahl unebener Bereiche auf einer oberen Oberfläche in dem reflektierenden Bereich RA aufweisen. Eine dritte Passivierungsschicht 142 aus einem anorganischen Isolationsmaterial ist auf der zweiten Passivierungsschicht 140 ausgebildet, und eine reflektierende Schicht 150 aus einem metallischen Material mit einem relativ hohen Reflektionsvermögen ist auf der dritten Passivierungsschicht 142 in dem reflektierenden Bereich RA ausgebildet. Sowohl die dritte Passivierungsschicht 142 als auch die reflektierende Schicht 150 umfassen eine Anzahl unebener Bereiche auf ihren oberen Oberflächen aufgrund der zweiten Passivierungsschicht 140.
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Die erste Passivierungsschicht 136 aus einem anorganischen Isolationsmaterial kann zwischen dem TFT Tr und der zweiten Passivierungsschicht 140 vorgesehen sein, um eine Verunreinigung des Kanalbereichs der aktiven Schicht 120a und eine Verschlechterung des TFT Tr aufgrund eines direkten Kontaktes der zweiten Passivierungsschicht 140 aus einem organischen Isolationsmaterial und der Halbleiterschicht 120 zu verhindern. Ferner kann die dritte Passivierungsschicht 142 zwischen der zweiten Passivierungsschicht 140 und der reflektierenden Schicht 150 ausgebildet sein, um die Adhäsionskraft zwischen der zweiten Passivierungsschicht 140 aus einem organischen Isolationsmaterial und der reflektierenden Schicht 150 aus einem metallischen Material zu vergrößern. Obwohl die transflektierende IPS-LCD-Vorrichtung 101 aus den 5 und 6 die ersten, zweiten und dritten Passivierungsschichten 136, 140 und 142 umfasst, können die ersten und dritten Passivierungsschichten 136 und 142 in einer weiteren Ausführungsform weggelassen sein. Eine vierte Passivierungsschicht 152 aus einem organischen Isolationsmaterial ist auf der reflektierenden Schicht 150 in dem reflektierenden Bereich RA ausgebildet. Eine Dicke der Flüssigkristallschicht 190 in dem reflektierenden Bereich RA, d. h. eine dritte Zelllücke d3 ist kleiner als eine Dicke der Flüssigkristallschicht 190 in dem transmittierenden Bereich TA, d. h. eine vierte Zelllücke d4 aufgrund der vierten Passivierungsschicht 152. Ferner ist eine fünfte Passivierungsschicht 155 aus einem anorganischen Isolationsmaterial auf den dritten und vierten Passivierungsschichten 142 und 152 ausgebildet. Die fünften, dritten, zweiten und ersten Passivierungsschichten 155, 142, 140 und 136 können ein Drain-Kontaktloch 158 umfassen, das die Drain-Elektrode 133 freilegt.
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Eine Pixel-Elektrode 160 aus einem transparenten leitenden Material ist auf der fünften Passivierungsschicht 155 in dem Pixelbereich P ausgebildet. Die Pixel-Elektrode 160 hat eine Plattenform und ist mit der Drain-Elektrode 133 durch das Drain-Kontaktloch 158 verbunden. Die fünfte Passivierungsschicht 155 kann zwischen der vierten Passivierungsschicht 152 und der Pixel-Elektrode 160 ausgebildet sein, um die Adhäsionskraft zwischen der vierten Passivierungsschicht 152 aus einem organischen Isolationsmaterial und der Pixel-Elektrode 160 aus einem transparenten leitfähigen Material zu verstärken und kann in einer anderen Ausführungsform weggelassen sein. Ferner kann die Pixel-Elektrode 160 teilweise den zweiten gemeinsamen Vorsprung 111 überlappen, und der zweite gemeinsame Vorsprung 111 kann Licht abschirmen, das eine Lücke zwischen der Daten-Leitung 125 und der Pixel-Elektrode 160 passiert, um einen Lichtaustritt zu verhindern.
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Eine sechste Passivierungsschicht 163 aus einem anorganischen Isolationsmaterial ist auf der Pixel-Elektrode 160 ausgebildet, und eine gemeinsame Elektrode 170 aus einem transparenten leitfähigen Material ist auf der sechsten Passivierungsschicht 163 in jedem Pixelbereich P oder auf einem gesamten Anzeigebereich des ersten Substrats 102 ausgebildet. Obwohl in den 5 und 6 nicht dargestellt, ist die gemeinsame Elektrode 107 mit der gemeinsamen Leitung 109 durch ein gemeinsames Kontaktloch verbunden. Ferner ist eine erste Orientierungsschicht 172 auf der gemeinsamen Elektrode 170 ausgebildet.
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Die gemeinsame Elektrode 170 umfasst eine Anzahl erster Öffnungen op1, die jeweils eine Stabform aufweisen, und eine Anzahl zweiter Öffnungen op2, die ebenfalls eine Stabform haben. Die Anzahl erster Öffnungen op1, die voneinander beabstandet sind, ist entlang einer ersten Richtung X1 parallel zu der Datenleitung 125 in dem transmittierenden Bereich TA angeordnet, und die Anzahl der zweiten Öffnungen op2, die voneinander beabstandet sind, sind entlang einer zweiten Richtung X2 unterschiedlich von der ersten Richtung X1 in dem reflektierenden Bereich RA angeordnet.
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Ferner ist eine schwarze Matrix 183 auf einer inneren Oberfläche des zweiten Substrats 181 angeordnet, und eine Farbfilterschicht 185 ist auf der schwarzen Matrix 183 ausgebildet. Die schwarze Matrix 183 entspricht einem Grenzbereich des Pixelbereichs P, d. h. der Gate-Leitung 103 und der Daten-Leitung 125. Die Farbfilterschicht 185 umfasst rote, grüne und blaue Farbfilter R, G und B, die jeweils dem Pixelbereich P entsprechen. Jeder Farbfilter kann ein Durchgangsloch TH in einem zentralen Bereich des reflektierenden Bereichs RA aufweisen, so dass eine Helligkeit des reflektierenden Bereichs RA verbessert werden kann. Eine Deckschicht 187 ist auf der Farbfilterschicht 185 ausgebildet, und eine zweite Orientierungsschicht 189 ist auf der Deckschicht 187 ausgebildet.
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Darüber hinaus sind erste und zweite Polarisationsplatten 193 und 195 jeweils auf den äußeren Oberflächen der ersten und zweiten Substrate 102 und 181 ausgebildet. Die Flüssigkristallschicht 190 zwischen den ersten und zweiten Orientierungsschichten 172 und 189 hat eine Dicke entsprechend der dritten Zelllücke d3 in dem reflektierenden Bereich RA und eine Dicke entsprechend der vierten Zelllücke d4 größer als die dritte Zelllücke d3 in dem transmittierenden Bereich TH. Beispielsweise kann die vierte Zelllücke d4 das 1,7-fache der dritten Zelllücke d3 betragen (d4 = 1,7 × d3).
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Die Beziehungen der Orientierungsrichtungen, Polarisationsachsen und Richtungen der Öffnungen in der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
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7 ist ein Koordinatensystem, das die Orientierungsrichtungen, Polarisationsachsen und Richtungen von Öffnungen in einer transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Gemäß den 5, 6 und 7 ist eine x-Achse des Koordinatensystems definiert als eine Richtung parallel zu der Gate-Leitung 125, und eine y-Achse des Koordinatensystems ist definiert als eine Richtung parallel zu der ersten Öffnung op1 in dem transmittierenden Bereich TA, d. h., der ersten Richtung X1. Eine Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem transmittierenden Bereich TA ist die gleiche wie eine Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem reflektierenden Bereich RA. Demnach hat die zweite Orientierungsschicht 189 des zweiten Substrats 181 eine einzige Orientierungsrichtung, unabhängig von den transmittierenden und reflektierenden Bereichen TA und RA, und die zweite Orientierungsschicht 189 kann durch einen einzigen Orientierungsschritt unter Verwendung eines Ultraviolett-(UV)-Orientierungsverfahrens entlang einer einzigen Richtung oder eines Reibverfahrens anstelle eines geteilten Orientierungsschritts orientiert werden. Der geteilte Orientierungsschritt kann lediglich durch das UV-Orientierungsverfahren durchgeführt werden. Die Verarbeitungszeit für das UV-Orientierungsverfahren ist länger als die Verarbeitungszeit für das Reibverfahren, und das Reibverfahren ist dem UV-Orientierungsverfahren bezüglich einer Anzeigequalität eines Bildverbleibs überlegen. Demnach werden die Verarbeitungszeit und die Eigenschaften durch den einzigen Schritt zur Orientierung der zweiten Orientierungsschicht 189 unter Verwendung eines Reibverfahrens verbessert.
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Die ersten und zweiten Polarisierungsplatten 193 und 195 haben jeweils erste und zweite Polarisationsachsen p1 und p2, und die erste Polarisationsachse p1 steht senkrecht zu der zweiten Polarisationsachse p2. Die zweite Polarisationsachse p2 steht parallel sowohl zur Orientierungsrichtung der ersten und zweiten Orientierungsschichten 172 und 189 in dem Transmissionsbereich TA und zur Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem Reflexionsbereich RA. Somit weist jede der Orientierungsrichtungen der ersten und zweiten Orientierungsschichten 172 und 189 in dem Transmissionsbereich TA, die zweite Polarisationsachse p2 und die Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem reflektierenden Bereich RA einen ersten Winkel α1 im Uhrzeigersinn bezüglich der Y-Achse der Richtung parallel zu der ersten Öffnung op1 auf, d. h. der ersten Richtung X1. Ferner umschließt die erste Polarisationsachse p1 den ersten Winkel α1 im Uhrzeigersinn mit der X-Achse. Beispielsweise kann der erste Winkel α1 in einem Bereich von etwa 5° bis etwa 10° liegen.
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Ferner steht die Orientierungsrichtung der ersten Orientierungsschicht 172 in dem Reflexionsbereich RA parallel zu der Richtung jeder zweiten Öffnung op2, d. h. der zweiten Richtung X2. Die Orientierungsrichtung der ersten Orientierungsschicht 172 in dem Reflexionsbereich RA und die Richtung jeder zweiten Öffnung op2, d. h. die zweite Richtung X2 schließen einen zweiten Winkel α2 im Uhrzeigersinn mit der Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht in den transmittierenden und reflektierenden Bereichen TA und RA ein. Beispielsweise kann der zweite Winkel α2 in einem Bereich von etwa 62° bis etwa 64° liegen.
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Wenn die ersten und zweiten Winkel α1 und α2 etwa jeweils bei 5° und etwa 63° liegen, schließen die Orientierungsrichtungen der ersten und zweiten Orientierungsschichten 172 und 189 in dem Transmissionsbereich TA, die zweite Polarisationsachse p2 der zweiten Polarisierungsplatte 195 und die Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem reflektierenden Bereich RA einen Winkel von etwa 5° im Uhrzeigersinn mit der Richtung jeder ersten Öffnung op1 ein, d. h. mit der ersten Richtung X1. Ferner schließen die Orientierungsrichtung der ersten Orientierungsschicht 172 in dem Reflexionsbereich RA und die Richtung jeder zweiten Öffnung op2, d. h., die zweite Richtung X2 einen Winkel von etwa 68°, was die Summe der ersten und zweiten Winkel α1 und α2 ist, im Uhrzeigersinn mit der Richtung jeder ersten Öffnung op1 ein, d. h. der ersten Richtung X1.
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Da die Flüssigkristallschicht 190 in dem reflektierenden Bereich RA eine verdrehte Struktur aufweist, derart, dass die Orientierungsrichtungen der ersten und zweiten Orientierungsschichten 172 und 189 um den zweiten Winkel α2 zueinander verdreht sind, hat bei der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung 101 gemäß der vorliegenden Erfindung der reflektierende Bereich RA entsprechend der dritten Zelllücke d3, die etwa das 1/1,7-fache der vierten Zelllücke d4 ist (d3 = (1/1,7) × d4), die gleiche Verzögerung auf, wie der transmittierende Bereich TA entsprechend der vierten Zelllücke D4. Beispielsweise kann die Dicke der Flüssigkristallschicht 190 in dem transmittierenden Bereich TA, d. h. die vierte Zelllücke d4 in einem Bereich von etwa 3,8 μm bis etwa 4,3 μm liegen, und die Dicke der Flüssigkristallschicht 190 in dem reflektierenden Bereich RA, d. h., die dritte Zelllücke d3 kann in einem Bereich von etwa 2,24 μm bis etwa 2,53 μm liegen. Dies führt dazu, dass die Reflexionseffizienz und die Helligkeit eines schwarzen Bildes aufgrund der Vergrößerung der Zelllücke in dem reflektierenden Bereich RA verbessert sind.
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Da ferner die Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem transmittierenden Bereich TA die Gleiche ist wie die Orientierungsrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 in dem reflektierenden Bereich RA, kann der Schritt der Ausrichtung der zweiten Orientierungsschicht 189 entweder durch ein Reibverfahren oder durch ein UV-Orientierungsverfahren entlang einer einzigen Richtung durchgeführt werden. Dies führt dazu, dass der Freiheitsgrad bei der Herstellung und die Produktivität verbessert werden.
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8 ist ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen und einer Spannungsdifferenz in transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtungen vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und gemäß dem Stand der Technik zeigt. Das Reflexionsvermögen in 8 bezeichnet eine Gesamtreflexion bei einer transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) vom In-Plane-Switching-(IPS)-Typ mit einer Farbfilterschicht und einer Polarisierungsplatte.
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In 8 ist das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich einer transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung um etwa 10% verbessert im Vergleich zum Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich einer transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß dem Stand der Technik. Wenn beispielsweise die Spannungsdifferenz von etwa 5 V an die Flüssigkristallschicht in dem reflektierenden Bereich angelegt wird, beträgt das Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung etwa 0,315, und das Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß dem Stand der Technik beträgt 0,285. Demnach ist das Reflexionsvermögen um 10,5% verbessert.
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Tabelle 1 ist eine Tabelle zur Darstellung der Helligkeit eines schwarzen Bildes, der Helligkeit eines weißen Bildes und eines Kontrastverhältnisses in einem reflektierenden Bereich transflektiver Flüssigkristallanzeigevorrichtungen vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und nach dem Stand der Technik. In Tabelle 1 bedeutet die Helligkeit des reflektierenden Bereichs das Reflexionsvermögen des reflektierenden Bereichs. Tabelle 1
| | Stand der Technik | Vorliegende Erfindung |
| Helligkeit eines schwarzen Bildes | 0,010285 | 0,008588 |
| Helligkeit eines weißen Bildes | 0,276749 | 0,302808 |
| Kontrastverhältnis | 27 | 35 |
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In Tabelle 1 bezeichnet die Helligkeit jeweils des schwarzen und weißen Bildes in dem reflektierenden Bereich das Reflexionsvermögen des reflektierenden Bereichs. Die Helligkeit des schwarzen Bildes der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung nach dem Stand der Technik beträgt etwa 0,010285, während die Helligkeit des schwarzen Bildes der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung etwa 0,008588 beträgt. Somit wird die Helligkeit des schwarzen Bildes um etwa 16% verbessert. Ferner beträgt die Helligkeit des weißen Bildes der IPS-LCD-Vorrichtung nach dem Stand der Technik etwa 0,276749, während die Helligkeit des weißen Bildes der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik etwa 0,302808 beträgt. Demnach wird die Helligkeit des weißen Bildes um etwa 10% verbessert. Das Kontrastverhältnis ist definiert durch das Verhältnis der Helligkeit des weißen Bildes zur Helligkeit des schwarzen Bildes. Demnach beträgt das Kontrastverhältnis der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung nach dem Stand der Technik etwa 27, und das Kontrastverhältnis der transflektiven IPS-LCD-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beträgt etwa 35. Demnach wird das Kontrastverhältnis um etwa 30% verbessert.
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9 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Beziehung zwischen einem Reflexionsvermögen eines schwarzen Bildes und einer Wellenlänge in transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtungen vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und dem Stand der Technik. Das Reflexionsvermögen bezeichnet in 9 eine gesamte Reflexion der transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) vom IPS-Typ einschließlich einer Farbfilterschicht und einer Polarisierungsplatte, wenn die Spannungsdifferenz von etwa 0 V an die Flüssigkristallschicht angelegt wird.
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In 9 ist das Reflexionsvermögen in dem reflektierenden Bereich der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung verbessert im Vergleich zum Reflexionsvermögen im reflektierenden Bereich einer transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ nach dem Stand der Technik. Obwohl das Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung ähnlich zu dem Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ nach dem Stand der Technik bei einer Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von etwa 500 nm bis etwa 780 nm ist, ist das Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung reduziert im Vergleich zum Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ nach dem Stand der Technik für eine Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von etwa 380 nm bis etwa 550 nm. Beispielsweise beträgt das Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß der vorliegenden Erfindung für die Wellenlänge von etwa 450 nm entsprechend blauem Licht etwa 0,065, während das Reflexionsvermögen der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ gemäß dem Stand der Technik bei der Wellenlänge von etwa 450 nm etwa 0,085 beträgt. Da das Reflexionsvermögen für die Wellenlänge von etwa 450 nm um etwa 24% verbessert sein kann, kann das schwarze Bild mit einer reduzierten Helligkeit angezeigt werden, und das Kontrastverhältnis kann verbessert werden.
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Da somit in einer transflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom In-Plane-Switching-Typ gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Zelllücke in einem reflektierenden Bereich anwachst, ohne dass eine Zelllücke in dem transmittierenden Bereich anwächst, wächst ein Reflexionsvermögen (d. h. eine Helligkeit) eines weißen Bildes in dem reflektierenden Bereich an, und ein Reflexionsvermögen (d. h. eine Helligkeit) eines schwarzen Bildes in dem reflektierenden Bereich für eine kleinere Wellenlänge wächst an. Somit wird ein Kontrastverhältnis der transflektiven LCD-Vorrichtung vom IPS-Typ verbessert.
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Da ferner eine zweite Orientierungsschicht in dem transmittierenden Bereich die gleiche Orientierungsrichtung aufweist wie die zweite Orientierungsschicht des reflektierenden Bereichs, wird der Schritt zur Orientierung der zweiten Orientierungsschicht entweder durch ein Reibverfahren oder ein UV-Orientierungsverfahren in einer einzigen Richtung durchgeführt. Dies führt dazu, dass ein Freiheitsgrad bei der Herstellung verbessert wird. Ferner wird eine Produktivität aufgrund eines Schritts zur Orientierung der zweiten Orientierungsschicht durch ein Reibverfahren verbessert.
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Es ist für den Fachmann ersichtlich, dass verschiedene Abwandlungen oder Abweichungen im Rahmen der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne dass vom Gehalt der Erfindung abgewichen wird. Es ist somit beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung alle Abwandlungen und Abweichungen der Erfindung umfasst, sofern sie in den Rahmen der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- KR 10-2009-0072182 [0001]
