DE102009043621A1

DE102009043621A1 - Lichtemittierendes Element und lichtemittierende Vorrichtung

Info

Publication number: DE102009043621A1
Application number: DE102009043621A
Authority: DE
Inventors: Miki Haruhi Moriyama; Koichi Haruhi Goshonoo
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2009-09-29
Publication date: 2010-07-01
Also published as: JP2010087219A; US8350284B2; JP5211996B2; US20100078649A1

Abstract

Es ist ein lichtemittierendes Element (1) offenbart, das Licht einer Wellenlänge emittiert und ein Substrat (10), das bei der Wellenlänge des emittierten Lichts transparent ist und eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche (10a) aufweist, eine Halbleiterschicht (11), die auf der ersten Oberfläche gestapelt ist, eine erste Elektrode (12), die bei der Wellenlänge des emittierten Lichts reflektierend ist und an einer Oberfläche der Halbleiterschicht (11) ausgebildet ist, wobei der elektrische Widerstand der ersten Elektrode (12) über einer größten Ausdehnung kleiner oder gleich 1 Ω ist, und eine zweite Elektrode (13), die bei der Wellenlänge des reflektierten Lichts reflektierend ist und an der zweiten Oberfläche (10a) ausgebildet ist, wobei der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode (13) über einer größten Ausdehnung kleiner oder gleich 1 Ω ist, aufweist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Element, das besonders geeignet zur Verwendung mit großen Strömen ist.
Seit einigen Jahren geht man aufgrund der verbesserten Lichtausbeute einer LED davon aus, dass die LED als eine Lichtquelle für allgemeine Beleuchtungen Anwendung finden wird. Bei der Verwendung zur allgemeinen Beleuchtung ist es, da nicht nur die hohe Lichtausbeute, sondern auch die Leuchtkraft angestrebt wird, erforderlich, dass die Lichtausgabe pro Vorrichtung so weit wie möglich erhöht wird, weshalb das Treiben mit hohen Strömen von 1 A oder mehr notwendig ist.
Ein grundlegendes Verfahren zum Erhöhen des Treiberstroms beinhaltet das Erhöhen der Größe eines Elements. Ein Problem, das beim Treiben der LED mit großen Strömen von 1A oder mehr auftritt, ist ein Anstieg der Treiberspannung, der erheblich verringert werden muss. Eine Ursache des Anstiegs der Treiberspannung besteht darin, dass die Stromdiffusionslänge in Richtung der Ebene des Elements größer wird und so einen Spannungsabfall aufgrund der Stromdiffusion erhöht. Eine Leistung aufgrund dieses Spannungsabfalls wird als Wärme verbraucht, so dass das Verhalten des Elements deutlich verschlechtert wird. Ferner ist eine Fluktuation der Leuchtstärke in der Ebene des Elements ein Problem. Dies liegt daran, dass in der Stromdichte, die in eine aktive Schicht injiziert wird, in der Ebene eine Ungleichverteilung vorliegt, was einen Bereich mit einer sehr hohen Stromdichte erzeugt und bewirkt, dass die Zuverlässigkeit des Elements verschlechtert wird. Zur Lösung dieser Probleme wird unter den vorliegenden Umständen ein Verfahren zum wirksamen Diffundieren des Stroms in der Richtung der Substratebene durch Ausbilden der Elektroden als Leitungen herangezogen.
Ferner wird, wenn die Größe des Elements erhöht wird, der Wirkungsgrad der Lichtentnahme schlechter und muss verbessert werden. Beispielsweise ist es möglich, den Wirkungsgrad der Lichtentnahme aus der lateralen Oberfläche durch Bearbeiten der Rückfläche eines GaN-Substrats zum Bereitstellen eines abgeschrägten konkaven Abschnitts zu verbessern, wie in der JP-A-2005-19608 beschrieben ist.
Andererseits ist in der JP-A-2003-86843 ein lichtemittierendes Element mit einem Aufbau, bei dem eine Halbleiterschicht auf dem GaN-Substrat gestapelt ist, eine n-Elektrode an der Rückfläche des GaN-Substrats ausgebildet ist, und eine p-Elektrode an der Oberfläche der Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei die n-Elektrode und die p-Elektrode aus einem Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen hergestellt sind, zum Extrahieren des Lichts aus der lateralen Oberfläche beschrieben.
Wenn jedoch die Elektroden als Leitungen ausgebildet sind, besteht das Problem, dass eine Erhöhung der Treiberspannung, die durch den Widerstand der Leitungen verursacht wird, nicht vernachlässigt werden kann, wenn der große Strom fließt. Ferner kann aufgrund einer höheren Stromdichte pro Leitungsabschnitt eine Verformung aufgrund einer Elektromigration auftreten, was zu einem Problem in Bezug auf die Zuverlässigkeit des Elements führt.
Ferner kann bei dem lichtemittierenden Element, das in der JP-A-2003-86843 beschrieben ist, da die Fläche der p-Elektrode und der n-Elektrode breiter sein kann, der Strom in gewissem Maße in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche diffundiert werden, da jedoch der Widerstand der p-Elektrode und der n-Elektrode nicht niedrig genug ist, liegt ein großes Ungleichgewicht in Bezug auf die Verteilung der Stromdichte in der Richtung der Substratebene vor, was möglicherweise zu einem Problem in Bezug auf die Lichtausbeute oder die Zuverlässigkeit führt. Ferner besteht ein Problem, dass, wenn die Flächen der p-Elektrode und der n-Elektrode breit sind, der Wirkungsgrad der Lichtentnahme verschlechtert wird.
Daher ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein lichtemittierendes Element bereitzustellen, bei dem die Treiberspannung unterdrückt wird und die Zuverlässigkeit verbessert wird.
Diese Aufgabe wird durch ein lichtemittierendes Element nach Anspruch 1 gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Ein lichtemittierendes Element gemäß einem ersten Aspekt ist ein lichtemittierendes Element, das Licht einer Wellenlänge emittiert, ein Substrat, das bei der Wellenlänge transparent ist und eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche aufweist, eine Halbleiterschicht, die auf der ersten Oberfläche gestapelt ist, eine erste Elektrode, die bei der Wellenlänge reflektierend ist und an einer Oberfläche der Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei der elektrische Widerstand der ersten Elektrode über einer größten Ausdehnung kleiner oder gleich 1 Ω ist, und eine zweite Elektrode, die bei der Wellenlänge reflektierend ist und an der zweiten Oberfläche ausgebildet ist, wobei der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode über einer größten Ausdehnung kleiner oder gleich 1 Ω ist, aufweist. Mindestens entweder die erste oder die zweite Elektrode sind durch Chipmontage mit einem Stromzufuhrkörper verbunden, der dem lichtemittierenden Element Strom zuführt.
Der elektrische Widerstand der ersten Elektrode über der größten Ausdehnung bedeutet den elektrischen Widerstand der ersten Elektrode in der Ebene in der Richtung, in der die Länge der Elektrode am größten ist. Ebenso bedeutet der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode über der größten Ausdehnung den elektrischen Widerstand der zweiten Elektrode in der Ebene in der Richtung, in der die Länge der Elektrode am größten ist. Beispielsweise ist in einem Fall, in dem die Form des lichtemittierenden Elements in der Ebene ein Rechteck ist und die p-Elektrode oder die n-Elektrode fast an der gesamten Oberfläche ausgebildet ist, der elektrische Widerstand über der größten Ausdehnung derjenige in der Diagonalrichtung des Rechtecks. Insbesondere ist, wenn die ebene Rechtecksform eine lange Seite, die deutlich länger als eine kurze Seite ist, aufweist, der elektrische Widerstand über der größten Ausdehnung im Wesentlichen mit dem Widerstand in der Richtung der Längsseite des Rechtecks identisch. Ferner ist der elektrische Widerstand über der größten Ausdehnung nicht notwendigerweise der Widerstand des Simplexes aus der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, sondern, wenn die erste Elektrode oder die zweite Elektrode über eine Lötschicht mit dem Stromzufuhrkörper verbunden ist, kann der elektrische Widerstand über der größten Ausdehnung in einem Zustand, in dem die erste Elektrode oder die zweite Elektrode mit der Lötschicht verbunden ist, oder in einem Zustand, in dem die erste Elektrode oder die zweite Elektrode mit dem Stromzufuhrkörper verbunden ist, ebenfalls in dem Widerstand über der größten Ausdehnung der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, wie er in dieser Erfindung verwendet wird, umfasst sein.
Ferner wird angenommen, dass in der zweiten Oberfläche des Substrats, die die zweite Elektrode aufweist, eine abgeschrägte Oberfläche enthalten ist, wenn die zweite Oberfläche des Substrats so bearbeitet ist, dass sie die Abschrägung aufweist. Ferner bedeutet die erste Elektrode und die zweite Elektrode, dass, wenn die erste Elektrode die p-Elektrode angibt, die zweite Elektrode die n-Elektrode angibt, oder wenn die erste Elektrode die n-Elektrode angibt, die zweite Elektrode die p-Elektrode angibt.
Die Halbleitermaterialien können diejenigen sein, die für das lichtemittierende Element verwendet werden, beispielsweise Gruppe-III-V-Halbleiter oder Gruppe-II-VI-Halbleiter. Die Materialien für das lichtemittierende Element für ultraviolettes bis grünes Licht sind typischerweise Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, bei denen das Gruppe-V-Element das Nitrid der Gruppe-III-V-Halbleiter ist. Der Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter ist GaN, AlGaN, InGaN oder AlGaInN, was durch die allgemeine Formel Al_x, Ga_y oder In_1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) dargestellt wird. Die Störstelle des n-Typs kann Si sein, und die Störstelle des p-Typs kann Mg sein.
Das lichtemittierende Element des ersten Aspekts der Erfindung arbeitet unter Verwendung der lateralen Oberfläche als einer Lichtentnahmefläche. Demzufolge ist es wünschenswert, dass das Reflexionsvermögen in der Richtung senkrecht zu der Substratebene hoch ist. Zur Erhöhung des Reflexionsvermögens sollten die erste Elektrode und die zweite Elektrode aus einem Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen ausgebildet sein. Das Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen kann beispielsweise Al, Ag, Au oder eine Legierung, die diese Metalle als den Hauptbestandteil enthält, sein. Zusätzlich kann das Reflexionsvermögen in der Richtung senkrecht zu der Substratebene durch Ausbilden der DBR-Struktur mit einem Mehrschichtfilm aus SiO₂ und TiO₂ erhöht werden. Ferner ist es wünschenswert, dass zum wirksamen Diffundieren des Stroms in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche die Fläche der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode so breit wie möglich gemacht wird, und es ist wünschenswert, dass die erste Elektrode 50% oder mehr der Oberfläche der Halbleiterschicht bedeckt und die zweite Elektrode 50% oder mehr der zweiten Oberfläche des Substrats bedeckt.
Ferner ist es wünschenswert, dass der elektrische Widerstand über der größten Ausdehnung der p-Elektrode und der n-Elektrode gleich ist, da das Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche gleichmäßig wird.
Als das Substrat, das leitend und bei der Emissionswellenlänge transparent ist, kann, wenn der Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter als das Halbleitermaterial verwendet wird, das Gruppe-III-Nitrid-Halbleitersubstrat wie das GaN-Substrat oder das SiC-Substrat verwendet werden. Ferner kann, wenn das AlGaInP-Material als das Material verwendet wird, das GaP-Substrat verwendet werden, und, wenn das AlGaInAs-Material verwendet wird, kann das GaAs-Substrat verwendet werden.
Die Chipmontage kann durch Verbinden der Elektrode mit dem Stromzufuhrkörper über das Lot oder den Lötkontakt oder mechanisches Verbinden derselben mit dem Stromzufuhrkörper unter Druck durchgeführt werden.
Ein zweiter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß dem ersten Aspekt, wobei der elektrische Widerstand der ersten Elektrode über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,1 Ω ist und der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,1 Ω ist.
Ein dritter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß dem ersten oder zweiten Aspekt, wobei der elektrische Widerstand der ersten Elektrode über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,01 Ω ist und der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,01 Ω ist.
Ein vierter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 3, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode aus einem Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen, das bei der Wellenlänge des emittierten Lichts mehr als 80% Reflexionsvermögen aufweist, hergestellt sind.
Ein fünfter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 4, wobei die erste Elektrode mehr als 50% der Oberfläche der Halbleiterschicht bedeckt und die zweite Elektrode mehr als 50% der zweiten Oberfläche des Substrats bedeckt.
Ein sechster Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 5, wobei die Halbleiterschicht aus einem Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter besteht.
Ein siebter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 6, wobei das Substrat ein Gruppe-III-Nitrid-Halbleitersubstrat ist.
Das Gruppe-III-Nitrid-Halbleitersubstrat kann das c-Ebenen-Substrat oder das Substrat mit der unpolaren Ebene wie der m-Ebene oder der a-Ebene als der Hauptebene sein. Ferner kann es das Substrat des n-Typs oder des p-Typs sein, das mit der Störstelle dotiert ist.
Ein achter Aspekt der Erfindung ist das lichtemittierende Element gemäß dem siebten Aspekt, wobei das Substrat ein GaN-Substrat ist.
Ein neunter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 8, wobei eine Fläche des lichtemittierenden Elements größer oder gleich 0,25 mm² ist.
Ein zehnter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 9, wobei das lichtemittierende Element in der Ebene eine Rechtecksform aufweist.
Ein elfter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß dem zehnten Aspekt, wobei eine Länge einer Längsseite der Rechtecksform größer oder gleich 500 μm ist.
Ein zwölfter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte 1 bis 11, wobei die zweite Oberfläche des Substrats die Form aufweist, die eine abgeschrägte Oberfläche, die relativ zu dem Substrat geneigt ist, aufweist.
Es ist wünschenswert, dass der Winkel der abgeschrägten Oberfläche in dem Bereich zwischen 20 und 70 Grad liegt. In diesem Bereich ist der Wirkungsgrad der Lichtentnahme verbessert.
Die Form, die eine abgeschrägte Oberfläche aufweist, kann durch mechanisches Bearbeiten, Trockenätzen oder Nassätzen ausgebildet sein.
Ein dreizehnter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß dem zwölften Aspekt, wobei die abgeschrägte Oberfläche von einem Rand der zweiten Oberfläche zu einer Seitenfläche des Substrats geneigt ist und die zweite Elektrode an der abgeschrägten Oberfläche ausgebildet ist.
Ein vierzehnter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß dem zwölften Aspekt, wobei in dem mittleren Teil der Rückfläche des Substrats ein konkaver Abschnitt mit der lateralen Oberfläche als der abgeschrägten Oberfläche vorgesehen ist.
Ein fünfzehnter Aspekt ist das lichtemittierende Element gemäß einem der Aspekte eins bis vierzehn, wobei entweder die erste Elektrode oder die zweite Elektrode durch eine Mehrzahl von Drähten gebondet ist.
Ein sechzehnter Aspekt ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die das lichtemittierende Element gemäß dem dreizehnten Aspekt und einen Träger, der einen ausgenommenen Abschnitt, der eine Seitenfläche aufweist, aufweist, aufweist. Die erste Elektrode und die zweite Elektrode kontaktieren die Seitenfläche.
Ein siebzehnter Aspekt ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die das lichtemittierende Element gemäß dem vierzehnten Aspekt und einen Träger, der einen ausgenommenen Abschnitt aufweist, aufweist. Der ausgenommene Abschnitt weist eine Bodenwand auf, und ein Querschnitt des ausgenommenen Abschnitts nimmt in der Richtung senkrecht zu der Bodenwand zu.
Der erste Aspekt ist das lichtemittierende Element zum Extrahieren des Lichts aus der lateralen Oberfläche aufgrund der Reflexion an der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode. Bei diesem ersten Aspekt ist es, da der elektrische Widerstand des lichtemittierenden Elements über der größten Ausdehnung sowohl der ersten Elektrode als auch der zweiten Elektrode kleiner oder gleich 1 Ω ist, möglich, ein Ungleichgewicht in Bezug auf die Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche zu verbessern, wodurch der Strom ideal diffundiert werden kann. Demzufolge wird eine Stromkonzentration unterdrückt, und das Auftreten eines Versagens wie einer Migration nimmt ab, wodurch es möglich ist, die Zuverlässigkeit der Vorrichtung zu verbessern. Ferner kann, da der elektrische Widerstand über der größten Ausdehnung sowohl der p-Elektrode als auch der n-Elektrode kleiner oder gleich 1 Ω ist, ein Spannungsabfall, der aufgrund einer Stromdiffusion auftritt, unterdrückt werden, wodurch die Treiberspannung verringert werden kann.
Ferner ist es bei dem zweiten Aspekt, wenn der elektrische Widerstand des lichtemittierenden Elements über der größten Ausdehnung sowohl der ersten Elektrode als auch der zweiten Elektrode kleiner oder gleich 0,1 Ω ist, möglich, ein Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche zu verbessern, wodurch die Zuverlässigkeit der Vorrichtung weiter verbessert werden kann und die Treiberspannung weiter verringert werden kann. Insbesondere ist es bei dem dritten Aspekt, wenn der elektrische Widerstand des lichtemittierenden Elements über der größten Ausdehnung sowohl der ersten Elektrode als auch der zweiten Elektrode kleiner oder gleich 0,01 Ω ist, möglich, ein Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratebene weiter zu verringern.
Ferner kann bei dem vierten Aspekt, da die p-Elektrode und die n-Elektrode aus einem Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen ausgebildet sind, der Wirkungsgrad der Lichtentnahme aus der lateralen Oberfläche verbessert werden.
Ferner ist es bei dem fünften Aspekt, da die erste Elektrode und die zweite Elektrode so ausgebildet sind, dass sie in Richtung der Ebene breiter sind, möglich, ein Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche zu verbessern.
Ferner ist bei dem sechsten Aspekt die vorliegende Erfindung auf das lichtemittierende Element, bei dem die Halbleiterschicht aus dem Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter besteht, anwendbar.
Ferner kann bei dem siebten Aspekt das Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterstubstrat als das Substrat verwendet werden, und insbesondere kann bei dem achten Aspekt das GaN-Substrat verwendet werden.
Ferner wird, wenn der neunte Aspekt auf das große lichtemittierende Element mit einer Fläche größer oder gleich 0,25 mm² angewandt wird, eine bevorzugte Wirkung, dass die Verteilung der Stromdichte äußerst gleichmäßig gemacht werden kann, erzielt.
Ferner ist bei dem zehnten Aspekt die vorliegende Erfindung auf das lichtemittierende Element, bei dem die Form in der Ebene rechteckig ist, anwendbar. Insbesondere wird bei dem elften Aspekt, wenn die Erfindung auf das große lichtemittierende Element mit der Rechtecksform, die eine Längsseite mit einer Länge größer oder gleich 500 μm aufweist, angewandt wird, eine bevorzugte Wirkung, dass die Verteilung der Stromdichte äußerst gleichmäßig sein kann, erzielt.
Ferner ist bei den Aspekten zwölf bis vierzehn die zweite Oberfläche des Substrats abgeschrägt, wodurch der Wirkungsgrad der Lichtentnahme weiter verbessert wird. Dies liegt daran, dass es erforderlich ist, das Licht bei dem Aufbau, bei dem die Elektroden oben und unten vorgesehen sind, aus der lateralen Oberfläche zu extrahieren, und unter Verwendung der abgeschrägten Form kann das Licht in Richtung der lateralen Oberfläche reflektiert werden, wodurch der Wirkungsgrad der Lichtentnahme verbessert wird.
Ferner ist bei dem fünfzehnten Aspekt entweder die p-Elektrode oder die n-Elektrode drahtgebondet oder durch eine Mehrzahl von Drähten gebondet, wodurch der Strom wirksam in der Richtung der Ebene diffundiert werden kann.
Ferner kann bei dem sechzehnten Aspekt das lichtemittiernde Element so an dem Träger angebracht sein, dass sich die laterale Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der abgeschrägten Oberfläche des lichtemittierenden Elements gemäß dem dreizehnten Aspekt auf der oberen Seite befinden kann, wodurch das Licht wirksam nach oben abgestrahlt werden kann.
Ferner kann bei dem siebzehnten Aspekt das Licht, das aus der lateralen Oberfläche des lichtemittierenden Elements gemäß dem vierzehnten Aspekt ausgestrahlt wird, an der lateralen Oberfläche des konkaven Abschnitts in dem Träger reflektiert und nach oben abgestrahlt werden.
Weitere Merkmale und Vorteile folgen aus der Beschreibung spezifischer Ausführungsbeispiele im Folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen, in denen:
1 eine Ansicht ist, die den Aufbau eines lichtemittierenden Elements 1 einer beispielhaften Ausführungsform 1 zeigt.
2 eine graphische Darstellung ist, die das Simulationsergebnis für eine Verteilung der Stromdichte zeigt.
3 eine graphische Darstellung ist, die das Simulationsergebnis für die Verteilung der Stromdichte zeigt.
4 eine graphische Darstellung ist, die das Simulationsergebnis für eine Verteilung der Stromdichte zeigt.
5 eine graphische Darstellung ist, die das Simulationsergebnis für die Verteilung der Stromdichte zeigt.
6 eine Ansicht ist, die den Aufbau einer lichtemittierenden Vorrichtung, an der das lichtemittierende Element 1 angebracht ist, zeigt.
7 eine Ansicht ist, die den Aufbau eines lichtemittierenden Elements 2 einer beispielhaften Ausführungsform 2 zeigt.
8 eine Ansicht ist, die den Aufbau der lichtemittierenden Vorrichtung, an der das lichtemittierende Element 2 angebracht ist, zeigt.
Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt.
Beispielhafte Ausführungsform 1
1 ist eine Ansicht, die den Aufbau eines lichtemittierenden Elements 1 einer beispielhaften Ausführungsform 1 zeigt. Das lichtemittierende Element 1 weist ein n-GaN-Substrat 10, eine Halbleiterschicht 11, die aus einem Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, der auf der Oberfläche des n-GaN-Substrats 10 gestapelt ist, besteht, eine p-Elektrode 12, die an der gesamten Oberfläche 11a der Halbleiterschicht 11 ausgebildet ist, und eine n-Elektrode 13, die an einer Rückfläche (zweiten Oberfläche) 10a des n-GaN-Substrats 10 ausgebildet ist, auf. Ferner ist die Form des lichtemittierenden Elements 1 in der Ebene rechteckig, wobei die Längsseite 1000 μm lang ist, die kurze Seite 300 μm lang ist und die Fläche 0,3 mm² beträgt. 1A zeigt den Querschnitt in Richtung der kurzen Seite, wobei die Richtung der Längsseite die Richtung ist, die in 1A senkrecht zu der Papierfläche ist.
Die Halbleiterschicht 11 weist einen Aufbau auf, bei dem eine n-Schicht 111, eine aktive Schicht 112 und eine p-Schicht 113 in dieser Reihenfolge gestapelt sind, wie in 1B gezeigt ist. Die n-Schicht 111 weist einen Aufbau auf, bei dem eine Kontaktschicht des n-Typs, die aus GaN besteht, das mit hoher Dichte mit Si dotiert ist, und eine n-Plattierungsschicht, die aus GaN besteht, der Reihe nach gestapelt sind, und die p-Schicht 113 weist einen Aufbau auf, bei dem eine p-Plattierungsschicht, die aus AlGaN besteht, das mit Mg dotiert ist, und eine p-Kontaktschicht, die aus GaN besteht, das mit Mg dotiert ist, der Reihe nach gestapelt sind. Die aktive Schicht 112 weist einen MQW-Aufbau auf, bei dem eine Barrierenschicht, die aus GaN besteht, und eine Grabenschicht, die aus InGaN besteht, wiederholt gestapelt sind.
Die Rückfläche 10a des n-GaN-Substrats 10 ist so bearbeitet, dass sie die abgeschrägte Form aufweist, die in Richtung der kurzen Seite des n-GaN-Substrats 10 in der Richtung einer lateralen Oberfläche 10c geneigt ist und in Richtung der Längsseite eine abgeschrägte Oberfläche 10b aufweist. Ein Neigungswinkel der abgeschrägten Oberfläche 10b beträgt etwa 60 Grad in Bezug auf das n-GaN-Substrat 10. Die n-Elektrode 13 ist auch an dieser abgeschrägten Oberfläche 10b ausgebildet.
Solch eine abgeschrägte Form kann ohne Weiteres durch eine Lösung, die dazu in der Lage ist, den Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter anisotrop zu ätzen, ausgebildet werden. Als solch eine Lösung können die Phosphorsäuren wie Phosphorsäure und Pyrophosphorsäure, eine Säuremischung aus Phosphorsäure und Schwefelsäure, Kaliumhydroxid und Natriumhydroxid verwendet werden. Beispielsweise wird, wenn die Rückfläche 10a des n-GaN-Substrats 10 unter Verwendung von Phosphorsäure nassgeätzt wird, die abgeschrägte Oberfläche 10b, die eine Neigung von etwa 60 Grad in Bezug auf das n-GaN-Substrat 10 aufweist, freigelegt.
Außerdem kann die Form, die die abgeschrägte Oberfläche 10b aufweist, durch Trockenätzen oder mechanische Bearbeitung ausgebildet werden.
Die p-Elektrode 12 und die n-Elektrode 13 bestehen aus Ag mit einer Filmdicke von 300 nm. Zusätzlich zu Ag kann ein Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen wie Al oder eine Ag-Legierung verwendet werden. Ferner sind die p-Elektrode 12 und die n-Elektrode 13 mit einer Barrierenschicht 14, die aus Ti/Pt/Au besteht, und einer Verbindungselektrodenschicht 15 aus einem Lötmetall, das aus Au besteht, bedeckt. Die Gesamtdicke der Barrieren schicht 14 und der Verbindungselektrodenschicht 15 beträgt zusammen etwa 1 μm. Der Widerstand sowohl der p-Elektrode 12 als auch der n-Elektrode 13 in Richtung der Längsseite (erfindungsgemäß fast gleich dem Widerstand über der größten Ausdehnung) in einem Zustand, in dem die Barrierenschicht 14 und die Verbindungselektrodenschicht 15 kombiniert sind, beträgt 0,1 Ω.
Das lichtemittierende Element 1 arbeitet durch Reflektieren von Licht, das aus der MQW-Schicht 112 der lichtemittierenden Schicht emittiert wird, an der p-Elektrode 12 und der n-Elektrode 13, wobei eine laterale Oberfläche 16 auf der gegenüberliegenden Seite der abgeschrägten Oberfläche 10b als eine Hauptlichtentnahmefläche ausgebildet ist.
Dabei kann, da der Widerstand sowohl der p-Elektrode 12 als auch der n-Elektrode 13 in Richtung der Längsseite kleiner oder gleich 1 Ω ist, der Strom ideal in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche diffundiert werden, wodurch es möglich ist, ein Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche zu verringern. Daher kann die Stromkonzentration unterdrückt werden, und das Auftreten eines Versagens wie einer Migration kann verhindert werden, wodurch die Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessert wird. Es ist wünschenswert, dass der elektrische Widerstand sowohl der p-Elektrode 12 als auch der n-Elektrode 13 in Richtung der Längsseite des lichtemittierenden Elements 1 kleiner oder gleich 0,1 Ω ist, da es möglich ist, ein Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte in der Richtung parallel zu der Substratoberfläche weiter zu verbessern, und es ist noch wünschenswerter, dass der elektrische Widerstand kleiner oder gleich 0,01 Ω ist.
Ferner kann, da der elektrische Widerstand sowohl der p-Elektrode 12 als auch der n-Elektrode 13 in Richtung der Längsseite des lichtemittierenden Elements 1 kleiner oder gleich 1 Ω ist, ein Spannungsabfall, der durch eine Stromdiffusion bewirkt wird, unterdrückt werden, wodurch die Treiberspannung während des Treibens mit großem Strom niedriger als bei verwandten Techniken sein kann. Ferner nimmt, da die Rückfläche des n-GaN-Substrats 10 so bearbeitet ist, dass sie die abgeschrägte Form aufweist, die die abgeschrägte Oberfläche 10b aufweist, und die n-Elektrode 13 an der abgeschrägten Oberfläche 10b ausgebildet ist, die Lichtmenge, die durch die abgeschrägte Oberfläche 10b in Richtung der lateralen Oberfläche 16 reflektiert wird, zu, wodurch der Wirkungsgrad der Lichtentnahme verbessert wird.
Obwohl der Winkel der abgeschrägten Oberfläche 10b bei dieser exemplarischen Ausführungsform 1 60 Grad ist, kann der Winkel der abgeschrägten Oberfläche 10b in Bezug auf das n-GaN-Substrat 10 in dem Bereich zwischen 20 und 70 Grad liegen. In diesem Bereich kann der Wirkungsgrad der Lichtentnahme weiter verbessert werden.
Die 2 bis 5 zeigen die Ergebnisse der Simulation für die Verteilung der Stromdichte und die Treiberspannung in Richtung der Längsseite, wenn der Treiberstrom 1 A ist und der elektrische Widerstand der p-Elektrode und der n-Elektrode in Richtung der Längsseite verschieden geändert wird. Zur Erleichterung der Analyse wurde als ein Modell das lichtemittierende Element verwendet, das einen Aufbau aufweist, bei dem die Rückfläche des n-GaN-Substrats 10 des lichtemittierenden Elements 1 nicht so bearbeitet ist, dass sie die abgeschrägte Form aufweist.
2 zeigt die Verteilung der Stromdichte in Richtung der Längsseite, wenn der elektrische Widerstand sowohl der p-Elektrode als auch der n-Elektrode in Richtung der Längsseite 0,7 Ω ist. Aus 2 ist ersichtlich, dass die Verteilung der Stromdichte in Richtung der Längsseite relativ gleichmäßig ist. Ferner betrug die Treiberspannung 3,7 V. Dies liegt in dem Bereich, der nicht zu groß für das kleine lichtemittierende Element mit einem Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter ist.
3 zeigt die Verteilung der Stromdichte in Richtung der Längsseite, wenn der elektrische Widerstand sowohl der p-Elektrode als auch der n-Elektrode in Richtung der Längsseite 0,07 Ω ist. Aus 3 ist ersichtlich, dass die Verteilung der Stromdichte in Richtung der Längsseite gleichmäßiger als in 2 ist. Ferner war die Treiberspannung 3,3 V und somit niedriger als in 2.
4 zeigt die Verteilung der Stromdichte in Richtung der Längsseite, wenn der elektrische Widerstand der p-Elektrode in Richtung der Längsseite 0,07 Ω ist und der elektrische Widerstand der n-Elektrode in Richtung der Längsseite 0,03 Ω ist. Da der elektrische Widerstand sowohl der p-Elektrode als auch der n-Elektrode in Richtung der Längsseite klein genug ist, wie in 3 gezeigt ist, beeinflusst der elektrische Widerstand die Verteilung der Stromdichte weniger, auch wenn der elektrische Widerstand der p-Elektrode in Richtung der Längs seite und der elektrische Widerstand der n-Elektrode in Richtung der Längsseite unterschiedlich sind, wodurch die gleichförmige Verteilung, die äquivalent zu dem Fall von 3 ist, erhalten wird. Ferner war die Treiberspannung 3,3 V, wie im Falle der 3.
5 zeigt die Verteilung der Stromdichte in Richtung der Längsseite, wenn der elektrische Widerstand der p-Elektrode in Richtung der Längsseite 6,7 Ω ist und der elektrische Widerstand der n-Elektrode in Richtung der Längsseite 0,67 Ω ist. Auch wenn der elektrische Widerstand einer Elektrode in Richtung der Längsseite klein ist, ist, wie in 5 gezeigt, der elektrische Widerstand der anderen Elektrode in Richtung der Längsseite groß, weshalb ein Ungleichgewicht in der Verteilung der Stromdichte vorliegt. Ferner war die Treiberspannung 4,8 V, was nicht niedrig genug war.
6 zeigt einen Aufbau einer lichtemittierenden Vorrichtung, bei der das lichtemittierende Element 1 an einem Subträger 50 angebracht ist. Der Subträger 50 besteht aus Si und weist einen konkaven Abschnitt 51 wie ein Prismoid auf, dessen Querschnittsfläche von der Bodenfläche zu der Oberfläche (in einer Richtung senkrecht zu der Bodenfläche) zunimmt. Dieser konkave Abschnitt 51 wurde durch Nassätzen mit einer Lösung, die dazu in der Lage ist, Si anisotrop zu ätzen, ausgebildet. Von einer lateralen Oberfläche 51a des konkaven Abschnitts 51 zu der Oberfläche des Subträgers 50 ist eine p-Elektrode 52 ausgebildet, und von einer lateralen Oberfläche 51b des konkaven Abschnitts 51, die der lateralen Oberfläche 51a gegenüberliegt, zu der Oberfläche des Subträgers 50 ist eine n-Elektrode 53 ausgebildet. Das lichtemittierende Element 1 ist in den konkaven Abschnitt 51 eingepasst und so angebracht, dass die p-Elektrode 12 des lichtemittierenden Elements 1 und die p-Elektrode 52 des Subträgers 50, die an der lateralen Oberfläche 51a ausgebildet ist, in Kontakt stehen können und die n-Elektrode 13 des lichtemittierenden Elements 1 und die n-Elektrode 53 des Subträgers 50, die an der lateralen Oberfläche 51b ausgebildet ist, in Kontakt stehen können. D. h., sowohl die p-Elektrode 12 als auch die n-Elektrode 13 des lichtemittierenden Elements 1 sind durch Chipmontage mit dem Subträger 50, der ein Stromzufuhrkörper ist, verbunden.
Durch Anbringen des lichtemittierenden Elements auf diese Weise ist es möglich, Licht wirksam aus der lateralen Oberfläche 16 auf der gegenüberliegenden Seite der abgeschrägten Oberfläche 10b nach oben zu emittieren.
Beispielhafte Ausführungsform 2
7 zeigt einen Aufbau eines lichtemittierenden Elements 2 einer Ausführungsform 2. Das lichtemittierende Element 2 weist die Halbleiterschicht 11, die p-Elektrode 12 und die n-Elektrode 13 an der Oberfläche eines n-GaN-Substrats 20 auf, auf die gleiche Weise wie das lichtemittierende Element 1 der Ausführungsform 1. Ein Unterschied zu dem lichtemittierenden Element 1 der Ausführungsform 1 besteht darin, dass die bearbeitete Form einer Rückfläche 20a des n-GaN-Substrats 20 sich von der bearbeiteten Form des n-GaN-Substrats 10 bei der Ausführungsform 1 unterscheidet. D. h., der Unterschied besteht darin, dass in dem mittleren Teil der Rückfläche 20a des n-GaN-Substrats 20 ein konkaver Abschnitt 21 in Form des Buchstabens V mit einer abgeschrägten Oberfläche 20b, die in Bezug auf das n-GaN-Substrat 20 geneigt ist, als der lateralen Oberfläche ausgebildet ist. Es ist wünschenswert, dass die Dicke d von der Position eines Scheitelpunkts des Buchstabens V zu der Halbleiterschicht in dem Bereich zwischen 30 und 60% der Dicke des n-GaN-Substrats 20 liegt. Ferner ist es wünschenswert, dass der Winkel θ der abgeschrägten Oberfläche 20b in Bezug auf das n-GaN-Substrat 20 in dem Bereich zwischen 20 und 70 Grad liegt. Wenn die Dicke d und der Winkel θ in den oben erwähnten Bereichen liegen, kann der Wirkungsgrad der Lichtentnahme weiter verbessert werden.
Das lichtemittierende Element 2 weist wie das lichtemittierende Element 1 der Ausführungsform 1 die hohe Zuverlässigkeit der Vorrichtung auf, da die Stromkonzentration unterdrückt wird, wobei die Treiberspannung verringert wird. Ferner wird, da durch die n-Elektrode 13, die an der abgeschrägten Oberfläche 20b ausgebildet ist, Licht in Richtung der lateralen Oberfläche reflektiert werden kann, der Wirkungsgrad der Lichtentnahme in Richtung der lateralen Oberfläche verbessert.
8 ist eine Ansicht, die den Aufbau einer lichtemittierenden Vorrichtung zeigt, bei der das lichtemittierende Element 2 an einem Subträger 60 angebracht ist. Der Subträger 60 ist mit einem konkaven Abschnitt 61 wie ein Prismoid, dessen Querschnittsfläche von der Bodenfläche zu der oberen Oberfläche zunimmt, ausgebildet, wobei eine Bodenfläche 61b des konkaven Abschnitts 61 eine breitere Oberfläche als das lichtemittierende Element 2 aufweist. Von einer Bodenfläche 61b des konkaven Abschnitts 61 zu einer lateralen Oberfläche 61a des Subträgers 60 und der oberen Oberfläche des Subträgers 60 ist eine n-Elektrode 63 ausgebildet, und an der oberen Oberfläche des Subträgers 60 ist an der Position, die von der n-Elektrode 63 entfernt ist, ist eine p-Elektrode 62 ausgebildet. Das lichtemittierende Element 2 ist so angebracht, dass die n-Elektrode 13 des lichtemittierenden Elements 2 zum Verbinden mit der n-Elektrode 63 durch Chipmontage mit der n-Elektrode 63, die an der Bodenfläche 61b des konkaven Abschnitts 61 ausgebildet ist, verbunden ist, wobei die p-Elektrode 12 des lichtemittierenden Elements 2 und die p-Elektrode 62 des Subträgers 60 durch die Bonddrähte 64a, 64b und 64c verbunden sind.
Durch Anbringen des lichtemittierenden Elements 2 auf diese Weise ist es möglich, Licht durch Reflektieren von Licht, das aus der lateralen Oberfläche des lichtemittierenden Elements 2 emittiert wird, an der lateralen Oberfläche 61a des Subträgers 60 wirksam nach oben zu emittieren. Ferner kann, da die p-Elektrode 12 durch eine Mehrzahl von Drähten gebondet ist, der Strom wirksam in Richtung der Ebene diffundiert werden.
Wenngleich die Rückfläche des Substrats bei dieser Ausführungsform die abgeschrägte Form aufweist, muss die Rückfläche nicht notwendigerweise so bearbeitet sein, dass sie die abgeschrägte Form aufweist. Es ist jedoch wünschenswert, den Wirkungsgrad der Lichtentnahme aus der lateralen Oberfläche durch Bearbeiten der Rückfläche, so dass sie die abgeschrägte Form aufweist, zu verbessern.
Ferner kann, obwohl bei der Ausführungsform die p-Elektrode und die n-Elektrode zum Erhöhen der Reflexion und Verbessern des Wirkungsgrads der Lichtentnahme aus einem Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen bestehen, zum Erhöhen der Reflexion ein DBR-Aufbau, der aus einem Multilayer-Film aus SiO₂ und TiO₂ besteht, an der Oberseite und der Unterseite einer lichtemittierenden Schicht ausgebildet sein.
Ferner ist, obwohl bei der Ausführungsform das n-GaN-Substrat als ein Wachstumssubstrat verwendet wird, die Erfindung nicht darauf beschränkt, es ist jedoch notwendig, dass das Substrat leitend und bei der emittierten Wellenlänge transparent ist. Beispielsweise kann das Gruppe-III-Nitrid-Halbleitersubstrat wie AlGaN oder das SiC-Substrat verwendet werden. Ferner ist es nicht notwendig, dass die Halbleiterschicht aus dem Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter besteht, sondern sie kann beispielsweise aus einem AlGaInAs-Material oder einem AlGaInP-Material bestehen, wie es herkömmlicherweise als das Material für das lichtemittierende Ele ment verwendet wird. In dem Fall, in dem das AlGaInAs-Material verwendet wird, kann das GaAs-Substrat als das Wachstumssubstrat verwendet werden, oder, in dem Fall, in dem das AlGaInP-Material verwendet wird, kann das GaP-Substrat als das Wachstumssubstrat verwendet werden.
Ferner kann, obwohl die Form des lichtemittierenden Elements in der Ebene bei der Ausführungsform rechteckig ist, eine beliebige Form verwendet werden. Ferner ist es, obwohl die Abmessung des lichtemittierenden Elements nicht auf die Ausführungsform beschränkt ist, wünschenswert, dass die Längsseite 500 μm oder mehr lang ist, wenn die Fläche des lichtemittierenden Elements 0,25 mm² oder mehr ist, oder dass die Fläche des lichtemittierenden Elements in der Ebene rechteckig ist. Bei solch einem großen lichtemittierenden Element kann, da die Gleichmäßigkeit der Verteilung der Stromdichte niedrig ist, die Erfindung darauf angewandt werden, die Gleichmäßigkeit der Verteilung der Stromdichte wirksam zu erhöhen.
Das lichtemittierende Element der Erfindung ist zur Verwendung mit großen Strömen geeignet und kann zur allgemeinen Beleuchtung verwendet werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2005-19608 A [0004]
- JP 2003-86843 A [0005, 0007]

Claims

Lichtemittierendes Element (1, 2) zum Emittieren von Licht einer Wellenlänge, mit einem Substrat (10, 20), das bei der Wellenlänge des emittierten Lichts transparent ist und eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche (10a, 20a) aufweist, einer Halbleiterschicht (11), die auf der ersten Oberfläche gestapelt ist, einer ersten Elektrode (12), die bei der Wellenlänge des emittierten Lichts reflektierend ist und an einer Oberfläche der Halbleiterschicht (11) ausgebildet ist, und einer zweiten Elektrode (13), die bei der Wellenlänge des emittierten Lichts reflektierend ist und an der zweiten Oberfläche (10a, 20a) ausgebildet ist, wobei mindestens entweder die erste Elektrode oder die zweite Elektrode dazu angepasst ist, durch Chipmontage mit einem Stromzufuhrkörper, der dem lichtemittierenden Element Strom zuführt, verbunden zu sein, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Widerstand der ersten Elektrode (12) über einer größten Ausdehnung kleiner oder gleich 1 Ω ist und der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode (13) über einer größten Ausdehnung kleiner oder gleich 1 Ω ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach Anspruch 1, bei dem der elektrische Widerstand der ersten Elektrode (12) über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,1 Ω ist und der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode (13) über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,1 Ω ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der elektrische Widerstand der ersten Elektrode (12) über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,01 Ω ist und der elektrische Widerstand der zweiten Elektrode (13) über der größten Ausdehnung kleiner oder gleich 0,01 Ω ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die erste und die zweite Elektrode (12, 13) ein Metall, das bei der Wellenlänge des emittierten Lichts mehr als 80% Reflexionsvermögen aufweist, aufweisen.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die erste Elektrode (12) mehr als 50% der Oberfläche der Halbleiterschicht (11) bedeckt und die zweite Elektrode (13) mehr als 50% der zweiten Oberfläche (10a, 20a) bedeckt.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Halbleiterschicht (11) aus einem Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter ausgebildet ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Substrat (10, 20) ein Gruppe-III-Nitrid-Halbleitersubstrat ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach Anspruch 7, bei dem das Substrat (10, 20) ein Gallium-Nitrid-Substrat ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem eine Fläche des lichtemittierenden Elements (1, 2) größer oder gleich 0,25 mm² ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, das in der Ebene eine Rechtecksform aufweist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach Anspruch 10, bei dem eine Länge einer Längsseite der Rechtecksform größer oder gleich 500 μm ist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die zweite Oberfläche (10a, 20a) eine abgeschrägte Oberfläche (10b, 20b), die relativ zu dem Substrat (10, 20) geneigt ist, aufweist.
Lichtemittierendes Element (1) nach Anspruch 12, bei dem die abgeschrägte Oberfläche (10b) von einem Rand der zweiten Oberfläche (10a) zu einer Seitenfläche (10c) des Substrats (10) geneigt ist und die zweite Elektrode (13) an der abgeschrägten Oberfläche (10b) ausgebildet ist.
Lichtemittierendes Element (2) nach Anspruch 12, bei dem ein ausgenommener Abschnitt (21) so in der Mitte der zweiten Oberfläche (20a) ausgebildet ist, dass er die abgeschrägte Oberfläche (20b) als eine Seitenfläche des ausgenommenen Abschnitts (21) aufweist.
Lichtemittierendes Element (1, 2) nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem entweder die erste oder die zweite Elektrode (12, 13) dazu angepasst ist, durch eine Mehrzahl von Drähten (64a–64c) gebondet zu sein.
Lichtemittierende Vorrichtung mit einem lichtemittierenden Element (1) nach Anspruch 13 oder 15, und einem Träger (50), der einen ausgenommenen Abschnitt (51), der eine Seitenfläche (51a, 51b) aufweist, aufweist, wobei die erste Elektrode (12) und die zweite Elektrode (13) mit der Seitenfläche (51a, 51b) in Kontakt stehen.
Lichtemittierende Vorrichtung mit einem lichtemittierenden Element (2) nach Anspruch 14 oder 15, und einem Träger (60), der einen ausgenommenen Abschnitt (61) aufweist, wobei der ausgenommene Abschnitt (61) eine Bodenfläche (61b) aufweist und ein Querschnitt des ausgenommenen Abschnitts (61) in der Richtung, die senkrecht zu der Bodenfläche (61b) ist, zunimmt.