DE102009023106A1 - Verfahren und System zur Magneterfassung - Google Patents
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Abstract
Ein Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Magnetsensors. Bei dem Verfahren wird eine Eingriffnahmeoberfläche bereitgestellt. Ein Magnetkörper wird über der Eingriffnahmeoberfläche gebildet, durch schrittweises Aufbauen einer Dicke eines Magnetmaterials. Der Magnetkörper weist eine Magnetflussführungsoberfläche auf, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche entspricht. Andere Vorrichtungen und Verfahren sind ebenfalls ausgeführt.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren und Systeme zur Magnetfelderfassung.
- Bei vielen Anwendungen ist es nützlich, Änderungen bei einem Magnetfeld zu erfassen, um eine Translationsbewegung, Rotationsbewegung, Nähe, Geschwindigkeit und ähnliches zu verfolgen. Dementsprechend werden Magnetfeldsensoren bei einer großen Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, um geringe (oder drastische) Änderungen bei einem Magnetfeld zu erfassen.
- Magnetfeldsensoren werden häufig bei industriellen Massenanwendungen eingesetzt, wie z. B. bei Automobilen. Zum Beispiel werden Magnetfeldsensoren häufig verwendet, um den Winkel einer Kurbelwelle oder Nockenwelle zu erfassen, und können ferner verwendet werden, um Radgeschwindigkeitsdrehung und eine Menge anderer Zustände zu messen. Magnetfeldsensoren werden ebenfalls bei Vorrichtungen geringer Größe verwendet, wie z. B. bei Computern. Zum Beispiel sind Magnetowiderstandssensoren gegenwärtig die führende Technik, die für Leseköpfe bei Computerfestplatten verwendet wird. Aufgrund des großen Bereichs von Anwendungen, sind Verbesserungen bei Magnetfeldsensoren ein wertvoller Beitrag auf dem Markt.
- Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Bilden eines Magnetsensors, ein Verfahren zum Herstellen eines Magnetsensors und einen Magnetsensor mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
- Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Bilden eines Magnetsensors gemäß Anspruch 1 und 11, ein Verfahren zum Herstellen eines Magnetsensors gemäß Anspruch 16 und einen Magnetsensor gemäß Anspruch 19, 26, 34 und 37 gelöst.
- Das Nachfolgende stellt eine vereinfachte Zusammenfassung der Erfindung dar, um ein grundlegendes Verständnis einiger Aspekte der Erfindung zu geben. Diese Zusammenfassung ist keine erschöpfende Übersicht der Erfindung und soll auch keine Schlüssel- oder kritischen Elemente der Erfindung identifizieren oder den Schutzbereich der Erfindung abzeichnen. Stattdessen ist es der Zweck der Zusammenfassung, einige Konzepte der Erfindung in einer vereinfachten Form als Einleitung für die detailliertere Beschreibung zu geben, die nachfolgend präsentiert wird.
- Ein Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Magnetsensors. Bei dem Verfahren wird eine Eingriffnahmeoberfläche bereitgestellt. Ein Magnetkörper wird über der Eingriffnahmeoberfläche gebildet, durch graduelles Aufbauen der Dicke eines magnetischen Materials. Der Magnetkörper weist eine Magnetflussführungsoberfläche auf, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche entspricht.
- Die nachfolgende Beschreibung und die beiliegenden Zeichnungen erläutern bestimmte, darstellende Aspekte und Implementierungen der Erfindung detailliert. Diese sind darstellend für nur wenige der verschiedenen Möglichkeiten, wie die Prinzipien der Erfindung eingesetzt werden können.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
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1 eine dreidimensionale Darstellung eines Giant-Magnetoresistenz-Sensors (GMR-Sensors; GMR = Giant Magneto Resistive) gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
2 eine Querschnittsansicht des Giant-Magnetoresistenz-Sensors aus1 mit überlagerten Magnetfeldlinien; -
3 eine Querschnittsansicht eines Magnetsensors, der durch Anbringen eines vorgeformten Magneten an einen integrierten Schaltungsbaustein hergestellt wird; -
4 ein Flussdiagramm, das ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines Magnetsensors zeigt; -
5 ein Flussdiagramm, das ein detaillierteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines Magnetsensors zeigt; -
6 –9 dreidimensionale Darstellungen eines Magnetsensors auf verschiedenen Herstellungsstufen, entsprechend dem Flussdiagramm aus5 ; -
10 ein Flussdiagramm, das ein detaillierteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines Magnetsensors zeigt; -
11 –16 dreidimensionale Darstellungen eines Magnetsensors auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß dem Flussdiagramm aus10 ; -
17 eine dreidimensionale Darstellung eines Hall-Sensors gemäß einem Ausführungsbeispiel, und -
18 eine Querschnittsansicht des Hall-Sensors aus17 . - Die vorliegende Erfindung wird nun Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben, in denen gleiche Bezugszeichen verwendet werden, um durchgehend auf gleiche Elemente Bezug zu nehmen, und in denen die dargestellten Strukturen nicht notwendigerweise maßstabsgetreu gezeichnet sind. Nichts in dieser detaillierten Beschreibung (oder den Zeichnungen, die hierin umfasst sind) ist als Stand der Technik zugelassen.
- Verschiedene Ausführungsbeispiele, die sich auf Magnetsensoren beziehen, werden hierin beschrieben. Die Sensoren umfassen ferner einen Magnetkörper, der angepasst ist, um Magnetfeldlinien auf vorbestimmte Weise im Hinblick auf zumindest ein Erfassungselement zu führen. Bei einigen Ausführungsbeispielen werden diese und andere Magnetsensoren durch Herstellungsverfahren gebildet, die verbesserte Toleranzen und höhere Erträge liefern als bislang erreichbar war.
-
1 und2 zeigen ein Ausführungsbeispiel eines Magnetsensors. Bei diesem dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst ein magnetoresistiver Sensor100 einen integrierten Schaltungsbaustein102 , der ein Paar aus Erfassungselementen104 ,106 umfasst. Die Erfassungselemente104 ,106 sind seitlich voneinander um eine Distanz d getrennt. Bei einigen Ausführungsbeispielen könnten diese Erfassungselemente104 ,106 anisotrope magnetoresistive (AMR-; AMR = anisotropic magneto resistive) oder giant-magnetoresistive (GMR-; GMR = giant magneto resistive) Erfassungselemente sein. - Um die Erfassungselemente in Sperrrichtung vorzuspannen, wird ein Magnetkörper
108 über einer Eingriffnahmeoberfläche110 des integrierten Schaltungsbausteins102 gebildet. Der Magnetkörper108 weist eine Magnetflussführungsoberfläche112 auf, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche110 entspricht. Diese grundlegende Entsprechung ermöglicht eine genaue Ausrichtung des Magnetkörpers108 relativ zu den Erfassungselementen104 ,106 . Obwohl das dargestellte Ausführungsbeispiel die Magnetflussführungsoberfläche112 derart zeigt, dass sie direkt auf der Eingriffnahmeoberfläche110 gebildet ist, können bei anderen Ausführungsbeispielen eine oder mehrere Zwischenschichten ebenfalls zwischen diesen Oberflächen110 ,112 gebildet sein. - Aufgrund der Geometrie des Magnetkörpers
108 werden die Magnetfeldlinien114 senkrecht durch die Erfassungselemente104 ,106 geführt. Dies wird dadurch erreicht, dass die Mag netflussführungsoberfläche112 im Wesentlichen v-förmig gebildet ist. Obwohl die dargestellte Magnetflussführungsoberfläche112 drei planare Oberflächen auf der integrierten Schaltung102 aufweist, wird darauf hingewiesen, dass „im Wesentlichen v-förmig” auch v-förmige Oberflächen mit einer beliebigen Anzahl von planaren Oberflächen, U-förmigen Oberflächen, gekrümmten Oberflächen und unregelmäßig geformten Oberflächen umfassen kann. - Da die Erfassungselemente
104 ,106 nur für x-Komponenten-Änderungen in dem Magnetfeld empfindlich sind, ermöglicht die Geometrie des Magnetkörpers108 , dass die Erfassungselemente104 ,106 zwischen einem magnetisch gesättigten Zustand (hoher oder niedriger Widerstand) und einem magnetisch nicht gesättigten Zustand (neutraler Widerstand) umschalten, abhängig von der Nähe eines Objekts, das erfasst werden soll, und der Amplitude des Vorspannungsmagnetfeldes. - Obwohl
1 und2 den magnetoresistiven Sensor100 mit einem Paar aus Erfassungselementen104 ,106 zeigen, könnte der magnetoresistive Sensor100 bei anderen dargestellten Ausführungsbeispielen eine andere Anzahl von Erfassungselementen umfassen. Zum Beispiel ist bei einem Ausführungsbeispiel nur ein einzelnes, magnetoresistives Erfassungselement umfasst, wodurch ermöglicht wird, dass der magnetoresistive Sensor100 als ein Schalter wirkt. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel könnte der magnetoresistive Sensor100 drei oder mehr magnetoresistive Erfassungselemente umfassen, wodurch dem magnetoresistiven Sensor100 ermöglicht wird, eine Translationsbewegung eines sich vorbei bewegenden Objekts zu erfassen. Zum Beispiel könnte der magnetoresistive Sensor100 unter Verwendung eines Algorithmus Informationen aus den drei magnetoresistiven Erfassungselementen korrelieren, um zu bestimmen, ob sich das Objekt von links nach rechts oder von rechts nach links relativ zu dem magnetoresistiven Sensor100 bewegt hat. - Bezug nehmend nun auf
3 wird bei einem Ausführungsbeispiel ein anderer Magnetsensor300 und ein Verfahren zum Herstellen dieses Magnetsensors erörtert. Bei dem Magnetsensor300 haftet eine Epoxydschicht306 den integrierten Schaltungsbaustein302 an einen vorgeformten Magneten308 . Während der Anordnung des Magnetsensors300 wird zuerst der integrierte Schaltungsbaustein302 um das zumindest eine Erfassungselement304 hergestellt. Als Nächstes wird die Epoxydschicht306 aufgebracht. Schließlich wird der vorgeformte Magnet308 , der bearbeitet wird, um eine gewünschte Geometrie aufzuweisen, auf die Epoxydschicht306 platziert. Dieses Herstellungsverfahren ist eine einfache Weise, einen Magnetsensor300 anzuordnen, und könnte gemäß einigen Aspekten der vorliegenden Offenbarung verwendet werden. - Um eine Toleranz (oder Unsicherheit Δx) aufgrund der mechanischen Präzision oder anderen Ursachen einzuschränken, umfasst der Magnetsensor
300 eine Eingriffnahmeoberfläche310 , die im Wesentlichen einer Magnetflussführungsoberfläche312 entspricht. Daher helfen diese im Wesentlichen entsprechenden Oberflächen310 ,312 , die Magnetflussführungsoberfläche312 relativ zu den Erfassungselementen304 auszurichten, wodurch eine senkrechte oder andere vorbestimmte Führung der Magnetfeldlinien ermöglicht wird. - Wie die Erfinder weiter erkannt haben, kann es der Fall sein, dass der Hersteller bei dem Versuch, einen vorgeformten Magneten
308 mit einer komplexen Geometrie maschinell herzustellen, schließlich den Magneten bricht, wodurch sich reduzierte Erträge und verschwendete Ausgaben ergeben. Um diese und andere Mängel einzuschränken, haben die Erfinder verbesserte Verfahren zum Herstellen von Magnetsensoren erdacht. Genauer gesagt haben die Erfinder Herstellungsverfahren erdacht, bei denen ein Magnetkörper durch schrittweises Aufbauen eines Magnetmaterials über einer Eingriffnahmeoberfläche gebildet wird. Somit stellt4 ein gewissermaßen allgemeines Verfahren zum Bilden eines Magnetsensors400 dar, während5 –9 und10 –16 detailliertere Verfahren500 ,1000 zeigen. Obwohl diese Verfahren400 ,500 ,1000 hierin als eine Reihe aus Signalhandlungen oder -ereignissen dargestellt und beschrieben sind, wird darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht durch die dargestellte Reihenfolge solcher Handlungen oder Ereignisse eingeschränkt ist. Zum Beispiel können einige Handlungen in unterschiedlichen Reihenfolgen auftreten und/oder gleichzeitig mit anderen Handlungen oder Ereignisses, abgesehen von jenen, die hierin dargestellt und/oder beschrieben sind, gemäß der Erfindung. Zusätzlich dazu sind möglicherweise nicht alle dargestellten Schritte erforderlich, um eine Methodik gemäß der vorliegenden Erfindung zu implementieren. - Bezug nehmend nun auf
4 beginnt das Verfahren400 bei402 , wo ein Magnetkörper durch Formen eines Magnetmaterials über einer Eingriffnahmeoberfläche gebildet wird. Bei einigen Ausführungsbeispielen könnte diese Eingriffnahmeoberfläche eine Außenoberfläche auf einem integrierten Schaltungsbaustein sein (siehe5 –9 ) oder könnte eine Außenoberfläche eines Leiterrahmens sein (siehe z. B.10 –16 ). Als Nächstes wird bei404 der Magnetkörper magnetisiert. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann diese Magnetisierung gleichzeitig zu dem Formen des Magnetmaterials auftreten, kann aber bei anderen Ausführungsbeispielen auftreten, nachdem der Magnetkörper gebildet wurde. Zum Beispiel kann die Magnetisierung direkt vor dem Testen des Sensors auftreten. Während der Magnetisierung kann das Magnetfeld des Magnetkörpers mit einer empfindlichen Achse des Magnetsensors ausgerichtet sein, so dass eine ordnungsgemäße Vorspannung in Sperrrichtung auftritt, wenn der Magnetsensor verwendet wird. Nachdem der Magnetsensor gemäß dem Verfahren400 verarbeitet ist, kann der Magnetsensor getestet und zur Versendung an Kunden verpackt werden. - Bezug nehmend nun auf
5 –9 ist ein detaillierteres Ausführungsbeispiel zum Bilden eines magnetoresistiven Sen sors gezeigt. Wie ersichtlich ist, zeigen6 –9 eine Implementierung, wie das Verfahren von5 implementiert werden kann. - In
6 (502 ) wird ein Leiterrahmen600 bereitgestellt. Bei diesem Beispiel umfasst der Leiterrahmen einen ersten Anschluss602 , einen zweiten Anschluss604 und einen dritten Anschluss606 sowie einen im Wesentlichen planaren Chipbereich608 . Bei anderen Ausführungsbeispielen könnte der Leiterrahmen600 jegliche Anzahl von Anschlüssen umfassen, abhängig von der Funktionalität, die für die Schaltung erwünscht ist. Eine entfernbar Zugstange610 , die benachbarte Leiterrahmen während der Sensorherstellung zusammenzieht, wird nach der Verarbeitung entfernt, so dass individuelle Magnetsensoren getestet und gepackt werden können. - In
7 (504 ,506 ) wurde ein Chip700 an den Chipbereich608 auf dem Leiterrahmen600 angebracht. Der Chip700 umfasst zumindest ein Magneterfassungselement (z. B. ein magnetoresistives Erfassungselement oder ein Hall-Erfassungselement). Bei dem dargestellten Beispiel umfasst der Chip700 ein erstes und ein zweites Erfassungselement702 bzw.704 , bei anderen Ausführungsbeispielen könnte der Chip700 jedoch eine andere Anzahl von Erfassungselementen umfassen. Verbindungsanschlussflächen auf dem Chip wurden ebenfalls jeweils an die Anschlüsse auf dem Leiterrahmen drahtgebondet. - In
8 (508 ) wird ein integrierter Schaltungsbaustein800 über dem Chip gebildet. Der Baustein ist mit einer Eingriffnahmeoberfläche802 gebildet. Somit ist die Eingriffnahmeoberfläche802 bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine im Wesentlichen v-förmige Oberfläche, die eine erste und eine zweite rampenartige Oberfläche804 ,806 umfasst, die sich an einer dritten Oberfläche808 treffen. Der bevorzugte Winkel der v-Form ist ein Produkt der Erfassungselementposition innerhalb des Bausteins und der allgemeinen, physischen Abmessungen des Magneten, was einen großen Anreiz gibt, die gewünschte Form in den Baustein selbst einzulagern. Bei vielen Ausführungsbeispielen treffen sich die erste und die zweite rampenartige Oberfläche804 ,806 in einem Winkel von ungefähr innerhalb 135 und 170°. - In
9 (510 ) wird ein Magnetkörper900 durch Formen eines Magnetmaterials über der Eingriffnahmeoberfläche802 des integrierten Schaltungsbausteins800 gebildet. Somit wird der Magnetkörper durch schrittweises Aufbauen der Dicke des Magnetmaterials gebildet, wobei schrittweise angibt, dass die Dicke über eine bestimmte (oft kurze) Zeitperiode aufgebaut wird. Da der Magnetkörper900 geformt wird, erfordert das Verfahren500 nicht, dass Magnete maschinell in komplexe Formen bearbeitet werden, vor der Anordnung des Sensors. Somit erleichtert das Formen eines Magnetmaterials auf die Eingriffnahmeoberfläche802 die Herstellung im Vergleich zu anderen Herstellungsverfahren, wo Magnete maschinell bearbeitet und dann an den integrierten Schaltungsbaustein gehaftet (geklebt) werden. Bei einem Ausführungsbeispiel könnte der Magnetkörper900 durch Spritzgießen hergestellt werden, aber andere Formgebungsprozesse können ebenfalls verwendet werden. Bei einem Ausführungsbeispiel könnte das Magnetmaterial eine Nylonbindemittelmischung umfassen, die mit Samarium-Kobalt (SmCo) imprägniert ist. Die geformten Magneten können jedoch jegliches Magnetmaterial oder Selten-erdelement verwenden, Neodymium (NdFeB) und Ferrit sind zusätzliche Beispiele, und das Bindemittelmaterial, das den Magneten zusammenhält, kann eine Vielzahl von Thermoplasten sein, wie z. B. PBT oder Nylon 6, 6/6 und 6/12. Ein Duroplastmaterial, wie z. B. Epoxid, könnte ebenfalls als ein Bindemittel verwendet werden und moduliert werden, um den Magnetbaustein zu bilden. - Bezug nehmend nun auf
10 –16 ist ein anderes Ausführungsbeispiel gezeigt, wo das Magnetmaterial auf den Leiterrahmen geformt ist und nicht auf eine integrierte Schaltung geformt ist. - In
11 (1002 ) ist wiederum ein Leiterrahmen1100 vorgesehen. Bei diesem Ausführungsbeispiel weist der Leiterrahmen1100 eine Eingriffnahmeoberfläche1102 und einen Chipbereich1104 auf, die voneinander durch ein biegbares Bauglied getrennt sind. Obwohl der dargestellte Leiterrahmen1100 einen ersten und einen zweiten Anschluss1108 ,1110 umfasst, könnten andere Leiterrahmen andere Anschlusszahlen umfassen. - In
12 (1004 ) ist die Eingriffnahmeoberfläche1102 gebogen, um einer Magnetflussführungsoberfläche zu entsprechen, die für einen Magnetkörper erwünscht ist. Somit ist bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel die Eingriffnahmeoberfläche1102 des Leiterrahmens in eine im Wesentlichen v-förmige Konfiguration gebogen. - In
13 (1006 ) wird ein Magnetkörper1300 gebildet, durch schrittweises Aufbauen einer Dicke eines Magnetmaterials an der Eingriffnahmeoberfläche1102 . Bei einem Ausführungsbeispiel könnte dies durch Spritzgießen erreicht werden, könnte aber auch durch andere Prozesse erreicht werden. - In
14 (1008 ) wird das biegbare Bauglied1106 gebogen, um den Magnetkörper1300 unterhalb des Chipbereichs1104 zu positionieren. Obwohl das dargestellte Ausführungsbeispiel den Magnetkörper1300 zeigt, der unter den Chipbereich1104 gebogen ist, könnte bei anderen Ausführungsbeispielen die Geometrie des Magnetkörpers umgekehrt sein, und der Magnetkörper1300 könnte über den Chipbereich gebogen sein. - In
15 (1010 ) ist ein Chip1500 an den Chipbereich1104 angebracht und ist elektrisch mit dem Leiterrahmen1110 gekoppelt, z. B. durch Drahtbonden. Bei anderen Ausführungsbeispielen könnte der Chip1500 an die Unterseite des Chipbereichs angebracht sein. - In
16 ist ein integrierter Schaltungsbaustein1600 über dem Chip und dem Magnetkörper gebildet. Bei einigen Ausfüh rungsbeispielen könnte der integrierte Schaltungsbaustein Kunststoff oder Keramik aufweisen, könnte jedoch ferner andere Materialien bei anderen Ausführungsbeispielen aufweisen. - Obwohl verschiedene Ausführungsbeispiele zum Herstellen eines Magnetsensors oben in dem Kontext von magnetoresistiven Sensoren erörtert und dargestellt wurden, sind die Herstellungsverfahren und andere Konzepte ebenfalls an andere Typen von Magnetsensoren anwendbar.
17 –18 zeigen ein anderes Beispiel eines Magnetsensors, der als ein Hall-Sensor1700 implementiert ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Hall-Sensor1700 einen integrierten Schaltungsbaustein1702 , der ein einzelnes Hall-Erfassungselement1704 umfasst. Um das Hall-Erfassungselement1704 in Sperrrichtung vorzuspannen, ist ein Magnetkörper1706 über einer Eingriffnahmeoberfläche1708 des integrierten Schaltungsbausteins1702 gebildet. Der Magnetkörper1706 weist wiederum eine Magnetflussführungsoberfläche1710 auf, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche1708 des integrierten Schaltungsbausteins1702 entspricht. Obwohl dies nicht gezeigt ist, könnten auch Zwischenschichten zwischen diesen Eingriffnahmeoberflächen1708 ,1710 gebildet sein. - Der Magnetkörper
1706 kann durch eine konische Ausnehmung1712 gekennzeichnet sein, die über dem Hall-Erfassungselement1704 positioniert ist. Somit umfasst der Magnetkörper1706 verjüngte Seitenwände1714 . Diese verjüngten Seitenwände1714 richten eine größere Breite wL in der Nähe der Eingriffnahmeoberfläche1710 ein, und eine kleinere Breite wS, die einer Fläche gegenüberliegend zu der Eingriffnahmeoberfläche1710 zugeordnet ist. Ist kein Objekt vorhanden, das erfasst werden soll, ist diese Geometrie entworfen, um einen Magnetfeldzustand von ungefähr Null bei dem Hall-Erfassungselement1704 einzurichten. Folglich, wenn ein Objekt, das erfasst werden soll, in große Nähe zu dem Hall-Sensor1700 kommt, erstreckt sich das Magnetfeld durch den Bereich, wo vorangehend kein Feld vorhanden war, und wirkt auf oder sättigt das Hall-Erfassungselement1704 . - Ein Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet wird erkennen, dass dieser Hall-Sensor
1700 auch hergestellt werden könnte durch Bilden eines Magnetmaterials auf einer Eingriffnahmeoberfläche eines integrierten Schaltungsbausteins oder eines Leiterrahmens. Bei einigen Ausführungsbeispielen könnte diese Herstellung analog zu den vorangehend erörterten Herstellungsverfahren erfolgen. - Ferner, obwohl oben einige Beispiele von integrierten Schaltungsbausteinen dargestellt und erörtert wurden, sind diese Beispiele nicht einschränkend. Das Konzept zum Bilden eines Magnetmaterials auf einem integrierten Schaltungsbaustein kann auch an andere Typen eines integrierten Schaltungsbausteins angewendet werden, einschließlich aber nicht beschränkt auf: Kugelgitterarrays, quadratische Flachgehäuse, Anschlussstiftmatrix, quadratische Keramikflachgehäuse, einzelne, leitungslose Chipträger, doppelte, leitungslose Chipträger, Chipträger mit J-Anschlüssen und Niedrigprofil, etc..
- Im Hinblick auf die verschiedenen Funktionen, die durch die oben beschriebenen Komponenten oder Strukturen ausgeführt werden (Blöcke, Einheiten, Anordnungen, Vorrichtungen, Schaltungen, Systeme etc.), sollen die Ausdrücke (einschließlich einer Bezugnahme auf eine „Einrichtung”), die verwendet werden, um solche Komponenten zu beschreiben, jeglicher Komponente oder Struktur entsprechen, außer anderweitig angegeben, die die spezifizierte Funktion der beschriebenen Komponente ausführt (z. B. die funktional entsprechend ist), obwohl sie strukturell nicht entsprechend zu der offenbarten Struktur ist, die die Funktion bei der hierin dargestellten, exemplarischen Implementierung der Erfindung ausführt. Zusätzlich dazu, während ein bestimmtes Merkmal der Erfindung im Hinblick auf nur eine von vielen Implementierungen offen bart wurde, kann ein solches Merkmal mit einem oder mehreren anderen Merkmalen der anderen Implementierungen kombiniert werden, wie es für jegliche gegebene oder bestimmte Anwendung erwünscht und vorteilhaft sein kann. Ferner, zu dem Ausmaß, dass die Ausdrücke „umfassen”, „umfasst”, „haben”, „hat”, „mit” oder Varianten derselben entweder in der detaillierten Beschreibung oder in den Ansprüchen verwendet werden, sollen solche Ausdrücke umfassend sein, ähnlich zu dem Ausdruck „aufweisen”.
Claims (37)
- Verfahren zum Bilden eines Magnetsensors, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen einer Eingriffnahmeoberfläche (
502 ); und Bilden eines Magnetkörpers über der Eingriffnahmeoberfläche durch schrittweises Aufbauen der Dicke eines Magnetmaterials (510 ). - Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das schrittweise Aufbauen der Dicke des Magnetmaterials ein Spritzgießen des Magnetmaterials über die Eingriffnahmeoberfläche aufweist.
- Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem das Magnetmaterial ein Seltenerdelement aufweist.
- Verfahren gemäß Anspruch 2 oder 3, bei dem das Magnetmaterial Ferrit aufweist.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Eingriffnahmeoberfläche eine externe Oberfläche eines Leiterrahmens oder eine externe Oberfläche eines integrierten Schaltungsbausteins aufweist.
- Verfahren gemäß Anspruch 5, das ferner folgenden Schritt aufweist: Bereitstellen von zumindest einem Erfassungselement an dem Leiterrahmen oder in dem integrierten Schaltungsbaustein.
- Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem der Magnetkörper gebildet ist, um Magnetfeldlinien senkrecht durch das zumindest eine Erfassungselement zu führen.
- Verfahren gemäß Anspruch 6 oder 7, bei dem der Magnetkörper gebildet ist, um einen Magnetfeldzustand von ungefähr Null in dem zumindest einem Erfassungselement einzurichten.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem der Magnetkörper eine im Wesentlichen konische Oberfläche aufweist, die eine Ausnehmung in dem Magnetkörper definiert, wobei die Ausnehmung über dem zumindest einen Erfassungselement positioniert ist.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem der Magnetkörper eine Magnetflussführungsoberfläche aufweist, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche entspricht, und bei dem die Magnetflussführungsoberfläche eine im Wesentlichen v-förmige Oberfläche ist.
- Verfahren zum Bilden eines Magnetsensors, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen einer integrierten Schaltung, die zumindest ein Erfassungselement aufweist; Bilden eines integrierten Schaltungsbausteins über der integrierten Schaltung, wobei der integrierte Schaltungsbaustein eine Eingriffnahmeoberfläche aufweist, die die Ausrichtung eines Magnetkörpers relativ zu dem zumindest einen Erfassungselement ermöglicht.
- Verfahren gemäß Anspruch 11, das ferner folgenden Schritt aufweist: Bilden des Magnetkörpers über der Eingriffnahmeoberfläche, durch schrittweises Aufbauen einer Dicke eines Magnetmaterials auf der Eingriffnahmeoberfläche.
- Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem der Magnetkörper eine Magnetflussführungsoberfläche aufweist, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche entspricht.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem die integrierte Schaltung zumindest ein magnetoresistives Erfassungselement aufweist.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, bei dem die integrierte Schaltung zumindest ein Hall-Erfassungselement aufweist.
- Verfahren zum Herstellen eines Magnetsensors, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Leiterrahmens, der folgende Merkmale aufweist: einen Chipbereich und eine Eingriffnahmeoberfläche, die voneinander durch ein biegbares Bauglied getrennt sind; Bereitstellen eines Magnetkörpers über der Eingriffnahmeoberfläche; Biegen des biegbaren Bauglieds so, dass der Magnetkörper über oder unter dem Chipbereich positioniert ist.
- Verfahren gemäß Anspruch 16, das ferner folgenden Schritt aufweist: Anbringen einer integrierten Schaltung an den Chipbereich, wobei die integrierte Schaltung zumindest ein Magneterfassungselement umfasst.
- Verfahren gemäß Anspruch 17, das ferner folgenden Schritt aufweist: Bilden eines integrierten Schaltungsbausteins über der integrierten Schaltung und dem Magnetkörper.
- Magnetsensor, der folgende Merkmale aufweist: eine integrierte Schaltung, die zumindest ein Erfassungselement aufweist; einen integrierten Schaltungsbaustein, der die integrierte Schaltung überlagert, wobei der integrierte Schaltungsbaustein eine Eingriffnahmeoberfläche aufweist, die eine Ausrichtung eines Magnetkörpers relativ zu dem zumindest einen Erfassungselement ermöglicht.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 19, der ferner folgendes Merkmal aufweist: einen Magnetkörper, der die Eingriffnahmeoberfläche überlagert, wobei der Magnetkörper eine Magnetflussführungsoberfläche aufweist, die im Wesentlichen der Eingriffnahmeoberfläche entspricht.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 20, bei dem eine Geometrie des Magnetkörpers angepasst ist, um Magnetfeldlinien auf vorbestimmte Weise im Hinblick auf das zumindest eine Erfassungselement zu führen.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 20 oder 21, bei dem der Magnetkörper gebildet ist, um Magnetfeldlinien senkrecht durch das zumindest eine Erfassungselement zu führen.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 22, bei dem der Magnetkörper gebildet ist, um einen Magnetfeldzustand von ungefähr Null in dem zumindest einen Erfassungselement einzurichten.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 23, bei dem der Magnetkörper eine im Wesentlichen konische Oberfläche aufweist, die eine Ausnehmung in dem Magnetkörper definiert, wobei die Ausnehmung über dem zumindest einen Erfassungselement positioniert ist.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 24, bei dem die Magnetflussführungsoberfläche eine im Wesentlichen v-förmige Oberfläche ist.
- Magnetsensor, der folgende Merkmale aufweist: eine integrierte Schaltung, die zumindest ein Erfassungselement aufweist; einen integrierten Schaltungsbaustein, der die integrierte Schaltung überlagert, wobei der integrierte Schaltungsbaustein eine Eingriffnahmeoberfläche aufweist; und einen Magnetkörper, der die Eingriffnahmeoberfläche überlagert, wobei der Magnetkörper eine Magnetflussführungsoberfläche aufweist, die der Eingriffnahmeoberfläche im Wesentlichen entspricht.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 26, bei dem eine Geometrie des Magnetkörpers angepasst ist, um Magnetfeldlinien auf vorbestimmte Weise im Hinblick auf das zumindest eine Erfassungselement zu führen.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 26 oder 27, der ferner folgendes Merkmal aufweist: zumindest eine Zwischenschicht zwischen der Eingriffnahmeoberfläche und der Magnetflussführungsoberfläche.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 26 bis 28, bei dem die Eingriffnahmeoberfläche direkt an die Magnetflussführungsoberfläche angrenzt.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 26 bis 29, bei dem die Eingriffnahme- und die Magnetflussführungsoberfläche im Wesentlichen v-förmig sind.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 26 bis 30, bei dem die Geometrie des Magnetkörpers angepasst ist, um die Magnetfeldlinien senkrecht durch das zumindest eine Erfassungselement zu führen.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 26 bis 31, bei dem die Geometrie des Magnetkörpers angepasst ist, um einen Magnetfeldzustand von ungefähr Null in dem zumindest einen Erfassungselement einzurichten.
- Magnetsensor gemäß einem der Ansprüche 26 bis 32, bei dem der Magnetkörper eine konische Oberfläche aufweist, die eine Ausnehmung in dem Magnetkörper über dem zumindest einen Erfassungselement definiert.
- Magnetsensor, der folgende Merkmale aufweist: eine integrierte Schaltung, die zumindest ein Erfassungselement aufweist; einen Magnetkörper, der angepasst ist, um Magnetfeldlinien auf vorbestimmte Weise im Hinblick auf das zumindest eine Erfassungselement zu führen; und einen integrierten Schaltungsbaustein, der die integrierte Schaltung und den Magnetkörper überlagert.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 34, der ferner folgendes Merkmal aufweist: einen Leiterrahmen, der an den Magnetkörper angrenzt.
- Magnetsensor gemäß Anspruch 35, bei dem der Leiterrahmen folgendes Merkmal aufweist: einen Chipbereich und eine Eingriffnahmeoberfläche, die voneinander durch ein biegbares Bauglied getrennt sind.
- Magnetsensor, der folgende Merkmale aufweist: einen Magnetkörper; eine Einrichtung zur Magnetfelderfassung; und eine Einrichtung zum Führen von Magnetfeldlinien von dem Magnetkörper durch die Einrichtung zur Magnetfelderfassung.
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US9222992B2 (en) * | 2008-12-18 | 2015-12-29 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
US8717016B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-05-06 | Infineon Technologies Ag | Current sensors and methods |
US8760149B2 (en) | 2010-04-08 | 2014-06-24 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field current sensors |
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US20120146165A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Udo Ausserlechner | Magnetic field current sensors |
US8975889B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-03-10 | Infineon Technologies Ag | Current difference sensors, systems and methods |
US9207292B2 (en) * | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
US9000763B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-04-07 | Infineon Technologies Ag | 3-D magnetic sensor |
US8963536B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-02-24 | Infineon Technologies Ag | Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor |
US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
US9812588B2 (en) * | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
US9666788B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
US9153369B2 (en) | 2012-04-23 | 2015-10-06 | Infineon Technologies Ag | Bias field generator including a body having two body parts and holding a packaged magnetic sensor |
US10215550B2 (en) | 2012-05-01 | 2019-02-26 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensors having highly uniform magnetic fields |
US9817078B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-11-14 | Allegro Microsystems Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil |
US9316663B2 (en) | 2012-10-17 | 2016-04-19 | Infineon Technologies Ag | Intelligent field shaping for magnetic speed sensors |
US9625534B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-04-18 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for detection of magnetic fields |
US10725100B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-07-28 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil |
US9411025B2 (en) * | 2013-04-26 | 2016-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet |
US9664494B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with immunity to external magnetic influences |
US20140377915A1 (en) * | 2013-06-20 | 2014-12-25 | Infineon Technologies Ag | Pre-mold for a magnet semiconductor assembly group and method of producing the same |
US10408892B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-09-10 | Allegro Microsystems, Llc | Magnet with opposing directions of magnetization for a magnetic sensor |
US10495699B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-12-03 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target |
US10145908B2 (en) | 2013-07-19 | 2018-12-04 | Allegro Microsystems, Llc | Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field |
US9810519B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors |
EP2894489B1 (de) | 2014-01-13 | 2019-03-13 | TDK-Micronas GmbH | Sensorvorrichtung |
US9823092B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
US10712403B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-07-14 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
US9720054B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
US9719806B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object |
US9322887B1 (en) | 2014-12-01 | 2016-04-26 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with magnetoresistance elements and conductive-trace magnetic source |
EP3156770A1 (de) * | 2015-10-15 | 2017-04-19 | Nxp B.V. | Drehwinkelsensor |
US10041810B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-08-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors |
US10012518B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-07-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object |
US10260905B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations |
US10837943B2 (en) | 2017-05-26 | 2020-11-17 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor with error calculation |
US11428755B2 (en) | 2017-05-26 | 2022-08-30 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated sensor with sensitivity detection |
US10641842B2 (en) | 2017-05-26 | 2020-05-05 | Allegro Microsystems, Llc | Targets for coil actuated position sensors |
US10310028B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-06-04 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated pressure sensor |
US10996289B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-05-04 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated position sensor with reflected magnetic field |
US10324141B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-06-18 | Allegro Microsystems, Llc | Packages for coil actuated position sensors |
US10866117B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-12-15 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target |
US11255700B2 (en) | 2018-08-06 | 2022-02-22 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor |
US10823586B2 (en) | 2018-12-26 | 2020-11-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements |
US11061084B2 (en) | 2019-03-07 | 2021-07-13 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate |
US10955306B2 (en) | 2019-04-22 | 2021-03-23 | Allegro Microsystems, Llc | Coil actuated pressure sensor and deformable substrate |
US11237020B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-02-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet |
US11280637B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-03-22 | Allegro Microsystems, Llc | High performance magnetic angle sensor |
US11262422B2 (en) | 2020-05-08 | 2022-03-01 | Allegro Microsystems, Llc | Stray-field-immune coil-activated position sensor |
US11493361B2 (en) | 2021-02-26 | 2022-11-08 | Allegro Microsystems, Llc | Stray field immune coil-activated sensor |
US11578997B1 (en) | 2021-08-24 | 2023-02-14 | Allegro Microsystems, Llc | Angle sensor using eddy currents |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4188605A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-12 | Stout Glenn M | Encapsulated Hall effect device |
US4496303A (en) * | 1982-05-27 | 1985-01-29 | Xolox Corporation | Method of fabricating a permanent magnet |
JPS60223095A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Hitachi Metals Ltd | 界磁用磁石 |
JPS6384176A (ja) | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法 |
US4785242A (en) * | 1986-12-15 | 1988-11-15 | Sundstrand Corporation | Position detecting apparatus using multiple magnetic sensors for determining relative and absolute angular position |
US4926122A (en) | 1988-08-08 | 1990-05-15 | General Motors Corporation | High sensitivity magnetic circuit |
DE4020228A1 (de) * | 1990-06-26 | 1992-01-02 | Philips Patentverwaltung | Anordnung zum detektieren eines bewegten ferromagnetischen elements |
DE69332376T2 (de) * | 1992-05-12 | 2003-02-13 | Seiko Epson Corp | Seltenerd verbundmagnet, zusammensetzung hierfür und herstellungsverfahren |
US5260653A (en) * | 1992-06-03 | 1993-11-09 | Eastman Kodak Company | Thin film very high sensitivity magnetoresistive magnetometer having temperature compensation and simple domain stability |
US5781005A (en) * | 1995-06-07 | 1998-07-14 | Allegro Microsystems, Inc. | Hall-effect ferromagnetic-article-proximity sensor |
JPH09329461A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
US5936400A (en) | 1996-12-23 | 1999-08-10 | Federal Products Co. | Magnetoresistive displacement sensor and variable resistor using a moving domain wall |
JPH10221114A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
JPH10232242A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
US5963028A (en) * | 1997-08-19 | 1999-10-05 | Allegro Microsystems, Inc. | Package for a magnetic field sensing device |
JPH1187797A (ja) | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Hitachi Cable Ltd | ホール素子 |
FR2769088B1 (fr) * | 1997-09-26 | 1999-12-03 | Roulements Soc Nouvelle | Capteur digital de position relative |
JP4193278B2 (ja) | 1999-04-01 | 2008-12-10 | 株式会社デンソー | 磁気検出装置の製造方法 |
JP4465735B2 (ja) | 1999-04-15 | 2010-05-19 | 株式会社デンソー | 磁気検出装置の製造方法 |
US6278270B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-08-21 | Xerox Corporation | Apparatus and method for detecting small distance changes between opposed surfaces using giant magneto resistance effect sensor |
US7173336B2 (en) * | 2000-01-31 | 2007-02-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
DE10123513A1 (de) | 2001-05-15 | 2003-03-20 | Dieter Schoedlbauer | Elektrische Meßtechnik, speziell Weg- und Winkelaufnehmer mit magnetoresistiven Sensorelementen |
EP1267427A1 (de) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Asulab S.A. | Verfahren zur Herstellung eine Vielzahl von magnetischen Sensoren |
DE10141371A1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Philips Corp Intellectual Pty | Magnetoresistive Sensoreinrichtung |
DE10210184A1 (de) * | 2002-03-07 | 2003-09-18 | Philips Intellectual Property | Anordnung zum Bestimmen der Position eines Bewegungsgeberelements |
JP3626469B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2005-03-09 | 三菱電機株式会社 | 磁気抵抗センサ装置 |
JP4055609B2 (ja) * | 2003-03-03 | 2008-03-05 | 株式会社デンソー | 磁気センサ製造方法 |
JP4131183B2 (ja) | 2003-03-25 | 2008-08-13 | 株式会社デンソー | 磁気検出装置の製造方法 |
JP3781422B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2006-05-31 | 株式会社ミネルバ | 磁気センサ |
JP4461098B2 (ja) | 2003-09-05 | 2010-05-12 | パナソニック株式会社 | 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ |
DE10345049B3 (de) * | 2003-09-26 | 2005-02-03 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor |
DE10360406B3 (de) * | 2003-12-19 | 2005-03-03 | Ti Automotive (Neuss) Gmbh | Hallsensor-Element, berührungsloser Füllstandgeber und Füllstandgeberanordnung |
US7375516B2 (en) | 2004-02-19 | 2008-05-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic field detector, current detector, position detector and rotation detector employing it |
JP3879777B2 (ja) | 2004-02-27 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 長尺型磁気センサ |
DE102004011100A1 (de) * | 2004-03-06 | 2005-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Bewegungssensor und Verfahren zur Herstellung eines Bewegungssensors |
US8120351B2 (en) * | 2004-03-11 | 2012-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Magnet sensor arrangement for sensing the movement of element moving in linear or rotary fashion |
DE102004011809A1 (de) * | 2004-03-11 | 2005-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Magnetsensoranordnung |
DE102004063539A1 (de) | 2004-03-11 | 2005-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Magnetsensoranordnung |
JP4712400B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-06-29 | 富士通コンポーネント株式会社 | 入力装置 |
US7425824B2 (en) * | 2005-05-20 | 2008-09-16 | Honeywell International Inc. | Magnetoresistive sensor |
DE102005027767A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Integriertes magnetisches Sensorbauteil |
JP4232771B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-04 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
US8080993B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-12-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field |
-
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R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: , |
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R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120907 |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |