JPS60223095A - 界磁用磁石 - Google Patents
界磁用磁石Info
- Publication number
- JPS60223095A JPS60223095A JP59079258A JP7925884A JPS60223095A JP S60223095 A JPS60223095 A JP S60223095A JP 59079258 A JP59079258 A JP 59079258A JP 7925884 A JP7925884 A JP 7925884A JP S60223095 A JPS60223095 A JP S60223095A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- powder
- magnetic
- temp
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルを論理素子や記憶素子として用いる
バブルメモリデバイスのバイアス磁界発生用複合磁石に
関する。
バブルメモリデバイスのバイアス磁界発生用複合磁石に
関する。
この種バブルメモリデバイスとしては、例えば特開昭５
７−６４８２号、同５７−３３４８０号、同５７−１２
３５８５号、同５７−１７９９８８号の各公報に記載さ
れているように種々の構造のものが知られているが、そ
のバイアス磁界発生装置の一例を第１図により説明する
。
７−６４８２号、同５７−３３４８０号、同５７−１２
３５８５号、同５７−１７９９８８号の各公報に記載さ
れているように種々の構造のものが知られているが、そ
のバイアス磁界発生装置の一例を第１図により説明する
。
□第１図において、１は強磁性体からなる角形ヨーク、
２は界磁用磁石、３はＭｎ−７ｎフエライト、Ｎｉ−７
ｎフエライト等のソフトフェライトからなる整磁板をそ
れぞれ示している。この磁気回路においては、角形ヨー
ク１の内面に固着された一対の界磁用磁石２上にそれぞ
れ積層された整磁板３．３間に所定の磁気ギャップが形
成されている。この磁気ギャップ内に磁性薄膜（オルソ
フェライトあるいはガーネット等）と該磁性薄膜上に形
成された軟磁性薄膜のパターンよりなる磁気バブルメモ
リチップを保持して、膜面に垂直にバイアス磁界を印加
して磁気バブル（バブル磁区）が発生ずる。
２は界磁用磁石、３はＭｎ−７ｎフエライト、Ｎｉ−７
ｎフエライト等のソフトフェライトからなる整磁板をそ
れぞれ示している。この磁気回路においては、角形ヨー
ク１の内面に固着された一対の界磁用磁石２上にそれぞ
れ積層された整磁板３．３間に所定の磁気ギャップが形
成されている。この磁気ギャップ内に磁性薄膜（オルソ
フェライトあるいはガーネット等）と該磁性薄膜上に形
成された軟磁性薄膜のパターンよりなる磁気バブルメモ
リチップを保持して、膜面に垂直にバイアス磁界を印加
して磁気バブル（バブル磁区）が発生ずる。
上記のバイアス磁界発生装置においては、所定のバイア
ス磁界（磁気ギャップの中間で２００〜２８００ｅ）を
得るために、界磁用磁石としてＢａフエライト磁石又は
Ｓｒフェライト磁石等のフェライト磁石が使用されてい
る。
ス磁界（磁気ギャップの中間で２００〜２８００ｅ）を
得るために、界磁用磁石としてＢａフエライト磁石又は
Ｓｒフェライト磁石等のフェライト磁石が使用されてい
る。
しかしてフェライト磁石は組成や製造条件を変えてもそ
の温度係数は−０，１８〜−０，２５％／℃の範囲でし
か調整できないため、使用できる磁気バブルメモリチッ
プが限られてしまい、バブルメモリデバイスの動作可能
温度範囲が狭いという問題があった。また温度係数の小
さい永久磁石としては希土類コバルト磁石が知られてい
るが、その温度係数はＲＣＯｓ系で約−０，０４％／℃
、Ｒ２Ｃ０１７系で約−０，０３０％／℃であるため、
例えば−０，１％／℃とフェライト磁石と希土類コバル
ト磁石の略中間の温度係数を有する磁気バブルメモリチ
ップに対しては適合できないという問題がある。このほ
かの永久磁石としては、例えばＭｎ−ＡＣＬ−０１１石
や希土類鉄磁石（Ｎｅ −Ｆｅ −Ｂ系磁石等）が知ら
れているが、所定の温度係数のものを安定して得ること
が困難であるおよび軽年安定性に欠けるという問題があ
り、界磁用永久磁石としては適当でない。
の温度係数は−０，１８〜−０，２５％／℃の範囲でし
か調整できないため、使用できる磁気バブルメモリチッ
プが限られてしまい、バブルメモリデバイスの動作可能
温度範囲が狭いという問題があった。また温度係数の小
さい永久磁石としては希土類コバルト磁石が知られてい
るが、その温度係数はＲＣＯｓ系で約−０，０４％／℃
、Ｒ２Ｃ０１７系で約−０，０３０％／℃であるため、
例えば−０，１％／℃とフェライト磁石と希土類コバル
ト磁石の略中間の温度係数を有する磁気バブルメモリチ
ップに対しては適合できないという問題がある。このほ
かの永久磁石としては、例えばＭｎ−ＡＣＬ−０１１石
や希土類鉄磁石（Ｎｅ −Ｆｅ −Ｂ系磁石等）が知ら
れているが、所定の温度係数のものを安定して得ること
が困難であるおよび軽年安定性に欠けるという問題があ
り、界磁用永久磁石としては適当でない。
本発明の目的は、上述の従来技術の問題点を解消し、種
々の温度系数を有する磁気バブルメモリチップの使用が
可能なバブルメモリデバイス用磁界装置を得ることので
きる界磁用磁石を提供することである。
々の温度系数を有する磁気バブルメモリチップの使用が
可能なバブルメモリデバイス用磁界装置を得ることので
きる界磁用磁石を提供することである。
本発明の界磁用磁石の特徴は、磁気バブルメモリチップ
に対して垂直にバイアス磁界を印加するバブルメモリデ
バイス用磁界装置に組込まれる複合磁石であって、ハー
ドフェライト粉末と希土類磁石粉末を所定の比率で混合
した（ただし必要に応じ一方のみでもよい）強磁性粉末
と高分子重合体からなり、−０，０３〜−０，２０％／
℃の範囲の任意の温度係数を有することである。
に対して垂直にバイアス磁界を印加するバブルメモリデ
バイス用磁界装置に組込まれる複合磁石であって、ハー
ドフェライト粉末と希土類磁石粉末を所定の比率で混合
した（ただし必要に応じ一方のみでもよい）強磁性粉末
と高分子重合体からなり、−０，０３〜−０，２０％／
℃の範囲の任意の温度係数を有することである。
上述した第１図のバイアス磁界発生装置におい゛（、種
々の磁気バブルメモリチップの温度係数に適合させるた
めに、ハイブリッド型の構造とすることも考えられるが
、磁石寸法を極端に小さくする（ ｉ ＋ｎｍ角位）必
要が有り、実用上無理である。
々の磁気バブルメモリチップの温度係数に適合させるた
めに、ハイブリッド型の構造とすることも考えられるが
、磁石寸法を極端に小さくする（ ｉ ＋ｎｍ角位）必
要が有り、実用上無理である。
そこで本発明者が種々検討した結果、界磁用磁石として
特定の強磁性粉末を高分子重合体で結合した複合磁石を
用いることにより、種々の温度係数を有する磁気バブル
メモリチップの使用が可能となることが見出された。
特定の強磁性粉末を高分子重合体で結合した複合磁石を
用いることにより、種々の温度係数を有する磁気バブル
メモリチップの使用が可能となることが見出された。
この複合磁石自体は周知であるが（たとえば特公昭５２
−１２４００号、同５８−４９０１２号、特開昭５８−
４０８０２号の各公報参照）、本発明者の検討によれば
、強磁性粉末としてフェライト粉末と希土類コバルト磁
石粉末からなる混合磁粉を用いかつ両者の混合比（容積
比）を変えることにより、複合磁石の温度係数を−０，
０３〜−０，２０％／℃の範囲で調整できることが見い
出された。
−１２４００号、同５８−４９０１２号、特開昭５８−
４０８０２号の各公報参照）、本発明者の検討によれば
、強磁性粉末としてフェライト粉末と希土類コバルト磁
石粉末からなる混合磁粉を用いかつ両者の混合比（容積
比）を変えることにより、複合磁石の温度係数を−０，
０３〜−０，２０％／℃の範囲で調整できることが見い
出された。
本発明に係る複合磁石の製造法を説明すると次の通りで
ある。
ある。
まず原料としてＢａフェライト粉末又は５ｒフエライト
粉末等のハードフェライト粉末（粒径１〜２μｍのもの
が好ましい）と、希土類磁石粉末（例えばＲＣＯｓ系も
しくはＲ２Ｃｏ１７系の希土類コバルト磁石粉末）を各
々所定量秤量し、ボールミル等で乾式混合して混合磁粉
を作成する。
粉末等のハードフェライト粉末（粒径１〜２μｍのもの
が好ましい）と、希土類磁石粉末（例えばＲＣＯｓ系も
しくはＲ２Ｃｏ１７系の希土類コバルト磁石粉末）を各
々所定量秤量し、ボールミル等で乾式混合して混合磁粉
を作成する。
この混合磁粉を熱可塑性樹脂、例えばポリアミド樹脂、
エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリアセタール、ポリエ
チレン、ポリプロピレン等と加熱混練する。ここで、磁
粉の配合量は、磁粉：樹脂＝８０〜９６：２０〜４の重
（６）比となるようにすることが好ましい。これは、磁
粉の配合量が上記範囲より少ないと磁気特性が低下し、
その配合量が上記範囲より多いと成形が困難しなるから
である。
エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリアセタール、ポリエ
チレン、ポリプロピレン等と加熱混練する。ここで、磁
粉の配合量は、磁粉：樹脂＝８０〜９６：２０〜４の重
（６）比となるようにすることが好ましい。これは、磁
粉の配合量が上記範囲より少ないと磁気特性が低下し、
その配合量が上記範囲より多いと成形が困難しなるから
である。
なお、原料としては上記以外にも、成形性を改善するた
めにステアリン酸カルシウム等の滑剤を少量（数重箇％
）加えてもよく、更に磁粉のぬれ性を改善するために、
その表面を予め有機ケイ素化合物もしくは有機チタネー
ト化合物ｒ処理してもよい。
めにステアリン酸カルシウム等の滑剤を少量（数重箇％
）加えてもよく、更に磁粉のぬれ性を改善するために、
その表面を予め有機ケイ素化合物もしくは有機チタネー
ト化合物ｒ処理してもよい。
次に上記混線物を、射出成形、圧縮成形あるいは押出成
形などの手法により成形し、冷却同化後着磁して所定の
複合磁石を得ることができる。ここで成形方法としては
、生産能率および寸法精度の点から射出成形が好ましい
。
形などの手法により成形し、冷却同化後着磁して所定の
複合磁石を得ることができる。ここで成形方法としては
、生産能率および寸法精度の点から射出成形が好ましい
。
以下本発明の詳細を実施例により説明するが、これによ
り本発明の範囲が限定されるものではない。
り本発明の範囲が限定されるものではない。
実施例
平均粒径１．２μ論のフェライト粉末と平均粒径３０μ
−の５ＩＣｏ５粉末をボールミルで乾式混合して混合磁
粉を作成した。ここで両者の混合比を変化させて１２種
類の磁粉を準備した。
−の５ＩＣｏ５粉末をボールミルで乾式混合して混合磁
粉を作成した。ここで両者の混合比を変化させて１２種
類の磁粉を準備した。
上記各磁粉８ｋｇにポリアミド樹脂（ナイロン６：宇部
興産製１０１１ Ｆ Ｂ ） ２ｋｇを加えて２４０℃
でニーダで混練した。得られた各混線物を２０ＫＯｅの
磁場中、温度２８０℃、圧力９００ｋｇ ７ｃｍ２の条
件で金型内に射出しついで冷却固化し、しかる後金型か
ら取出し、＠磁して複合磁石（２３ｍ１Ｉｌｘ ２３＋
ｎｍｘ １ｍｍ ）を製造した。
興産製１０１１ Ｆ Ｂ ） ２ｋｇを加えて２４０℃
でニーダで混練した。得られた各混線物を２０ＫＯｅの
磁場中、温度２８０℃、圧力９００ｋｇ ７ｃｍ２の条
件で金型内に射出しついで冷却固化し、しかる後金型か
ら取出し、＠磁して複合磁石（２３ｍ１Ｉｌｘ ２３＋
ｎｍｘ １ｍｍ ）を製造した。
これらの複合磁石の３ｒフエライト粉末の容量に対する
３ｒ （：、ｏ粉末の各社の比（Ｒ）と温度係数の関係
を第２図に示す。
３ｒ （：、ｏ粉末の各社の比（Ｒ）と温度係数の関係
を第２図に示す。
第２図から明らかなように、３ｒフエライト粉末のみか
らなる磁粉を用いた場合は、湿度係数が−０，１９％／
℃であるのに対し、５ＩＩＣ０５粉末の配合量を増加さ
せると温度係数は小さくなり、５ＲＩＣ０５粉末のみか
らなる磁粉を用いると、温度係数は−０，０３％／℃に
なる。すなわち第２図から、Ｓｒフェライト粉末と３ｍ
Ｇｏ ｓ粉末の混合比を変化させることにより、複合
磁石の温度係数を−０，０３〜−０，１９％／℃の範囲
で調整できることがわかる。
らなる磁粉を用いた場合は、湿度係数が−０，１９％／
℃であるのに対し、５ＩＩＣ０５粉末の配合量を増加さ
せると温度係数は小さくなり、５ＲＩＣ０５粉末のみか
らなる磁粉を用いると、温度係数は−０，０３％／℃に
なる。すなわち第２図から、Ｓｒフェライト粉末と３ｍ
Ｇｏ ｓ粉末の混合比を変化させることにより、複合
磁石の温度係数を−０，０３〜−０，１９％／℃の範囲
で調整できることがわかる。
以上に記述の如く、本発明に係る複合磁石は、温度係数
を所定の範囲内の任意の値に調整することができるため
、種々の温度係数を有する磁気バブルメモリチップを使
用することが可能となり、バブルメモリデバイスの動作
温度範囲を従来に比して大幅に拡げることができる。
を所定の範囲内の任意の値に調整することができるため
、種々の温度係数を有する磁気バブルメモリチップを使
用することが可能となり、バブルメモリデバイスの動作
温度範囲を従来に比して大幅に拡げることができる。
第１図はバブルメモリーデバイス用磁界発生装置の一例
を示す正面図、第２図は本発明に係る複合磁石の温度係
数と３ｒフエライト粉末の容量に対する５ＩｌｌＣ０５
粉末の容量の比との関係を示す図である。 １：ヨーク、２：界磁用磁石、３：整磁板代理人 弁理
士 高 石 橘 馬
を示す正面図、第２図は本発明に係る複合磁石の温度係
数と３ｒフエライト粉末の容量に対する５ＩｌｌＣ０５
粉末の容量の比との関係を示す図である。 １：ヨーク、２：界磁用磁石、３：整磁板代理人 弁理
士 高 石 橘 馬
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルメモリチップに対して垂直方向にバイア
ス磁界を印加するバブルメモリデバイス用磁界装置に組
込まれる界磁用磁石において、ハードフェライト粉末お
よび希土類コバルト磁石粉末の少なくとも一方からなる
強磁性粉末と高分子重合体との原料混線物を成形後冷却
固化しついで着磁して得られた複合磁石体からなりかつ
−０，０３〜−０，２０％／℃の範囲の任意の温度係数
を有することを特徴とする界磁用磁石。 ２、射出成形により得られた複合磁石体からなる特許請
求の範囲第１項記載の界磁用磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079258A JPS60223095A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 界磁用磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079258A JPS60223095A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 界磁用磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60223095A true JPS60223095A (ja) | 1985-11-07 |
Family
ID=13684827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59079258A Pending JPS60223095A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 界磁用磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60223095A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249407A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Kanetsukusu:Kk | プラスチックボンデング磁石 |
| US6537463B2 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Resin-bonded magnet, its product, and ferrite magnet powder and compound used therefor |
| US8058870B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-11-15 | Infineon Technologies Ag | Methods and systems for magnetic sensing |
| US8174256B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-05-08 | Infineon Technologies Ag | Methods and systems for magnetic field sensing |
| US8587297B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-11-19 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| US8610430B2 (en) | 2008-05-30 | 2013-12-17 | Infineon Technologies Ag | Bias field generation for a magneto sensor |
| CN103833340A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种nfc磁片用浆料和nfc磁片 |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP59079258A patent/JPS60223095A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249407A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Kanetsukusu:Kk | プラスチックボンデング磁石 |
| WO1990001779A1 (en) * | 1988-08-11 | 1990-02-22 | Yuugen Kaisha Kanex | Plastic-bonded magnet |
| US6537463B2 (en) | 1999-03-12 | 2003-03-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Resin-bonded magnet, its product, and ferrite magnet powder and compound used therefor |
| US8587297B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-11-19 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| US9559293B2 (en) | 2007-12-04 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| US10355197B2 (en) | 2007-12-04 | 2019-07-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic materials having different magnetic remanences |
| US8058870B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-11-15 | Infineon Technologies Ag | Methods and systems for magnetic sensing |
| US8174256B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-05-08 | Infineon Technologies Ag | Methods and systems for magnetic field sensing |
| US8610430B2 (en) | 2008-05-30 | 2013-12-17 | Infineon Technologies Ag | Bias field generation for a magneto sensor |
| US9678170B2 (en) | 2008-05-30 | 2017-06-13 | Infineon Technologies Ag | Bias field generation for a magneto sensor |
| US10310026B2 (en) | 2008-05-30 | 2019-06-04 | Infineon Technologies Ag | Bias field generation for a magneto sensor |
| CN103833340A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种nfc磁片用浆料和nfc磁片 |
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