DE102008047675B4 - Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule - Google Patents

Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule Download PDF

Info

Publication number
DE102008047675B4
DE102008047675B4 DE102008047675.7A DE102008047675A DE102008047675B4 DE 102008047675 B4 DE102008047675 B4 DE 102008047675B4 DE 102008047675 A DE102008047675 A DE 102008047675A DE 102008047675 B4 DE102008047675 B4 DE 102008047675B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
solar cell
film solar
cell modules
substrate layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102008047675.7A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008047675A1 (de
Inventor
Uwe Wagner
Frank Schmieder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CTF Solar GmbH
Original Assignee
Jenoptik Automatisierungstechnik GmbH
CTF Solar GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jenoptik Automatisierungstechnik GmbH, CTF Solar GmbH filed Critical Jenoptik Automatisierungstechnik GmbH
Priority to DE102008047675.7A priority Critical patent/DE102008047675B4/de
Priority to TW098116367A priority patent/TWI493741B/zh
Priority to JP2009134986A priority patent/JP5409127B2/ja
Priority to KR1020090049461A priority patent/KR101607706B1/ko
Priority to US12/480,482 priority patent/US7972473B2/en
Priority to EP09007659.7A priority patent/EP2133923B1/de
Publication of DE102008047675A1 publication Critical patent/DE102008047675A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008047675B4 publication Critical patent/DE102008047675B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B09DISPOSAL OF SOLID WASTE; RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
    • B09BDISPOSAL OF SOLID WASTE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B09B3/00Destroying solid waste or transforming solid waste into something useful or harmless
    • B09B3/40Destroying solid waste or transforming solid waste into something useful or harmless involving thermal treatment, e.g. evaporation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B17/00Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
    • B29B17/02Separating plastics from other materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B7/00Working up raw materials other than ores, e.g. scrap, to produce non-ferrous metals and compounds thereof; Methods of a general interest or applied to the winning of more than two metals
    • C22B7/001Dry processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B17/00Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
    • B29B17/02Separating plastics from other materials
    • B29B2017/0213Specific separating techniques
    • B29B2017/0255Specific separating techniques using different melting or softening temperatures of the materials to be separated
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2009/00Layered products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B9/00General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
    • C22B9/16Remelting metals
    • C22B9/22Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation
    • C22B9/221Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by electromagnetic waves, e.g. by gas discharge lamps
    • C22B9/223Remelting metals with heating by wave energy or particle radiation by electromagnetic waves, e.g. by gas discharge lamps by laser beams
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20Recycling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00Technologies for solid waste management
    • Y02W30/20Waste processing or separation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/62Plastics recycling; Rubber recycling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/82Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/919Delaminating in preparation for post processing recycling step
    • Y10S156/922Specified electronic component delaminating in preparation for recycling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1911Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y10T156/1917Electromagnetic radiation delaminating means [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • Y10T29/49821Disassembling by altering or destroying work part or connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen, wobei bei dem Verfahren die Dünnschichtsolarzellenmodule aus einer Substratschicht mit einem Schichtaufbau aus einer ersten Elektrodenschicht, einer Halbleiterschicht und einer zweiten Elektrodenschicht sowie einer Kunststoffschicht zum Verkapseln der vorgenannten Funktionsschichten, die in einem umlaufenden Randbereich unmittelbar an der Substratschicht anliegt, und einer Deckschicht bestehen und wobei die Substratschicht für eine Bearbeitungslaserstrahlung transparent und die erste Elektrodenschicht für diese Bearbeitungslaserstrahlung absorbierend ist, wobei die freie Oberfläche der Substratschicht mit der Bearbeitungslaserstrahlung abgescannt wird, wodurch die erste Elektrodenschicht durch die Absorption der Bearbeitungslaserstrahlung wenigstens teilweise verdampft und sich der Schichtaufbau der Funktionsschichten von der Substratschicht löst, sodass die Substratschicht, getrennt von den mit der Kunststoffschicht und der Deckschicht verbundenen Funktionsschichten, zur weiteren getrennten Verarbeitung zur Verfügung steht.

Description

  • Das Verfahren dient dem Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen mit einer Substratschicht aus Glas oder einem anderen lasertransparenten Material. Das Verfahren ist anwendbar, unabhängig von dem Material der Funktionsschichten, sofern die Substratschicht für die verwendete Laserstrahlung transparent und die erste Elektrodenschicht für die verwendete Laserstrahlung absorbierend ist.
  • Dünnschichtsolarzellenmodule bestehen aus einer Substratschicht, auf die in folgender Reihenfolge eine erste Elektrodenschicht, eine Halbleiterschicht, eine zweite Elektrodenschicht und eine Kunststoffschicht, zum Verkapseln der vorgenannten Funktionsschichten, aufgebracht sind, sowie einer Deckschicht. Die Kunststoffschicht liegt in einem umlaufenden Randbereich unmittelbar an der Substratschicht an.
  • Um die verschiedenen Schichten zum Zweck des Recyclings wieder voneinander trennen zu können, sind z. B. aus der DE 197 03 104 A1 und aus der EP 1 830 411 A1 verschiedene chemische, thermische und mechanische Verfahren bekannt. Dazu gehören insbesondere die Verwendung von Lösungsmitteln, wie z. B Säuren, die Zufuhr von Wärmeenergie durch beispielsweise Kochen oder die Verwendung von Heißdampf und das mechanische Trennen von Schichten durch fräsende, schleifende oder schabende Werkzeuge.
  • Weiterhin offenbart die DE 197 03 104 A1 die Möglichkeit, Schichten eines Verbundes, hier von Datenträgern wie CD's, mittels eines Laserstrahles zu trennen. Laserstrahl und Werkstück werden dabei relativ zueinander bewegt, wobei der Laserstrahl parallel zur Ausrichtung der Schichten geführt wird. Während nach der DE 197 03 104 A1 die Substratschicht erhalten bleibt und wiederverwertet werden kann, verdampfen die abzutragenden, für die Laserstrahlung absorbierenden Schichten weitgehend und sind nur mit einem hohen technologischen Aufwand einer Verwertung zuzuführen.
  • Das Abtrennen von Schichten unter Verwendung von Laserstrahlung wurde weiterhin in Shibasaki M., Warburg N., Springer J., Lombardelli S.: Recycling of thin-film solar modules, life cycle assessment case study, 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006 angeführt.
  • Es ist aus dem Stand der Technik bekannt, eine Strukturierung einzelner oder mehrerer Funktionsschichten sowie eine vollständige Randentschichtung mittels Laserstrahlung durchzuführen, indem eine Laserstrahlung, die von den jeweils abzutragenden Schichten absorbiert wird, relativ zur freien Oberfläche der lasertransparenten Substratschicht und auf diese gerichtet geführt wird.
  • In der US 2002/0 074 318 A1 wird ein solches Verfahren näher beschrieben, welches zur Randentschichtung von Solarzellen vor deren Verkapselung verwendet wird. Dabei weisen die Solarzellen die oben angeführten Schichten auf. Als Deckschicht dient eine Platte aus Fensterglas. Ein auf einem in einer x-y-Ebene beweglichen Tisch befestigtes Werkstück wird über die Ausdehnung der zu trennenden Schichten an einem für die vorgesehene Bearbeitung ausgeformten Laserstrahl vorbeigeführt und durch diesen beaufschlagt. Dabei kann der Laserstrahl die jeweils zu bearbeitende und absorbierende Schicht des Werkstückes sowohl direkt als auch durch eine lasertransparente Substratschicht hindurch erreichen. Die bei der Bearbeitung freigesetzten Gase und Dämpfe entweichen und werden bei Bedarf durch Abzugseinrichtungen weggeführt.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren verwendet zwingend eine Laserstrahlung, für die die erste Elektrodenschicht absorbierend ist. Das heißt, Hersteller von Solarzellenmodulen, die eine Randentschichtung und/oder eine Strukturierung wenigstens der ersten Elektrodenschicht mit Laser vornehmen, können mit diesem Laser auch das Recycling-Verfahren durchführen. Auch Vorrichtungen, die eine für die Randentschichtung geeignete Strahlaufweitung und Strahlformung bewirken, sind für das erfindungsgemäße Verfahren geeignet.
  • Im Unterschied zur Strukturierung und der Randentschichtung, wo es darauf ankommt, die Schichten entlang der Spuren über eine Breite im Bereich von 20 μm bis 90 μm bzw. von 10 mm bis 60 mm vollständig abzutragen, ohne dabei den Substratträger zu beschädigen, ist eine mögliche Beschädigung des Substratträgers beim Recycling-Verfahren ohne Bedeutung.
  • Es geht vergleichsweise auch nicht um den vollständigen Abtrag einer oder mehrerer Schichten, sondern nur um ein Lösen des Schichtaufbaus der Funktionsschichten von der Substratschicht, wobei nur die erste Elektrodenschicht wenigstens teilweise verdampft wird und die nachfolgende Halbleiterschicht möglichst unbeeinflusst bleibt.
  • Gleichzeitig muss die lokale thermische Belastung durch den Energieeintrag so gering gehalten werden, dass die Kunststoffschicht nicht zum Schmelzen kommt, damit die Kunststoffschicht und die erhalten bleibenden Funktionsschichten möglichst in einem Stück an der Deckschicht haften bleiben.
  • Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
  • Zur Durchführung des Verfahrens wird für alle Ausführungsbeispiele gleich die Substratschicht des Dünnschichtsolarzellenmoduls von ihrer freien Oberfläche her mit der Bearbeitungslaserstrahlung abgescannt.
  • Gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel wird dabei zuerst der vom Randbereich eingeschlossene Innenbereich vollständig abgescannt, damit die sich bei der Materialverdampfung bildenden Gase nicht entweichen können. Mit dem entstehenden eingeschlossenen Gasvolumen wird insbesondere verhindert, dass entstehende Schmelze des Materials der ersten Elektrodenschicht an der Substratschicht erstarrt und sich so der Schichtverbund der Funktionsschichten teilweise wieder mit der Substratschicht verbinden kann. Das Abscannen erfolgt vorteilhaft in Spuren, die in Längs- oder Querrichtung des üblicherweise rechteckförmigen Dünnschichtsolarzellenmoduls verlaufen. Indem die Spuren unmittelbar aneinander angrenzend abgescannt werden, entsteht eine geschlossene Fläche, über die sich die erste Elektrodenschicht von der Substratschicht löst und es kann sich ein Gasvolumen in dem entstehenden Zwischenraum ausbilden. Dieses Scanregime führt allerdings zu einer hohen thermischen Belastung, die insbesondere die Kunststoffschicht unerwünscht erweicht.
  • Die thermische Belastung wird verringert, wenn die Spuren in einem Abstand zueinander abgescannt werden, der gleich der Spurbreite oder einem Vielfachen der Spurbreite ist. Indem die Oberfläche in zueinander beabstandeten Spuren mit der Bearbeitungslaserstrahlung beaufschlagt wird und anschließend hierzu mit einem gleichen Spurabstand versetzte Spuren in den Abstandsbereichen beaufschlagt werden, erfolgt ein örtlich und zeitlich gleichmäßigerer Energieeintrag, als wenn nacheinander aneinander grenzende Spuren abgescannt werden.
  • Die thermische Belastung auf die Kunststoffschicht wird damit bei ansonsten gleichen Verfahrensparametern, die auf eine geringe Prozesszeit ausgerichtet sind, verringert.
  • Das Abscannen einer Spur erfolgt vorteilhaft, indem die Bearbeitungslaserstrahlung in eine Linie quer zur Spurrichtung fokussiert und in Spurrichtung geführt wird. Oder ein Scanner wird in Spurrichtung relativ zum Dünnschichtsolarzellenmodul bewegt, während der Laserstrahl die Spur in Richtung der Spurbreite abscannt. Durch die Überlagerung der beiden Bewegungen wird die gesamte Oberfläche innerhalb der Spur mit Laserstrahlung nacheinander beaufschlagt, wobei die Spurbreite über die Vorgabe des Scanwinkels variierbar ist.
  • Vorteilhaft kann die Kunststoffschicht während des Scanprozesses seitens der Deckschicht gekühlt werden, indem z. B. das Dünnschichtsolarzellenmodul mit der Deckschicht auf eine Wärmesenke ganzflächig aufgelegt wird.
  • Nachdem der Innenbereich vollständig abgescannt wurde und sich folglich der Schichtverbund der Funktionsschichten von der Substratschicht gelöst hat, haftet nur noch die Kunststoffschicht im Randbereich an der Substratschicht.
  • Diese Verbindung könnte nun ebenfalls mittels Laserstrahlung gelöst werden. Vorteilhaft wird die Kunststoffschicht jedoch nur über Wärmestrahlung oder Wärmeleitung von der Substratschicht her im Randbereich gleichmäßig bis zur Erweichungstemperatur erwärmt, um diese dann, noch immer an der Deckschicht haftend, mit der Deckschicht und den daran noch haftenden Funktionsschichten von der Substratplatte abziehen zu können. Dabei bleibt die Kunststoffschicht, die jetzt nur im Randbereich erwärmt wurde, im Innenbereich mit der Deckschicht verbunden.
  • Nach diesem Verfahrensschritt ist die Substratschicht vom Rest des Dünnschichtsolarzellenmoduls getrennt.
  • Auf gleiche Weise, wie die Kunststoffschicht im Randbereich von der Substratschicht gelöst wurde, kann anschließend die Kunststoffschicht mit dem noch verbliebenen Schichtaufbau der Funktionsschichten von der Deckschicht getrennt werden.
  • Abschließend stehen einerseits die Substratschicht und die Deckschicht, die häufig aus dem gleichen Material, insbesondere Glas bestehen, und andererseits die Kunststoffschicht, verbunden mit der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht, zur weiteren getrennten Verarbeitung zur Verfügung.
  • Wie praktische Versuche gezeigt haben, ist es nicht in jedem Fall von Vorteil, wenn das entstehende Gasvolumen eingeschlossen bleibt. Das heißt, ob es für den Prozess von Vorteil ist, das entstehende Gasvolumen zwischen der Substratschicht und der ersten Elektrodenschicht zu halten bzw. dieses durch eine zusätzliche Gaszuführung zu vergrößern oder durch eine Gasabführung zu verringern, wird insbesondere durch die Eigenschaften des Materials der ersten Elektrodenschicht bestimmt.
  • In einem zweiten Ausführungsbeispiel soll daher über den Randbereich, in dem die Kunststoffschicht unmittelbar auf der Substratschicht haftet, wenigstens eine Öffnung geschaffen werden, bevor entsprechend dem ersten Ausführungsbeispiel der Innenbereich abgescannt wird. Die Öffnung kann durch eine lokale Erwärmung im Randbereich, z. B. mit Heißluft gebildet werden und durch das Einschieben von Keilen oder Rohrstücken offen gehalten werden. Über die Öffnung kann nun das entstehende Gasvolumen ganz oder teilweise entweichen. Ebenso kann über diese Öffnung ein Fremdgas zugeführt werden, um einen leichten Überdruck zu erzeugen, der den Ablöseprozess unterstützt.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen, wobei bei dem Verfahren die Dünnschichtsolarzellenmodule aus einer Substratschicht mit einem Schichtaufbau aus einer ersten Elektrodenschicht, einer Halbleiterschicht und einer zweiten Elektrodenschicht sowie einer Kunststoffschicht zum Verkapseln der vorgenannten Funktionsschichten, die in einem umlaufenden Randbereich unmittelbar an der Substratschicht anliegt, und einer Deckschicht bestehen und wobei die Substratschicht für eine Bearbeitungslaserstrahlung transparent und die erste Elektrodenschicht für diese Bearbeitungslaserstrahlung absorbierend ist, wobei die freie Oberfläche der Substratschicht mit der Bearbeitungslaserstrahlung abgescannt wird, wodurch die erste Elektrodenschicht durch die Absorption der Bearbeitungslaserstrahlung wenigstens teilweise verdampft und sich der Schichtaufbau der Funktionsschichten von der Substratschicht löst, sodass die Substratschicht, getrennt von den mit der Kunststoffschicht und der Deckschicht verbundenen Funktionsschichten, zur weiteren getrennten Verarbeitung zur Verfügung steht.
  2. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffschicht über die Deckschicht bis zur Erweichungstemperatur erwärmt wird und die Deckschicht von der Kunststoffschicht abgezogen wird, sodass die Deckschicht, getrennt von den mit der Kunststoffschicht verbundenen Funktionsschichten, zur weiteren getrennten Verarbeitung zur Verfügung steht.
  3. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratschicht vollständig über den vom umlaufenden Randbereich eingeschlossenen Innenbereich abgescannt wird und der Randbereich anschließend erwärmt wird.
  4. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Innenbereich entlang aneinander grenzender Spuren abgescannt wird, wodurch eine geschlossene Fläche entsteht, über die sich die erste Elektrodenschicht von der Substratschicht löst, infolge dessen ein geschlossener Zwischenraum gebildet wird, in dem das entstehende Gasvolumen eingeschlossen ist.
  5. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Innenbereich entlang voneinander beabstandeten Spuren abgescannt wird, mit einem Abstand gleich der Spurbreite oder einem Vielfachen der Spurbreite, wodurch die thermische Belastung reduziert wird.
  6. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffschicht während des Scanprozesses seitens der Deckschicht gekühlt wird.
  7. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im umlaufenden Randbereich wenigstens eine Öffnung geschaffen wird, bevor der Innenbereich abgescannt wird.
  8. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch die wenigstens eine geschaffene Öffnung die entstehenden Gase aus dem Innenraum abgeleitet werden.
  9. Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarzellenmodulen nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch die wenigstens eine geschaffene Öffnung Fremdgase in den Innenraum zugeführt werden.
DE102008047675.7A 2008-06-13 2008-09-15 Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule Active DE102008047675B4 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008047675.7A DE102008047675B4 (de) 2008-06-13 2008-09-15 Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule
TW098116367A TWI493741B (zh) 2008-06-13 2009-05-18 薄層太陽能模組用的回收方法
JP2009134986A JP5409127B2 (ja) 2008-06-13 2009-06-04 薄膜太陽電池モジュールをリサイクルする方法
KR1020090049461A KR101607706B1 (ko) 2008-06-13 2009-06-04 박막 태양 전지 모듈을 위한 재활용 방법
US12/480,482 US7972473B2 (en) 2008-06-13 2009-06-08 Method for recycling thin-film solar cell modules
EP09007659.7A EP2133923B1 (de) 2008-06-13 2009-06-10 Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008028425.4 2008-06-13
DE102008028425 2008-06-13
DE102008047675.7A DE102008047675B4 (de) 2008-06-13 2008-09-15 Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008047675A1 DE102008047675A1 (de) 2009-12-24
DE102008047675B4 true DE102008047675B4 (de) 2014-05-15

Family

ID=41130175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008047675.7A Active DE102008047675B4 (de) 2008-06-13 2008-09-15 Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7972473B2 (de)
EP (1) EP2133923B1 (de)
JP (1) JP5409127B2 (de)
KR (1) KR101607706B1 (de)
DE (1) DE102008047675B4 (de)
TW (1) TWI493741B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021109591A1 (de) 2021-04-16 2022-10-20 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien
DE102022109249A1 (de) 2022-04-14 2023-10-19 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8288680B1 (en) * 2010-02-24 2012-10-16 Vinyl Technologies, Inc. Thin film remediation and edge deletion process
DE102011103589A1 (de) * 2011-05-30 2012-12-06 Boraident Gmbh Verfahren zum Entfernen einer Schicht auf einem Trägersubstrat
TWI449486B (zh) * 2012-01-11 2014-08-11 E Ink Holdings Inc 基板剝離製程
DE102012010904B3 (de) * 2012-06-01 2013-05-29 Eugen Rold GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Recyclen der Bodenplatten von Photovoltaik-Anlagen
DE112014004689A5 (de) * 2013-10-10 2016-07-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum separierenden Trennen von Schichten eines aus mindestens zwei Schichten gebildeten Verbundbauteils
ES2828082T3 (es) * 2017-01-26 2021-05-25 Gross Leander Kilian Procedimiento y dispositivo para la separación de diferentes capas de material de un componente compuesto
US10688535B1 (en) 2018-01-10 2020-06-23 Owens-Brockway Glass Container Inc. Obtaining cullet from thin film solar modules
CN108807602A (zh) * 2018-07-23 2018-11-13 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种薄膜太阳能基板电池材料的回收装置和回收方法
KR20200086390A (ko) 2019-01-08 2020-07-17 주식회사 에스엠케미칼 폴리실리콘의 폐기물을 이용한 레진 제조방법
WO2023147803A1 (de) * 2022-02-07 2023-08-10 FLAXTEC GmbH Verfahren zur trennung von wertstoffen in einem verbundbauteil

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19703104A1 (de) * 1997-01-29 1998-07-30 Walter Schlutius Verfahren und Vorrichtungen zum Recykeln von Datenträgerplatten
US20020074318A1 (en) * 1999-04-07 2002-06-20 Helmut Vogt Method and device for thin-film ablation of a substrate
EP0893250B1 (de) * 1997-07-21 2003-06-04 Deutsche Solar AG Verfahren zum Trennen der Komponenten einer Verbundglasscheibe
EP1830411A1 (de) * 2004-12-22 2007-09-05 Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha Dünnfilm-solarzellenmodul auf cis-basis, verfahren zu seiner herstellung und verfahren zum trennen eines solarzellenmoduls

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269535A (ja) * 1999-01-14 2000-09-29 Canon Inc 太陽電池モジュール、発電装置、太陽電池モジュールの分離方法及び太陽電池モジュールの再生方法
JP4329183B2 (ja) * 1999-10-14 2009-09-09 ソニー株式会社 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法
US20030116185A1 (en) * 2001-11-05 2003-06-26 Oswald Robert S. Sealed thin film photovoltaic modules
JP4271433B2 (ja) * 2002-12-05 2009-06-03 昭和シェル石油株式会社 Cis系薄膜太陽電池モジュールの構成部材回収方法
JP2008042017A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Tomozumi Kamimura レジストを回収可能なレジスト剥離除去方法及びそれを用いる半導体製造装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19703104A1 (de) * 1997-01-29 1998-07-30 Walter Schlutius Verfahren und Vorrichtungen zum Recykeln von Datenträgerplatten
EP0893250B1 (de) * 1997-07-21 2003-06-04 Deutsche Solar AG Verfahren zum Trennen der Komponenten einer Verbundglasscheibe
US20020074318A1 (en) * 1999-04-07 2002-06-20 Helmut Vogt Method and device for thin-film ablation of a substrate
EP1830411A1 (de) * 2004-12-22 2007-09-05 Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha Dünnfilm-solarzellenmodul auf cis-basis, verfahren zu seiner herstellung und verfahren zum trennen eines solarzellenmoduls

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Shibasaki, M. [u.a.]: Recycling of thin-film solar modules life cycle assessment case study. In: 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2006, 2014-2017. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021109591A1 (de) 2021-04-16 2022-10-20 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien
WO2022218481A1 (de) 2021-04-16 2022-10-20 Wolfram Palitzsch Verfahren und vorrichtung zum trennen von multischichtverbundmaterialien
DE102021109591B4 (de) 2021-04-16 2023-01-19 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien
DE102022109249A1 (de) 2022-04-14 2023-10-19 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien

Also Published As

Publication number Publication date
US7972473B2 (en) 2011-07-05
EP2133923B1 (de) 2017-04-19
JP2009302533A (ja) 2009-12-24
EP2133923A3 (de) 2012-12-19
JP5409127B2 (ja) 2014-02-05
EP2133923A2 (de) 2009-12-16
KR101607706B1 (ko) 2016-03-30
KR20090129944A (ko) 2009-12-17
TW201005982A (en) 2010-02-01
DE102008047675A1 (de) 2009-12-24
TWI493741B (zh) 2015-07-21
US20090308535A1 (en) 2009-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008047675B4 (de) Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule
DE102005030338B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Flüssigkristalldisplays unter Verwendung eines Femotsekundenlaser-Dünnfilm-Ätzverfahrens
DE102016224214B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
EP2507834B1 (de) Verfahren zum zumindest bereichsweisen entfernen einer schicht eines schichtenstapels
DE112014003008T5 (de) Strukturierte Dünnfolie
EP1166358A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum abtragen von dünnen schichten auf einem trägermaterial
DE102009021273A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls
DE102007008540A1 (de) Verfahren zum Laser-gestützten Bonden, derart gebondete Substrate und deren Verwendung
DE102010055404A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Nanopartikellösungen basierend auf gepulster Laserablation zur Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen
EP3469635B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum trennen verschiedener materialschichten eines verbundbauteils
EP2191976B1 (de) Verfahren zum Markieren oder Beschriften eines Werkstücks
DE102006029593A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lotverbindung
DE102008014948A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls
DE102021129301B3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verarbeiten eines Solarmoduls
DE102011103481B4 (de) Selektives Abtragen dünner Schichten mittels gepulster Laserstrahlung zur Dünnschichtstrukturierung
WO2011000814A2 (de) Verfahren zum freilegen eines elektrischen kontakts
DE10326505B4 (de) Laserritzen von Dünnschichthalbleiterbauelementen
WO2015051977A1 (de) Verfahren zum separierenden trennen von schichten eines aus mindestens zwei schichten gebildeten verbundbauteils
DE102008002910A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Bauteilen mittels Laserstrahlung
WO2014023798A2 (de) Verfahren zur ablation einer schicht
DE102010020974A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Spezialsolarzellen aus einem Wafer
EP2105241A2 (de) Verfahren zur Strukturierung der Zinkoxid-Frontelektrodenschicht eines photovoltaischen Moduls
DE102012209371A1 (de) Siebdruckverfahren und Vorrichtung zum Ausführen eines Siebdruckverfahrens
DE102013214249A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Folienverbunds und Folienverbund
DE102022119816A1 (de) Brennstoffzellenvorrichtung mit Membranbauteil sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: JENOPTIK AUTOMATISIERUNGSTECHNIK GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: JENOPTIK AUTOMATISIERUNGSTECHNIK GMBH, 07745 JENA, DE

Effective date: 20130114

Owner name: CTF SOLAR GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: JENOPTIK AUTOMATISIERUNGSTECHNIK GMBH, 07745 JENA, DE

Effective date: 20130114

R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CTF SOLAR GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CTF SOLAR GMBH, JENOPTIK AUTOMATISIERUNGSTECHNI, , DE

Effective date: 20150107

Owner name: CTF SOLAR GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNERS: CTF SOLAR GMBH, 01099 DRESDEN, DE; JENOPTIK AUTOMATISIERUNGSTECHNIK GMBH, 07745 JENA, DE

Effective date: 20150107

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE

Effective date: 20150107

Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCH, DE

Effective date: 20150107

R020 Patent grant now final
R020 Patent grant now final

Effective date: 20150217

R082 Change of representative

Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCH, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCH, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CTF SOLAR GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CTF SOLAR GMBH, 01109 DRESDEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCH, DE