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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung der
Oberfläche
von Substraten für
Halbleiterbauelemente, insbesondere MmXn-Substrate (mit M = Al, Ga und X = O, N),
mit diesem Verfahren hergestellte Substrate mit verbesserter Oberflächenqualität, sowie
Halbleiterbauelemente, die diese Substrate enthalten, zum Beispiel
Halbleiterbauelemente in strahlungsemittierenden Vorrichtungen wie
LEDs.
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In
Halbleiterbauelementen finden häufig Substrate
der Formel MmXn (M
= Al, Ga; X = O, N), zum Beispiel Saphir-Substrate, Verwendung.
Derartige Substrate können
beispielsweise hergestellt werden, in dem Einkristalle in dünne Waferscheiben
zersägt
werden und diese Wafer anschließend
geglättet (insbesondere
gelappt, geschliffen und/oder poliert) werden. Durch eine derartige
Oberflächenbehandlung
werden Substrate erhalten, die eine für die Weiterverarbeitung, beispielsweise
mittels Epitaxie, akzeptable Oberflächenqualität aufweisen.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, Substrate aus MmXn anzugeben, die eine verbesserte Oberflächenqualität aufweisen.
Ferner soll ein Herstellungsverfahren für derartige Substrate angegeben
werden. Weiterhin sollten die Substrate bevorzugt so ausgebildet
sein, dass bei der Epitaxie von Halbleiterschichten möglichst
wenig Wachstumsdefekte entstehen können. Solche Wachstumsdefekte führen beispielsweise
bei LEDs durch strahlungslose Energiekonversion zu einer starken
Verringerung der Lichtausbeute.
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Diese
Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
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Mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren
werden MmXn-Substrate
erhalten, die eine gegenüber dem
unbehandelten Substrat verbesserte Oberflächenqualität besitzen. Hierbei wird zunächst ein MmXn-Substrat mit
mindestens einer ersten und einer zweiten Oberfläche bereitgestellt. Unter einem MmXn-Substrat wird hierbei
ein Substrat verstanden, bei dem M für Aluminium und/oder Gallium
steht und X für
Sauerstoff und/oder Stickstoff steht. Die Indices m und n sind Zahlen
zwischen 1 und 3, insbesondere ganze Zahlen zwischen 1 und 3. Insbesondere
ist unter einem MmXn-Substrat
daher ein Substrat der Formel M2O3 bzw. der Formel MN zu verstehen. Genannt seien
insbesondere Aluminiumoxid- (insbesondere Saphir-), Aluminiumnitrid-Galliumoxid-
und Galliumnitrid-Substrate. Dieses erfindungsgemäße Substrat wird
anschließend
einem Ätzmedium
ausgesetzt, so dass zumindest ein Teil der ersten Oberfläche des Substrats,
im Regelfall die gesamte erste Oberfläche und zumeist auch das komplette
Substrat (also sämtliche
Oberflächen)
in Kontakt mit dem Ätzmedium kommt.
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Erfindungsgemäß wurde
erkannt, dass die Substratoberfläche
zumeist Bereiche aufweist, die eine gestörte Kristallstruktur oder Verunreinigungen aufweisen.
Hierdurch können
bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei der mittels
Epitaxie Halbleiterschichten auf das Substrat aufgewachsen werden,
Halbleiterschichten minderer Qualität entstehen. Schlechte Oberflächenqualitäten der
Rückseite
des Substrats (also der Seite des Substrats, die nicht für das Aufbringen
von Halbleiterschichten vorgesehen ist) führen ebenfalls zu unbefriedigenden Ergebnissen,
da hierdurch während
der Epitaxie eine verstärkte
Durchbiegung des Substrats resultiert, die zu Halbleiterschichten
schlechterer Qualität
führt. Schließlich können Kristalldefekte
in den Kantenbereichen des Substrats zu Rissen und letztlich zum Zerbrechen
des Substrats führen.
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Mit
dem erfindungsgemäß verwendeten Ätzmedium
werden die gestörten
Oberflächenbereiche abgetragen,
so dass Substrate mit im Wesentlichen homogener Oberflächenstruktur
erhalten werden. Insbesondere werden hierbei Substrate erhalten,
bei denen auch die Rückseite
und/oder die Kantenbereiche des Substrats eine homogene Oberflächenstruktur
aufweisen.
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Unter
homogener Oberflächenstruktur
bzw. Kristallstruktur wird hierbei verstanden, dass die Oberfläche bzw.
das Substrat eine Struktur besitzt, die der Idealstruktur des entsprechenden
Materials sehr nahe kommt (im Fall von Saphir zum Beispiel der Korundstruktur).
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
erhaltenen Substrate zeichnen sich daher gegenüber den unbehandelten Substraten durch
eine verbesserte mechanische Stabilität und eine bessere Eignung
für die
Weiterverarbeitung der Substrate, zum Beispiel mittels Epitaxie,
aus. Weiterhin sind auf den behandelten Oberflächen keine oder annähernd keine
Oberflächenverunreinigungen
mehr vorhanden.
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In
einer Ausführungsform
wird das erfindungsgemäße Verfahren
so durchgeführt,
dass im Wesentlichen die Oberflächenbereiche abgetragen werden,
die eine defekte Kristallstruktur aufweisen (das heißt zum Beispiel
Oberflächenbereiche,
in denen Strukturelemente chemisch beziehungsweise physikalisch
nur schwach gebunden sind; Oberflächenbereiche mit Verunreinigungen
und Oberflächenbereiche,
die Kristalldefekte aufweisen). Es wurde beobachtet, dass durch
das erfindungsgemäß eingesetzte Ätzmedium
bevorzugt solche defekten Oberflächenbereiche
angegriffen beziehungsweise aufgelöst werden. Nicht defekte Oberflächenbereiche
werden zwar auch angegriffen; allerdings erfolgt der Abtrag deutlich
langsamer. Z. B. erfolgt beim Ätzen
von Saphir-Substraten der Abtrag der defekten Oberflächenbereiche
mindestens doppelt und bis zu 20-mal so schnell wie der der nicht
defekten Oberflächenbereiche;
werden also in den nicht defekten Oberflächenbereichen fünf Mikrometer
abgetragen, so werden im gleichen Zeitraum in den defekten Oberflächenbereichen
10 bis 100 Mikrometer abgetragen. Im Regelfall ist bei der Auflösung defekter Oberflächenbereiche
die Reaktionsgeschwindigkeit so deutlich erhöht, dass geradezu von einem
Stoppen der Reaktion zwischen dem Ätzmedium und der Oberfläche des
Substrats gesprochen werden kann, so bald die Bereiche mit nicht
optimaler Struktur abgetragen sind.
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Grundsätzlich hängt die
Geschwindigkeit, mit der nicht defekte Oberflächenbereiche abgetragen werden,
vom eingesetzten Ätzmedium
und den Reaktionsbedingungen ab. Außerdem spielt für die Abtragungsgeschwindigkeit
eine gewisse Rolle, welche Vorbehandlung die Substrate erfahren
haben. Bei Oberflächenbereichen,
die nicht poliert und nur gelappt oder anpoliert sind verbleiben
Strukturen, die stärker
gestört
sind und daher schneller abgetragen werden.
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Als Ätzmedium
wird bevorzugt eine starke Säure,
insbesondere eine Säure
mit einem pks-Wert < 0, bevorzugt mit einem pKs- Wert < –2, eingesetzt. Das Ätzmedium
besteht bevorzugt aus Phosphorsäure,
Schwefelsäure
oder einem Gemisch der beiden oder enthält Phosphorsäure und/oder
Schwefelsäure.
Bevorzugt liegt die Säure
in konzentrierter Form vor (insbesondere bei der Oberflächenbearbeitung
von Al2O3-Substraten).
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Alternativ
kann statt einer Säure
auch eine starke Base, insbesondere eine anorganische Base wie Natriumhydroxid
und/oder Kalium-Hydroxid eingesetzt werden. Auch die Basen liegen
bevorzugt in hoch konzentrierter Form vor, beispielsweise kann der Ätzschritt
auch in einer Schmelze der Base erfolgen. Das Ätzen mit Basen ist insbesondere
geeignet für
Substrate aus GaN, AlN und Ga2O3.
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In
einer weiteren Ausführungsform
wird das erfindungsgemäße Verfahren
so durchgeführt,
dass das Ätzmedium
auf das Substrat bei einer Temperatur von mindestens 200°C einwirkt.
Dies führt
zu einer Erhöhung
der Reaktionsgeschwindigkeit; insbesondere beim Ätzen von Saphir-Substraten mit starken
Säure wird
erst ab einer Temperatur von etwa 200°C eine aus ökonomischer Sicht akzeptable
Reaktionsgeschwindigkeit erreicht.
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Bevorzugt
wird das Ätzverfahren
genau so lange durchgeführt,
bis alle Oberflächenbereiche
mit gestörter
Oberflächenstruktur
(also alle unerwünschten
Oberflächenbereiche)
entfernt sind. Die Dauer der Einwirkungszeit des Ätzmediums
auf das Substrat wird dabei im Regelfall anhand der zu erwartenden
Abtragsrate festgelegt. Beispielsweise werden bei einem Saphir-Substrat,
das mit einem Gemisch aus konzentrierter Schwefelsäure und
konzentrierter Phosphorsäure
30 Minuten bei 200°C
behandelt wird etwa fünf
Mikrometer der Oberflächenbereiche, die im
Wesentlichen keine Störungen
der Kristallstruktur aufweisen, weggeätzt. Entsprechend höher ist
der Abtrag bei gestörten
Oberflächenbereichen.
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Der Ätzprozess
wird bevorzugt dadurch gestoppt, dass das Ätzmedium von dem MmXn-Substrat abgetrennt wird und/oder, dass
das Ätzmedium
verdünnt
wird und/oder dass das Ätzmedium
abgekühlt wird.
Die Reaktionsbedingungen werden hierbei derart beeinflusst, dass
die Reaktionsgeschwindigkeit durch die Änderungen der Verfahrensparameter
soweit abgesenkt wird, dass keine weitere Abtragung von Oberflächenbereichen
des Substrats mehr erfolgt.
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Eine
Abtrennung des Ätzmediums
kann beispielsweise über
einen Filter erfolgen, eine Verdünnung
des Ätzmediums
kann beispielsweise mit Wasser oder einem Alkohol erfolgen; ein
Abkühlen
ist insbesondere dann sinnvoll, wenn der Ätzschritt bei gegenüber der
Raumtemperatur erhöhter
Temperatur durchgeführt
wird und/oder wenn bei der Verdünnung des Ätzmediums
Wärme entsteht
(wie beispielsweise bei der Verdünnung
von Schwefelsäure).
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Die
vollständige
Abtrennung des Ätzmediums
erfolgt vorzugsweise, in dem die Substrate so lange mit einem Lösungsmittel
in Kontakt gebracht werden, bis das Lösungsmittel das Ätzmedium
vollständig
verdrängt
hat. Beispielsweise kann das Substrat so lange mit Wasser oder einem
Alkohol gewaschen werden, bis im Waschwasser (beziehungsweise im
Alkohol) kein Ätzmedium
mehr nachweisbar ist. Als Alkohole zum Waschen beziehungsweise Verdünnen können beispielsweise
kostengünstige
Alkohole wie Ethanol oder Isopropanol eingesetzt werden.
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In
einer Ausführungsform
wird für
das erfindungsgemäße Verfahren
ein Substrat eingesetzt, bei dem die zweite Oberfläche des
Substrats vollständig oder
teilweise mit einer Schutzschicht versehen ist. Als zweite Oberfläche des
Substrats kommt hierbei insbesondere die Vorderseite des Substrats
in Betracht (also die Seite, auf die z. B. dafür vorgesehen ist, mittels Epitaxie
Halbleiterschichten aufzubringen). Alternativ oder gleichzeitig
kann auch ein Teil der ersten Oberfläche mit einer Schutzschicht,
die gegenüber
dem Ätzmedium
resistent ist (d. h. nicht oder zumindest langsamer angegriffen
wird als das Substrat) versehen sein. Als Schutzschicht kann beispielsweise
eine SiO2-Schicht, eine Siliziumnitrid-Schicht
oder auch eine Schutzschicht aus organischen Materialien, die den
Bedingungen des Ätzprozesses
standhält,
in Betracht.
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In
einer Ausführungsform
liegt die Schutzschicht (die auf der ersten und/oder zweiten Oberfläche des
Substrats aufgebracht ist) in Form einer Vielzahl paralleler Streifen
vor. Bei der Epitaxie wächst auf
ein Substrat mit derartigen Schutzschicht-Streifen (zum Beispiel
aus SiO2) eine Schicht (zum Beispiel eine
Galliumnitridschicht) auf, die weniger Defekte aufweist als eine
entsprechende Schicht, die auf ein Substrat ohne derartige Schutzschichtstreifen aufgewachsen
wird.
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Beim
Wachstum von Halbleiterschichten auf ein Substrat, das aus einem
anderen Material als die Halbleiterschicht besteht, kann es dann
zu thermischen oder strukturellen Verspannungen beim Wachstum kommen.
Auslöser
hierfür
ist, dass das Substrat und die hierauf aufgewachsene Halbleiterschicht
im Regelfall unterschiedliche Gitterkonstanten und einen unterschiedlichen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen (dies ist zum Beispiel
bei dem System Galliumnitrid/Saphir der Fall). In Anlehnung an des
FLOG-Verfahren (FLOG = epitaxial lateral overgrowth) kann daher
auf das Substrat eine strukturierte SiO2-Maske
aufgebracht werden. Bei der Epitaxie wächst dann die aufzubringende Halbleiterschicht
(zum Beispiel aus Galliumnitrid) zunächst nur in den Schutzschicht-freien
Bereichen. Durch eine anschleißende Änderung
der Wachstumsparameter kann allerdings erreicht werden, dass die
Schutzschicht-Streifen auch lateral überwachsen werden. Der Abstand
der Schutzschicht-Streifen beträgt
bevorzugt 10 bis 30 μm;
die Breite des Streifens beträgt
bevorzugt 1 bis 5 μm.
Um ein Aufwachsen von Halbleiterschichten, die eine geringe Defektdichte
besitzen, zu erreichen, können
auch andere geometrische Anordnungen der „Schutzschicht”-Elemente
als Streifen gewählt
werden. Insbesondere sind all die geometrischen Formen denkbar,
die beim FLOG-Verfahren Verwendung finden. Hierzu zählen beispielsweise
auch wabenförmige
Ausbildungen der „Schutzschicht”-Elemente.
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Die
Schutzschicht kann mittels eines beliebigen Verfahrens aufgebracht
werden. Eine SiO2-Schicht oder eine Siliziumnitrid-Schicht
kann z. B. auf das Substrat bzw. die zu schützenden Substratbereiche aufgesputtert
werden.
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In
einer weiteren Ausführungsform
wird für den Ätzprozess
ein Substrat verwendet, bei dem in die Oberfläche gezielt Defektstrukturen
eingebracht wurden. Insbesondere kann auf der Oberfläche des zu ätzenden
Substrats eine Opferschicht aufgebracht werden bzw. die Oberfläche des
Substrats chemisch und/oder physikalisch in eine Opferschicht umgewandelt
werden, die dann im Ätz-Schritt
(neben etwaigen Defektstrukturen, die schon ursprünglich vorhanden
waren) vollständig
abgetragen wird, so dass eine weitgehend ohne Kristalldefekte vorliegende Oberfläche erhalten
wird, die besonders eben ist, d. h. eine geringere Rauigkeit aufweist.
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Eine
derartige Opferschicht kann hergestellt werden, in dem ein Material
auf die Oberfläche
des Substrats aufgebracht wird, das zum Beispiel in Form einer Festkörper-Reaktion
mit dem Material, aus dem das Substrat besteht reagiert. Beispielhaft
ist das Aufdampfen eines Metalls (z. B. Aluminium oder Silizium)
auf die Oberfläche
des Substrats zu nennen; so kann etwa Aluminium auf Saphir aufgedampft
werden, das dann in die obersten Atomlagen des Saphirsubstrats eindiffundiert
beziehungsweise eine Art „Ausdiffundieren” von Sauerstoffionen
aus den obersten Atomlagen des Saphir-Substrats verursacht, so dass
eine Oberflächenschicht
entsteht, die die Formel Al2O3-x (mit
x > 0) besitzt.
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Auch
mittels Aufbringen von oxidischen oder nitridischen Verbindungen,
die eine andere Struktur oder chemische Zusammensetzung als das MmXn-Substrat besitzen,
und anschließendes
Tempern kann eine Veränderung
der Kristallstruktur der Oberfläche
des Substrats bewirkt werden. Schließlich kann auch die Umsetzung
mit Metallsalzen erfolgen, wodurch eine Strukturänderung und/oder eine Art Dotierung
der obersten Schicht des MmXn-Substrats
erfolgt. Beispielhaft sei die Reaktion zwischen Al2O3 und Co-Salzen (z. B. Co(NO3)2) genannt, die zu CoAl2O4 (Thénards
Blau) führt.
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In
einer weiteren Ausführungsform
kann das erfindungsgemäße Verfahren
so durchgeführt
werden, dass nach Verfahrensschritt (B) auf die Oberfläche (bzw.
die Oberflächenbereiche)
des Substrats, die zuvor geätzt
wurde(n) ein Material aufgebracht wird, das eine chemische oder
mechanische Abtragsrate besitzt, die im Wesentlichen der des MmXn-Substrats entspricht.
Anschließend
wird die so modifizierte Oberfläche
chemisch oder mechanisch behandelt, so dass das zuvor genannte Material
mit chemisch oder mechanisch ähnlicher
Abtragsrate (nachfolgend auch „Einebnungsmaterial”) vollständig abgetragen
wird und gleichzeitig auch ein Teil der Oberfläche des Substrats abgetragen
wird.
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Dieser
Alternative liegt die Erkenntnis zugrunde, dass beim Ätzen eines
Substrats keine glatten Oberflächen
entstehen, sondern dass sich auf der geätzten Oberfläche des
Substrats stärker
und schwächer
geätzte
Bereiche abwechseln (die zuvor auf dem Substrat vorhandenen stärker gestörten und weniger
stark gestörten
Kristallstrukturbereichen entsprechen). Dementsprechend wird nach
dem Durchführen
des Ätzschritts
vielfach ein Substrat erhalten, auf dem Strukturelemente nach Art
eines Grabens, einer Insel oder einer Delle u. s. w. vorhanden sind. Um
nun eine derartige Oberfläche
zu glätten,
wird nach der vorliegenden Variante ein Material aufgebracht, das
sich chemisch beziehungsweise mechanisch ähnlich verhält wie das Material des Substrats. Mit
diesem Material werden die Graben- und Dellen-artigen Vertiefungen
auf der Substratoberfläche aufgefüllt, so
dass eine ebene Oberfläche
erhalten wird. Anschließend
wird diese modifizierte Oberfläche
so behandelt, dass das Einebnungsmaterial und die inselförmigen Bereiche
des MmXn-Substrats gleichzeitig
(mit derselben oder einer sehr ähnlichen Abtragsrate)
abgetragen werden. Hierbei entsteht schließlich ein Substrat, das deutlich
glatter ist als das Ausgangssubstrat. Ein chemischer Abtrag kann hierbei
wieder mittels derselben Ätzmedien
wie in Verfahrensschritt (B) erfolgen, ein mechanischer Abtrag beispielsweise
mittels Polieren.
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Die
MmXn-Substrate sind
insbesondere kristalline Wafersubstrate, wobei Saphir-Substrate
besonders bevorzugt sind. Die Substrate, insbesondere die Saphir-Kristalle,
werden üblicherweise
nach bekannten Züchtungsverfahren
erzeugt (zum Beispiel nach der Czochralski-Technik).
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Die
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
MmXn-Substrate weisen
insbesondere im Bereich ihrer Oberfläche eine besonders defektarme
Kristallstruktur auf.
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Im
Regelfall weisen die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Substrate
während der
Epitaxie eine temperaturabhängige
Durchbiegung auf, die geringer ist als bei Substraten, die nicht mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren
behandelt wurden. Üblicherweise
ist bei einer Temperatur von 900°C
die Durchbiegung mindestens zehn Prozent geringer, insbesondere
zumindest 20 Prozent, in vielen Fällen mindestens 30 Prozent
geringer als bei unbehandelten Substraten. Die erfindungsgemäß hergestellten
Substrate eignen sich allein aufgrund dieser geringen Durchbiegung
besser zur Herstellung von defektfreien Halbleiterschichten auf
dem Substrat mittels Epitaxie.
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Im
Fall von Saphirsubstraten beträgt
die Durchbiegung nicht mit dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelter Substrate
etwa 190–200 μm (während der
Epitaxie bei 900°C
und der Verwendung von 4 Zoll-Wafern). Durch die erfindungsgemäße Behandlung
mit dem Ätzmedium
werden Wafer erhalten, bei denen unter den vorstehenden Bedingungen
eine Durchbiegung von maximal 165 μm, insbesondere maximal 150 μm beobachtet
wird. Die entsprechende Durchbiegung eines Wafers mit einem anderen
Durchmesser kann über
die Formel h = r – (r2 – (0,
5d)2)0,5 ermittelt
werden. Hierbei ist h die Durchbiegung, d der Durchmesser des Wafers
und r der Radius der Kugel (deren Kugelkalotte der durchgebogene
Wafer darstellt). Der im Wesentlichen konstante Radius r kann durch
Umformung der vorstehenden Formel (r = (4h2 +
s2)/8h) aus den oben genannten Werten für die Durchbiegung
berechnet werden.
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Vielfach
zeichnen sich die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Substrate auch
durch eine besonders glatte Oberfläche der Vorder- und/oder Rückseite
aus.
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Ein
weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleiterbauelement,
das ein MmXn-Substrat,
das mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
erhältlich
ist, und eine oder mehrere darauf angeordnete Schichten aus halbleitenden
Materialien aufweist. Insbesondere sind in dem enthaltenen MmXn-Substrat, das
wie vorstehend definiert ist die vorstehend angegebenen Messwerte
(zum Beispiel die Durchbiegung und/oder die Pitdichte) verwirklicht.
Diese Halbleiterbauelemente können
insbesondere hergestellt werden, indem einen oder mehrere halbleitende
Schichten mittels Epitaxie auf das MmXn-Substrat aufgewachsen werden.
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Schließlich ist
Gegenstand der vorliegenden Erfindung auch eine strahlungsemittierende
Vorrichtung, die ein derartiges Halbleiterbauelement oder ein mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren
erhältliches
Substrat enthält.
Als strahlungsemittierende Vorrichtung ist hier insbesondere die
LED (light emitting diode) zu nennen.
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Die
erfindungsgemäßen Substrate
beziehungsweise Halbleiterbauelemente sind auch in der Hochtemperatur-
und Hochleistungstechnik und in Lasern einsetzbar. Weiterhin können sie
bei der Herstellung von Solarzellen Verwendung finden.
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Weitere
Merkmale, Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich
aus der folgenden Beschreibung der Figur.
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1 zeigt
den Aufbau einer strahlungsemittierenden Vorrichtung.
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1 zeigt
den Querschnitt einer Ausführungsform
einer strahlungsemittierenden Vorrichtung, nämlich einer LED. Hierbei befindet
sich in einem Topf 6 eine strahlungsemittierende Funktionsschicht 2 (die
eine oder mehrere Halbleiterschichten enthält). Die strahlungsemittierende
Funktionsschicht 2 ist auf einem Substrat 1 (zum
Beispiel einem Saphir-Substrat) angeordnet; Substrat und strahlungsemittierende
Funktionsschicht sind wiederum zwischen zwei Elektrodenschichten 21 angeordnet.
Vielfach enthalten LEDs auch eine strahlungsemittierende Funktionsschicht,
hier in Form des Strahlungskonversionsmaterials 3 (das
sich aus einer Matrix und einem Strahlungskonversionsleuchtstoff
zusammensetzt). Die strahlungsemittierende Funktionsschicht 2 emittiert
dann Primärstrahlung 4; ist
eine Strahlungskonversionsschicht enthalten, so wird diese durch
die Primärstrahlung 4 angeregt
und eine Sekundärstrahlung 5 emittiert.
Eine Anordnung mit Strahlungskonversionsschicht kann beispielsweise
gewählt
werden, um LEDs, die weißes
Licht emittieren zu erzeugen.
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Die
Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele
auf diese beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination
von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen
beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst
nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen
angegeben ist.