DE102008038301A1

DE102008038301A1 - Gehäusestruktur mit Leiterbahn sowie Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number: DE102008038301A1
Application number: DE102008038301A
Authority: DE
Inventors: Dae Seong Suwon Jeon; Sang Woo Ansan Bae; Jae Suk Yongin Sung
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2007-08-22
Filing date: 2008-08-18
Publication date: 2009-04-23
Also published as: KR100872286B1; US20090051602A1; US7940220B2

Abstract

Es wird eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn sowie ein Verfahren zu deren Herstellung beschrieben. Eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß der Erfindung weist ein Gehäuse mit wenigstens einem darin gebildeten Durchgangsloch; wenigstens eine Leiterbahn, die auf einer Außenfläche des Gehäuses gebildet ist; und eine leitende Durchkontaktierung auf, die in dem Durchgangsloch gebildet ist und die wenigstens eine Leiterbahn mit einer Platine in dem Gehäuse elektrisch verbindet.

Description

Für diese Anmeldung wird die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 2007-0084429, angemeldet am 22. August 2007 beim koreanischen Patentamt, beansprucht, deren Offenbarung durch Bezugnahme hier eingeschlossen ist.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft Gehäusestrukturen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, und insbesondere eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn, die an deren Oberfläche gebildet ist, die elektrisch mit einer Platine in dem Gehäuse verbunden werden kann, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
Beschreibung des Stands der Technik
In letzter Zeit wurden mobile Kommunikationsendgeräte, wie beispielsweise ein GPS-Empfänger, ein PDA, ein Mobiltelefon oder ein drahtloser Laptop, weit verbreitet verwendet. Entsprechend besteht Bedarf nach kleinen, dünnen mobilen Kommunikationsendgeräten mit geringem Gewicht. Um diesen Bedarf zu befriedigen, wurden Anstrengungen unternommen, um das Volumen des mobilen Kommunikationsendgeräts mit unterschiedlichen Funktionen zu verringern. Insbesondere muss die Größe der Antenne, die eines der wichtigsten Elemente des mobilen Kommunikationsendgeräts ist, verringert werden.
Im Allgemeinen stehen externe Antennen für mobile Kommunikationsendgeräte, wie beispielsweise eine Stabantenne oder eine Wendelantenne mit einer vorbestimmten Länge aus dem mobilen Endgerät hervor, wodurch die Verringerung der Größe und die Tragbarkeit des mobilen Endgeräts beeinträchtigt wird. Des Weiteren kann die externe Antenne beschädigt werden, wenn das mobile Kommunikationsendgerät herunterfällt.
Andererseits können interne Antennen, wie beispielsweise eine oberflächenmontierte Chipantenne, die im Innern des mobilen Kommunikationsendgeräts angebracht sind, weniger beschädigt werden. Jedoch ist es durch die physische Größe der internen Antenne schwierig, die Größe des mobilen Kommunikationsendgeräts zu verringern.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn, ein Verfahren zu deren Herstellung, sowie ein Verfahren zum Bilden der Leiterbahn auf dem Gehäuse zu schaffen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn vorgesehen, wobei die Gehäusestruktur aufweist: ein Gehäuse mit wenigstens einem darin gebildeten Durchgangsloch; wenigstens eine Leiterbahn, die auf einer Außenfläche des Gehäuses gebildet ist; und eine leitende Durchkontaktierung, die in dem Durchgangsloch gebildet ist und die wenigstens eine Leiterbahn mit einer Platine in dem Gehäuse elektrisch verbindet.
Der Bereich der Außenfläche des Gehäuses, wo die Leiterbahn gebildet ist, und die Wandfläche des Durchgangslochs, wo die leitende Durchkontaktierung gebildet sein kann, kann aus einem galvanisierbaren Material gebildet sein.
Das Gehäuse kann einen Überstand aufweisen, der zu der im Innern des Gehäuses angebrachten Platine übersteht, und das Durchgangsloch kann in dem Überstand gebildet sein.
Die wenigstens eine Leiterbahn kann eine Antennenleiterbahn umfassen.
Ein Ende des leitenden Durchgangslochs kann zu der Innenfläche des Gehäuses freigelegt sein.
Die leitende Durchkontaktierung und die Leiterbahn, die elektrisch miteinander verbunden sind, können integral ausgebildet sein.
Daneben ist ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn vorgesehen, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Gehäuses mit wenigstens einem darin gebildeten Durchgangsloch; Bilden einer leitenden Durchkontaktierung in dem wenigstens einen Durchgangsloch; und Bilden wenigstens einer Leiterbahn auf einer Außenfläche des Gehäuses, so dass die Leiterbahn mit der leitenden Durchkontaktierung verbunden ist.
Das Bilden eines Gehäuses kann umfassen: Durchführen von Spritzgießen, um einen ersten Bereich zu bilden, der ein Bereich des Gehäuses ist, unter Verwendung eines nicht galvanisierbaren Materials; und Durchführen von Spritzgießen, um einen zweiten Bereich an einem Abschnitt des ersten Bereichs durch ein galvanisierbares Material zu bilden.
Der Abschnitt der Außenfläche des Gehäuses, wo die Leiterbahn gebildet ist, und die Wandfläche des Durchgangslochs, wo die leitende Durchkontaktierung gebildet ist, kann unter Verwendung des galvanisierbaren Materials spritzgegossen werden.
Das Bilden der leitenden Durchkontaktierung und das Bilden der wenigstens einen Leiterbahn kann das Galvanisieren des zweiten Bereichs umfassen.
Das Bilden einer leitenden Durchkontaktierung und das Bilden wenigstens einer Leiterbahn kann gleichzeitig durchgeführt werden.
Das Bilden einer leitenden Durchkontaktierung kann das Galvanisieren der Wandfläche des Durchgangslochs umfassen.
Das Bilden wenigstens einer Leiterbahn kann umfassen: Bilden eines Galvanisierfilms auf der Außenfläche des Gehäuses; und Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms.
Das Bilden des Galvanisierfilms auf der Außenfläche des Gehäuses kann zur gleichen Zeit wie das Bilden einer leitenden Durchkontaktierung durchgeführt werden, und das Bilden einer leitenden Durchkontaktierung kann das Galvanisieren der Wandfläche des Durchgangslochs umfassen.
Das Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms kann durch einen Schneidvorgang oder einen Ätzvorgang durchgeführt werden.
Daneben ist ein Verfahren zum Bilden einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn vorgesehen, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Gehäuses; Bilden eines Galvanisierfilms auf wenigstens einer Fläche des Gehäuses; und Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms, um wenigstens eine Leiterbahn zu bilden.
Die wenigstens eine Leiterbahn kann eine Antennenbahn umfassen.
Das Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms kann durch einen Schneidvorgang oder einen Ätzvorgang durchgeführt werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Weitere Vorteile und Einzelheiten der vorliegenden Erfindung werden besser verständlich anhand der folgenden genauen Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen, in denen:
1A eine Querschnittansicht ist, in welcher eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
1B eine perspektivische Ansicht ist, in welcher die Gehäusestruktur mit der Leiterbahn gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
2A bis 2C Querschnittansichten des Prozessablaufs sind, in denen ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
3A bis 3C Querschnittansichten des Prozessablaufs sind, in denen ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
4A bis 4C Querschnittansichten des Prozessablaufs sind, in denen ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist; und
5A bis 5C Querschnittansichten des Prozessablaufs sind, in denen ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun genauer unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
1A ist eine Querschnittansicht, in welcher eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist. 1B ist eine perspektivische Ansicht, in welcher die Gehäusestruktur mit der Leiterbahn gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
Unter Bezugnahme auf 1A und 1B kann die Gehäusestruktur gemäß der Ausführungsform der Erfindung ein Gehäuse 11, leitende Durchkontaktierungen 12 und 17 und Leiterbahnen 13 und 18 aufweisen.
Das Gehäuse 11 kann ein Gehäuse eines mobilen Kommunikationsendgeräts sein. Bei dieser Ausführungsform ist nur eine Seite des Gehäuses des mobilen Kommunikationsendgeräts dargestellt.
Eins oder mehrere Durchgangslöcher, die durch die Innenseite und die Außenseite des Gehäuses 11 gehen, können in dem Gehäuse 11 ausgebildet sein. Leitende Durchkontaktierungen sind in den Durchgangslöchern gebildet, um die Leiterbahnen 13 und 18, die auf der Außenfläche des Gehäuses 11 gebildet sind, mit der Platine 15, die im Innern des Gehäuses 11 angebracht ist, elektrisch zu verbinden.
Bei dieser Ausführungsform ist ein Überstand 11c auf einer Innenfläche des Gehäuses 11 gebildet, und der Überstand 11c steht zu der Platine 15 über, die auf der Innenseite des Gehäuses 11 angebracht ist. Das Durchgangsloch kann in dem Überstand 11c gebildet sein. Der Überstand 11c weist eine vorbestimmte Länge auf, die dem Raum zwischen der Innenfläche des Gehäuses und der Platine, die im Innern des Gehäuses angebracht ist, entspricht, so dass der Überstand 11c das elektrische Verbinden zwischen der in dem Gehäuse gebildeten leitenden Durchkontaktierung und der Platine erleichtert.
Bei dieser Ausführungsform kann das Gehäuse 11 einen nicht galvanisierbaren Bereich 11a und einen galvanisierbaren Bereich 11b aufweisen. Der galvanisierbare Bereich 11b kann an einem Abschnitt der Außenfläche des Gehäuses und einer Wandfläche des Durchgangslochs gebildet sein. Somit können die Leiterbahnen 13 und 18 und die leitenden Durchkontaktierungen 12 und 17 auf dem galvanisierbaren Bereich 11b gebildet sein. Das in den galvanisierbaren Bereich 11a und den galvanisierbaren Bereich 11b geteilte Gehäuse 11 kann durch Dual-Spritzgießen gebildet sein.
Wenigstens eine Leiterbahn kann auf der Außenfläche des Gehäuses 11 gebildet sein. Die Leiterbahnen 13 und 18 können Antennenbahnen, Erdungsbahnen oder Schutzbahnen gegen elektromagnetische Interferenz sein.
Bei dieser Ausführungsform werden zwei Leiterbahnen 13 und 18 gebildet. Eine Leiterbahn 13 kann eine Schutzbahn gegen elektromagnetische Interferenz sein, und die andere Leiterbahn 18 kann die Leiterbahn einer invertierten F-Antenne sein.
Das Verfahren zum Bilden der Leiterbahnen auf der Außenfläche des Gehäuses kann auf unterschiedliche Weise ausgeführt werden. Ein Leiterfilm mit einer gewünschten Leiterbahn wird an der Außenfläche des Gehäuses angebracht, oder die Außenfläche des Gehäuses wird direkt galvanisiert, wodurch die Leiterbahnen gebildet werden. Die auf der Außenfläche des Gehäuses gebildeten Leiterbahnen können mit der Platine, die im Innern des Gehäuses angebracht ist, durch die leitenden Durchkontaktierungen 12 und 17, die in den Durchgangslöchern des Gehäuses gebildet sein, elektrisch verbunden sein.
Wenigstens ein Durchgangsloch, das durch die Innen- und die Außenfläche des Gehäuses 11 geht, kann in dem Gehäuse 11 gebildet sein. Die leitenden Durchkontaktierungen 12 und 17 können in den Durchgangslöchern ausgebildet sein. Die leitenden Durchkontaktierungen 12 und 17 können eine elektrische Verbindung zwischen der Platine 15, die im Innern des Gehäuses 11 angeordnet ist, und den Leiterbahnen 13 und 18, die auf der Außenseite des Gehäuses 11 gebildet sind, vorsehen.
Die leitenden Durchkontaktierungen 12 und 17 können durch Galvanisieren der Wandflächen der Durchgangslöcher des Gehäuses gebildet sein. Hier kann eine Gruppe von Enden der leitenden Durchkontaktierungen 12 und 17 jeweils mit den Leiterbahnen 13 und 18, die auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet sind, in Kontakt sein, und die andere Gruppe Enden 12b und 17b kann zur Innenfläche des Gehäuses freigelegt sein und somit jeweils mit den Elektroden 15a und 15b der Platine in Kontakt sein.
Wenn die Leiterbahnen und die leitenden Durchkontaktierungen gebildet werden, können, wenn ein Galvanisierverfahren verwendet wird, die Leiterbahnen integral mit den leitenden Durchkontaktierungen ausgebildet werden, die mit den Leiterbahnen verbunden sind. Das heißt, dass, wenn das Gehäuse gebildet wird, ein Dual-Spritzgießvorgang durchgeführt werden kann, so dass die Wandflächen der Durchgangslöcher und ein Bereich, wo die Leiterbahnen gebildet werden, unter Verwendung eines galvanisierbaren Materials gebildet werden. Wenn das Gehäuse, das unter Verwendung des Dual-Spritzgießvorgangs hergestellt wurde, in eine Galvanisierlösung getaucht wird, wird nur der galvanisierbare Bereich mit dem Material galvanisiert. Das heißt, dass nur der Teilbereich der Außenfläche des Gehäuses und die Wandflächen der Durchgangslöcher galvanisiert werden. Somit können die Leiterbahnen, die auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet sind, mit den leitenden Durchgangslöchern fest verbunden gebildet werden. Auf diese Weise kann, wenn die Leiterbahnen und die leitenden Durchkontaktierungen miteinander fest verbunden gebildet werden, ein lockerer Kontakt zwischen den Leiterbahnen und den leitenden Durchkontaktierungen verhindert werden.
2A bis 2C sind Querschnittansichten, in denen der Prozessablauf zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
In 2A wird ein Gehäuse 21 hergestellt.
Wenigstens ein Durchgangsloch, das durch die Innen- und Außenfläche des Gehäuses 21 geht, kann in dem Gehäuse 21 gebildet sein. Eine leitende Durchkontaktierung ist in dem Durchgangsloch gebildet, um eine auf der Außenfläche des Gehäuses gebildete Leiterbahn mit einer Platine in dem Gehäuse 21 zu verbinden.
Bei dieser Ausführungsform wird ein Überstand 21c, der zu der Platine übersteht, die im Innern des Gehäuses angebracht werden soll, auf der Innenfläche des Gehäuses gebildet. Das Durchgangsloch kann in dem Überstand 21c gebildet sein. Der Überstand 21c weist eine vorbestimmte Länge auf, die dem Raum zwischen der Innenfläche des Gehäuses und der in dem Gehäuse angebrachten Platine entspricht, um so das elektrische Verbinden zwischen der leitenden Durchkontaktierung, die in dem Gehäuse 21 gebildet ist, und der Platine zu erleichtern.
Das Gehäuse 21 kann durch einen Spritzgießvorgang gebildet werden. Bei dieser Ausführungsform kann das Gehäuse unter Verwendung eines galvanisierbaren Materials spritzgegossen werden.
In 2B wird eine leitende Durchkontaktierung 22 in dem Durchgangsloch des Gehäuses 21 gebildet.
Ein Abschnitt 22a der leitenden Durchkontaktierung 22 wird entlang einer Wandfläche des Durchgangslochs gebildet. Beide Enden 22b und 22c der leitenden Durchkontaktierung können jeweils zu der Innen- und der Außenfläche des Gehäuses freigelegt sein. Ein Ende 22c, das zur Außenfläche des Gehäuses freigelegt ist, kann mit den Leiterbahnen in Kontakt sein, die auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet sind. Das andere Ende 22b, das zur Innenfläche des Gehäuses freigelegt ist, kann mit einer Elektrode der Platine, die im Innern des Gehäuses angebracht ist, in Kontakt sein.
Der Vorgang des Bildens der leitenden Durchkontaktierung 22 kann mittels eines Galvanisierverfahrens durchgeführt werden. Die Wandfläche des Durchgangslochs des Gehäuses kann gemäß dem Galvanisiervorgang mit einem leitenden Material galvanisiert werden, um beide Enden der leitenden Durchkontaktierung zu bilden.
In 2C wird eine Leiterbahn 23 auf der Außenfläche des Gehäuses 21 gebildet.
Die Leiterbahn 23 kann eine Antennenbahn, eine Erdungsbahn oder eine Schutzbahn gegen elektromagnetische Interferenzen sein.
Das Verfahren zum Bilden der Leiterbahn 23 kann auf unterschiedliche Weise ausgeführt werden. Das heißt, dass die Leiterbahn durch Anbringen einer Film-Leiterbahn an die Außenfläche des Gehäuses 21 gebildet wird, so dass die Film-Leiterbahn mit der leitenden Durchkontaktierung 22 in Kontakt sein kann.
Des Weiteren kann die Leiterbahn durch Galvanisieren gebildet sein. Wenn die Leiterbahn 23 durch Galvanisieren gebildet wird, wird das Galvanisierverfahren zur gleichen Zeit wie das Bilden der leitenden Durchkontaktierung 22 durchgeführt, so dass die leitende Durchkontaktierung 22 und die Leiterbahn 23 integral miteinander ausgebildet werden können. Als solches kann, wenn die leitende Durchkontaktierung und die Leiterbahn miteinander fest verbunden gebildet werden, ein lockerer Kontakt zwischen der Leiterbahn und der leitenden Durchkontaktierung verhindert werden, um so die Zuverlässigkeit des Produkts zu erhöhen.
3A bis 3C sind Querschnittansichten des Prozessablaufes, in denen ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
Bei dieser Ausführungsform kann ein Gehäuse 31 durch Dual-Spritzgießen gebildet werden. In 3A kann ein erster Bereich 31a, der Teil des Gehäuses ist, unter Verwendung eines nicht galvanisierbaren Materials gebildet werden. Hier kann der Teil des Gehäuses gebildet werden, während für eine Leiterbahn 33 Platz gelassen wird, die auf dem Gehäuse gebildet werden soll, sowie für einen Bereich, der mit einer leitenden Durchkontaktierung 32 in Kontakt kommt.
Wie in 3B dargestellt ist, kann ein zweiter Bereich 31b in dem Freiraum, der in dem ersten Bereich 31a des Gehäuses freigelassen wurde, unter Verwendung eines galvanisierbaren Materials gebildet werden. Das heißt, dass das Spritzgießen unter Verwendung des galvanisierbaren Materials durchgeführt werden kann, um den zweiten Bereich 31b gemäß der Form der Leiterbahn, die auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet werden soll, und einer Wandfläche des Durchgangslochs zu bilden.
In 3C werden die Leiterbahn und das leitende Durchgangsloch auf dem Gehäuse gebildet.
Die Oberfläche des Gehäuses 31, die durch Dual-Spritzgießen gebildet wird, ist in einen galvanisierbaren Bereich 31b und einen nicht galvanisierbaren Bereich 31a geteilt. Durch Eintauchen des Gehäuses 31 in eine Galvanisierlösung können die Leiterbahn 33 und die leitende Durchkontaktierung 32 auf dem galvanisierbaren Bereich 31b gebildet werden.
Bei dieser Ausführungsform können, da die Leiterbahn 33 und das leitende Durchgangsloch 32 mittels desselben Galvanisierverfahrens gebildet werden, die Leiterbahn 33 und die leitende Durchgangskontaktierung integral miteinander ausgebildet werden. Also solches kann, da die Leiterbahn 33 und die leitende Durchkontaktierung miteinander fest verbunden gebildet sind, ein lockerer Kontakt zwischen diesen verhindert werden, wodurch die Zuverlässigkeit des Produkts gesteigert wird.
Die Anzahl an Leiterbahnen und deren Form kann verändert werden. Wenn eine Mehrzahl an Antennenbahnen gebildet wird, kann auf einfache Weise eine Mehrband-Antenne, die gemäß Signalen mit unterschiedlichen Frequenzbändern operieren kann, ausgeführt werden.
4A bis 4C sind Querschnittansichten eines Prozessablaufs, in denen ein Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist.
In 4A wird ein Gehäuse 41 hergestellt. Wenigstens ein Durchgangsloch, das durch die Innen- und die Außenfläche des Gehäuses 41 geht, kann in dem Gehäuse 41 gebildet werden. Eine leitende Durchkontaktierung wird in dem Durchgangsloch gebildet, um eine elektrische Verbindung zwischen einer auf der Außenfläche des Gehäuses gebildeten Leiterbahn und einer Platine im Innern des Gehäuses vorzusehen.
Bei dieser Ausführungsform wird ein Überstand 41c, der zu der im Innern des Gehäuses angebrachten Platine übersteht, auf der Innenfläche des Gehäuses gebildet. Das Durchgangsloch kann in dem Überstand 41c gebildet sein. Der Überstand 41c weist eine Länge auf, die dem Raum zwischen der Innenfläche des Gehäuses und der im Innern des Gehäuses angebrachten Platine entspricht, so dass der Überstand 41c das elektrische Verbinden der auf dem Gehäuse 41 gebildeten leitenden Durchkontaktierung und der Platine erleichtert.
In 4B wird Galvanisieren auf dem Durchgangsloch und der gesamten Außenfläche durchgeführt.
Wenn Galvanisieren auf dem Durchgangsloch des Gehäuses durchgeführt wird, wird eine leitende Durchkontaktierung 42 gebildet. Die Außenfläche des Gehäuses kann galvanisiert werden, um den leitenden Film 43a zu bilden, der dann gemäß dem folgenden Verfahrensschritt in eine Leiterbahn verarbeitet werden kann.
Wenn das Durchgangsloch und die Außenfläche des Gehäuses 41 galvanisiert werden, können das Durchgangsloch und die Außenfläche des Gehäuses gleichzeitig mittels des gleichen Galvanisiervorgangs galvanisiert werden. Alternativ können das Durchgangsloch und die Außenfläche bei unterschiedlichen Galvanisiervorgängen galvanisiert werden.
Bei dieser Ausführungsform können das Durchgangsloch und die Außenfläche des Gehäuses 41 mittels des gleichen Galvanisiervorgangs galvanisiert werden. Wenn die leitende Durchkontaktierung 42 und der leitende Film 43a wie bei dieser Ausführungsform durch den gleichen Galvanisiervorgang gebildet werden, können die Leiterbahn, die durch Verarbeiten des leitenden Films 43a gebildet wird, und die leitende Durchkontaktierung 42 integral miteinander gebildet werden, wodurch ein lockerer Kontakt verhindert wird und die Zuverlässigkeit des Produkts gesteigert wird.
Bei dieser Ausführungsform kann ein Ende 42b der leitenden Durchkontaktierung zur Innenfläche des Gehäuses freigelegt werden. Durch Freilegen eines Endes der leitenden Durchkontaktierung zur Innenfläche des Gehäuses kann der Kontakt zwischen der Platine, die im Innern des Gehäuses angebracht ist, und der leitenden Durchkontaktierung verbessert werden.
In 4C wird eine Leiterbahn 43 durch teilweises Entfernen des leitenden Films 43a, der auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet ist, gebildet.
In 4C wird ein Abschnitt des leitenden Films 43a, der auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet ist, entfernt, um die Leiterbahn 43 mit einem gewünschten Muster zu bilden. Bei dieser Ausführungsform wird nur eine Leiterbahn gebildet. Jedoch können, wenn eine Mehrzahl an Durchgangslöchern in dem Gehäuse gebildet sind, eine Mehrzahl an Durchkontaktierungen oder eine Mehrzahl an Leiterbahnen gebildet werden. Wenn eine Mehrzahl an Leiterbahnen gebildet wird, können die Leiterbahnen Antennenbahnen, Erdungsbahnen oder Schutzbahnen gegen elektromagnetische Interferenzen sein. Des Weiteren kann, wenn gemäß diesem Verfahren eine Mehrzahl an Antennenbahnen mit unterschiedlichen Mustern auf der Außenfläche des Gehäuses gebildet wird, auf einfache Weise eine Mehrband-Antenne, die gemäß Signalen mit unterschiedlichen Frequenzbändern operiert, ausgeführt werden.
Das Verfahren zur Verarbeitung des leitenden Films, um die Leiterbahn zu bilden, kann auf unterschiedliche Weise ausgeführt werden.
Das heißt, dass der Abschnitt des leitenden Films 43a durch Schneiden des leitenden Films 43a entfernt werden kann. Der leitende Film 43a kann unter Verwendung eines Lasers geschnitten werden.
Des Weiteren kann ein Ätzvorgang auf dem leitenden Film 43a durchgeführt werden. Das heißt, dass ein Photolack-Film mit einer gewünschten Form der Leiterbahn auf dem leitenden Film 43a gebildet wird, Teile des leitenden Films, wo der Photolack-Film nicht gebildet ist, unter Verwendung eines Ätzmittels geätzt werden können und dann der Photolack-Film entfernt wird. Auf diese Weise verbleibt nur die Leiterbahn, die die gewünschte Form aufweist, auf der Außenfläche des Gehäuses.
In 5A bis 5C wird das Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt.
In 5A wird ein Gehäuse 51 hergestellt. Wenigstens ein Durchgangsloch, das durch die Innen- und die Außenfläche des Gehäuses 51 geht, kann in dem Gehäuse 51 gebildet werden. Eine leitende Durchkontaktierung wird in dem Durchgangsloch gebildet und sieht einen elektrischen Kontakt zwischen auf der Außenfläche des Gehäuses gebildeten Leiterbahnen und einer Platine im Innern des Gehäuses vor.
In 5B werden leitende Filme 53a und 59a jeweils auf der Außenfläche und der Innenfläche des Gehäuses gebildet.
Die leitenden Filme 53a und 59a können durch einen Galvanisiervorgang gebildet werden. Bei dieser Ausführungsform werden die leitenden Filme auf der Innenfläche und der Außenfläche des Gehäuses gebildet. Jedoch kann der leitende Film auf wenigstens einer Oberfläche des Gehäuses gebildet sein.
Bei dieser Ausführungsform wird die Wandfläche eines Durchgangslochs des Gehäuses 51 in einem Galvanisiervorgang zum Bilden der leitenden Filme 53a und 59a galvanisiert. Bei dieser Ausführungsform kann eine leitende Durchkontaktierung 52, die in dem Durchgangsloch gebildet ist, den ersten leitenden Film 53a mit der Platine im Innern des Gehäuses elektrisch verbinden. Da der zweite leitende Film 59a auf der Innenfläche des Gehäuses gebildet ist, kann der erste leitende Film 59a mit der im Innern des Gehäuses angebrachten Platine elektrisch verbunden werden.
In 5C werden die Leiterbahnen 53 und 59 durch teilweises Entfernen der leitenden Filme 53a und 59a, die auf der Außenfläche und der Innenfläche des Gehäuses gebildet sind, gebildet.
Bei dieser Ausführungsform wird je eine Leiterbahn sowohl auf der Außenfläche als auch auf der Innenfläche des Gehäuses gebildet. Jedoch kann die Anzahl an Leiterbahnen, die auf der Innen- und der Außenfläche des Gehäuses gebildet werden, verändert werden. Wenn eine Mehrzahl an Leiterbahnen gebildet wird, können die Leiterbahnen Antennenbahnen, Erdungsbahnen oder Schutzbahnen gegen elektromagnetische Interferenzen sein. Des Weiteren kann, wenn eine Mehrzahl unterschiedlicher Antennenbahnen auf der Innen- und der Außenfläche des Gehäuses gemäß diesem Verfahren gebildet wird, auf einfache Weise eine Mehrband-Antenne, die gemäß Signalen mit unterschiedlichen Frequenzbändern operieren kann, ausgeführt werden.
Der Vorgang des Verarbeitens der leitenden Filme, um die Leiterbahnen zu bilden, kann unter Verwendung unterschiedlicher Verfahren durchgeführt werden.
Das heißt, dass Teile der leitenden Filme 53a und 59a durch Schneiden der leitenden Filme 53a und 59a entfernt werden können. Die leitenden Filme 53a und 59a können unter Verwendung eines Lasers geschnitten werden.
Des Weiteren kann auf den leitenden Filmen 53a und 59a ein Ätzvorgang durchgeführt werden. Das heißt, dass Photolack-Filme mit einer gewünschten Form der Leiterbahnen auf die leitenden Filme 53a und 59a abgeschieden werden, Teile der leitenden Filme, wo keine Photolack-Schichten sind, unter Verwendung eines Ätzmittels geätzt werden und dann die Photolack-Filme entfernt werden. Auf diese Weise verbleiben nur die Leiterbahnen, die die gewünschte Form aufweisen, auf der Außenfläche des Gehäuses.
Wie oben gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, kann eine Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn auf einfache Weise elektrischen Kontakt zwischen der Leiterbahn und einer Platine im Innern des Gehäuses herstellen, sie weist eine hohe Zuverlässigkeit auf, und es können Leiterbahnen mit unterschiedlichen Formen gebildet werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung in Verbindung mit beispielhaften Ausführungsformen dargestellt und beschrieben wurde, wird dem Fachmann offensichtlich sein, dass Modifikationen und Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich wie durch die beigefügten Ansprüche definiert abzuweichen.

Claims

Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn, wobei die Gehäusestruktur aufweist: ein Gehäuse mit wenigstens einem darin gebildeten Durchgangsloch; wenigstens eine Leiterbahn, die auf einer Außenfläche des Gehäuses gebildet ist; und eine leitende Durchkontaktierung, die in dem Durchgangsloch gebildet ist und die wenigstens eine Leiterbahn mit einer Platine in dem Gehäuse elektrisch verbindet.
Gehäusestruktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abschnitt der Außenfläche des Gehäuses, wo die Leiterbahn gebildet ist, und eine Wandfläche des Durchgangslochs, wo die leitende Durchkontaktierung gebildet ist, aus einem galvanisierbaren Material gebildet ist.
Gehäusestruktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse einen Überstand aufweist, der zu der im Innern des Gehäuses angebrachten Platine übersteht, und das Durchgangsloch in dem Überstand gebildet ist.
Gehäusestruktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Leiterbahn eine Antennenleiterbahn umfasst.
Gehäusestruktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ende des leitenden Durchgangslochs zu der Innenfläche des Gehäuses freigelegt ist.
Gehäusestruktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Durchkontaktierung und die Leiterbahn, die elektrisch miteinander verbunden sind, integral miteinander ausgebildet sind.
Verfahren zur Herstellung einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Gehäuses mit wenigstens einem darin gebildeten Durchgangsloch; Bilden einer leitenden Durchkontaktierung in dem wenigstens einen Durchgangsloch; und Bilden wenigstens einer Leiterbahn auf einer Außenfläche des Gehäuses, so dass die Leiterbahn mit der leitenden Durchkontaktierung verbunden ist.
Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden des Gehäuses umfasst: Durchführen von Spritzgießen, um einen ersten Bereich zu bilden, der ein Bereich des Gehäuses ist, unter Verwendung eines nicht galvanisierbaren Materials; und Durchführen von Spritzgießen, um einen zweiten Bereich an einem Abschnitt des ersten Bereichs durch ein galvanisierbares Material zu bilden.
Verfahren gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Abschnitt der Außenfläche des Gehäuses, wo die Leiterbahn gebildet ist, und die Wandfläche des Durchgangslochs, wo die leitende Durchkontaktierung gebildet ist, unter Verwendung des galvanisierbaren Materials spritzgegossen werden.
Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden der leitenden Durchkontaktierung und das Bilden wenigstens einer Leiterbahn das Galvanisieren des zweiten Bereichs umfassen.
Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden der leitenden Durchkontaktierung und das Bilden wenigstens einer Leiterbahn gleichzeitig durchgeführt werden.
Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden der leitenden Durchkontaktierung das Galvanisieren der Wandfläche des Durchgangslochs umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden wenigstens einer Leiterbahn umfasst: Bilden eines Galvanisierfilms auf der Außenfläche des Gehäuses; und Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms.
Verfahren gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden des Galvanisierfilms auf der Außenfläche des Gehäuses zur gleichen Zeit wie das Bilden einer leitenden Durchkontaktierung durchgeführt wird, und das Bilden der leitenden Durchkontaktierung das Galvanisieren der Wandfläche des Durchgangslochs umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms durch einen Schneidvorgang oder einen Ätzvorgang durchgeführt wird.
Verfahren zum Bilden einer Gehäusestruktur mit einer Leiterbahn, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Gehäuses; Bilden eines Galvanisierfilms auf wenigstens einer Fläche des Gehäuses; und Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms, um wenigstens eine Leiterbahn zu bilden.
Verfahren gemäß Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Leiterbahn eine Antennenbahn umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernen eines Abschnitts des Galvanisierfilms unter Verwendung eines Schneidvorgangs oder eines Ätzvorgangs durchgeführt wird.