DE102008006988A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008006988A1 DE102008006988A1 DE102008006988A DE102008006988A DE102008006988A1 DE 102008006988 A1 DE102008006988 A1 DE 102008006988A1 DE 102008006988 A DE102008006988 A DE 102008006988A DE 102008006988 A DE102008006988 A DE 102008006988A DE 102008006988 A1 DE102008006988 A1 DE 102008006988A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer stack
- optoelectronic component
- layer
- stack
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/018—Bonding of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/835—Reflective materials
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008006988A DE102008006988A1 (de) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| EP17207707.5A EP3327796B1 (de) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
| JP2010544576A JP5264935B2 (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 |
| US12/865,836 US8686451B2 (en) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | Optical-electronic component and method for production thereof |
| CN2009801037496A CN101933171B (zh) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 |
| EP09706853.0A EP2235759B9 (de) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
| KR1020157032941A KR101640360B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | 광전 소자 및 그 제조 방법 |
| PCT/DE2009/000056 WO2009094980A1 (de) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
| KR1020107019150A KR101573095B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-01-19 | 광전 소자 및 그 제조 방법 |
| TW098102210A TWI399867B (zh) | 2008-01-31 | 2009-01-21 | 光電組件及光電組件之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008006988A DE102008006988A1 (de) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102008006988A1 true DE102008006988A1 (de) | 2009-08-06 |
Family
ID=40605732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102008006988A Withdrawn DE102008006988A1 (de) | 2008-01-31 | 2008-01-31 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8686451B2 (https=) |
| EP (2) | EP2235759B9 (https=) |
| JP (1) | JP5264935B2 (https=) |
| KR (2) | KR101640360B1 (https=) |
| CN (1) | CN101933171B (https=) |
| DE (1) | DE102008006988A1 (https=) |
| TW (1) | TWI399867B (https=) |
| WO (1) | WO2009094980A1 (https=) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016113002B4 (de) | 2016-07-14 | 2022-09-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelemente mit verbesserter Effizienz und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5755511B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2015-07-29 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US9508891B2 (en) | 2014-11-21 | 2016-11-29 | Epistar Corporation | Method for making light-emitting device |
| DE102015107577A1 (de) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| US10862006B2 (en) * | 2018-08-17 | 2020-12-08 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
| US11637219B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-04-25 | Google Llc | Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19625622A1 (de) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| WO1998012757A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung |
| WO1999057788A2 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Lichtemissions-halbleitereinrichtung |
| DE102004004765A1 (de) * | 2004-01-29 | 2005-09-01 | Rwe Space Solar Power Gmbh | Aktive Zonen aufweisende Halbleiterstruktur |
| US20050230693A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-20 | Genesis Photonics Inc. | Single-chip LED with three luminescent spectrums of red, blue and green wavelengths |
| DE102004026125A1 (de) * | 2004-05-28 | 2005-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9100103A (nl) | 1991-01-23 | 1992-08-17 | Philips Nv | Halfgeleiderdiodelaser met monitordiode. |
| BE1007282A3 (nl) | 1993-07-12 | 1995-05-09 | Philips Electronics Nv | Opto-electronische halfgeleiderinrichting met een array van halfgeleiderdiodelasers en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US5838029A (en) | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
| US5917202A (en) | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
| US6487230B1 (en) * | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US6320206B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks |
| JP4496596B2 (ja) | 2000-03-27 | 2010-07-07 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
| US20020017652A1 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
| JP2003163373A (ja) | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP2003279955A (ja) | 2002-03-18 | 2003-10-02 | Giantplus Technology Co Ltd | 半透過式カラー液晶ディスプレイ |
| TW586240B (en) | 2002-12-31 | 2004-05-01 | Univ Nat Taiwan | Photonic transmitter |
| TW591811B (en) | 2003-01-02 | 2004-06-11 | Epitech Technology Corp Ltd | Color mixing light emitting diode |
| JP2003332619A (ja) | 2003-06-09 | 2003-11-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| DE10354936B4 (de) * | 2003-09-30 | 2012-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement |
| WO2005055383A1 (ja) | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Pioneer Corporation | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| TWI233218B (en) | 2004-01-08 | 2005-05-21 | Pamelan Company Ltd | One dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same |
| DE102005007601B4 (de) | 2004-02-20 | 2023-03-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement, Vorrichtung mit einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| JP2005276899A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| DE102004025684B4 (de) | 2004-04-29 | 2024-08-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| US7332365B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-02-19 | Cree, Inc. | Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method |
| JP2006032315A (ja) | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 発光装置、電子機器、投射型表示装置、ラインヘッドおよび画像形成装置 |
| US7402831B2 (en) | 2004-12-09 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission |
| US7521856B2 (en) * | 2005-01-26 | 2009-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | OLED device |
| JP4653671B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
| JP4353125B2 (ja) | 2005-04-06 | 2009-10-28 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
| JP2007158133A (ja) | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| JP2007273975A (ja) | 2006-03-10 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子 |
| US20070284565A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element |
| JP2008005140A (ja) | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Kyocera Mita Corp | 画像読取装置及びこれを備える画像形成装置 |
| JP2008001540A (ja) | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
| US8163581B1 (en) * | 2010-10-13 | 2012-04-24 | Monolith IC 3D | Semiconductor and optoelectronic devices |
-
2008
- 2008-01-31 DE DE102008006988A patent/DE102008006988A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-01-19 KR KR1020157032941A patent/KR101640360B1/ko active Active
- 2009-01-19 WO PCT/DE2009/000056 patent/WO2009094980A1/de not_active Ceased
- 2009-01-19 US US12/865,836 patent/US8686451B2/en active Active
- 2009-01-19 JP JP2010544576A patent/JP5264935B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-19 EP EP09706853.0A patent/EP2235759B9/de active Active
- 2009-01-19 KR KR1020107019150A patent/KR101573095B1/ko active Active
- 2009-01-19 EP EP17207707.5A patent/EP3327796B1/de active Active
- 2009-01-19 CN CN2009801037496A patent/CN101933171B/zh active Active
- 2009-01-21 TW TW098102210A patent/TWI399867B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19625622A1 (de) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| WO1998012757A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung |
| WO1999057788A2 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Lichtemissions-halbleitereinrichtung |
| DE19819543A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-11 | Siemens Ag | Lichtemissions-Halbleitereinrichtung |
| DE102004004765A1 (de) * | 2004-01-29 | 2005-09-01 | Rwe Space Solar Power Gmbh | Aktive Zonen aufweisende Halbleiterstruktur |
| US20050230693A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-20 | Genesis Photonics Inc. | Single-chip LED with three luminescent spectrums of red, blue and green wavelengths |
| DE102004026125A1 (de) * | 2004-05-28 | 2005-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016113002B4 (de) | 2016-07-14 | 2022-09-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelemente mit verbesserter Effizienz und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110175121A1 (en) | 2011-07-21 |
| EP2235759B9 (de) | 2018-09-19 |
| JP5264935B2 (ja) | 2013-08-14 |
| KR20100109562A (ko) | 2010-10-08 |
| KR20150136545A (ko) | 2015-12-07 |
| JP2011511446A (ja) | 2011-04-07 |
| EP3327796A1 (de) | 2018-05-30 |
| EP2235759A1 (de) | 2010-10-06 |
| TWI399867B (zh) | 2013-06-21 |
| KR101573095B1 (ko) | 2015-11-30 |
| EP2235759B1 (de) | 2018-05-16 |
| CN101933171A (zh) | 2010-12-29 |
| EP3327796B1 (de) | 2023-03-29 |
| TW200947762A (en) | 2009-11-16 |
| WO2009094980A1 (de) | 2009-08-06 |
| KR101640360B1 (ko) | 2016-07-15 |
| CN101933171B (zh) | 2013-10-30 |
| US8686451B2 (en) | 2014-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102012109460B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display | |
| DE102006021648B4 (de) | Licht emittierende Vorrichtung für Wechselspannung und Herstellungsverfahren dafür | |
| WO2018077957A1 (de) | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil | |
| EP2638575A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE102012217957A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix, Mikro-LED-Matrix und Verwendung einer Mikro-LED-Matrix | |
| DE112009002311T5 (de) | Farbabstimmbare Halbleiter-Breitbandlichtquellen und Vollfarbmikrodisplays | |
| DE102014011893A1 (de) | Leuchtdiode | |
| EP2223337A2 (de) | Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren für ein optoelektronisches bauelement | |
| DE112013007192B4 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung | |
| DE102011112706A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
| EP3327796B1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements | |
| WO2018234154A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement | |
| WO2022090319A1 (de) | Lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden halbleiterkörpers | |
| DE112014001423T5 (de) | Halbleiterstrukturen mit InGaN umfassenden Aktivbereichen, Verfahren zum Bilden derartiger Halbleiterstrukturen und aus derartigen Halbleiterstrukturen gebildete Licht emittierende Vorrichtungen | |
| WO2019115344A1 (de) | Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils | |
| WO2014060318A1 (de) | Strahlungsemittierendes bauelement | |
| DE102017113573A1 (de) | Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen | |
| DE112017001895B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement | |
| DE112018004815B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
| WO2009132614A1 (de) | Strahlung emittierender dünnfilm-halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlung emittierenden dünnfilm-halbleiterchips | |
| DE102021102332A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer anordnung von halbleiterchips und anordnung von halbleiterchips | |
| WO2020239749A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements | |
| WO2020151963A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils und strahlungsemittierendes halbleiterbauteil | |
| DE102018101086A1 (de) | Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierende rgb-einheit und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden rgb-einheit | |
| DE102023119833A1 (de) | Mikro-dünnschicht oberflächenemitter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |
Effective date: 20150203 |