DE102008006988A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

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TW098102210A TWI399867B (zh) 2008-01-31 2009-01-21 光電組件及光電組件之製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016113002B4 (de) 2016-07-14 2022-09-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente mit verbesserter Effizienz und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5755511B2 (ja) * 2011-06-14 2015-07-29 Dowaエレクトロニクス株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US9508891B2 (en) 2014-11-21 2016-11-29 Epistar Corporation Method for making light-emitting device
DE102015107577A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US10862006B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19625622A1 (de) * 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
WO1998012757A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
WO1999057788A2 (de) * 1998-04-30 1999-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Lichtemissions-halbleitereinrichtung
DE102004004765A1 (de) * 2004-01-29 2005-09-01 Rwe Space Solar Power Gmbh Aktive Zonen aufweisende Halbleiterstruktur
US20050230693A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Genesis Photonics Inc. Single-chip LED with three luminescent spectrums of red, blue and green wavelengths
DE102004026125A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9100103A (nl) 1991-01-23 1992-08-17 Philips Nv Halfgeleiderdiodelaser met monitordiode.
BE1007282A3 (nl) 1993-07-12 1995-05-09 Philips Electronics Nv Opto-electronische halfgeleiderinrichting met een array van halfgeleiderdiodelasers en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
US5838029A (en) 1994-08-22 1998-11-17 Rohm Co., Ltd. GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate
US5917202A (en) 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
US6487230B1 (en) * 1998-04-14 2002-11-26 Bandwidth 9, Inc Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US5991326A (en) 1998-04-14 1999-11-23 Bandwidth9, Inc. Lattice-relaxed verticle optical cavities
US6320206B1 (en) * 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
JP4496596B2 (ja) 2000-03-27 2010-07-07 ソニー株式会社 発光装置
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
JP2003163373A (ja) 2001-11-26 2003-06-06 Toyoda Gosei Co Ltd Iii族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2003279955A (ja) 2002-03-18 2003-10-02 Giantplus Technology Co Ltd 半透過式カラー液晶ディスプレイ
TW586240B (en) 2002-12-31 2004-05-01 Univ Nat Taiwan Photonic transmitter
TW591811B (en) 2003-01-02 2004-06-11 Epitech Technology Corp Ltd Color mixing light emitting diode
JP2003332619A (ja) 2003-06-09 2003-11-21 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
DE10354936B4 (de) * 2003-09-30 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
WO2005055383A1 (ja) 2003-12-05 2005-06-16 Pioneer Corporation 半導体レーザ装置の製造方法
TWI233218B (en) 2004-01-08 2005-05-21 Pamelan Company Ltd One dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same
DE102005007601B4 (de) 2004-02-20 2023-03-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Vorrichtung mit einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2005276899A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子
DE102004025684B4 (de) 2004-04-29 2024-08-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Ausbilden einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US7332365B2 (en) 2004-05-18 2008-02-19 Cree, Inc. Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method
JP2006032315A (ja) 2004-06-14 2006-02-02 Seiko Epson Corp 発光装置、電子機器、投射型表示装置、ラインヘッドおよび画像形成装置
US7402831B2 (en) 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
US7521856B2 (en) * 2005-01-26 2009-04-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh OLED device
JP4653671B2 (ja) * 2005-03-14 2011-03-16 株式会社東芝 発光装置
JP4353125B2 (ja) 2005-04-06 2009-10-28 住友電気工業株式会社 発光素子およびその製造方法
JP2007158133A (ja) 2005-12-06 2007-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP2007273975A (ja) 2006-03-10 2007-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
JP2008005140A (ja) 2006-06-21 2008-01-10 Kyocera Mita Corp 画像読取装置及びこれを備える画像形成装置
JP2008001540A (ja) 2006-06-21 2008-01-10 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体結晶の製造方法
US8163581B1 (en) * 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19625622A1 (de) * 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
WO1998012757A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
WO1999057788A2 (de) * 1998-04-30 1999-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Lichtemissions-halbleitereinrichtung
DE19819543A1 (de) * 1998-04-30 1999-11-11 Siemens Ag Lichtemissions-Halbleitereinrichtung
DE102004004765A1 (de) * 2004-01-29 2005-09-01 Rwe Space Solar Power Gmbh Aktive Zonen aufweisende Halbleiterstruktur
US20050230693A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Genesis Photonics Inc. Single-chip LED with three luminescent spectrums of red, blue and green wavelengths
DE102004026125A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016113002B4 (de) 2016-07-14 2022-09-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente mit verbesserter Effizienz und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen

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