WO1999057788A2 - Lichtemissions-halbleitereinrichtung - Google Patents

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Definitions

  • the invention relates to a light-emission semiconductor device with two surface-emitting light-emitting diodes according to the preamble of patent claim 1.
  • Color LED contains two surface-emitting light-emitting diodes 10 and 20 between its front side, which is the light exit side, and its rear side. These are grown epitaxially by p-type, differently impurity-doped GaP layers on an n-type GaP layer.
  • Substrate 1 produced, whereby two pn junctions formed on the front and back of the substrate.
  • the upper p-type GaP layer is doped with nitrogen, while the lower p-type GaP layer is doped with oxygen and zinc.
  • the pn junction formed by the upper GaP epi layer thus emits in the green spectral range when electrically excited, while the pn junction formed by the lower GaP epi layer emits in the red spectral range.
  • the diodes formed in this way are operated with two voltage sources 30 and 40, the common negative pole of which is connected to the n side of both pn junctions, that is to say to the n-type GaP substrate.
  • the color spectrum can be varied from red to orange and yellow to green.
  • the red radiation penetrates the entire crystal and exits through the same area as the green radiation, creating an ideal spatial mix.
  • a light-emitting semiconductor device has between its front side and its rear side a first surface-emitting light-emitting diode with a first active zone which emits radiation of a first wavelength and a second surface-emitting light-emitting diode with a second active zone which emits radiation from a second of the first different wavelength, on which a first reflection layer is arranged between the two active zones, which is reflective for the first wavelength and transmissive for the second wavelength, and a second reflection layer is arranged between the second active zone and the rear side the second wavelength is reflective.
  • FIG. 2 shows an embodiment of an inventive light-emitting semiconductor device ⁇ .
  • FIG. 2 shows an exemplary embodiment of a light-emission semiconductor device according to the invention.
  • the semiconductor device shown has an n-doped GaP substrate 1 and two light-emitting diodes 10 and 20, which are formed by two corresponding radiation-generating active zones 11 and 21, each on both sides of the substrate 1 near the surfaces of the front and rear sides of the semiconductor device lie.
  • These active zones 11, 21 can be produced by epitaxial deposition of semiconductor layers on both sides.
  • the exemplary embodiment provides that these semiconductor layers are composed of the quaternary semiconductor InGaAlP and the proportion factors of the elements contained therein are each chosen such that the active zone 11 formed on the front side generates radiation with a wavelength in the yellow-green spectral range and that the active zone 21 formed on the rear side produces radiation with a wavelength in the red spectral range. Due to its large band gap, the GaP substrate 1 is transparent to the radiation of both wavelengths.
  • the active zones 11, 21 are pn junctions of bulk semiconductors, that is to say the interfaces between the n and p regions of the quaternary semiconductor.
  • the active zones 11, 21 can, however, also be the potential well layers of a heterostructure laser, which are enclosed by barrier layers with a larger band gap, the potential well and barrier layers each consisting of InGaAlP with different proportion factors of the elements.
  • homoepitaxy can also be used to produce the active zones 11 and 21, in which GaP layers p-doped on both sides and differently impurity-doped are deposited on the GaP substrate 1.
  • the n-zone common to the two light-emitting diodes 10, 20, which is formed by the n-type GaP substrate 1, is connected by the electrical contact connection 2 to the common negative pole of two voltage sources, not shown, while the p-type front side by the electrical Contact terminal 13 is connected to the positive pole of the first voltage source, and the p-type rear side is connected by the electrical contact terminal 24 to the positive pole of the second voltage source.
  • the entire back surface can be covered with a metallic contact layer 23.
  • the light-emitting diode with the longer wavelength must be on the back, since otherwise the radiation it emits would be absorbed by the semiconductor material of the front-side light-emitting diode.
  • the light-emitting diode 20 thus emits the longer of the two wavelengths.
  • the first reflection layer 12 is reflective for the first wavelength and transmissive for the second wavelength
  • the second reflection layer 22 is reflective for the second wavelength.
  • the first light-emitting diode 10 generates a radiation path 10-1 directed directly upwards and a radiation path 10-2 which is initially directed downwards, but in which the radiation of the first light-emitting diode 10 passes through the transparent substrate arrives at the first reflection layer 12, is reflected there and exits through the front of the semiconductor device.
  • the second light emitting diode 20 produces ⁇ a directed directly upward radiation path 20-1 and a radiation path 20-2, which is addressed initially downwards but in which the radiation of the second
  • Light emission diode 20 arrives at the second reflection layer 22, is reflected there and exits through the front.
  • the reflection layers 12, 22 are preferably each formed by a multilayer system consisting of layers with alternating high and low refractive index, a so-called Distributed Bragg Reflector (DBR), since in this way very highly reflective layers with high wavelength selectivity can be achieved. This is especially true for the first
  • a further possibility is to use dielectric layers or a multilayer system composed of dielectric layers for one or both reflection layers 12, 22.
  • a metallic or metal-containing layer can also be used for the reflection layer 22.
  • the metal should have a high reflection coefficient at the second wavelength.
  • the metal can also be applied only partially to the back, with an additional additional refractive index jump at the interface ensures an increase in the reflection coefficient.
  • layers of GaAsP can also be applied epitaxially on GaP substrate material.
  • layers made of InGaN or InN can be used to form the mutual pn junctions.
  • the front light-emitting diode can also be produced by producing a p-zone and thus a pn-junction between the n-substrate and the p-zone by means of a diffusion step, while the rear light-emitting diode including the reflection layers are produced by epitaxial growth processes.

Abstract

Die Erfindung beschreibt eine zweifarbige Lichtemissions-Halbleitereinrichtung, die zwischen ihrer Vorderseite und ihrer Rückseite eine erste oberflächenemittierende Lichtemissionsdiode (10) mit einer ersten aktiven Zone (11), welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine zweite oberflächenemittierende Lich temissionsdiode (20) mit einer zweiten aktiven Zone (21), welche Strahlung einer zweiten Wellenlänge emittiert, aufweist, wobei zwischen beiden aktiven Zonen (11, 21) eine erste Reflexionsschicht (12) angeordnet ist, die für die erste Wellenlänge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchlässig ist, und zwischen der zweiten aktiven Zone (21) und der Rückseite eine zweite Reflexionsschicht (22) angeordnet ist, die für die zweite Wellenlänge reflektierend ist. Die Reflexionsschichten bewirken eine bessere Ausnutzung des in Richtung auf die Rückseite abgestrahlten Lichtes beider Dioden und sind vorzugsweise aus einem Mehrfachschichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex gebildet, wobei die Schichten vorzugsweise aus einem gitterangepasstem Halbleitermaterial aufgebaut sind.

Description

Beschreibung
Lichtemissions-Halbleitereinrichtung
Die Erfindung betrifft eine Lichtemissions-Halbleitereinrich- tung mit zwei oberflächenemittierenden Lichtemissiondioden nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Es ist bekannt, aus beispielsweise Galliumphosphid (GaP) Licht- emissions-Halbleitereinrichtungen mit einstellbarer Farbe herzustellen. In dem Buch „Halbleiter-Optoelektronik" von M. Bleicher, erschienen im Dr. Alfred Hüthig Verlag GmbH, Heidelberg, 1986, ist auf den Seiten 157, 158 eine derartige 2-Far- ben-Lichtemissionsdiode (LED) beschrieben. Das Funktionsprinzip ist hier nochmals in Fig.l dargestellt. Eine derartige 2-
Farben-LED enthält zwischen ihrer Vorderseite, die die Licht- austrittsseite ist, und ihrer Rückseite zwei oberflächenemittierende Lichtemissionsdioden 10 und 20. Diese werden durch epitaktisches Aufwachsen von p-leitenden, unterschiedlich störstellendotierten GaP-Schichten auf ein n-leitendes GaP-
Substrat 1 hergestellt, wodurch zwei an Vorder- und Rückseite des Substrats gebildete pn-Übergänge entstehen. Die obere p- leitende GaP-Schicht ist mit Stickstoff dotiert, während die untere p-leitende GaP-Schicht mit Sauerstoff und Zink dotiert ist. Der durch die obere GaP-Epischicht gebildete pn-Übergang emittiert somit bei elektrischer Anregung im grünen Spektralbereich, während der durch die untere GaP-Epischicht gebildete pn-Übergang im roten Spektralbereich emittiert. Die auf diese Weise geformten Dioden werden mit zwei Spannungsquellen 30 und 40 betrieben, deren gemeinsamer Minuspol mit der n-Seite beider pn-Übergänge, also mit dem n-leitenden GaP-Substrat, verbunden ist. Durch getrenntes Einstellen der Diodenströme kann somit das Farbspektrum von Rot über Orange und Gelb bis Grün variiert werden. Die rote Strahlung durchdringt den gesamten Kristall und tritt durch die gleiche Fläche wie die grüne Strahlung aus, wodurch eine ideale räumliche Mischung erzielt wird.
Eine solche Anordnung nutzt jedoch nur den in Richtung auf die Vorderseite emittierten Strahlungsanteil beider Lichtemissions- dioden. Die Hälfte der Strahlung wird jedoch in Richtung auf die Rückseite abgestrahlt und kann somit im allgemeinen nicht für eine Vorderseitenemission genutzt werden.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine gat- tungsgemäße Lichtemissions-Halbleitereinrichtung mit verbesserter Lichtausbeute anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Nach der Erfindung weist eine Lichtemissions-Halbleiterein- richtung zwischen ihrer Vorderseite und ihrer Rückseite eine erste oberflächenemittierende Lichtemissionsdiode mit einer ersten aktiven Zone, welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine zweite oberflächenemittierende Lichtemissionsdiode mit einer zweiten aktiven Zone, welche Strahlung einer zweiten, von der ersten verschiedene Wellenlänge emittiert, auf, wobei zwischen beiden aktiven Zonen eine erste Reflexionsschicht angeordnet ist, die für die erste Wellenlänge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchlässig ist, und zwischen der zweiten aktiven Zone und der Rückseite eine zweite Reflexionsschicht angeordnet ist, die für die zweite Wellenlänge reflektierend ist.
Besondere Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. In den Figuren zeigen Fig.l eine 2-Farben-LED nach dem Stand der Technik;
Fig.2 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Licht¬ emissions-Halbleitereinrichtung.
In Fig.2 ist ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtemissions-Halbleitereinrichtung dargestellt .
Die gezeigte Halbleitereinrichtung weist ein n-dotiertes GaP- Substrat 1 und zwei Lichtemissionsdioden 10 und 20 auf, die durch zwei entsprechende strahlungserzeugende aktive Zonen 11 und 21 gebildet werden, die jeweils beidseits des Substrats 1 nahe den Oberflächen der Vorder- bzw. Rückseite der Halbleitereinrichtung liegen. Diese aktiven Zonen 11, 21 können durch epitaktisches Abscheiden von Halbleiterschichten auf beiden Seiten hergestellt werden. Das Ausführungsbeispiel sieht vor, daß diese Halbleiterschichten aus dem quaternären Halbleiter InGaAlP zusammengesetzt sind und die Anteilsfaktoren der darin enthaltenen Elemente jeweils derart gewählt sind, daß die auf der Vorderseite gebildete aktive Zone 11 eine Strahlung mit einer Wellenlänge im gelb-grünen Spektralbereich erzeugt und die auf der Rückseite gebildete aktive Zone 21 eine Strahlung mit einer Wellenlänge im roten Spektralbereich erzeugt. Das GaP-Substrat 1 ist aufgrund seiner großen Bandlücke für die Strahlung beider Wellenlängen transparent.
Die aktiven Zonen 11, 21 sind im einfachsten Fall pn-Übergänge von Volumenhalbleitern, also jeweils die Grenzflächen zwischen den n- und p-Gebieten des quaternären Halbleiters. Es kann sich bei den aktiven Zonen 11, 21 aber auch um die Potentialtopfschichten eines Heterostrukturlasers handeln, die von Barrierenschichten mit größerer Bandlücke eingeschlossen werden, wobei Potentialtopf- wie Barrierenschichten jeweils aus InGaAlP mit unterschiedlichen Anteilsfaktoren der Elemente bestehen. Natürlich kann zur Herstellung der aktiven Zonen 11 und 21 auch Homoepitaxie angewandt werden, bei der beidseitig p-dotierte und unterschiedlich störstellendotierte GaP-Schichten auf dem GaP-Substrat 1 abgeschieden werden.
Die den beiden Lichtemissionsdioden 10, 20 gemeinsame n-Zone, die durch das n-leitende GaP-Substrat 1 gebildet wird, wird durch den elektrischen Kontaktanschluß 2 mit dem gemeinsamen Minuspol zweier nicht dargestellter Spannungsquellen verbunden, während die p-leitende Vorderseite durch den elektrischen Kontaktanschluß 13 mit dem Pluspol der ersten Spannungsquelle verbunden wird, und die p-leitende Rückseite durch den elektrischen Kontaktanschluß 24 mit dem Pluspol der zweiten Spannungsquelle verbunden wird. Die Rückseite kann ganzflächig mit einer metallischen Kontaktierungsschicht 23 bedeckt sein.
Die Lichtemissionsdiode mit der größeren Wellenlänge muß auf der Rückseite liegen, da andernfalls die von ihr emittierte Strahlung von dem Halbleitermaterial der vorderseitigen Licht- emissiondiode absorbiert werden würde. In dem Ausführungsbeispiel emittiert also die Lichtemissionsdiode 20 die größere von beiden Wellenlängen.
Um nun die von den Lichtemissionsdioden 10, 20 in Richtung auf die Rückseite der Halbleitereinrichtung emittierte Strahlung nutzen zu können, sind zwei Reflexionsschichten 12, 22 eingesetzt, die sich beide unterhalb des n-leitenden GaP-Substrats 1 befinden. Die erste Reflexionsschicht 12 ist für die erste Wellenlänge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchlässig, und die zweite Reflexionsschicht 22 ist für die zweite Wellenlänge reflektierend. Somit erzeugt die erste Lichtemissionsdiode 10 einen direkt nach oben gerichteten Strahlungspfad 10-1 und einen Strahlungspfad 10-2, der zunächst nach unten gerichtet ist, bei welchem jedoch die Strahlung der ersten Lichtemissionsdiode 10 durch das transparente Substrat zu der ersten Reflexionsschicht 12 gelangt, an dieser reflektiert wird und durch die Vorderseite der Halbleitereinrichtung austritt. Ebenso erzeugt die zweite Lichtemissions¬ diode 20 einen direkt nach oben gerichteten Strahlungspfad 20-1 und einen Strahlungspfad 20-2, der zunächst nach unten ge- richtet ist, bei welchem jedoch die Strahlung der zweiten
Lichtemissionsdiode 20 zu der zweiten Reflexionsschicht 22 gelangt, an dieser reflektiert wird und durch die Vorderseite austritt.
Die Reflexionsschichten 12, 22 werden vorzugsweise jeweils durch ein Mehrfachschichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, einem sogenannten Distribu- ted Bragg Reflector (DBR) , gebildet, da sich auf diese Art sehr hochreflektierende Schichten mit hoher Wellenlängenselektivität erzielen lassen. Dies gilt insbesondere für die erste
Reflexionsschicht 12, die im Idealfall einen Reflexionskoeffizienten R = 1 für die Strahlung der ersten Lichtemissiondiode 10 und einen Transmissionskoeffizienten T = 1 für die Strahlung der zweiten Lichtemissiondiode 20 aufweist. Besonders vorteilhaft ist es, wenn diese Schichten ebenfalls aus dem Materialsystem GaP und seinen ternären oder quaternären Verbindungen zusammengesetzt werden und epitaktisch aufgewachsen werden können. Auch für die zweite Reflexionsschicht 22 wird vorzugsweise ein derartiges Mehrfachschichtsystem eingesetzt.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, für eine oder beide Reflexionsschichten 12, 22 dielektrische Schichten oder ein Mehrfachschichtsystem aus dielektrischen Schichten einzusetzen.
Es kann aber im Prinzip für die Reflexionsschicht 22 auch eine metallische oder metallhaltige Schicht eingesetzt werden. Das Metall sollte dabei einen hohen Reflexionskoeffizienten bei der zweiten Wellenlänge haben. Das Metall kann dabei auch nur partiell auf die Rückseite aufgebracht werden, wobei ein zu- sätzlicher Brechungsindexsprung an der Grenzfläche für eine Erhöhung des Reflexionskoeffizienten sorgt.
Zur Herstellung der aktiven Zonen 11 und 21 können auch Schichten aus GaAsP auf GaP-Substratmaterial epitaktisch auf- gebracht werden. Bei Verwendung eines Substratmaterials aus SiC können Schichten aus InGaN oder InN zur Bildung der beiderseitigen pn-Übergänge verwendet werden.
Es können auch verschiedene Epitaxieverfahren miteinander kom- biniert werden, beispielsweise Flüssigphasenepitaxie an der Vorderseite und MOVPE (metallorganische Gasphasenepitaxie) an der Rückseite.
Es kann auch die vorderseitige Lichtemissionsdiode dadurch hergestellt werden, daß durch einen Diffusionsschritt eine p- Zone und damit ein pn-Übergang zwischen dem n-Substrat und der p-Zone erzeugt wird, während die rückseitige Lichtemissionsdiode einschließlich der Reflexionsschichten durch epitaktische Wachstumsverfahren hergestellt werden.

Claims

Patentansprüche
1. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung, die zwischen ihrer Vorderseite und ihrer Rückseite eine erste oberfläc enemittie- rende Lichtemissionsdiode (10) mit einer ersten aktiven Zone
(11), welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und eine zweite oberflächenemittierende Lichtemissionsdiode (20) mit einer zweiten aktiven Zone (21), welche Strahlung einer zweiten, von der ersten verschiedene, Wellenlänge emittiert, aufweist, dadurch gekennzeichnet,
- daß zwischen beiden aktiven Zonen (11, 21) eine erste Reflexionsschicht (12) angeordnet ist, die für die erste Wellenlänge reflektierend und für die zweite Wellenlänge durchlässig ist, und - daß zwischen der zweiten aktiven Zone (21) und der Rückseite eine zweite Reflexionsschicht (22) angeordnet ist, die für die zweite Wellenlänge reflektierend ist.
2. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, da- durch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Reflexionsschichten (12, 22) ein Mehrfachschichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, insbesondere ein Distributed Bragg Reflector (DBR) , ist.
3. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten an das benachbarte Halbleitermaterial gitterangepaßt sind und insbesondere ebenfalls aus einem Halbleiter mit entsprechender Gitterkonstante bestehen.
4. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Reflexionsschicht (22) ein Metall enthält.
5. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einem für beide Wellenlängen im wesentlichen durchlässigen Halbleiterwafer hergestellt ist, wobei die aktiven Zonen (11, 21) nahe an der Vorder- bzw. Rückseite des Halbleiterwafers ausgebildet sind.
6. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf Vorder- und Rückseite des Halbleiterwafers Schichten eines anderen Halbleitermaterials als das des Halbleiterwafers epitaktisch aufgebracht sind.
7. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten einen Heterostruktur- laser bilden.
8. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP und das Material der epitaktischen Schichten GaAsP oder InGaAlP ist.
9. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers SiC und das Material der epitaktischen Schichten InGaN oder InN ist.
10. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP ist und auf beiden Seiten unterschiedlich störstellendotierte GaP-Schichten epitaktisch aufgebracht sind.
11. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Lichtemissionsdiode (10, 20) ihre eigene Spannungsquelle (30, 40) aufweist.
12. Lichtemissions-Halbleitereinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die pn-Übergänge beider Lichtemissi¬ onsdioden (10, 20) eine gemeinsame n- oder p-leitende Zone aufweisen und die zwei Spannungsquellen (30, 40) einen gemein- samen Pol aufweisen und dieser Pol mit der den beiden pn-Über- gängen gemeinsamen n- oder p-leitenden Zone kontaktiert ist.
13. Verfahren zur Herstellung einer Lichtemissions-Halblei- tereinrichtung, bei welchem auf der Vorderseite eines Halblei- terwafers (1) durch Bildung einer ersten aktiven Zone (11), welche Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, eine erste Lichtemissiondiode (10) hergestellt wird, und auf die Rückseite des Halbleiterwafers (1) eine erste Reflexionsschicht (12) aufgebracht wird und darauf mindestens eine Schicht eines Halbleitermaterials zur Bildung einer zweiten aktiven Zone
(21), welche Strahlung einer zweiten Wellenlänge emittiert und Teil einer zweiten Lichtemissiondiode (20) ist, aufgebracht wird, und darauf eine zweite Reflexionsschicht (22) aufgebracht wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Reflexionsschichten (12, 22) ein Mehrfachschichtsystem aus Schichten mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, insbesondere ein Distributed Bragg Reflector (DBR), ist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten an das benachbarte Halbleitermaterial gitterangepaßt sind und insbesondere ebenfalls aus einem Halbleiter mit entsprechender Gitterkonstante bestehen.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Reflexionsschicht (22) ein Metall enthält.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß auf Vorder- und Rückseite des Halbleiterwafers Schichten eines anderen Halbleitermaterials als das des Halbleiterwafers epi¬ taktisch aufgebracht werden.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten einen Heterostrukturlaser bilden.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP und das Material der Schichten GaAsP oder InGaAlP ist.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers GaP ist und auf beiden Seiten unterschiedlich störstellendotierte GaP- Schichten epitaktisch aufgebracht werden.
21. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Halbleiterwafers SiC und das Material der Schichten InGaN oder InN ist.
22. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Lichtemissionsdioden an jeweils eine Spannungsquelle (30, 40) angeschlossen werden.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Spannungsquellen (30, 40) einen gemeinsamen Pol aufweisen und dieser Pol mit der beiden pn-Übergängen gemeinsamen n- oder p-leitenden Zone kontaktiert wird und ein Pol der ersten Spannungsquelle (30) mit der Vorderseite kontaktiert wird und ein entsprechender Pol der zweiten Spannungsquelle (40) mit der Rückseite kontaktiert wird.
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