DE102008003114A1 - Verfahren und Einrichtung zur Plasmaaktivierten Verdampfung - Google Patents

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Abstract

Die Aufgabe der Erfindung, einen plasmaangeregten thermischen Verdampfungsprozess und eine Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens anzugeben, die ohne die Anordnung plasmaerzeugender Komponenten im Dampfausbreitungsbereich wirksam sind, wird durch ein Verfahren zur plasmaaktivierten Verdampfung eines in einem Verdampfertiegel bereitgestellten Verdampfungsguts zur Beschichtung eines Substrats in einer Prozesskammer, bei der die Energie der Dampfteilchen des Verdampfungsguts durch Bereitstellung eines Plasmas erhöht wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma durch ein Magnetron erzeugt wird, sowie durch eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens, die mindestens einen Verdampfertiegel zur Bereitstellung des Verdampfungsguts, mindestens eine Energiequelle zur Bereitstellung der Verdampfungsenergie sowie mindestens ein Magnetron zur Erzeugung eines Plasmas umfasst, gelöst.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur plasmaaktivierten Verdampfung gemäß den Oberbegriffen der unabhängigen Patentansprüche.
  • Das Elektronenstrahlverdampfen ist ein Verfahren zur Hochratebeschichtung. Die Dampfteilchenenergien sind bei diesem Verfahren relativ gering. Aus diesem Grunde entstehen mitunter Schichtstrukturen mit unbefriedigenden Funktionseigenschaften. Bei reaktiven Prozessen ist die Reaktionsgeschwindigkeit des Dampfes mit eingelassenem Reaktivgas zur Bildung gewünschter Verbindungen nur sehr gering. Durch Plasmaanregung des Dampfes können die Dampfteilchenenergien wesentlich erhöht werden und zu verbesserten Schichteigenschaften führen. Bei einer reaktiven Prozessführung kann die Reaktionsgeschwindigkeit zwischen Dampfteilchen und Reaktivgasteilchen wesentlich erhöht werden. Dadurch können Verbindungen mit der angestrebten Zielstöchiometrie mit höherer Rate abgeschieden werden.
  • Die Anregung von mittels Elektronenstrahl erzeugten Dämpfen kann auf verschiedene Weise erfolgen. So ist zum Beispiel bekannt, dass mit Elektronenstrahl erzeugte Dampfwolken mit einem Hohlkathodenplasma angeregt werden können. Da diese Hohlkathodenplasmen räumlich begrenzt sind haben sie den Nachteil, dass für Großflächenanwendungen eine Kombination vieler Plasmaquel len notwendig ist. Die Orte größter Plasmadichte stimmen mit den Orten größter Dampfdichte nicht überein. Die Plasmaerzeugung findet nicht in Dampfquellortnähe statt. Das hat den Nachteil, dass das Verfahren hinsichtlich Rateverteilung und Plasmadichte stark inhomogen ist. Außerdem befindet sich die plasmaerzeugende Einrichtung im Bereich der Dampfausbreitung, was sich als standzeiterniedrigend für die Plasmaquelle erweist.
  • Der SAD-Prozess (Spotless arc activated deposition) hat gegenüber der Hohlkathodenplasmaanregung den Vorteil, dass durch Kombination eines diffusen Bogens mit der Elektronenstrahlverdampfung die Plasmaerzeugung im Bereich der Dampfquellerzeugung angesiedelt ist. Die Plasmadichteverteilung folgt damit im Wesentlichen der Dampfdichteverteilung. Der SAD-Prozess hat jedoch den Nachteil, dass er nur bei wenigen Materialien, den sogenannten refraktären Metallen, funktioniert. Für die meisten Verdampfungsmaterialien ist er nicht anwendbar. Außerdem ist für diesen Prozess (Ausbildung des diffusen Bogens) das Vorhandensein einer tiegelnahen Anode notwendig, die sich im Dampfausbreitungsbereich befindet und standzeitbegrenzend beschichtet wird.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen plasmaangeregten thermischen Verdampfungsprozess und eine Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens anzugeben, die nicht die dargestellten Nachteile der bisherigen Lösungen aufweisen und ohne die Notwendigkeit der Anordnung plasmaerzeugender Komponenten im Dampfausbreitungsbereich wirksam sind.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und eine Einrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 16 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur plasmaaktivierten Verdampfung eines in einem Verdampfertiegel bereitgestellten Verdampfungsguts zur Beschichtung eines Substrats in einer Prozesskam mer, bei der die Energie der Dampfteilchen des Verdampfungsguts durch Bereitstellung eines Plasmas erhöht wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma durch ein Magnetron erzeugt wird.
  • Unter einem Magnetron soll in diesem Zusammenhang insbesondere eine auf negativem Potential liegende Einrichtung zur Aufnahme von Verdampfungsmaterial (Verdampfertiegel) verstanden werden, unter welcher eine Anordnung von Magneten platziert ist, die im Bereich des Verdampfungsgutes ein Magnetfeld erzeugt. Die besondere Magnetfeldkonfiguration führt dazu, dass durch Überlagerung von elektrischem und magnetischem Feld die Elektronen in einem geschlossenen Bereich (einer sogenannten „magnetischen Flasche") eingefangen werden, was dort eine Erhöhung der Ladungsträger-/Plasmadichte bewirkt. Dabei können beispielsweise Elektromagneten oder Permanentmagneten verwendet werden, wobei Permanentmagneten besonders kostengünstig und wartungsarm sind und im Gegensatz zu Elektromagneten keine Energieversorgung benötigen. Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, eine plasmaaktivierte Verdampfung durch Kombination einer thermischen Verdampfung, beispielsweise einer Elektronenstrahlverdampfung, mit dem Magnetronsputtern herbeizuführen und auf diese Weise die Schichteigenschaften bei gleichzeitig hohen Beschichtungsraten zu verbessern. Dabei kann zur Dampferzeugung besonders vorteilhaft ein Elektronenstrahl eingesetzt werden, jedoch können das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Einrichtung auch mit einem Laserstrahl oder einer anderen Energiequelle zusätzlich zum Sputterprozess betrieben werden.
  • Dem Verfahren innewohnend ist die positive Eigenschaft, dass das Plasma an der Oberfläche des Verdampfungsguts brennt. Dabei ist es vorteilhaft, dass das Plasma so erzeugt wird, dass es in einem Bereich der Oberfläche des Verdampfungsguts brennt, der einen Bereich der Oberfläche des Verdampfungsguts umschließt, in dem Verdampfungsgut verdampft wird.
  • Wie oben bereits erwähnt, kann das Verdampfungsgut besonders vorteilhaft durch Strahlverdampfen, beispielsweise unter Verwendung eines Elektronenstrahls oder eines Laserstrahls verdampft werden. Unter dem Begriff des Verdampfens soll dabei sowohl das Schmelzen und anschließende Verdampfen des Verdampfungsguts wie auch das direkte Überführen des Verdampfungsguts vom festen in den gasförmigen Zustand unter Umgehung des flüssigen Zustands (Sublimation) verstanden werden.
  • Weiter kann vorgesehen sein, dass in den Bereich der Oberfläche des Verdampfungsguts ein Trägergas zur Erzeugung des Plasmas eingeleitet wird. Sofern in dem Verfahren auf dem Substrat reaktiv erzeugte Schichten aus einem Reaktionsprodukt des Verdampfungsguts hergestellt werden sollen, ist es weiter vorteilhaft, in den Bereich der Oberfläche des Verdampfungsguts ein Reaktivgas zur Erzeugung chemischer Verbindungen des Verdampfungsguts einzuleiten.
  • Wie sich überraschenderweise gezeigt hat, ist es nicht in jedem Fall notwendig, mit einem Trägergas zu arbeiten, da bei der Erzeugung hoher Dampfraten die Magnetronentladung auch im erzeugten Dampf bzw. in dem Gemisch aus dem Dampf und einem Reaktivgas brennt.
  • Insbesondere bei Verwendung einer Elektronenstrahlkanone als Energiequelle der Verdampfung ist es notwendig, die vom Elektronenstrahl erzeugten elektrischen Ladungen vom Verdampfertiegel über einen Widerstand gegen Masse abzuführen.
  • Eine verstärkte Beschleunigung positiver Ionen des Plasmas zum Substrat lässt sich dadurch erzielen, dass an das Substrat eine negative Biasspannung angelegt wird.
  • Als Anode für die Magnetronentladung kann gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung die Prozesskammer dienen, die auf Massepotential liegt. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass für die Magnetronentladung eine separate Anode verwendet wird.
  • Wenn bei dem erfindungsgemäßen Verfahren aus mindestens zwei elektrisch voneinander isolierten Verdampfertiegeln gleichzeitig Verdampfungsgut verdampft wird, kann vorteilhaft vorgesehen sein, dass an beide Verdampfertiegel eine Wechselspannung so angelegt wird, dass sie wechselseitig als Anode bzw. Kathode für die Magnetronentladung verwendet werden. Dabei beträgt die Frequenz der Wechselspannung abhängig vom zu verdampfenden Verdampfungsgut bzw. zu erzeugenden Reaktionsprodukt bis zu einigen Hundert Kilohertz. Bei einer derartigen Schaltung der Verdampfertiegel kann auf eine separate Anode verzichtet werden. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass bei reaktiven Prozessen die während der Anodenphase auf dem Verdampfertiegel abgeschiedene, unerwünschte isolierende Schicht in der Kathodenphase wieder entfernt, der Verdampfertiegel mithin periodisch gereinigt wird.
  • Um eine kontinuierliche Arbeitsweise zu gewährleisten, ist es vorteilhaft, dass während des Verdampfens Verdampfungsgut in den oder die Verdampfertiegel nachgefüllt wird. Dies kann beispielsweise durch Zufuhr eines Materialstrangs oder von granuliertem Verdampfungsmaterial in den Verdampfertiegel von oben erfolgen. In vielen Fällen hat es sich als vorteilhaft erwiesen, dass das Verdampfungsgut als Strang durch eine dafür vorgesehene Öffnung im Boden des Verdampfertiegels nachgefüllt wird.
  • Eine weitere Möglichkeit zur Nachfütterung von Verdampfungsgut, insbesondere von sublimierenden und semi-schmelzenden Materialien, ist die Relativbewegung der Einrichtung zur Aufnahme des Beschichtungsmaterials relativ zu Magnetanordnung und Auftreffbereich des Elektronenstrahls.
  • Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die nachfolgend beschriebene Einrichtung vorgeschlagen:
    Die erfindungsgemäße Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens umfasst mindestens einen als Magnetron ausgeführten Ver dampfertiegel zur Bereitstellung des Verdampfungsguts und mindestens eine Energiequelle zur Bereitstellung der Verdampfungsenergie. Mit der Magnetroneinrichtung kann zusätzlich zur Verdampfung des Verdampfungsguts durch die Energiequelle im Bereich der Verdampfung des Verdampfungsguts ein dichtes Plasma erzeugt werden, das zur Ionisierung der Dampfteilchen und damit zur Verbesserung der Schichteigenschaften führt. Der Begriff des Magnetrons entspricht der oben bereits getroffenen Definition.
  • Wie bei der Beschreibung des Verfahrens bereits dargelegt, kann die Energiequelle vorteilhaft eine über dem Verdampfertiegel angeordnete Elektronenstrahlkanone oder Laserkanone sein.
  • Weiter vorteilhaft ist, wenn das Magnetron ein unter dem Verdampfertiegel angeordnetes Permanentmagnetsystem enthält, da derartige Ausführungsformen besonders wartungsarm sind. Dabei muss die Anordnung so ausgestaltet sein, dass ein geschlossenes Magnetfeld erzeugt wird. Dadurch wird in diesem Bereich ein Plasma erzeugt, das beispielsweise so auf der Oberfläche des im Verdampfertiegel bereitgestellten Verdampfungsguts brennt, dass der von der Energiequelle gespeiste Bereich der Oberfläche, d. h. der Bereich, in dem die Verdampfung stattfindet, vom Plasma umschlossen wird. Die Feldlinien des Magnetfelds treten in diesem Fall im Bereich der Dampferzeugung durch das Verdampfungsgut hindurch, so dass der Elektronenstrahl im Wesentlichen längs der Feldlinien unabgelenkt die Verdampferoberfläche erreicht. Das Magnetron kann beispielsweise als Ringmagnetron oder als Längsmagnetron ausgebildet sein.
  • Zur Vergrößerung des Quellbereichs kann auch vorgesehen sein, dass jedem Verdampfertiegel mindestens zwei Anordnungen von Magneten zugeordnet sind. Im Falle von ringförmigen Magnetrons können mehrere solcher Magnetanordnungen vorteilhaft so angeordnet werden, dass je ein Ringmagnetron ein anderes Ringmagnetron umschließt (z. B. als Doppelringmagnetron).
  • Weiterhin kann gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung vorgesehen sein, dass mindestens eine Gaseinlasseinrichtung zur Einleitung eines Trägergases zur Erzeugung des Plasmas oder/und eines Reaktivgases zur Erzeugung chemischer Verbindungen des Verdampfungsguts vorgesehen ist. Ebenfalls vom Erfindungsgedanken umfasst sind Ausgestaltungen, bei denen für die Einleitung des Trägergases und des Reaktivgases separate Gaseinlasseinrichtungen vorgesehen sind.
  • Wie bei der Beschreibung des Verfahrens bereits dargelegt, kann die Prozesskammer selbst als Anode der Magnetronentladung genutzt werden. Diese Ausgestaltung hat den Vorteil, dass eine große Anodenfläche vorhanden ist. Für das Anlegen einer Biasspannung an ein auf Masse liegendes Substrat ist in einer weiteren Ausgestaltung vorgesehen, dass eine separate Anode für die Magnetronentladung eingesetzt wird.
  • Um bei reaktiven Prozessen die Problematik der Beschichtung der Anode mit isolierendem Beschichtungsmaterial zu umgehen, kann außerdem vorgesehen sein, dass mindestens zwei elektrisch voneinander isolierte Verdampfertiegel betrieben werden, an die eine Wechselspannung so angelegt werden kann, dass sie wechselseitig als Anode bzw. Kathode für die Magnetronentladung verwendet werden. Auf diese Weise wird jeder Verdampfertiegel während der Kathodenphase von unerwünschten Beschichtungen befreit. Eine zusätzliche Anode ist in diesem Falle nicht notwendig.
  • Zur Erreichung einer kontinuierlichen Arbeitsweise der Einrichtung ist gemäß einer weiteren Ausgestaltung vorgesehen, dass weiterhin eine Nachfülleinrichtung zum Nachfüllen von Verdampfungsgut in den oder die Verdampfertiegel während des Verdampfens eingesetzt wird. Um den Verdampfertiegel ohne Beeinträchtigung der dampfabgebenden Fläche nachfüllen zu können, ist es vorteilhaft, dass im Boden des Verdampfertiegels eine Öffnung zum Nachfüllen des Verdampfungsguts in Stabform vorgesehen ist.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen
  • 1 ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
  • 2 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung,
  • 3 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
  • 4 drei weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung.
  • Die Einrichtung gemäß 1 ist folgendermaßen konfiguriert: In einer Vakuumkammer ist ein Verdampfertiegel (3) angeordnet, in welchem sich das Verdampfungsgut (5) befindet. Der Tiegel kann ein wassergekühlter Kupfertiegel oder ein Graphittiegel oder ein Keramiktiegel sein. Unterhalb des Verdampfertiegels (3) befindet sich die Magnetanordnung (8), die aus Permanentmagneten (9) und mindestens einer Rückschlussplatte (10) besteht. Der Elektronenstrahl (2), welcher von einer Elektronenstrahlkanone (1) erzeugt wird, beaufschlagt das Verdampfungsgut (5) im Zentralbereich der Magnetanordnung (8), wo die Magnetfeldlinien durch das Verdampfungsgut (5) hindurchtreten.
  • Die Einrichtung enthält weiterhin (in der Figur nicht dargestellte) Komponenten einer Gaseinlasseinrichtung, die den Einlass eines Trägergases zur Zündung der Magnetronentladung (7) erlauben und die ferner den Einlass von Reaktivgas für reaktive Beschichtungsprozesse erlauben. Als Anode für die Magnetronentladung (7) dient die in der Figur nicht dargestellte, geerdete Vakuumkammer. Über dem Verdampfertiegel (3) befindet sich das in der Figur nicht dargestellte, zu beschichtende Substrat, welches stationär oder, durch Bewegung des Substrats über den Beschichtungsbereich hinweg, dynamisch beschichtet werden kann. Dabei kann es sich beispielsweise um Endlossubstrate oder um Platten oder um räumlich geformte Teile handeln. Innerhalb der Beschichtungsanlage können auch mehrere derartige Einrichtungen angeordnet sein, um bestimmte Quellverteilungen für Großflächenbeschichtungsprozesse zu erzeugen.
  • Das Verdampfungsgut (5) wird durch den Elektronenstrahl (2) gegebenenfalls verflüssigt, auf jeden Fall aber verdampft. Durch den Einlass eines Trägergases für eine Magnetronentladung (7), zum Beispiel Argon, kann um die vom Elektronenstrahl (2) beaufschlagte Oberfläche des Verdampfungsguts (5) herum eine Magnetronentladung (7) gezündet werden, wodurch sich ein Plasma ausbildet. Zusätzlich kann für reaktive Prozesse ein Reaktivgas eingelassen werden. Der Elektronenstrom des Elektronenstrahls (2) wird vom Verdampfertiegel (3) über einen Widerstand gegen Masse abgeführt. Durch Anlegen einer Biasspannung zwischen Verdampfertiegel (3) und Substrat können Ionen aus dem Plasma zum Substrat hin beschleunigt werden.
  • Die Ausführungsform in 2 entspricht weitgehend der oben beschriebenen Ausführungsform aus 1. Die hier dargestellte Einrichtung weist jedoch zusätzlich eine nicht näher dargestellte Nachfülleinrichtung zum Nachfüllen von Verdampfungsgut (5) in den Verdampfertiegel (3) während des Verdampfens auf. Hierzu ist im Boden des Verdampfertiegels (3) eine Öffnung (4) zum Nachfüllen des Verdampfungsguts (5) vorgesehen, durch die das Nachfüllen von unten durch einen umgekehrten Strangnachschub durch die Öffnung (4) hindurch erfolgt.
  • 3 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, bei der unterhalb des Verdampfertiegels (3) zwei sich umschließende Magnetanordnungen (8) existieren, die jeweils aus Permanentmagneten (9) und Rückschlussplatte (10) bestehen.
  • 4 enthält drei Darstellungen, bei denen die Bestandteile der Einrichtung jeweils unterschiedlich geschaltet sind.
  • Die linke Abbildung zeigt dabei schematisch, dass das Substrat (6) auf negativer Biasspannung liegt. Als Anode für die Magnetronentladung (7) dient die (in der Figur nicht dargestellte) geerdete Vakuumkammer.
  • In der mittleren Abbildung ist das Substrat (6) geerdet, während für die Magnetronentladung (7) eine separate Anode (11) verwendet wird.
  • Bei der rechten Abbildung ist das Substrat (6) wiederum geerdet, während die Verdampfung aus zwei Verdampfertiegeln (3) erfolgt. Eine derartige Doppeltiegelanordnung ist insbesondere zur Durchführung reaktiver Prozesse zweckmäßig einsetzbar. Die beiden Verdampfertiegel (3) sind voneinander und gegen Masse isoliert. An sie wird eine Wechselspannung im Frequenzbereich zwischen 0 und einigen 100 kHz angelegt, so dass die Verdampfertiegel (3) wechselnd als Kathode oder Anode fungieren. Auf diese Weise kann auf eine separate Anode verzichtet werden. Bei reaktiven Prozessen wird die jeweilige Anode frei gehalten und nicht von isolierenden Materialien bedeckt.
  • 1
    Energiequelle, Elektronenstrahlkanone
    2
    Energiezufuhr, Elektronenstrahl
    3
    Verdampfertiegel
    4
    Öffnung
    5
    Verdampfungsgut
    6
    Substrat
    7
    Magnetronentladung
    8
    Magnetanordnung
    9
    Permanentmagneten
    10
    Rückschlussplatte(n)

Claims (28)

  1. Verfahren zur plasmaaktivierten Verdampfung eines in einem Verdampfertiegel (3) bereitgestellten Verdampfungsguts (5) zur Beschichtung eines Substrats (6) in einer Prozesskammer, bei der von außen zugeführte Energie zur Verdampfung von Material genutzt wird und die Energie der Dampfteilchen des Verdampfungsguts (5) durch Bereitstellung eines Plasmas erhöht wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma durch ein Magnetron (8) erzeugt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Magnetronentladung direkt auf der Oberfläche des Verdampfungsguts brennt und damit ein Plasma unmittelbar über der Oberfläche des Verdampfungsguts (5) erzeugt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma so erzeugt wird, dass es in einem Bereich der Oberfläche des Verdampfungsguts (5) brennt, der einen Bereich der Oberfläche des Verdampfungsguts (5) umschließt, in dem Verdampfungsgut (5) verdampft wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge kennzeichnet, dass das Verdampfungsgut (5) durch Strahlverdampfen verdampft wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Strahlverdampfen mit Hilfe eines Elektronenstrahls (2) durchgeführt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Strahlverdampfen mit Hilfe eines Laserstrahls durchgeführt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Prozessbereich ein Trägergas zur Erzeugung des Plasmas eingeleitet wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Prozessbereich ein Reaktivgas zur Erzeugung chemischer Verbindungen des Verdampfungsguts (5) eingeleitet wird.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass elektrische Ladungen vom Verdampfertiegel (3) über einen Widerstand gegen Masse abgeführt werden.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an das Substrat (6) eine konstante oder mit Frequenzen bis zu einigen Kilohertz gepulste Biasspannung angelegt wird.
  11. Verfahren nach einem Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass als Anode für die Magnetronentladung (7) die auf Massepotential liegende Prozesskammer dient.
  12. Verfahren nach einem Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass für die Magnetronentladung (7) eine separate Anode (11) verwendet wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch ge kennzeichnet, dass aus mindestens zwei elektrisch voneinander isolierten Verdampfertiegeln (3) gleichzeitig Verdampfungsgut (5) verdampft wird, wobei an beide Verdampfertiegel (3) eine Wechselspannung so angelegt wird, dass sie wechselseitig als Anode bzw. Kathode für die Magnetronentladung (7) verwendet werden.
  14. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des Verdampfens Verdampfungsgut (5) in den oder die Verdampfertiegel (3) nachgefüllt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Verdampfungsgut (5) als Strang durch eine dafür vorgesehene Öffnung (4) im Boden des Verdampfertiegels (3) nachgefüllt wird.
  16. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Tiegel relativ zur Magnetanordnung und zum Auftreffort des Elektronenstrahls bewegt wird.
  17. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16, umfassend mindestens einen Verdampfertiegel (3) zur Bereitstellung des Verdampfungsguts (5), mindestens eine Energiequelle zur Bereitstellung der Verdampfungsenergie sowie mindestens ein Magnetron zur Erzeugung eines Plasmas.
  18. Einrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiequelle eine über dem Verdampfertiegel (3) angeordnete Elektronenstrahlkanone (1) ist.
  19. Einrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiequelle eine über dem Verdampfertiegel (3) angeordnete Laserkanone ist.
  20. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetanordnung (8) ein unter dem Verdampfertiegel (3) befindliches Permanentmagnetsystem (9, 10) ist.
  21. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetanordnung (8) ein unter dem Verdampfertiegel (3) befindliches Elektromagnetsystem ist, welches eine stufenlos einstellbare Magnetfeldstärke an der Oberfläche des Verdampfungsguts generiert.
  22. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Verdampfertiegel (3) mindestens zwei Magnetanordnungen (8) zugeordnet sind.
  23. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass weiterhin mindestens eine Gaseinlasseinrichtung zur Einleitung eines Trägergases zur Erzeugung des Plasmas oder/und eines Reaktivgases zur Erzeugung chemischer Verbindungen des Verdampfungsguts (5) vorgesehen ist.
  24. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass weiterhin eine separate Anode (11) für die Magnetronentladung (7) vorgesehen ist.
  25. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei elektrisch voneinander isolierte Verdampfertiegel (3) vorgesehen sind, an die eine Wechselspannung so angelegt werden kann, dass sie wechselseitig als Anode bzw. Kathode für die Magnetronentladung (7) verwendet werden.
  26. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass weiterhin eine Nachfülleinrichtung zum Nachfüllen von Verdampfungsgut (5) in den oder die Verdampfertiegel (3) während des Verdampfens vorgesehen ist.
  27. Einrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass im Boden des Verdampfertiegels (3) eine Öffnung (4) zum Nachfüllen von strangförmigem Verdampfungsgut (5) vorgesehen ist.
  28. Einrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Verdampfertiegel (3) relativ zum Auftreffort des Elektronenstrahls und zur Magnetanordnung (8) bewegbar ist.
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