DE102007060219A1 - Gleichrichterschaltung - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung beschreibt Gleichrichterschaltungen, welche anstelle von Dioden zur Gleichrichtung von Wechselspannungen verwendbar sind und wie Dioden Zweipole mit einem Kathodenanschluss und eine Anodenanschluss bilden. Die Verlustleistung dieser Gleichrichterschaltungen ist deutlich geringer als die Verlustleistung von Silizium-PN-Dioden. Weiterhin beinhalten diese Gleichrichterschaltungen Spannungsklammerungfunktionen.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Gleichrichterschaltung.
- Stand der Technik
- Zur Erzeugung von Gleichspannungen aus Wechselspannungen werden derzeit meist Gleichrichterbrücken verwendet, die aus einer Zusammenschaltung von Dioden bestehen.
- Die Umwandlung einer Wechselspannung in eine Gleichspannung erfolgt beispielsweise in einem Kraftfahrzeug, in welchem mittels eines Generators eine Wechselspannung erzeugt wird, die mittels einer nachgeschalteten Gleichrichterbrücke in eine Gleichspannung umgewandelt wird.
- Ein Beispiel für eine derartige Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs ist in der
1 gezeigt. Diese enthält eine Generatorvorrichtung GEN, welche eine Erregerwicklung G und sternförmig geschaltete Phasenwicklungen U, V und W aufweist. Die an den Phasenwicklungen U, V und W bereitgestellten Phasenspannungen werden einer Gleichrichterbrücke RF zugeführt, welche an ihrem Ausgang die gewünschte Gleichspannung bereitstellt. Die Gleichrichterbrücke RF enthält drei Brückenzweige. In jedem dieser Brückenzweige sind zwei Silizium-PN-Dioden D vorgesehen. - Physikalisch bedingt kommt es bei einem Vorwärtsbetrieb von Silizium-PN-Dioden in Gleichrichteranwendungen zu Diodenflussspannungen von ca. 800 mV bis ca. 2 V. Diese Diodenflussspannungen lassen sich bei sinnvoller Dimensionierung üblicherweise nicht unter ca. 1 V absenken. Besonders bei einer Gleichrichtung niedriger Wechselspannungen entstehen deshalb beachtliche Leistungsverluste an den Gleichrichterdioden. Bei Generatoren, die der Spannungsversorgung von Personenkraftfahrzeugen dienen, betragen die gleichzurichtenden Wechselspannungen üblicherweise ca. 17 V Spitze-Spitze zwischen den Anschlüssen zweier Phasenwicklungen. Da der Strom über zwei Gleichrichterdioden fließt, entsteht durch die Gleichrichtung eine Spannungsreduktion im Mittel von ca. 2 V. Bei diesem Beispiel beträgt der Leistungsverlust im Gleichrichter bei entsprechender Last ca. 20% der abgegebenen Leistung. Die im Gleichrichter umgesetzte Verlustleistung ist in Form von Wärme durch aufwendige Kühlelemente abzuführen. Zudem wirken sich die Leistungsverluste direkt auf den Kraftstoffverbrauch des jeweiligen Fahrzeugs aus.
- Vorteile der Erfindung
- Eine Gleichrichterschaltung mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen weist demgegenüber den Vorteil auf, dass der Leistungsverlust reduziert ist und aus diesem Grund der Aufwand für eine Kühlung ebenfalls reduziert werden kann.
- Dies wird im Wesentlichen dadurch erreicht, dass in einer Gleichrichterbrücke anstelle von Silizium-PN-Dioden Gleichrichterschaltungen gemäß der Erfindung verwendet werden, wobei jede Silizium-PN-Diode der Gleichrichterbrücke durch eine derartige Gleichrichterschaltung ersetzt werden kann. Schaltungstechnische Veränderungen des Gesamtsystems sind nicht notwendig. Die Gleichrichterschaltungen gemäß der Erfindung benötigen keine separaten Stromversorgungen und auch keine separaten Signaleingänge.
- Die Flussspannungen von Silizium-PN-Dioden lassen sich beim Gleichrichterbetrieb üblicherweise nicht unter ca. 11 V absenken. Durch die Verwendung von Gleichrichterschaltungen gemäß der Erfindung anstelle von Silizium-PN-Dioden sind die Flussspannungen auf bis zu ca. 25 mV ab senkbar. Damit ist es möglich, die Leistungsverluste der Gleichrichter und den Aufwand für deren Kühlung deutlich zu reduzieren.
- Weitere vorteilhafte Eigenschaften der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Erläuterung von Ausführungsbeispielen anhand der
2 –7 . - Zeichnung
- Die
2 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Die3 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Die4 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Die5 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Die6 zeigt beispielhaft die Strom-Spannungskennlinie einer Silizium-PN-Diode und die Strom-Spannungskennlinie einer Gleichrichterschaltung gemäß der Erfindung. Die7 veranschaulicht eine Realisierung einer Gleichrichterschaltung gemäß der Erfindung in Form eines elektronischen Bauelementes. - Beschreibung
- Die
2 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. - Die in der
2 dargestellte Gleichrichterschaltung kann anstelle einer Silizium-PN-Diode beispielsweise in einer Gleichrichterbrücke zum Einsatz kommen. Sie weist ebenso wie eine Silizium-PN-Diode einen Kathodenanschluss K1 und einen Anodenanschluss A1 auf. Der MOS-Transistor T1 und die Inversdiode D6 sind parallel geschaltet und bilden technologisch bedingt in dieser Verschaltung zusammen ein mikroelektronisches Bauelement. - Die in der
2 gezeigte Gleichrichterschaltung weist einen symmetrisch aufgebauten Differenzverstärker auf, der von den Transistoren T2 und T3 und Widerständen R1, R2 und R3 gebildet wird. Ein erster Eingang dieses Differenzverstärkers ist über eine Diode D1 mit dem Kathodenanschluss K1 und dem Drainanschluss des MOS-Transistors T1 verbunden. Ein zweiter Eingang dieses Differenzverstärkers ist über eine Diode D2 mit dem Anodenanschluss A1 verbunden. Dieser Differenzverstärker verstärkt die zwischen dem Kathodenanschluss K1 und dem Anodenanschluss A1 der Gleichrichterschaltung vorliegende Potentialdifferenz. Wegen des symmetrischen Aufbaus des Differenzverstärkers wirken sich Temperaturunterschiede und Alterungseffekte nur im geringem Umfang auf die Eigenschaften des Differenzverstärkers aus. - Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers steht am Kollektor des Transistors T3 zur Verfügung und wird über einen Widerstand R4 an den Eingang einer Stromverstärkerstufe weitergegeben. Diese Stromverstärkerstufe besteht aus den Transistoren T4 und T5, deren Basen zusammengeschaltet sind. Die Zenerdiode D5 wirkt als Schutzelement für den Transistor T1 und schützt dessen Gate vor Überspannungen.
- Beim Gleichrichten einer Wechselspannung liegt zwischen dem Kathodenanschluss K1 und dem Anodenanschluss A1 eine Wechselspannung der Frequenz f an. Bei positivem Potential am Kathodenanschluss K1 ist der MOS-Transistor T1 mit seiner integrierten Inversdiode D6 im Sperrbetrieb und der Kondensator C1 kann sich über die Diode D3 und den Widerstand R5 aufladen. Die am Kondensator C1 anliegende Spannung dient der Versorgung der weiteren Bauteile der Gleichrichterschaltung.
- Ist das elektrische Potential am Kathodenanschluss K1 hingegen negativer als das elektrische Potential am Anodenanschluss A1 der Gleichrichterschaltung, dann ist die Gate-Source-Spannung des MOS-Transistors T1 positiv und höher als dessen Schwellenspannung. Der MOS-Transistor T1 ist bei diesen Bedingungen leitend, wobei ein Stromfluss mit dieser Stromrichtung nur einen geringen Spannungsabfall verursacht.
- Ist das elektrische Potential am Kathodenanschluss K1 der Gleichrichterschaltung wieder positiver als das elektrische Potential am Anodenanschluss A1 der Gleichrichterschaltung, dann ist die Gate-Source-Spannung des MOS-Transistors T1 kleiner als dessen Schwellenspannung. Bei diesen Bedingungen sperrt der MOS-Transistor T1. Aus diesem Grund ist der Stromfluss durch den MOS-Transistor T1 nur sehr gering.
- Ist das elektrische Potential am Kathodenanschluss K1 der Gleichrichterschaltung positiver als das elektrische Potential am Anodenanschluss A1 der Gleichrichterschaltung und übersteigt diese Potentialdifferenz einen durch die Zenerdiode D4 eingestellten Wert, dann wird das Eingangspotential der aus den Transistoren T4 und T5 bestehenden Stromverstärkerstufe angehoben. Dadurch erhöht sich auch die Gate-Source-Spannung des MOS-Transistors T1 und es kommt zu einem Stromfluss zwischen Drain und Source des MOS-Transistors T1. Dieser Stromfluss begrenzt bei den gegebenen Bedingungen die elektrische Potentialdifferenz zwischen dem Kathodenanschluss K1 und dem Anodenanschluss A1 der Gleichrichterschaltung auf einen vorbestimmten Wert. Dieses Merkmal der Begrenzung der Potentialdifferenz stellt eine Spannungsklammerung dar und bildet in speziellen Fällen einen Loaddumpschutz.
- Die
3 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Der Aufbau und die Funktionalität der in der3 dargestellten Gleichrichterschaltung stimmen mit dem Aufbau und der Funktionalität der in der2 gezeigten Gleichrichterschaltung weitgehend überein. Die in der3 ge zeigte Gleichrichterschaltung unterscheidet sich von der in der2 gezeigten Gleichrichterschaltung lediglich dadurch, dass die Basen der beiden Transistoren T9 und T10, die die Stromverstärkerstufe bilden, nicht über eine Zenerdiode und einen Widerstand mit der Kathode der Diode D9 verbunden sind. Folglich weist das in der3 gezeigte Ausführungsbeispiel das Merkmal der Begrenzung der Potentialdifferenz zwischen dem Kathodenanschluss K2 und dem Anodenanschluss A2 der Gleichrichterschaltung, d. h. das Merkmal der Spannungsklammerung, nicht auf. - Die
4 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Der Aufbau und die Funktionalität der in der4 dargestellten Gleichrichterschaltung stimmen mit dem Aufbau und der Funktionalität der in der2 gezeigten Gleichrichterschaltung weitgehend überein. Die in der4 gezeigte Gleichrichterschaltung unterscheidet sich von der in der2 gezeigten Gleichrichterschaltung dadurch, dass die Funktionsmerkmale der Spannungsklammerung und der Stromverstärkung nicht vorgesehen sind. Die Ansteuerung des Steuereingangs bzw. des Gateanschlusses des MOS-Transistors T11 erfolgt direkt vom Ausgang des Differenzverstärkers, der bei dem in der4 gezeigten Ausführungsbeispiel von den Transistoren T12 und T13 und den Widerständen R10, R11 und R12 gebildet wird. - Bei diesem Ausführungsbeispiel kann sich durch den Verzicht auf die Stromverstärkerstufe bedingt durch die Dimensionierung der weiteren Bauteile der Gleichrichterschaltung die Stromaufnahme der Schaltung erhöhen. Weiterhin kann sich dadurch auch die maximale Frequenz f der gleichzurichtenden Spannung reduzieren, da die Aufladung und Entladung des Gates des MOS-Transistors T11 bei diesen Bedingungen langsamer erfolgt.
- Die
5 zeigt eine Gleichrichterschaltung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel für die Erfindung. Der Aufbau und die Funktionalität der in der5 dargestellten Gleichrichterschaltung stimmen mit dem Aufbau und der Funktionalität der in der2 gezeigten Gleichrichterschaltung weitgehend überein. Die in der5 gezeigte Gleichrichterschaltung unterscheidet sich von der in der2 gezeigten Gleichrichterschaltung dadurch, dass der erste Eingang des Differenzverstärkers T15, T16, R13, R14, R15 nicht über eine Diode, sondern direkt an den Kathodenanschluss K4 der Gleichrichterschaltung und den Drainanschluss des MOS-Transistors T14 angeschlossen ist, und weiterhin dadurch, dass der zweite Eingang dieses Differenzverstärkers nicht über eine Diode, sondern direkt mit dem Anodenanschluss A4 der Gleichrichterschaltung verbunden ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird davon ausgegangen, dass die Basis-Emitter-Inverssperrfähigkeit des Transistors T15 des Differenzverstärkers stets größer ist als die während des Betriebes der Gleichrichterschaltung maximal daran anliegenden Spannungen. - Die
6 zeigt beispielhaft die Strom-Spannungskennlinie einer Silizium-PN-Diode und die Strom-Spannungskennlinie einer Gleichrichterschaltung gemäß der Erfindung. Aus der6 ist ersichtlich, dass die Flussspannung UARF einer Gleichrichterschaltung gemäß der Erfindung im Vergleich zur Flussspannung UPND einer Silizium-PN-Diode vergleichsweise gering ist. - Die
7 zeigt eine Realisierung einer Gleichrichterschaltung gemäß der Erfindung in Form eines elektronischen Bauelementes. Gleichrichterschaltungen gemäß der Erfindung lassen sich aus diskreten Bauelementen oder aus speziell entwickelten Bauelementen zusammensetzen. Aus der7 ist ein derartiges verlustarmes elektronisches Bauelement ersichtlich, das aus einem MOS-Transistor MOS, einem Kondensator C, einem Baugruppenträger B und einer integrierten Schaltung IC besteht. Die integrierte Schaltung IC beinhaltet alle elektronischen Bauelemente der Gleichrichterschaltung mit Ausnahme des MOS-Transistors und des Kondensators. Das elektronische Bauelement gemäß7 ist wie eine Silizium-PN-Diode verschaltbar. Dabei entspricht der Anodenanschluss A des elektronischen Bauelementes dem Anodenanschluss einer Silizium-PN-Diode und der Kathodenanschluss K des elektronischen Bauelementes dem Kathodenanschluss einer Silizium-PN-Diode.
Claims (17)
- Gleichrichterschaltung, welche einen Kathodenanschluss (K1), einen Anodenanschluss (A1) und eine zwischen dem Kathodenanschluss und dem Anodenanschluss vorgesehene elektronische Schaltung aufweist, welche einen MOS-Transistor (T1) mit integrierter Inversdiode (D6), einen Kondensator (C1) und einen Differenzverstärker (T2, T3, R1, R2, R3) enthält.
- Gleichrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator (C2) über eine Diode (D9) mit dem Kathodenanschluss (K2) verbunden ist.
- Gleichrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator (C1) über eine Reihenschaltung einer Diode (D3) und eines Widerstandes (R5) mit dem Kathodenanschluss (K1) verbunden ist.
- Gleichrichterschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Eingang des Differenzverstärkers (T2, T3, R1, R2. R3) mit dem Kathodenanschluss (K1) und der zweite Eingang des Differenzverstärkers mit dem Anodenanschluss (A1) verbunden ist.
- Gleichrichterschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Eingang des Differenzverstärkers mit dem Kathodenanschluss (K1) über eine Diode (D1) verbunden ist und der zweite Eingang des Differenzverstärkers mit dem Anodenanschluss (A1) ebenfalls über eine Diode (D2) verbunden ist.
- Gleichrichterschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Differenzverstärker symmetrisch aufgebaut ist.
- Gleichrichterschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Stromverstärkerstufe (T9, T10) aufweist.
- Gleichrichterschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Eingang der Stromverstärkerstufe mit dem Ausgang des Differenzverstärkers verbunden ist.
- Gleichrichterschaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverstärkerstufe zwei Transistoren (T9, T10) aufweist, deren Steueranschlüsse miteinander verbunden sind.
- Gleichrichterschaltung nach einem der Ansprüche 7–9, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromverstärkerstufe zwei Transistoren (T9, T10) aufweist, deren Emitter miteinander verbunden sind.
- Gleichrichterschaltung nach einem der Ansprüche 7–10, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang der Stromverstärkerstufe (T9, T10) mit dem Steuereingang des MOS-Transistors (T1) verbunden ist.
- Gleichrichterschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen Begrenzer aufweist, der die Potentialdifferenz zwischen dem Kathodenanschluss (K1) und dem Anodenanschluss (A1) auf einen vorgegebenen Wert begrenzt.
- Gleichrichterschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie mindestens ein Überspannungsschutzelement (D5) aufweist.
- Elektronisches Bauelement zur Gleichrichtung von Wechselspannungen, das mindestens eine Gleichrichterschaltung gemäß einem der Ansprüche 1–13 aufweist.
- Elektronisches Bauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass es mindestens einen Baugruppenträger (B), mindestens einen MOS-Transistor (MOS), mindestens eine integrierte Schaltung (IC) und mindestens einen Kondensator (C) enthält.
- Generator zur Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs, der mindestens eine Gleichrichterschaltung nach einem der Ansprüche 1–13 enthält.
- Generator zur Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs, der mindestens ein elektronisches Bauelement nach Anspruch 14 oder 15 enthält.
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