DE102007049121A1 - Hochfrequenzfilter - Google Patents

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Abstract

Eine erste mehrfach abgestimmte Schaltung (3) und eine zweite mehrfach abgestimmte Schaltung (4) sind in Reihe zwischen einem Eingangsanschluss (1) und einem Ausgangsanschluss (2) geschaltet, die über eine Koppelkondensator-Teilerschaltung (5) zur Bildung eines Bandpassfilters verschaltet sind. In der Koppelkondensator-Teilerschaltung (5) ist ein Anschluss einer Induktivität (8) als der andere Anschluss der ersten mehrfach abgestimmten Schaltung (3) mit dem anderen Anschluss des ersten Koppelkondensators (18) über einen zweiten Koppelkondensator (19) verbunden, und ein Anschluss der Induktivität (11) ist als der andere Anschluss der zweiten mehrfach abgestimmten Schaltung (4) mit dem einen Anschluss des ersten Koppelkondensators (18) über einen dritten Koppelkondensator (20) verbunden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Hochfrequenzfilter, welches für ein Bandpassfilter und dergleichen mit starkem Dämpfungsverlauf auf der Tiefpass-Seite eingesetzt werden kann.
  • In jüngerer Zeit fand die Datenkommunikation über ein Funk-LAN (WLAN), beispielsweise nach der Norm IEEE 802.11, große Verbreitung, es wird in zunehmendem Maß eingesetzt als tragbare Funk-Terminaleinheit, beispielsweise in Form eines Mobiltelefons. 8 ist ein funktionelles Blockdiagramm, welches einen beispielhaften Aufbau eines Mobiltelefons mit zugehörigen Funk-Modulen für das WLAN und das in dem einzelnen Gehäuse enthaltene Mobiltelefon veranschaulicht. Ein Gehäuse 100 enthält ein Funk-Modul 101 für das Mobiltelefon, außerdem ein Funkmodul 102 für das WLAN. Diese Modulen sind über ein Anwendungs-IC 103 angeschlossen an Bauteile wie einem Monitor 104, einen Lautsprecher 105, ein Mikrofon 106 und eine Tastatur 107.
  • In dem Funk-Modul 101 für das Mobiltelefon wird das über die Antenne 110 empfangene Hochfrequenzsignal von einem Duplexer 111 über eine Empfangs-Hochfrequenzverstärkerschaltung 112 an einer Empfangsschaltung 113 gegeben. Die Sendedaten werden von dem Anwendungs-IC 103 an eine Basisband-Verarbeitungsschaltung 114 gelegt. Die in der Basisband-Verarbeitungsschaltung 114 modulierten Sendedaten werden in der Sendeschaltung 115 in eine höhere Frequenz umgesetzt und in der Sende-Hochfrequenzverstärkerschaltung 116 auf eine vorbestimmte Leistung verstärkt, um dann von der Antenne 110 abgestrahlt zu werden.
  • In dem Funkmodul 102 für das WLAN wird das von der Antenne 120 empfangene Hochfrequenzsignal über ein obere Frequenzen filterndes Filter 121 aufgenommen, um von einem Schalter 122 in einen rauscharmen Verstärker eingegeben zu werden, der sich in einem Empfangsteil des WLAN-Sendeempfängers 123 befindet. Die Sendedaten werden dem Sendeteil des WLAN-Sendeempfän gers 123 von dem Anwendungs-IC 103 zugeleitet, so dass die Sendedaten, die in dem Sendeteil moduliert und auf höhere Frequenz umgesetzt wurden, in der Sende-Hochfrequenzverstärkerschaltung 123 auf die vorbestimmte Leistung verstärkt werden.
  • 9 ist eine Darstellung eines Frequenzbands, welches für die Funk-Modulen 101 und 102 verwendet werden kann, wobei außerdem ein Durchlassband des Filters 121 dargestellt ist, welches sich mit jenem Frequenzband überlappt. Nach der Zeichnung werden die Bänder bei 800 MHz, bei 1,8 GHz und 2,0 GHz im Allgemeinen für das Funk-Modul 101 des Mobiltelefons verwendet. Somit kann das von 2,4 GHz bis 2,5 GHz reichende Band für das Funk-Modul 102 des WLAN verwendet werden. Beispielsweise unterstützt die IEEE-Norm 802.11b die Hochgeschwindigkeitskommunikation bei 5,5 Mbps und 11 Mbps mit dem DSSS-System (DSSS = Direct Sequence Spread Spectrum; Direktfolgen-Frequenzspreizverfahren) unter Verwendung des‚ SM-Bands (ISM = Industrial, Scientific and Medical) bei 2,4 GHz. Die Norm IEEE 802.11g unterstützt die Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation bei maximal 54 Mbps mit OFDM-Modulationssystem unter Verwendung des Bands bei 2,4 GHz.
  • In jüngerer Zeit wurde das Band von 2,1 GHz bis 2,17 GHz für Mobiltelefone der dritten Generation (3G) verwendet. Das Filter 120 zum Dämpfen des für das Funk-Modul 101 des Mobiltelefons verwendeten Frequenzbands ist erforderlich, um das Band bei 2,4 GHz durchzulassen und das Band bei 2,17 GHz zu sperren, wie in 9 dargestellt ist. Allgemein wurde für das Bandpassfilter ein Filter mit geringem Verlust und starkem Dämpfungsmaß in einem geforderten Frequenzband vorgeschlagen. Beispielsweise zeigt die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung 2006-13849 ein Bandpassfilter, bei dem zur Realisierung einer starken Dämpfung außerhalb des Durchlassbands ein Induktivitätselement mit der Gegeninduktivität M und Kondensatoren kombiniert sind. Der Aufbau des erwähnten Bandpassfilters ist in 10 gezeigt. Nach 10 sind ein erstes Induktivitätselement Lpg1 und ein zweites Induktivitätselement Lpg2 mit einer Gegeninduktivität M gekoppelt. Ein Anschluss von Lpg1 ist mit einem Eingangseinschluss 131 über eine Kapazität Cpg1 verbunden. Ein Anschluss von Lpg2 ist mit einem Ausgangsanschluss 132 über eine Kapazität Cpg5 verbunden. Eine Kapazität Cpg2 liegt zwischen einem Verbin dungspunkt von Lpg1 und Cpg1 und Masse. Ein Cpg4 liegt zwischen einem Verbindungspunkt von Lpg2 und Cpg5 und Masse. Ein Cpg3 liegt zwischen dem Eingangsanschluss 131 und dem Ausgangsanschluss 132. Ein Cpg6 liegt zwischen einem Verbindungspunkt des Anschlusses von Lpg1 und Cpg2 einerseits und dem Ausgangsanschluss 132 andererseits. Ein Cpg7 liegt zwischen einem Verbindungspunkt des Anschlusses von Lpg2 und Cpg4 einerseits und dem Eingangsanschluss 131 andererseits.
  • Die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung 06-350374 zeigt das Bandpassfilter mit einem starken Maß einer bandexternen Dämpfung durch Vorsehen mehrfach abgestufter Schaltungen in mehreren Stufen. In dem erwähnten Bandpassfilter mit mehrfach abgestimmten Schaltungen in vier Stufen, die sequentiell durch M-Kopplung gebildet sind, ist die Verbindung zwischen der ersten Stufe und der vierten Stufe der mehrfach abgestimmten Schaltungen so ausgebildet, dass an der oberen und der unteren Seite des Durchlassbands ein Paar Fangstellen vorhanden ist.
  • Die Simulation des Frequenzbands der Schaltungsstruktur des oben angesprochenen, allgemein verwendeten Bandpassfilters zeigt die Schwierigkeit bei der Realisierung eines Frequenzgangs, bei dem eine starke Dämpfung in dem Band von 2,17 GHz und 2,4 GHz stattfindet.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Hochfrequenzfilters, welches die Sperrung zum starken Dämpfen im Band etwas unterhalb des Durchlassbands gestattet, so dass die starke Dämpfung im Band von 2,16 GHz bis 2,4 GHz möglich ist.
  • Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Hochfrequenzfilter mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau kann die Fangstelle oder Sperrstelle zur Erzielung eines starken Dämpfungsmaßes bei einer Frequenz etwas unterhalb der Frequenz des Durchlassbands gebildet werden, um eine starke Dämpfungscharakteristik auf der unteren Seite des Durchlassbands zu erreichen.
  • Durch die Ausgestaltung nach Anspruch 2 wird erreicht, dass an dem Verdrahtungs-Kreuzungsbereich ein Kapazitätselement gebildet wird, welches zu dem zweiten Kondensator parallel geschaltet ist, so dass eine Beeinträchtigung der Kennlinie unterdrückt werden kann, indem man die Kapazität des zweiten Kondensators einstellt.
  • Durch die Ausgestaltung des Anspruchs 3 wird erreicht, dass an der Verdrahtungs-Kreuzungsstelle ein Kapazitätselement parallel zu dem zweiten Kondensator gebildet wird, so dass eine Beeinträchtigung der Kennlinie unterdrückt werden kann, indem man die Kapazität des zweiten Kondensators justiert.
  • Erfindungsgemäß wird die Sperre zum starken Dämpfen im Band etwas unterhalb des Durchlassbands ausgebildet, um den Frequenzgang zum starken Dämpfen im Band von 2,16 GHz bis 2,4 GHz zu erreichen. Dies ermöglicht, zu verhindern, dass die Senderimpulse der Funkmodulen für das WLAN und das Mobiltelefon, die in einem einzigen Gehäuse aufgenommen sind, einander in Form von Rauschen beeinträchtigen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Es zeigen:
  • 1 eine Ansicht einer Struktur eines Bandpassfilters gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 eine Ansicht einer Musterstruktur eines Flachtyp-Filters als Bandpassfilter dieser Ausführungsform;
  • 3 eine Ansicht einer beispielhaften Bemessungswahl für die Simulation des Bandpassfilters dieser Ausführungsform;
  • 4 den Frequenzgang, welcher die Simulationsergebnisse basierend auf den 3 und 5 veranschaulicht;
  • 5 eine Ansicht des Schaltungsaufbaus und einer beispielhaften Bemessungsauswahl für die Simulation eines ersten Vergleichsbeispiels;
  • 6 eine Ansicht des Schaltungsaufbaus und einer Bemessungswahl für die Simulation eines zweiten Vergleichsbeispiels;
  • 7 eine Ansicht eines Frequenzgangs eines auf 6 basierenden Simulationsergebnisses;
  • 8 eine Ansicht eines Aufbaus eines Mobiltelefons mit Funk-Modulen für das WLAN und das Mobiltelefon;
  • 9 eine Ansicht des Frequenzbands, welches von den Funk-Modulen des Mobiltelefons verwendet wird, und des Durchlassbands des Top-Filters; und
  • 10 eine Ansicht eines allgemein verwendeten Bandpassfilters.
  • Im Folgenden wird anhand der Zeichnungen eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung erläutert.
  • 1 zeigt den Aufbau eines Bandpassfilters nach einer Ausführungsform der Erfindung. Dieses Bandpassfilter enthält eine erste mehrfach abgestimmte Schaltung 3 und eine zweite mehrfach abgestimmte Schaltung 4, die zwischen einem Eingangsanschluss 1 und einem Ausgangsanschluss 2 in Reihe geschaltet sind. Die erste und die zweite mehrfach abgestimmte Schaltung 3 und 4 sind über eine Koppelkondensator-Teilerschaltung 5 miteinander verbunden.
  • Der Eingangsanschluss 1 des Bandpassfilters ist an einem Anschluss der ersten mehrfach abgestimmten Schaltung 3 über einen einen vierten Kondensator bildenden Koppelkondensator 6 gekoppelt. Die erste Schaltung 3 ist mit einem Paar Induktivitätselemente 7 und 8 ausgestattet, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, um eine gegen Induktivität M zu bilden. Ein Anschluss des Induktivitätselements 7 ist über einen Kondensator 9 mit Masse verbunden, und ein Anschluss des Induktivitätselements 8 ist über einen Kondensator 10 mit Masse verbunden. Die übrigen Anschlüsse der Induktivitätselement 7 und 8 sind auf Masse gelegt. In der ersten mehrfach abgestimmten Schaltung 3 ist ein LC-Resonanzkreis aus einer Induktivität 7 und einem Kondensator 9 gebildet, ein weiterer LC-Resonanzkreis wird durch das weitere Induktivitätselement 8 und den Kondensator 10 gebildet. Der Eingangsanschluss 1 ist über den Koppelkondensator 6 mit einem Anschluss des Induktivitätselements 7 verbunden.
  • Die zweite mehrfach abgestimmte Schaltung 4 enthält ein Paar Induktivitätselemente (Induktivitäten) 11 und 12 in Gegenüberstellung, um eine M-Kopplung zu bilden. Ein Anschluss der Induktivität 11 ist über einen Kondensator 13 mit Masse verbunden, und ein Anschluss der anderen Induktivität 12 ist über einen Kondensator 12 mit Masse verbunden. Die anderen Anschlüsse der Induktivitäten 11 und 12 sind mit Masse verbunden. In der zweiten mehrfach abgestimmten Schaltung 4 wird ein LC-Resonanzkreis durch eine Induktivität 11 und den Kondensator 13 gebildet. Ein weiterer LC-Resonanzkreis wird durch die andere Induktivität 12 und den Kondensator 14 gebildet. Der Ausgangsanschluss 2 ist mit einem Anschluss der anderen Induktivität 12 über einen als siebten Kondensator fungierenden Koppelkondensator 15 gekoppelt.
  • Die Koppelkondensator-Teilerschaltung 5 ist mit dem Eingangsanschluss 1 über den Koppelkondensator 16 als ersten Kondensator verbunden und ist über einen Koppelkondensator 17 als dritten Kondensator mit dem Ausgangsanschluss 2 verbunden. Ein erster Koppelkondensator 18 ist als zweiter Kondensator zwischen dem Koppelkondensator 16 und dem Eingangsanschluss 1 und dem Koppelkondensator 17 am Ausgangsanschluss 2 verbunden. Ein als fünfter Kondensator fungierender zweiter Kondensator 19 befindet sich zwischen einem Verbindungspunkt zwischen dem ersten Koppelkondensator 18 und dem Koppelkondensator 17 einerseits und dem Anschluss des Induktivitätselement 8 als anderem Anschluss der ersten mehrfach abgestimmten Schaltung 3. Ein dritter Koppelkondensator 20 ist als sechster Kondensator zwischen einem Verbindungspunkt zwischen dem ersten Koppelkondensator 18 und dem Koppelkondensator 16 einerseits und dem Anschluss der Induktivität 11 als Anschluss der zweiten mehrfach abgestimmten Schaltung 4, andererseits, verbunden. In anderen Worten: Ein Anschluss der Induktivität 8 in der ersten mehrfach abgestimmten Schaltung 3 ist mit dem anderen Anschluss (am Ausgangsanschluss 2) des ersten Koppelkondensators 18 über den zwei ten Koppelkondensator 19 verbunden. Der Anschluss des Induktivitätselements 11 in der zweiten mehrfach abgestimmten Schaltung 4 ist mit einem Anschluss (an dem Eingangsanschluss 1) des ersten Koppelkondensators 18 über den dritten Koppelkondensator 20 verbunden.
  • 2 ist eine Ansicht einer Musterstruktur des Bandpassfilters dieser Ausführungsform, ausgebildet als Flachtyp-Filter. Nach der Zeichnung lässt sich das Flachtyp-Filter mit einer Dicke 0,25 mm, einer Breite von 3 mm und einer Länge von 2,5 mm ausbilden. An dem Flachtyp-Filter gemäß Darstellung überkreuzt eine Verdrahtung PL1 zum Verbinden eines Anschlusses des ersten Koppelkondensators 18 mit dem anderen Belag des Koppelkondensators 16 am Eingangsanschluss 1 eine Verdrahtung PL2, welche den anderen Anschluss des ersten Koppelkondensators 18 mit dem Anschluss des Koppelkondensators 17 am Ausgangsanschluss 2 verbindet.
  • Das Kapazitätselement wird an dem Punkt gebildet, an welchem die Verdrahtung PL1 sich mit der Verdrahtung PL2 parallel zu dem ersten Koppelkondensator 18 kreuzt. Eine Beeinträchtigung der Kennlinie lässt sich dadurch unterdrücken, dass man den Kapazitätswert des ersten Koppelkondensators 18 justiert.
  • Die Verdrahtung PL1' zum Verbinden des einen Anschlusses des ersten Koppelkondensators 18 mit dem dritten Koppelkondensator 20, und die Verdrahtung PL2' zum Verbinden des anderen Anschlusses des ersten Koppelkondensators 18 mit dem Anschluss des zweiten Koppelkondensators 19 können dadurch gekreuzt werden, dass man das Layout des ersten bis dritten Koppelkondensators 18 bis 20 und der Koppelkondensatoren 16 und 20 anstelle der Kreuzung der Verdrahtung PL1 mit der Verdrahtung PL2 ausbildet. In der oben angesprochenen Struktur wird das Kapazitätselement an dem Punkt gebildet, wo die Verdrahtung PL1 sich mit der Verdrahtung PL2' parallel zu dem ersten Koppelkondensator 18 kreuzt. Folglich wird die Kapazität des ersten Koppelkondensators 18 so eingestellt, dass eine Beeinträchtigung der Kennlinie unterdrückt wird.
  • Das Ergebnis der Verifizierung bezüglich des Frequenzgangs des oben beschriebenen Bandpassfilters gemäß der Ausführungsform wird im Folgenden erläutert.
  • Die Simulation des Frequenzgangs des Bandpassfilters erfolgt mit Hilfe der Bauelementwerteinstellungen, die in 3 für die einzelnen Bauelemente des Bandpassfilters dieser Ausführungsform angegeben sind. Die Abkürzungen W, S, WC und P an den Induktivitäten 7, 8, 11 und 12 stehen für die Breite, die Lücke zwischen Elementen, die Überlappung der Elemente in Flächenrichtung bzw. für die Länge.
  • Der in 4 dargestellte Frequenzgang F11 wurde hergeleitet aus der Simulation auf der Grundlage der in 3 gezeigten Werte. In 4 lässt sich ein beträchtliches Dämpfungsmaß, d.h. etwa -70 dB in dem Band von 2,4 GHz bis 2,0 GHz erkennen. Im Fall der Verwendung des Bandpassfilters dieser Ausführungsform als das Top-Filter 21 nach 8 kann das Sende-/Empfangs-Signal des WLAN im Band bei 2,4 GHz ohne Dämpfung passieren. Gleichzeitig kann das Signal in dem Band bei 3,17 GHz in der Nähe des Bands von 2,4 GHz einer starken Dämpfung unterzogen werden, so dass das Rauschen (2,17 GHz) aus dem Mobiltelefon ausreichend entfernt werden kann.
  • 5 und 6 zeigen Schaltungen und Beispielwerte für Bauelemente der Vergleichsbeispiele.
  • In dem ersten Vergleichsbeispiel, welches in 5 gezeigt ist, ist die erste mehrfach abgestimmte Schaltung 2 mit der zweifach abgestimmten Schaltung 4 über einen einzelnen ungeteilten Koppelkondensator 40 verbunden. Ein Anschluss des Koppelkondensators 40, der mit der ersten Schaltung 3 gekoppelt ist, ist mit dem Koppelkondensator 17 am Ausgangsanschluss 2 verbunden, der andere Anschluss des Koppelkondensators 40, der mit der zweiten Schaltung 4 gekoppelt ist, ist mit dem Koppelkondensator 16 am Eingangsanschluss 1 verbunden.
  • Das Ergebnis der für das erste Vergleichsbeispiel nach 5 ausgeführten Simulation ist in 4 durch den Frequenzgang F2 dargestellt. Nach der Zeich nung lässt sich die Spitze bei 2,4 GHz beobachten, die Fang-Sperrstelle ist bei 2,0 GHz gebildet. Obschon das Maß der Dämpfung an der Spitze relativ gering ist beträgt das Dämpfungsmaß der Sperrstelle etwa -50 dB, was im Vergleich zu der vorliegenden Ausführungsform unzureichend ist. Die Teilung des Koppelkondensators zur kapazitiven Kopplung der ersten und der zweiten mehrfach abgestimmten Schaltung 3 und 4 trägt bei zur Bildung der Sperrstelle mit großer Ausprägung der spitzen Dämpfung.
  • Bei einem zweiten Vergleichsbeispiel, das in 6 dargestellt ist, ist die Schaltung so ausgebildet, dass die erste und die zweite mehrfach abgestimmte Schaltung 3 und 4 unter Verwendung der Koppelkondensator-Teilerschaltung 50 aufgebaut ist, welche die Koppelkapazität in drei Abschnitte aufteilt. Die Koppelkondensator-Teilerschaltung 50 wird gebildet durch einen ersten, einen zweiten und einen dritten Koppelkondensator 51, 52 und 53, die ineinander nicht kreuzender Weise verbunden sind. Ein Anschluss der Induktivität 8 in der ersten Schaltung 3 ist mit einem Zwischenverbindungspunkt zwischen dem Koppelkondensator 16 und dem Eingangsanschluss 1 und dem ersten Koppelkondensator 51 über den zweiten Koppelkondensator 52 verbunden. Ein Anschluss der Induktivität 11 der zweiten Schaltung 4 ist mit einem Zwischenverbindungspunkt zwischen dem Koppelkondensator 17 am Ausgangsanschluss 2 und dem ersten Koppelkondensator 51 über den dritten Koppelkondensator 53 verbunden.
  • 7 zeigt das Ergebnis der Simulation, die in Bezug auf das zweite Vergleichsbeispiel nach 6 ausgeführt wurde. Aus der Zeichnung ist entnehmbar, dass der Frequenzgang F3 eine Spitze bei 2,4 GHz besitzt, während die Sperrstelle bei 1,7 GHz liegt. Das Ausmaß der Dämpfung an der Spitze ist relativ gering. Allerdings ist die Sperrstelle in Richtung der Tiefpassseite hin verschoben, und das Dämpfungsmaß im Band von 2,1 GHz bis 2,17 GHz, welches gesperrt werden soll, ist gering. Die Verwendung der Koppelkondensator-Teilerschaltung 5 zur kapazitiven Kopplung bei Überkreuzen der ersten und der zweiten mehrfach abgestimmten Schaltung 3 und 4 wird als Beitrag angesehen für die spitze Dämpfungskennlinie bei gleichzeitiger Verlängerung der Breite zwischen dem Spitzenwert und der Sperrstelle.
  • In der Ausführungsform sind die erste und die zweite mehrfach abgestimmte Schaltung 3 und 4 in Reihe zwischen dem Eingangsanschluss 1 und dem Ausgangsanschluss 2 geschaltet. Die erste und die zweite Schaltung 3 und 4 sind mittels Kondensator über die Koppelkondensator-Teilerschaltung 5 gekoppelt. Die erste mehrfach abgestimmte Schaltung 3 ist mit dem Ausgangsanschluss 2 verbunden, und die zweite mehrfach abgestimmte Schaltung 4 ist mit dem Eingangsanschluss 1 verbunden, um die ausgeprägte spitze Dämpfungskennlinie in dem Band von 2,4 GHz bis 2,0 GHz zu realisieren.
  • Es versteht sich, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das Bandpassfilter beschränkt ist, sondern auch anwendbar ist bei einem Hochpassfilter, beispielsweise dem Hochpassfilter und der Saugschaltung, solange das Hochpassfilter die scharfe Dämpfungskennlinie auf der Tiefpassseite bildet. Die Erfindung ist außerdem anwendbar bei einem Funkmodul für andere Zwecke als das Mobiltelefon.
  • Die vorliegende Erfindung ist anwendbar auf das Top-Filter für die tragbare Funk-Terminaleinheit mit jeweiligen Funk-Modulen für das WLAN und das Mobiltelefon, die in einem einzigen Gehäuse untergebracht sind.

Claims (3)

  1. Hochfrequenzfilter, umfassend: einen ersten Kondensator, der mit einem Anschluss mit einem Eingangsanschluss verbunden ist; einen zweiten Kondensator, der mit einem Anschluss mit dem anderen Anschluss des ersten Kondensators verbunden ist; einen dritten Kondensator, der mit einem Anschluss mit dem anderen Anschluss des zweiten Kondensators und mit dem anderen Anschluss mit einem Ausgangsanschluss verbunden ist; eine erste mehrfach abgestimmte Schaltung (3), die mit einem Anschluss über einen vierten Kondensator mit dem Eingangsanschluss, und die mit dem anderen Anschluss über einen fünften Kondensator mit dem anderen Anschluss des zweiten Kondensators verbunden ist; und eine zweite mehrfach abgestimmte Schaltung (4), die mit einem Anschluss mit dem einen Anschluss des zweiten Kondensators über einen sechsten Kondensator verbunden ist, und die mit dem anderen Anschluss über einen siebten Kondensator mit dem Ausgangsanschluss verbunden ist.
  2. Filter nach Anspruch 1, bei dem eine mit dem anderen Anschluss des zweiten Kondensators verbundene Verdrahtung sich mit einer Verdrahtung kreuzt, die mit dem anderen Anschluss des zweiten Kondensators verbunden ist.
  3. Filter nach Anspruch 2, bei dem eine Verdrahtung zum Verbinden des anderen Anschlusses des ersten Kondensators mit dem einen Anschluss des zweiten Kondensators sich kreuzt mit einer Verdrahtung zum Verbinden des anderen Anschlusses des zweiten Kondensators mit dem einen Anschluss des dritten Kondensators.
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