DE102007008108A1 - Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht (2) - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht (2) Download PDF

Info

Publication number
DE102007008108A1
DE102007008108A1 DE102007008108A DE102007008108A DE102007008108A1 DE 102007008108 A1 DE102007008108 A1 DE 102007008108A1 DE 102007008108 A DE102007008108 A DE 102007008108A DE 102007008108 A DE102007008108 A DE 102007008108A DE 102007008108 A1 DE102007008108 A1 DE 102007008108A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
blank
opening
layer
ceramic
seat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102007008108A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102007008108B4 (de
Inventor
Chen Shing Pingjhen Chang
Jung Hsiu Pingjhen Hsieh
Kuo Hu Pingjhen Chen
Min Li Pingjhen Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Elit Fine Ceramics Co Ltd Pingjhen
Elit Fine Ceramics Co Ltd
Original Assignee
Elit Fine Ceramics Co Ltd Pingjhen
Elit Fine Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elit Fine Ceramics Co Ltd Pingjhen, Elit Fine Ceramics Co Ltd filed Critical Elit Fine Ceramics Co Ltd Pingjhen
Publication of DE102007008108A1 publication Critical patent/DE102007008108A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102007008108B4 publication Critical patent/DE102007008108B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/30Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by reflectors
    • F21S41/37Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by reflectors characterised by their material, surface treatment or coatings
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/22Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/24Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by the material
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/22Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/28Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode, das einen ersten und zweiten Rohling (10, 20) bereitstellt, die eine erste und zweite Öffnung (11, 21) aufweisen, wobei die zweite Öffnung kleiner ist als die erste Öffnung und sich über der ersten Öffnung befindet. Auf den zweiten Rohling wird eine Metallschicht (30) aufgetragen. Danach wird der zweite Rohling verformt und bedeckt im Bereich der ersten Öffnung den ersten Rohling, so dass die Metallschicht die Seitenwand der Reflexionsschicht bildet.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft ein verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und einen Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht, dessen Aufnahmeausenhmung eine gewünschte Form haben kann.
  • Stand der Technik
  • Leuchtdiode ist durch eine kleine Baugröße, einen niedrigen Stromverbrauch eine geringe Betriebswärme und eine lange Lebensdauer gekennzeichnet und wird für z.B. Weihnachtslampe, Taschenlampe, Fahrzeugleuchte, Verkehrsschild usw. verwendet. Die Leuchtdiode besteht üblicherweise aus einem transparenten Gehäuse, gegenpoligen Elektroden und einem Träger. Der Träger nimmt einen Leuchtdiodenchip auf, der über Goldfäden mit den Elektroden verbunden ist.
  • Die Lichtstärke der Leuchtdiode ist von dem Halbleiter des Leuchtdiodenchips und der Lichtwinkel der Leuchtdiode ist von dem Gehäuse abhängig.
  • Das Gehäuse für Leuchtdiode verwendet üblicherweise einen Reflektor, um das Licht der Leuchtdiode zu Reflektieren. Der Reflektor wird durch Bohren, Stanzen oder Pressen hergestellt. Diese Herstellungsverfahren weisen höhere Kosten auf. Zudem ist die Rauheit der Oberfläche des Reflektors zu groß und die Form der Aufnahmeausnehmung des Reflektors begrenzt.
  • Die Leistung der Leuchtdiode wird auch durch die Betriebeswärme des Leuchtdiodenchips beeinflußt. Diese Betriebswärme muß abgeführt werden muß, da die Leuchtdiode dadurch beschädigt werden kann. Dafür kann ein Metallgemisch mit hoher Wärmeleitfährigkeit zur Aufnahme des Leuchtdiodenchips verwendet werden. Das Metallgemisch wird mit einem Keramiksitz verbunden. Um eine Schrumpfung des Metallgemisches zu vermeiden, wird ein teures Keramikmaterial verwendet. Zudem müssen die Elektroden manuell auf dem Substrat gelötet werden.
  • Aufgabe der Erfindung
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode zu schaffen, das durch Siebdruckverfahren eine Metallschicht auf einen Rohling aufträgt, der aus Keramik hergestellt ist, wodurch eine Reflexionsschicht erhalten wird, der eine gewünschten Form haben kann.
  • Diese Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode gelöst, das einen ersten und zweiten Rohling bereitstellt, die eine erste und zweite Öffnung aufweist, wobei die zweite Öffnung kleiner ist als die erste Öffnung und sich über der ersten Öffnung befindet. Auf den zweiten Rohling wird eine Metallschicht aufgetragen. Danach wird der zweite Rohling verformt und bedeckt im Bereich der ersten Öffnung den ersten Rohling, so dass die Metallschicht die Seitenwand der Reflexionsschicht bildet.
  • Der Erfindung liegt eine weitere Aufgabe zugrunde, einen Leuchtdiodenträger zu schaffen, der eine obengenannte Reflexionsschicht und einen Sitz aus Keramik besteht, in dem Elektroden vorgesehen sind, die über eine elektrische Leitung mit der Metallschicht der Reflexionsschicht verbunden ist, wobei im Sitz ein Metallgemisch gefüllt ist, der durch Hartlötung, hochmolekularen Klebstoff oder Glaslötung mit dem Sitz verbunden ist und einen Wärmedehnung aufweist, die der des Keramikmaterial des Sitzes ähnlich ist wodurch die Wärmespannung beider Verbindung mit dem Sitz reduziert wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ein Ablaufdiagram der Erfindung,
  • 2 eine Schnittdarstellung des ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung vor dem Formen,
  • 3 eine Schnittdarstellung des ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung nach dem Formen,
  • 4 eine Schnittdarstellung der Wärmeform,
  • 5 eine Schnittdarstellung der Erfindung bei dem Wärmeformen,
  • 6 eine Schnittdarstellung der Erfindung,
  • 7(A), 7(B) und 7(C) Schnittdarstellungen der Erfindung, wobei die Seitenwände der Reflexionsschichten jeweils einen Neigungswinkel aufweisen,
  • 8(A), 8(B) und 8(C) Schnittdarstellungen der Erfindung, wobei die Seitenwände der Reflexionsschichten jeweils eine Krümmung aufweisen,
  • 9 eine Schnittdarstellung der Erfindung bei dem Wärmeformen,
  • 10 eine Schnittdarstellung des erfindungsgemäßen Leuchtdiodenträgers,
  • 11 eine Schnittdarstellung des erfindungsgemäßen Leuchtdiodenträgers beim Einsatz.
  • Wege zur Ausführung der Erfindung
  • Im folgenden wird die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
  • Wie aus 1 ersichtlich ist, enthält die Erfindung folgende Schritte:
    Schritt 1: mindestens ein erster Rohling wird bereitgestellt, der eine erste Öffnung aufweist; Schritt 2: ein zweiter Rohling wird bereitgestellt, der auf den ersten Rohling gelegt wird und eine zweite Öffnung aufweist, die kleiner ist als die erste Öffnung und sich über der ersten Öffnung befindet; Schritt 3: auf den ersten Rohling wird eine Metallschicht aufgetragen; Schritt 4: der zweite Rohling wird verformt und bedeckt im Bereich der ersten Öffnung den ersten Rohling. Die erfindungsgemäße Reflexionsschicht besteht aus dem ersten und zweiten Rohling 10, 20, die aus Keramik hergestellt werden können. Wie aus 2 ersichtlich ist, weisen der erste und zweite Rohling 10, 20 die erste und zweite Öffnung 11, 21 auf, wobei die zweite Öffnung 21 kleiner ist als die erste Öffnung 11. Der zweite Rohling 20 wird auf den ersten Rohling 10 gelegt, wodurch die erste und zweite Öffnung 11, 21 übereinanderliegen. Der zweite Rohling 20 wird im Bereich der ersten Öffnung 11 mit einer Metallschicht 30 überzogen. Schließlich bedeckt der zweite Rohling 20 durch Wärmeformen oder Pressen im Bereich der ersten Öffnung 11 den ersten Rohling 10, wodurch die Seitenwand und der Boden der ersten Öffnung 11 mit der Metallschicht 30 bedeckt sind. Wie aus 3 ersichtlich ist, wenn der zweite Rohling 20 die erste Öffnung 11 des ersten Rohlings 10 bedeckt, ist in der ersten Öffnung 11 eine Aufnahmeausnehmung 22 gebildet und die Seitenwand und der Boden der Aufnahmeausnehmung 22 mit der Metallschicht 30 bedeckt sind.
  • Die Metallschicht 30 kann durch Anstreichen oder Siebdruckverfahren auf die Oberfläche des zweiten Rohlings 20 aufgetragen werden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Metallschicht 30 eine Silberschicht und wird durch das Siebdruckverfahren als Dickfilm auf die Oberfläche des zweiten Rohlings 20 aufgetragen. Es ist auch möglich, nach der Verbindung des ersten und zweiten Rohlings auf der Oberfläche des zweiten Rohlings die Metallschicht zu galvanisieren.
  • Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der zweite Rohling einem Wärmeformen unterzogen. Wie aus 4 ersichtlich ist, umfaßt die Wärmeform 40 eine Planplatte 43 zwischen der ersten und zweiten Formhälfte 41, 42 und eine Dämpfungsschicht 44 auf der zweiten Formhälfte 42. Die erste und zweite Formhälfte 41, 42 können durch Polyesterfolien gebildet sein. Die erste Formhälfte 41 steht mit der Metallschicht 30 und dem zweiten Rohling 20 in Kontakt und weist eine vierte Öffnung 411 auf, die gleich oder nicht gleich groß ist wie die erste Öffnung 11 des ersten Rohlings 10 und mit der ersten Öffnung 11 fluchtet. Die Planplatte 43 ist eine harte Platte, deren Härte, Festigkeit oder Steifigkeit größer ist als die der ersten und zweiten Formhälfte 41, 42, und dient zum Anpressen des Materials der Reflexionsschicht. Die Planplatte 43 weist eine fünfte Öffnung 431 auf, die gleich oder nicht gleich groß ist wie die erste Öffnung 11 des ersten Rohlings 10. Die zweite Formhälfte 42 ist eine Folie ohne Öffnung, deren Dicke und Material anders als die der ersten Formhälfte 41 sein können. Die Dämpfungsschicht 44 ist eine Harzschicht und weist eine Belastbarkeit auf.
  • Wie aus 5 ersichtlich ist, befinden sich der erste und zweite Rohling 10, 20 beim Wärmeformen zwischen zwei Wärmeformen 40, 40'. Zunächst werden die Lagen, wie die Dämpfungsschicht und die Planplatte, der Wärmeform 40, befestigt. Daraufhin werden der erste und zweite Rohling mit der Metallschicht auf die Wärmeform 40' gebracht. Danach wird die andere Wärmeform 40 auf den zweiten Rohling gebracht und befestigt. Das dadurch erhaltene Schichtsystem 50 wird in einen Vakuumbeutel (nicht dargestellt) verschlossen, um ein Heißpressen durchzuführen. Beim Heißpressen erweicht der zweite Rohling und die Metallschicht, bedecken dann die Seitenwand und den Boden der ersten Öffnung und bilden somit die Aufnahmeausnehmung der Reflexionsschicht. Dadurch entsteht die erfindungsgemäße Reflexionsschicht, wie es in 6 dargestellt ist, die eine erste Keramiklage 10', die eine erste Öffnung 11' aufweist, und eine zweite Keramiklage 20', die eine zweite Öffnung 21' aufweist, umfaßt, wobei die zweite Öffnung 21' kleiner ist als die erste Öffnung 11 und über der ersten Öffung 11' liegt. Auf der zweiten Keramiklage 20' befindet sich die Metallschicht 30'.
  • Durch die Größe der vierten und fünften Öffnung der ersten Formhälfte und der Planplatte kann die Form der Aufnahmeausnehmung der Reflexionsschicht verändert werden. Die 7(A) bis 8(C) zeigen die anderen Ausführungsformen der Aufnahmeausnehmung. der Reflexionsschicht der Erfindung. Die Metallschichten an den Seitenwänden 51 der Reflexionsschichten in den 7(A), 7(B) und 7(C) weisen jeweils einen bestimmten Neigungswinkel auf. Die Seitenwände 51 der Reflexionsschichten in den 8(A), 8(B) und 8(C) weisen jeweils eine bestimmte Krümmung auf. An der Übergangsstelle zwischen der Stirnfläche 52 der Reflexionsschicht und der Seitenwand 51 ist ein Ecke 53 in den 7(A) und 8(A), ein abgerundetes Ecke 54 in den 7(B) und 8(B) oder ein Schutzring gegen Überlauf 55 in den 7(C) und 8(C) gebildet. Wie aus 9 ersichtlich ist, wenn die vierte und fünfte Öffnung 411, 431 größer ist als die erste Öffnung, wird beim Heißpressen der Schutzring 55 gebildet, der einen Überlauf vermeiden kann.
  • 10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das eine erste Keramiklage 10' und eine zweite Keramiklage 20' umfaßt, die jeweils eine erste Öffnung 11' und eine zweite Öffnung 21' aufweisen, wobei die zweite Öffnung 21' kleiner ist als die erste Öffnung 11'. Die zweite Öffnung 21' befindet sich über der ersten Öffnung 11', wodurch eine Aufnahmeausnehmung 22' gebildet ist. Die Seitenwand der Aufnahmeausnehmung ist mit einer Metallschicht 30' bedeckt. Unter der ersten Keramiklage 10' ist ein Sitz 60 vorgesehen, der eine erste Keramiklage 61 und eine zweite Keramiklage 62 umfaßt, wobei auf der Oberfläche der zweiten Keramiklage 62 Elektroden 63 vorgesehen sind, die über eine elektrische Leitung 70 mit der Metallschicht 30' verbunden ist. Die elektrische Leitung 70 erstreckt sich durch die erste und zweite Keramiklage 10' und 20' sowie den Sitz 60 und enthält Stromleiter, Bohrungen und Drähte. Wie dargestellt, befindet sich ein Stromleiter auf der Oberseite der zweiten Keramiklage 20 und steht mit der Metallschicht 30' in Kontakt. Der andere Stromleiter befindet sich auf der Unterseite der ersten Keramiklage 10'. Der obere und untere Stromleiter 71 sind über die Bohrungen 72 miteinander verbunden. Die Bohrungen 72 erstreckt sich durch die erste und zweite Keramiklage 10', 20'. Die Drähte 73 sind an einem Ende in der ersten und zweiten Keramiklage 61, 62 eingebettet, gehen durch die Bohrungen 72 hindurch und sind am anderen Ende mit dem Stromleiter 71 verbunden.
  • Wie aus 11 ersichtlich ist, wenn der Leuchtdiodenchip 80 in der Aufnahmeausnehmung aufgenommen ist, sind die Drähte 81 des Leuchtdiodenchips 80 mit der Metallschicht 30' gelötet, wodurch die Drähte über den Stromleiter 71 und die Drähte 73, die durch die Bohrungen 72 geführt sind, mit den Elektroden 63 elektrisch verbunden sind. Daher kann der Leuchtdiodenträger leicht durch die Elektroden auf einem Substrat befestigt werden.
  • Der Sitz 60 weist eine dritte Öffnung 64 auf, wie es in der 10 dargestellt ist, die sich unter der Aufnahmeausnehmung 22' befindet. In der dritten Öffnung 64 ist ein Metallgemisch 90 gefüllt, das durch Hartlötung, hochmolekularen Klebstoff oder Glaslötung mit dem Sitz 60 verbunden ist. Die Oberseite des Metallgemisches 90 weist auf die Aufnahmeausnehmung 22' und wird seitlich von dem Sitz 60 begrenzt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Metallgemisch 90 aus Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie Kupfer/Wolfram, Kupfer/Molybdän, Aluminium/Kohle oder Eisen/Nickel/Kobalt hergestellt. Das Metallgemisch 90 kann die Wärmespannung bei der Verbindung mit dem Sitz 60 reduzieren. Die in der dritten Öffnung 64 freiliegende Oberfläche des Metallgemisches 90 ist mit einem Lötmittel 91 versehen. In einem möglichen Ausführungsbeispiel ist das Lötmittel 91 aus Metall hergestellt, wie Silber mit einer Arbeitstemperatur zwischen 500°C und 800°C, Gold mit einer Arbeitstemperatur zwischen 270°C und 500°C, Zinn mit einer Arbeitstemperatur zwischen 200°C und 350°C, Glaslötmittel mit einer Arbeitstemperatur zwischen 300°C und 600°C, hochmolekularer Klebstoff oder Lötmittel mit höherer Arbeitstemperatur. Bei der Lötung wird das Metallgemisch in dem Sitz fixiert und in einen Vakuumofen oder einen Ofen mit einem Stickstoffgemisch oder einen Sinterofen gebracht. Durch das Metallgemisch kann die Betriebswärme des Leuchtdiodenchips schnell abgeleitet werden.
  • Aufgrund der obengenannten Tatsachen entspricht die Erfindung in ihrer Verfügbarkeit, Fortschrittlichkeit und Neuheit vollauf den Anforderungen für ein Patent. Die vorstehende Beschreibung stellt nur die bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung dar und soll nicht als Definition der Grenzen und des Bereiches der Erfindung dienen. Alle gleichwertige Änderungen und Modifikationen gehören zum Schutzbereich dieser Erfindung.

Claims (22)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode, das folgende Schritte enthält: mindestens ein erster Rohling wird bereitgestellt, der eine erste Öffnung aufweist; ein zweiter Rohling wird bereitgestellt, der auf den ersten Rohling gelegt wird und eine zweite Öffnung aufweist, die kleiner ist als die erste Öffnung und sich über der ersten Öffnung befindet; auf den ersten Rohling wird eine Metallschicht aufgetragen; der zweite Rohling wird verformt und bedeckt im Bereich der ersten Öffnung den ersten Rohling.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und zweiter Rohling (10, 20) aus Keramik hergestellt werden können.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Rohling (20) durch Wärmeformen oder Pressen den ersten Rohling (10) bedeckt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Wärmeformen oder Pressen eine Wärmeform (40) verwendet, die eine Planplatte (43) zwischen der ersten und zweiten Formhälfte (41, 42) und eine Dämpfungsschicht (44) auf der zweiten Formhälfte 42 umfaßt, wobei die erste Formhälfte (41) mit der Metallschicht (30) und dem zweiten Rohling (20) in Kontakt steht.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Formhälfte (41) eine vierte Öffnung (411) aufweist, die gleich oder nicht gleich groß ist wie die erste Öffnung (11) des ersten Rohlings (10), und die Planplatte (43) eine fünfte Öffnung (431) aufweist, die gleich oder nicht gleich groß ist wie die erste Öffnung (11) des ersten Rohlings (10).
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die vierte und fünfte Öffnung (411, 431) größer ist als die erste Öffnung, wodurch beim Heißpressen ein Schutzring (55) gebildet ist, der. einen Überlauf vermeiden kann.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (30) durch Anstreichen oder Siebdruckverfahren auf die Oberfläche des zweiten Rohlings (20) aufgetragen wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in den ersten und zweiten Rohling (10, 20) eine elektrische Leitung (70) vorgesehen ist, die an einem Ende mit der Metallschicht (30) und am anderen Ende mit den Elektroden (63) verbunden sind.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass unter der ersten Rohling (10) ein Sitz (60) vorgesehen ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Sitz (60) aus Keramik hergestellt ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Sitz Elektroden (63) vorgesehen sind, die über eine elektrische Leitung (70) mit der Metallschicht (30) verbunden ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 8 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Leitung (70) Bohrungen und Drähte enthält, die in dem Sitz (60) eingebettet sind und durch den ersten und zweiten Rohling (10, 20) hindurchgehen.
  13. Verfahren nach Anspruch 8 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Leitung (70) Stromleiter enthält, die auf dem ersten und zweiten Rohling (10, 20) und dem Sitz (60) angeordnet sind.
  14. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Sitz (60) eine dritte Öffnung (64) aufweist, die sich unter der ersten Öffnung (11) befindet und in der ein Metallgemisch (90) gefüllt ist.
  15. Reflexionsschichts für Leuchtdiode, bestehend aus mindestens einer ersten Keramiklage (10'), die eine erste Öffnung (11') aufweist; einer zweiten Keramiklage (20'), die auf der ersten Keramiklage liegt und eine zweite Öffnung (21') aufweist, die kleiner ist als die erste Öffnung und sich über der ersten Öffnung befindet; und einer Metallschicht (30'), die im Bereich der ersten Öffnung die zweiten Keramiklage bedeckt.
  16. Reflexionsschicht nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und zweite Keramiklage (10', 20') jeweils mehrere Keramiklagen enthalten.
  17. Reflexionsschicht nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (30') im Bereich der Seitenwand der ersten Öffnung liegt.
  18. Reflexionsschicht nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (30') durch Anstreichen, Siebdruckverfahren oder Galvanisation auf die Oberfläche der zweiten Keramiklage (20') aufgetragen wird.
  19. Leuchtdiodenträger, bestehend aus mindestens einer ersten Keramiklage (10'), die eine erste Öffnung (11') aufweist; einer zweiten Keramiklage (20'), die auf dem ersten Keramiklage liegt und eine zweite Öffnung (21') aufweist, die kleiner ist als die erste Öffnung und sich über der ersten Öffnung befindet; wodurch eine Aufnahmeausnehmung (22') gebildet ist, einer Metallschicht (30'), die im Bereich der Aufnahmeausnehmung die zweiten Keramilage bedeckt, einem Sitz (60), der unter der ersten Keramiklage (10') liegt und Elektroden (63) aufweist, einer elektrischen Leitung (70), die durch die erste und zweite Keramiklage (10', 20') geführt ist und die Metallschicht (30') mit den Elektroden (63) verbindet.
  20. Leuchtdiodenträger nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Leitung (70) Bohrungen und Drähte enthält, die in dem Sitz (60) eingebettet sind und durch die erste und zweite Keramiklage (10', 20') hindurchgehen.
  21. Leuchtdiodenträger nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Leitung (70) Stromleiter enthält, die auf der ersten und zweiten Keramiklage (10', 20') und dem Sitz (60) angeordnet sind.
  22. Leuchtdiodenträger nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet dass der Sitz (60) eine dritte Öffnung (64) aufweist, die sich unter der Aufnahmeausnehmung (22') befindet und in der ein Metallgemisch (90) gefüllt ist.
DE102007008108A 2006-03-17 2007-02-19 Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht (2) Expired - Fee Related DE102007008108B4 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095109289 2006-03-17
TW95109289 2006-03-17
TW095136209 2006-09-29
TW095136209A TW200737430A (en) 2006-03-17 2006-09-29 Method for forming light emitting diode reflector, structure thereof, and light emitting diode mounting device using reflector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102007008108A1 true DE102007008108A1 (de) 2007-09-20
DE102007008108B4 DE102007008108B4 (de) 2011-07-14

Family

ID=38375093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007008108A Expired - Fee Related DE102007008108B4 (de) 2006-03-17 2007-02-19 Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht (2)

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7695581B2 (de)
JP (1) JP2007251154A (de)
KR (1) KR100865835B1 (de)
DE (1) DE102007008108B4 (de)
TW (1) TW200737430A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009047727A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package, light output system and light output method
WO2014048834A1 (de) * 2012-09-27 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen von gehäusen und verfahren zum herstellen elektronischer baugruppen

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163655A (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装模块制备方法
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
CN103035813B (zh) * 2011-10-09 2015-10-28 官淑燕 高温元件用电路基板及具该基板的led组件及其制法
JP2016184653A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5538582A (en) * 1994-09-14 1996-07-23 International Business Machines Corporation Method for forming cavities without using an insert
JP3832877B2 (ja) * 1995-07-26 2006-10-11 日亜化学工業株式会社 セラミックスledパッケージおよびその製造方法
DE69839300T2 (de) * 1997-12-15 2009-04-16 Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose Licht-emittierende Vorrichtung
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP2006032804A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Koha Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP4659421B2 (ja) * 2004-09-30 2011-03-30 株式会社トクヤマ 発光素子収納用パッケージの製造方法
KR101154801B1 (ko) * 2004-12-03 2012-07-03 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지
JP2006181779A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc セラミック基板の製造方法
KR20070087751A (ko) * 2005-10-17 2007-08-29 주식회사 아이엠텍 곡면으로 된 반사면을 구비한 발광다이오드용 패키지 및 그제조방법
TW200622312A (en) * 2006-03-01 2006-07-01 Elit Fine Ceramics Co Ltd Manufacture method of reflector for light emitting diode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009047727A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package, light output system and light output method
WO2014048834A1 (de) * 2012-09-27 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen von gehäusen und verfahren zum herstellen elektronischer baugruppen

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007251154A (ja) 2007-09-27
US20070263389A1 (en) 2007-11-15
TW200737430A (en) 2007-10-01
KR100865835B1 (ko) 2008-10-29
US7695581B2 (en) 2010-04-13
DE102007008108B4 (de) 2011-07-14
TWI329912B (de) 2010-09-01
KR20070094480A (ko) 2007-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007008108B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht (2)
DE102004046994A1 (de) Lichtemittierende Diode
DE202007019142U1 (de) Mit Leuchtdioden ausgestattete Hinterleuchtungseinheit
EP2269238B1 (de) Gehäuse für leds mit hoher leistung und verfahren zu dessen herstellung
DE112005002419T5 (de) Gehäuse für die Aufnahme eines lichtemittierenden Elements und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für die Aufnahme eines lichtemittierenden Elements
DE102004046995A1 (de) Lichtemittierende Diode
EP2548419A1 (de) Foliensystem für led-anwendungen
EP1685603A2 (de) Kostengünstige, miniaturisierte aufbau- und verbindungstechnik für leds und andere optoelektronische module
DE102008035708A1 (de) LED-Lichtquelle mit erhöhter thermischer Leitfähigkeit
DE102010050342A1 (de) Laminat mit integriertem elektronischen Bauteil
WO2016202609A1 (de) Leuchtdiodenanordnung und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenanordnung
DE102010050343A1 (de) Chipintegrierte Durchkontaktierung von Mehrlagensubstraten
EP1501125A3 (de) Leistungshalbleitermodul mit skalierbarer Aufbautechnik
DE112018006826T5 (de) Halbleiterlaserbauteil
DE102008059552A1 (de) Leuchtdiodenmodul und Leuchtdiodenbauteil
EP3864709B1 (de) Verfahren zum herstellen einer lichtemittierenden vorrichtung
DE102012218538A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lichterzeugungseinheit
DE102005037888A1 (de) Leuchtdiodengehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015105470A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
DE102007008107A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Reflexionsschicht für Leuchtdiode und Leuchtdiodenträger mit der Reflexionsschicht
DE102008052244A1 (de) Flexible Leiterplatte
EP2067390B1 (de) Verfahren zur herstellung einer anordnung optoelektronischer bauelemente und anordnung optoelektronischer bauelemente
DE102021109658B3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsgeräts und damit hergestelltes Halbleiter-Leistungsgerät sowie ein Werkzeugteil für eine Sinterpresse und Verwendung einer Sinterpresse
DE112018006755T5 (de) Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Fahrzeuglampe
DE102004016847A1 (de) Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20111015

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140902