CN102163655A - Led封装模块制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体照明技术,尤其涉及一种LED封装模块制备方法,包括以下步骤:S10,提供电极片,注塑加工胶壳,将电极片夹设于胶壳;S20,提供铜柱,将铜柱压入胶壳;S30,提供LED芯片,在铜柱顶面固晶;S40,焊金线,连接芯片与电极;本发明提供一种过程简洁的LED封装模块制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及半导体照明技术,尤其涉及一种LED封装模块制备方法。
背景技术
LED灯具有寿命长、省电力的特点,越来越广泛地应用于照明领域。传统的LED封装模块的制备方法,大都是基于基板封装的,需要设置绝缘胶层和电路层,其制备过程很复杂。
如中国专利文献CN101691909A于2010年4月7日公开的LED封装模块的制备方法,该LED封装模块包括基板,基板具有布线面,布线面包括线路部分;该方法包括线路部分制作工序,其特征在于,所述线路部分制作工序包括以下步骤:(1)丝印导热绝缘胶层,(2)烘干,(3)贴保护膜,(4)真空镀底,(5)纳米电沉积Cu,其中,第(1)步所述的导热绝缘胶层的厚度为0.02mm-0.06mm,所述导热绝缘胶层的材料为环氧树脂与α-Al2O3的混合物,或聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物;第(2)步所述的烘干为热风烘干,当所述导热绝缘胶层的材料采用环氧树脂与α-Al2O3的混合物时,该烘干步骤采用的温度为180℃-200℃;当所述导热绝缘胶层的材料采用聚酰亚胺与α-Al2O3的混合物时,该烘干步骤采用的温度为180℃-400℃;第(3)步所述的保护膜,是PVC膜加橡胶粘结,或PET膜加硅胶粘结,或PP膜加亚克力胶粘结;所述保护膜可以保留在半成品上,作为保护镀层用,被保护部位需要设置其它材料时,再除去保护层即可;第(4)步所述的真空镀底,是以真空溅射或真空蒸镀方式沉积5nm-10nm的Ni;第(5)步所述的纳米电沉积Cu,是以真空溅射或真空蒸镀金方式沉积0.002mm-0.018mm的Cu。
复杂的工艺流程,导致LED封装模块的成本居高不下,并延及到终端灯具上,LED照明的推广受到限制。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种过程简洁的LED封装模块制备方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种LED封装模块制备方法,其特征在于包括以下步骤:S10,提供电极片,注塑加工胶壳,将电极片夹设于胶壳;S20,提供铜柱,将铜柱压入胶壳;S30,提供LED芯片,在铜柱顶面固晶;S40,焊金线,连接芯片与电极;其中,所述铜柱下端面从胶壳的下表面露出,LED芯片从胶壳的上表面露出,胶壳内夹设电极,电极也从胶壳的上表面露出。
LED封装模块制备方法,其特征在于:所述铜柱具有台阶,所述台阶将铜柱界定为大端和小端,LED芯片设置与铜柱的小端。
LED封装模块制备方法,其特征在于:所述胶壳上面具有柱状沉孔,沉孔具有水平的底部,所述的LED芯片及电极从胶壳上表面露出是指LED芯片及电极从沉孔的底部露出,对应地,所述金线也设置于沉孔底部。
LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S50,提供光杯,将光杯设置于胶壳;其中光杯底部具有与所述沉孔相对应的柱状突台,柱状突台以过盈配合方式连接于胶壳;柱状突台的底面还具有用于容置金线的凹坑,凹坑的位置与金线的位置相对应。
LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S49,在所述光杯的反光面镀设反光膜。
LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S41,涂设荧光粉步骤,在LED芯片出光面通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉; S55,封胶;在反光杯内封胶。
LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S50a,提供透镜,将透镜设置于胶壳;其中透镜底部具有与所述沉孔相对应的柱状突台,柱状突台以过盈配合方式连接于胶壳;柱状突台的底面与所述沉孔的底面之间还界定出一密闭空间。
LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S41a,涂设荧光粉步骤,在LED芯片出光面通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉; S45a,封胶,安装透镜前在所述沉孔底部封胶,封胶区域为所述密闭空间的区域。
LED封装模块制备方法,其特征在于:所述电极仅仅连接金线的部位从所述胶壳上表面露出;所述电极水平夹设于胶壳内。
一种大体上如上下文及附图所表达的LED封装模块制备方法。
本发明的LED封装模块制备方法,除必须的固晶及焊金线工艺外,采用了最简单的组装方式,与现有技术相比,实施起来成本低。
附图说明
图1是本发明第一个实施例制备的LED封装模块示意图。
图2是本发明第一个实施例流程图。
图3是本发明第二个实施例制备的LED封装模块示意图。
图4是本发明第二个实施例流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步详述。
参考图1,是本发明第一个实施例制备的LED封装模块,包括LED芯片103,还包括铜柱101,铜柱101穿设于胶壳104,LED芯片103设置于铜柱101上表面的端部,铜柱101下端面从胶壳104的下表面露出,LED芯片103从胶壳104的上表面露出,胶壳104内夹设电极105,电极105的内端也从胶壳104的上表面露出,LED芯片103与电极105内端之间通过金线106连接;所述胶壳104的正面设置有光杯108。本实施例中,所述铜柱101具有台阶,台阶将铜柱101界定为大端和小端,LED芯片103通过Au/Sn共晶焊层102设置于铜柱101的小端。本实施例中,LED芯片106出光面还通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉。本实施例中,所述胶壳104上面具有柱状沉孔,沉孔具有水平的底部,所述的LED芯片103及电极105内端从胶壳104上表面露出是指LED芯片103及电极105内端从沉孔的底部露出。对应地所述光杯108的底面具有柱状突台,柱状突台设置于所述沉孔。本实施例中,所述柱状突台的底面具有用于容置金线的凹坑1081,凹坑1081的位置与金线106的位置相对应。本实施例中,所述电极105仅仅连接金线106的部位即电极内端从所述胶壳104上表面露出。本实施例中,所述电极105水平夹设于胶壳104内。本实施例的反光杯108之反光面镀设反光膜,反光膜为镀铝或镀银。
参考图2,本发明第一个实施例是一种LED封装模块制备方法,其特征在于包括以下步骤:S10,提供电极片,注塑加工胶壳,将电极片夹设于胶壳;S20,提供铜柱,将铜柱压入胶壳;S30,提供LED芯片,在铜柱顶面固晶;S40,焊金线,连接芯片与电极;其中,所述铜柱下端面从胶壳的下表面露出,LED芯片从胶壳的上表面露出,胶壳内夹设电极,电极也从胶壳的上表面露出。S50,提供光杯,将光杯设置于胶壳; S49,在所述光杯的反光面镀设反光膜;S41,涂设荧光粉步骤,在LED芯片出光面通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉; S55,封胶;在反光杯内封胶。
参考图3,是本发明第二个实施例制备的LED封装模块,包括LED芯片103,还包括铜柱101,铜柱101穿设于胶壳104,LED芯片103设置于铜柱101上表面的端部,铜柱101下端面从胶壳104的下表面露出,LED芯片103从胶壳104的上表面露出,胶壳104内夹设电极105,电极105的内端也从胶壳104的上表面露出,LED芯片103与电极105内端之间通过金线106连接;所述胶壳104的正面设置有透镜109。本实施例中,所述铜柱101具有台阶,台阶将铜柱101界定为大端和小端,LED芯片103通过Au/Sn共晶焊层102设置于铜柱101的小端。本实施例中,LED芯片106出光面还通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉。本实施例中,所述胶壳104上面具有柱状沉孔,沉孔具有水平的底部,所述的LED芯片103及电极105内端从胶壳104上表面露出是指LED芯片103及电极105内端从沉孔的底部露出。对应地所述透镜108的底面具有柱状突台,柱状突台设置于所述沉孔;所述透镜108的柱状突台与所述胶壳104的沉孔以过盈配合的方式构成固定连接。本实施例中,所述电极105仅仅连接金线106的部位即电极内端从所述胶壳104上表面露出。本实施例中,所述电极105水平夹设于胶壳104内。
参考图4,本发明第四个实施例是一种LED封装模块制备方法,其特征在于包括以下步骤:S10,提供电极片,注塑加工胶壳,将电极片夹设于胶壳;S20,提供铜柱,将铜柱压入胶壳;S30,提供LED芯片,在铜柱顶面固晶;S40,焊金线,连接芯片与电极;其中,所述铜柱下端面从胶壳的下表面露出,LED芯片从胶壳的上表面露出,胶壳内夹设电极,电极也从胶壳的上表面露出。还包括以下步骤:S50a,提供透镜,将透镜设置于胶壳;还包括以下步骤:S41a,涂设荧光粉步骤,在LED芯片出光面通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉; S45a,封胶,安装透镜前在所述沉孔底部封胶,封胶区域为所述密闭空间的区域。
Claims (10)
1.一种LED封装模块制备方法,其特征在于包括以下步骤:
S10,提供电极片,注塑加工胶壳,将电极片夹设于胶壳;
S20,提供铜柱,将铜柱压入胶壳;
S30,提供LED芯片,在铜柱顶面固晶;
S40,焊金线,连接芯片与电极;
其中,所述铜柱下端面从胶壳的下表面露出,LED芯片从胶壳的上表面露出,胶壳内夹设电极,电极也从胶壳的上表面露出。
2.根据权利要求1所述的LED封装模块制备方法,其特征在于:所述铜柱具有台阶,所述台阶将铜柱界定为大端和小端,LED芯片设置与铜柱的小端。
3.根据权利要求1所述的LED封装模块制备方法,其特征在于:所述胶壳上面具有柱状沉孔,沉孔具有水平的底部,所述的LED芯片及电极从胶壳上表面露出是指LED芯片及电极从沉孔的底部露出,对应地,所述金线也设置于沉孔底部。
4.根据权利要求3所述的LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S50,提供光杯,将光杯设置于胶壳;其中光杯底部具有与所述沉孔相对应的柱状突台,柱状突台以过盈配合方式连接于胶壳;柱状突台的底面还具有用于容置金线的凹坑,凹坑的位置与金线的位置相对应。
5.根据权利要求4所述的LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S49,在所述光杯的反光面镀设反光膜。
6.根据权利要求4或5所述的LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:
S41,涂设荧光粉步骤,在LED芯片出光面通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉;
S55,封胶;在反光杯内封胶。
7.根据权利要求3所述的LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:S50a,提供透镜,将透镜设置于胶壳;其中透镜底部具有与所述沉孔相对应的柱状突台,柱状突台以过盈配合方式连接于胶壳;柱状突台的底面与所述沉孔的底面之间还界定出一密闭空间。
8.根据权利要求7所述的LED封装模块制备方法,其特征在于还包括以下步骤:
S41a,涂设荧光粉步骤,在LED芯片出光面通过喷涂的方式涂设以无影胶为溶剂的荧光粉;
S45a,封胶,安装透镜前在所述沉孔底部封胶,封胶区域为所述密闭空间的区域。
9.根据权利要求1所述的LED封装模块制备方法,其特征在于:所述电极仅仅连接金线的部位从所述胶壳上表面露出;所述电极水平夹设于胶壳内。
10.一种大体上如上下文及附图所表达的LED封装模块制备方法。
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---|---|
CN (1) | CN102163655A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102751425A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-24 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其承载件 |
CN103341431A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-09 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | Led用喷涂装置 |
CN105514249A (zh) * | 2012-03-16 | 2016-04-20 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装以及承载板 |
CN105655471A (zh) * | 2012-05-30 | 2016-06-08 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其承载件 |
CN105845807A (zh) * | 2012-05-07 | 2016-08-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管覆晶封装结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200969356Y (zh) * | 2006-10-09 | 2007-10-31 | 华宏光电子(深圳)有限公司 | 大功率发光二极管 |
US20070263389A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-11-15 | Elit Fine Ceramics Co., Ltd. | LED reflector molding process, construction, and loader thereof |
CN101404316A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-04-08 | 深圳雷曼光电科技有限公司 | 一种led及封装方法 |
CN201536111U (zh) * | 2009-07-03 | 2010-07-28 | 福建中科万邦光电股份有限公司 | 一种高性能的大功率led的封装结构 |
CN101807658A (zh) * | 2010-03-25 | 2010-08-18 | 福建中科万邦光电股份有限公司 | 一种大功率led封装方法 |
-
2010
- 2010-12-31 CN CN 201010618859 patent/CN102163655A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070263389A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-11-15 | Elit Fine Ceramics Co., Ltd. | LED reflector molding process, construction, and loader thereof |
CN200969356Y (zh) * | 2006-10-09 | 2007-10-31 | 华宏光电子(深圳)有限公司 | 大功率发光二极管 |
CN101404316A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-04-08 | 深圳雷曼光电科技有限公司 | 一种led及封装方法 |
CN201536111U (zh) * | 2009-07-03 | 2010-07-28 | 福建中科万邦光电股份有限公司 | 一种高性能的大功率led的封装结构 |
CN101807658A (zh) * | 2010-03-25 | 2010-08-18 | 福建中科万邦光电股份有限公司 | 一种大功率led封装方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105514249A (zh) * | 2012-03-16 | 2016-04-20 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装以及承载板 |
CN105514249B (zh) * | 2012-03-16 | 2018-06-12 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装以及承载板 |
CN105845807A (zh) * | 2012-05-07 | 2016-08-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管覆晶封装结构 |
CN102751425A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-24 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其承载件 |
CN102751425B (zh) * | 2012-05-30 | 2016-05-04 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其承载件 |
CN105655471A (zh) * | 2012-05-30 | 2016-06-08 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其承载件 |
CN105655471B (zh) * | 2012-05-30 | 2019-01-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发光二极管封装构造及其承载件 |
CN103341431A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-09 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | Led用喷涂装置 |
CN103341431B (zh) * | 2013-06-24 | 2016-03-02 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | Led用喷涂装置 |
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