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HINTERGRUND
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Fotoempfindliche Elemente zur Umsetzung auftreffender Strahlungsenergie in ein elektrisches Signal werden für Bildgebungseinrichtungen allgemein verwendet, beispielsweise für Röntgenbildgebungseinrichtungen und/oder bei Einrichtungen nach der Bauart von Faxgeräten. Zur Herstellung von fotoempfindlichen Elementen werden wegen der fotoelektrischen Charakteristika von amorphes Silizium (a-Si) und/oder der relativ einfachen Herstellung hydrogenisiertes a-Si und Legierungen von a-Si weithin verwendet. Insbesondere können fotoempfindliche Elemente, wie beispielsweise Fotodioden, in Verbindung mit zugeordneten Steuerungs- oder Schaltelementen, wie beispielsweise Dünnfilmtransistoren (TFTs) in relativ großflächigen Systemen verwendet werden, die beispielsweise die Form eines Detektorpaneels für ein Röntgenbildgebungssystem oder ähnliches haben.
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Fotodioden können typischerweise eine Insel oder einen Körper aus fotoempfindlichem Material, wie beispielsweise aus a-Si aufweisen, der zwischen zwei Elektroden angeordnet ist, die mit gegenüberliegenden Oberflächen eines Fotodiodenkörpers elektrisch verbunden sind. Solche Fotodioden weisen typischerweise ein p-Material, ein eigenleitendes Material und ein n-Material auf und werden als PIN-Diode oder ähnlich bezeichnet. Wenn in dem a-Silizium auftreffende Strahlung absorbiert wird, können Löcher und Elektronen erzeugt werden und sich in Abhängigkeit von dem durch die Elektroden erzeugten elektrischen Feld zu der oberen oder unteren Fläche bewegen. Die Größe der auf den Elektroden gesammelten elektrischen Ladung ist eine Funktion des Energieflusses des auftreffenden Lichts. Durch periodische Messung der an einer Fotodiode gesammelten Ladung und Rücksetzung der Diode auf einem bekannten Ladungszustand, können elektrische von der Fotodiode erzeugte Signale in Abhängigkeit von auftreffender Strahlung, beispielsweise auf das Detektorpaneel in einem Röntgenstrahlungsbildgebungssystem auftreffende Photonen, die von einer Röntgenstrahlungsquelle emittiert worden sind, verarbeitet werden.
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Es kann der Fall sein, dass ein TFT-Array für ein Bildgebungssystem in einem anderen Prozess zu einem anderen Zeitpunkt und/oder an einer anderen Stelle, beispielsweise in einer anderen Herstellungseinrichtung hergestellt wird, als das Diodenarray, das mit dem TFT-Array integral erzeugt werden muss, um ein betriebsfähiges Detektorpaneel für ein Röntgenstrahlungsbildgebungssystem oder ähnliches zu erzeugen. Ein solches TFT-Array kann unter Nutzung der gleichen oder ähnlicher Prozesse hergestellt werden wie Prozesse zur Herstellung von TFT-Arrays für Displays. Jedoch kann ein solcher Herstellungsprozess, wenn ein Photodiodenarray in das TFT-Array integriert wird, zu Schwierigkeiten hinsichtlich der mechanischen Verlässlichkeit und/oder der Integrität des Detektorpaneels führen. Solche Fragen können beispielsweise beinhalten, dass die Diodenschicht nicht robust an dem TFT-Array haftet, dass dessen Fluorwasserstoffnassätzmittel (HF (Flusssäure)), das zum Wegätzen von Oxiden und Nitriden zur Ausbildung von Kontakten zur Kontaktierung der Source-Drain-Metallisierung (S/D) des TFT genutzt wird, die S/D-Metallisierung angreift, die als die zweite Metallschicht oder M2-Metall bezeichnet werden kann, und/oder Fragen hinsichtlich der Langzeitverlässlichkeit der Kontakte zwischen der Diode und der M2-Schicht weil das M2-Metall des TFT-Arrays eine Aluminiumlegierung umfassen oder anderweitig enthalten kann, typischerweise Mo/Al/Mo und/oder Mo/Al(Nd)/Mo. Im Allgemeinen sind Standardprozesse zur Erzeugung eines TFT-Arrays zu Prozessen zur Herstellung eines Diodenarrays nicht vollständig kompatibel, das in das TFT-Array zu integrieren ist, um ein Detektorpaneel für ein Bildgebungssystem oder ähnliches zu bilden.
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US 2003/0 173 669 A1 beschreibt DRAM (Dynamic Random Access Memory, dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff) – Einrichtungen mit Metallisierungen als Kontaktübergänge, wobei Dioden zwischen Metallisierungsebenen als Diodenschicht und anderen Kontaktübergängen zu deren Anschluss in einem ersten Bereich und Dioden in einem zweiten Bereich zur Verbindung mit einem Halbeitersubstrat vorgesehen sind.
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WO 2005/124 866 A1 , die eine ältere nachveröffentlichte Anmeldung ist, beschreibt bildgebende Röntgendetektoren als Einrichtungen und offenbart in einer Ausführungsform eine Einrichtung mit einer Diodenstruktur und einem TFT unter einer gemeinsamen Elektrode. In einem ersten Bereich sind Kontakte zu Source und Drain durch eine dielektrische Schicht gebildet, und in einem zweiten Bereich steht die Diodenschicht mit Drain oder Source als Substrat in direktem Kontakt.
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US 4 571 626 A beschreibt bildgebende Einrichtungen und offenbart eine Ausführungsform, die ein Substrat und eine dielektrische Schicht mit mehreren Metallschichten in einem ersten Bereich aufweist, um eine PIN-Diodenschicht anzuschließen. In einem zweiten Bereich ist diese PIN-Diode in der dielektrischen Schicht mit dem Substrat elektrisch verbunden.
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BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
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In dem nachfolgenden Abschnitt der Beschreibung ist der beanspruchte Gegenstand speziell ausgeführt und gesondert beansprucht. Jedoch wird beides, der Aufbau und/oder das Betriebsverfahren zusammen mit den Aufgaben, Merkmalen und/oder Vorzügen derselben am Besten mit Bezug auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung verstanden, wenn diese mit den zugehörigen Zeichnungen gelesen wird, in denen:
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1 ein Blockbild eines Bildgebungssystems gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der Erfindung ist;
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2 eine Skizze von Typen von Kontaktübergangsstrukturen in einem einer oder mehrerer Ausführungsformen entsprechenden Detektorpaneel ist,
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3 ein Diagramm von Querschnittsansichten eines äußeren Rands von Scann- und Datenkontaktfingern eines Detektorpaneels gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen veranschaulicht,
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4 eine Skizze von Querschnittsansichten von inneren Rändern von Kontaktfingern eines einer oder mehrerer Ausführungsformen entsprechenden Detektorpaneels veranschaulicht,
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5 eine Skizze einer Querschnittsansicht von Kontaktierungen in einem Detektorpaneel gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen ist,
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6 eine Skizze einer Querschnittsansicht einer Diode mit einer zusätzlichen Nitridschicht und einer zusätzlichen Metallschicht gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen ist,
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7 eine Skizze einer Querschnittsansicht von Gestaltungen von Dioden-Kontaktübergängen gemäß einer oder mehrer Ausführungsformen ist und
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8 ein Flussbild eines Verfahrens zur Herstellung eines Detektorpaneels ist, das ein TFT-Array und ein Diodenarray gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen aufweist.
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Es wird angemerkt, dass zur Vereinfachung und im Sinne der Klarheit der Darstellung in den Figuren veranschaulichte Elemente nicht notwendigerweise maßstäblich gezeichnet sind. Beispielsweise können die Dimensionen einiger der Elemente in Bezug auf andere Elemente zum Zwecke der Klarheit übertrieben dargestellt sein. Außerdem wurden, wenn es als zweckmäßig angesehen worden ist, Bezugsziffern in den Figuren wiederholt um entsprechende oder analoge Elemente anzuzeigen.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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In der folgenden detaillierten Beschreibung sind zahlreiche spezielle Details erläutert, um ein reifes Verständnis des beanspruchten Gegenstands zu erbringen. Jedoch versteht sich für den Fachmann, dass der beanspruchte Gegenstand ohne diese speziellen Einzelheiten ausgeführt werden kann. Andererseits sind etablierte Verfahren, Prozeduren, Komponenten und/oder Schaltungen nicht detailliert beschrieben.
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In der folgenden Beschreibung und/oder den Ansprüchen können die Begriffe gekoppelt und/oder verbunden zusammen mit ihren Ableitungen verwendet werden. In speziellen Ausführungsformen kann der Begriff „verbunden“ dazu benutzt werden, anzuzeigen, dass zwei oder mehrere Elemente in direkter physischer und/oder elektrischer Berührung miteinander stehen. Der Begriff „gekoppelt“ kann bedeuten, dass zwei oder mehrere Elemente in direktem physischen und/oder elektrischen Kontakt stehen. Jedoch kann der Begriff „gekoppelt“ auch bedeuten, dass zwei oder mehrere Elemente nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, jedoch immer noch miteinander zusammenwirken und/oder wechselwirken. Außerdem können die Begriffe „und/oder“ sowie „und“ jeweils „oder“ bedeuten, sie können „entweder oder“ bedeuten, sie können „eines“ bedeuten, sie können „einige jedoch nicht alle“ bedeuten, sie können „keines“ und/oder sie können „beide“ bedeuten, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf 1 Bezug genommen und ein Blockbild eines Bildgebungssystems gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen diskutiert. Wie in 1 veranschaulicht ist, kann ein Bildgebungssystem 100 eine Röntgenstrahlungsquelle 110 enthalten, die zur Erzeugung und Aussendung von Photonen 112 fähig ist, die zur Erzeugung eines Bildes geeignet sind. Bei einer oder mehreren alternativen Ausführungsformen kann die Röntgenstrahlungsquelle von jeder Art Quelle sein, die in der Lage ist, Partikel oder Wellen zu emittieren, die zur Erzeugung eines Bildes geeignet sind, wobei der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. Die Photonen 112 können auf ein Objekt 114, beispielsweise ein tierisches und/oder menschliches Objekt, auftreffen, wenn das Bildgebungssystem 10 in medizinischen Einrichtungen Anwendung findet. Alternativ kann das Objekt 114 jedes geeignete Objekt sein, wobei ein Bild des Objekts 114 beispielsweise bei der Inspektion hergestellter Teile gewünscht wird, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. Wenigstens ein Teil der Photonen 112 kann mit verschiedenen Flussstärken durch das Objekt 114 laufen, die wenigstens teilweise einer Dichte von Abschnitten des Objekts 114 entsprechen, wobei Photonen 112, die durch das Objekt 114 gelaufen sind, von einem Detektor 116 erfasst werden können. Wenigstens teilweise auf Basis der variierenden Flussstärke der Photonen 112, die durch den Detektor 116 erfasst werden, kann der Detektor 116 ein Ausgangssignal an eine Akquisitionsschaltung 118 liefern, die in der Lage ist, aus dem Ausgangssignal ein Bild und/oder ein Bild repräsentierende Daten des Objekts 114 zu liefern.
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Im Allgemeinen kann das Detektorpaneel 116 Kontaktpads enthalten, über die ein elektrischer Kontakt zu einer externen Schaltung herstellbar ist. Die Kontaktpads sind über Kontaktfinger mit dem Rand des aktiven TFT-Arraybereichs verbunden, wo sie elektrisch an Scan- und/oder Datenleitungen und/oder die allgemeine Elektrode oder Elektroden des TFT-Arrays verbunden sein können. Ein Detektorarray eines Röntgenbildgebungssystems oder ähnlichen kann auf einem im Wesentlichen flachen Substrat, typischerweise, jedoch nicht notwendigerweise, Glas ausgebildet sein. Der Bildaufnehmer kann ein Array von Pixeln aus photoempfindlichen Elementen, wie beispielsweise Photodioden enthalten, denen Schaltelemente, wie beispielsweise Dünnfilmtransistoren (TFTs) zugeordnet sind. In Betrieb kann die Spannung der Scannleitungen und somit der Gates der TFTs der Pixel, die der Scannleitung zugeordnet sind, mittels der Datenadressleitungen in einer vorbestimmten Folge eingeschaltet werden, um das Auslesen der Ladung auf der Photodiode einer gescannten Leitung zu ermöglichen. Die Scann- und Datenadressleitungen können typischerweise in zueinander rechtwinkliger Anordnung angeordnet sein. Die Adressleitungen umfassen einen Bereich in dem Array und der Bereich oder die Bereiche außerhalb des Arrays umfassen den oder die Kontaktfinger und Schutzpads und einen Schutzring, der von den Kontaktpads elektrisch isoliert sein kann. Ein elektrischer Kontakt zu dem Schutzring kann über gesonderte Kontaktpads hergestellt werden, die mit dem Array nicht elektrisch verbunden sein müssen. Der Schutzring wird typischerweise während des Betriebs auf Massepotenzial gehalten. Der Schutzring kann beispielsweise dazu benutzt werden, das Array bei der Ausbildung des Detektorpaneels 116 und/oder beim Anschluss des Detektorpaneels an eine externe Schaltung gegen elektrostatische Entladung zu schützen.
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Der Kontaktpad kann durch einen Bereich leitenden Materials definiert werden, das auf einer Oberfläche des Substrats an einer Padfläche angeordnet ist. Der Kontaktpadbereich kann den Oberflächenkontaktbereich und/oder zusätzliche Bereiche mit Strukturen beinhalten, die den Oberflächenpad mit dem Hauptkörper des Kontaktfingers elektrisch verbinden. Üblicherweise ist der Kontaktpad das Ende des Kontaktfingers und der Schutzring kann außerhalb des Kontaktpads angeordnet sein. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen des Detektorpaneels 116 können die Adressleitungen zwei oder mehrere Kontaktfinger und Kontaktpads, beispielsweise an einander gegenüberliegenden Enden des Arrays haben, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Der Systemcontroller 120 kann das Bild empfangen, das durch die Akquisitionsschaltung 118 erzeugt worden ist und verschiedene Steuer- und Verarbeitungsfunktionen für das Bildgebungssystem 100 erbringen. Beispielsweise kann der Systemcontroller 120 mit der Stromversorgungs- und Steuereinheit 122 verbunden sein, um den Betrieb der Röntgenstrahlungsquelle 110 zu steuern. Ähnlich kann der Systemcontroller 120 den Betrieb der Akquisitionsschaltung 118 und/oder des Detektors 116 steuern und außerdem mit einem Eingabe-Ausgabe-System 124 (I/O-System) verbunden sein. Das I/O-System 124 kann eine oder mehrere Steuereinrichtungen enthalten um es einem Bediener zu ermöglichen, das Bildgebungssystem 100 zu betreiben und/oder mit einem oder mehreren Einrichtungen zur Wiedergabe und/oder Speicherung von über den Detektor 116 aufgenommenen Bildern des Objekts 114 gekoppelt sein. Beispielsweise kann das I/O-System 124 mit einem (nicht veranschaulichten) Flüssigkristalldisplay oder ähnlichem zur Wiedergabe von Bilden verbunden sein, die von dem Detektor 116 aufgenommen worden sind. Außerdem kann das I/O-System 124 mit einem Festplattenlaufwerk oder anderen Arten von Speichermedien zur Speicherung von Bildern verbunden sein, die von dem Detektor 116 aufgenommen worden sind. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann das I/O-System mit einem Netzwerkadapter, Modem und/oder Router (nicht veranschaulicht) verbunden sein, beispielsweise, um von dem Detektor aufgenommen Bilder an andere Einrichtungen und/oder Knoten eines Netzwerks zu schicken. Außerdem mag es ein solcher Netzwerkadapter, ein Modem und/oder ein Router einem fernen Bediener gestatten, von dem Detektor 116 aufgenommene Bilder herunter zu laden und/oder anzusehen, beispielsweise wenn sie aufgenommen und in Dateien gespeichert sind und/oder solche Bilder in Echtzeit oder nahezu Echtzeit zu empfangen und/oder anzusehen und/oder den Betrieb des Bildgebungssystems 100 anderweitig von einer fernen Stelle zu steuern, beispielsweise von einer Maschine, die mit dem Bildgebungssystem 100 über das Internet verbunden ist. Jedoch sind dies lediglich Beispiele von Ausführungsformen zur Steuerung und/oder zur Kommunikation mit dem Bildgebungssystem 100 und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Hinsicht nicht beschränkt.
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Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Controller 120 wenigstens ein oder mehrere Prozessoren zur Ausführung von Steuerfunktionen des Bildgebungssystems 100, zur Steuerung des Bildaufnahmeprozesses des Bildgebungssystems 100 und/oder zur elektronischen Verarbeitung von Bildern aufweisen, die von dem Detektor 116 aufgenommen worden sind. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Systemcontroller 120 ein oder mehrere Allzweckprozessoren mit einem oder mehreren Prozessorkernen aufweisen und bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Controller 120 ein oder mehrere Spezialzweckprozessoren, wie beispielsweise digitale Signalprozessoren, beispielsweise zur Durchführung von Bildverarbeitung an von dem Detektor 116 aufgenommenen Bildern aufweisen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Systemcontroller 120 eine Allzweckcomputerplattform, eine Workstation und/oder einen Server aufweisen und bei einer oder mehreren alternativen Ausführungsformen kann der Systemcontroller 120 eine Spezialzweckplattform umfassen, die für Bildgebungsaufgaben speziell gestaltet ist. Jedoch sind dies nur beispielhafte Ausführungsformen des Systemcontrollers 120 und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Hinsicht nicht beschränkt.
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Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Detektor 116 ein Array aus a-Silizium-PIN-Photodioden aufweisen, die beispielsweise mit einer Schicht eines Röntgenszintillators, beispielsweise Cäsiumjodid (CsI), Cäsiumbromid (CsBr) oder ähnlichem koppeln, die dazu geeignet ist, von der Röntgenstrahlungsquelle 110 ausgesandte Röntgenphotonen (112) in sichtbare Photonen zu verwandeln, die dann durch die Photodioden erfasst werden. Ein solcher a-Si-Photodioden/CsI-Detektor kann als ein Wandeldetektor bezeichnet werden, bei dem die CsI-Schicht als Röntgenszintillator zur Umwandlung von Röntgenphotonen in sichtbare Photonen dient, wobei die Photodiode dazu dient, die sichtbaren Photonen zu erfassen und in ein elektrisches Signal zu verwandeln, das ein Bild des Objekts 114 repräsentiert. Die Photodioden/Röntgenszintillatordetektoren eines solchen Arrays können ein entsprechendes Array von Transistoren, beispielsweise Dünnfilmtransistoren (TFTs) und/oder andere Schaltungen zur Steuerung des Arrays der Photodioden/Röntgenszintillatordetektoren und zum Auslesen der Signale aus den Dioden enthalten, die wenigstens teilweise auf dem Fluss und/oder der Intensität von Photonen 112 beruhen, die auf die Diodendetektoren auftreffen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Detektor 116 ein Pixelarray aufweisen, das ein oder mehrere Subpixel enthält, die durch individuelle ladungsintegrierende Verstärker, Kurvenformer, Diskriminatoren und/oder Zählschaltungen bedient werden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Detektor 116 ein auf einem Halbleiterröntgenszintillator basierender Detektor 116 sein, beispielsweise in Form einer Schicht von Halbleiterröntgenszintillatordetektoren, wie beispielsweise Bleioxid (PbO), amorphen Selen (Se) und so weiter, die in der Lage sind, Röntgenphotonen 112 direkt zu erfassen, die von der Röntgenstrahlungsquelle (110) emittiert worden sind. Solche Detektoren auf Halbleiterröntgenszintillator-Basis werden als Direktumsetzungsdetektoren bezeichnet, in denen der Röntgenhalbleiterszintillator sowohl als Röntgenszintillator als auch als Photodiode wirkt und somit in der Lage ist, Photonen 112 einer Röntgenstrahlungsquelle direkt in ein elektrisches Signal umzusetzen, das ein Bild des Targets 114 repräsentiert. Die Halbleiterröntgenszintillatordetektoren eines solchen Arrays können ein entsprechendes Array von Transistoren, beispielsweise Dünnfilmtransistoren (TFTs) und anderen Schaltungen zur Steuerung des Arrays der Halbleiterröntgenszintillatordetektoren und zum Auslesen der Signale aus den Diodendetektoren umfassen, die wenigstens teilweise auf dem Fluss und/oder der Intensität der auf die Diodendetektoren auftreffenden Photonen beruhen. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Detektor 116 ein Pixelarray umfassen, das ein oder mehrere Subpixel enthält, die durch individuelle ladungsintegrierende Verstärker, Kurvenformer, Diskriminatoren und/oder Zählschaltungen bedient werden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf 2 Bezug genommen und ein Diagramm von verschiedenen Typen von Kontaktierungs- oder Übergangsstrukturen in einem Detektorpaneel gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen diskutiert. Wie in 2 in einer oder mehreren Ausführungsformen veranschaulicht ist, können vier Typen von Kontaktierungstrukturen 200, 202, 204 und/oder 206 an dem Detektorpaneel 116 vorgesehen werden. Indem wenigstens eine oder mehrere der Kontaktierungsstrukturen 200 bis 206 an dem Detektorpaneel 116 vorgesehen werden, kann eine verbesserte Haftung der Photodetektordioden an dem Detektorpaneel 116 erhalten werden. Die Größe der insoweit erhöhten Diodenhaftung kann wenigstens teilweise eine Funktion des Orts und/oder der Orte solcher Übergangsstrukturen 200 bis 206 sowie im Übrigen davon abhängig sein, ob unter einer Passivierungsnitridschicht ein oder mehrere Metallschichten vorgesehen sind. Beispielsweise kann die Kontaktierungsstruktur 200 an oder nahe bei Pixelzellen, Kontaktfingern und/oder einem Metallgitter des Detektorpaneels 116 vorgesehen sein und ein oder mehrere Schichten umfassen, die auf einem Glassubstrat 210 angeordnet sind. Solche Kontaktfinger können eine beschränkte elektrische Funktion aufweisen, wobei außerdem funktionslose Bereiche oder Abschnitte dazwischen vorgesehen sein können. An und/oder nahe bei solchen Kontaktfingern können ein oder mehrere Kontaktierungsstrukturen vorgesehen werden. Auf dem Glassubstrat 210 kann eine erste Schicht 212 aus Siliziumnitrid (SiNx) vorgesehen sein, wobei sie in einer Ausführungsform eine Dicke von ungefähr 230 nm (2300 Angström) haben kann. Auf der Schicht 212 kann eine erste Metallisierungsschicht 214 vorgesehen sein und in einer Ausführungsform eine Dicke von ungefähr 250 nm (2500 Angström) haben. Die Gateschicht 216 kann auf der Metallisierungsschicht 214 abgelagert sein und aus Siliziumnitrid bestehen und eine Dicke von ungefähr 350 nm (3500 Angström) haben. Auf der Gateschicht 216 kann eine zweite Metallisierungsschicht 218 angeordnet sein und eine Dicke von ungefähr 265 nm (2650 Angström) haben. Auf der Metallisierungsschicht 218 kann eine weitere Schicht 220 aus Siliziumnitrid vorgesehen sein, wobei die Siliziumnitridschicht eine Dicke von ungefähr 250 nm (2500 Angström) haben kann. Auf der Schicht 220 kann eine dritte Metallisierungsschicht 222 mit einer Dicke von ungefähr 70 nm (700 Angström) vorgesehen sein, wobei eine andere Schicht 224 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von ungefähr 300 nm (3000 Angström) auf der Metallisierungsschicht 222 angeordnet sein kann. Die Diode 226 kann auf der Schicht 224 angeordnet sein und in einer oder mehreren Ausführungsformen eine Dicke von ungefähr 160 nm (1600 Angström) aufweisen, wobei der Gegenstand der beanspruchten Erfindung nicht auf irgendeine spezielle Dicke der Diode 226 und/oder anderer Schichten der Übergangsstrukturen 200–206 beschränkt ist.
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Bei einer oder mehreren Ausführungsformen, bei denen die Diode 226 auf den Passivierungsnitridschichten der Transistoren des Detektorpaneels 116 haftet, können solche Übergangsstrukturen bzw. Kontaktierungsstrukturen 200–206 in dem Detektorpaneel 116 beispielsweise bei der Herstellung ausgebildet werden. Solche Kontaktierungsstrukturen 200–206 können beispielsweise an Stellen des Detektorpaneels 116 angeordnet werden, wo keine topographischen Merkmale der TFT-Arraystrukturen vorhanden sind und/oder außerhalb des TFT-Arrays in einem oder mehreren freien Kantenbereichen. Ein freier Kantenbereich oder Randbereich kann als im Wesentlichen unbenutzter Bereich ohne elektrische Funktion klassifiziert und definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen können beispielsweise mehrere Tausend und/oder Hunderttausende auf solchen freien Randbereichen vorgesehen werden. Bei einigen Ausführungsformen können die Kontaktierungsstrukturen 200–206 an Orten vorgesehen werden, wo unterhalb der Passivierungsnitridschicht des Feldeffekttransistors (FET) eine reine Metallschicht liegt. Bei einem oder mehreren Ätzprozessen wird als Ätzstopp in der Metallisierungsschicht 222 bei dem Prozess der Herstellung der Diode reines oder nahezu reines Molybdän (Mo) und/oder Molybdänwolframlegierung (MoW) genutzt, um die verdünnte Fluorwasserstoffsäure (HF) daran zu hindern, dass in der Metallisierungsschicht 218 enthaltene Aluminium anzugreifen und/oder es wird wenigstens teilweise anstelle des Nassätzens mit Fluorwasserstoffsäure in einer oder mehreren Ausführungsformen ein trockenes Plasmaätzverfahren angewandt. Solch eine Molybdän enthaltende Metallisierungsschicht 222 kann für die eine oder mehrere Kontaktierungsstrukturen 200 bis 206 dazu verwendet werden, potentielle Schwierigkeiten hinsichtlich der Kontaktierung einer amorphen Silizium(a-Si)-Diodenschicht der Diodenschicht 226 in direkten Kontakt mit der Metallisierungsschicht 218, die Aluminium oder ähnliches enthält, zu reduzieren oder zu beseitigen. Bei einer solchen Anordnung kann das amorphe Silizium der Diode 226 die Metallisierungsschicht 222 kontaktieren, die wenigstens teilweise Molybdän enthält und die anstelle der Kontaktierung der Metallisierungsschicht 218, die wenigstens teilweise Aluminium oder ähnliches enthält, auf der Siliziumnitridschicht 220 angeordnet ist. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Metallisierungsschicht 214 als M1-Metall bezeichnet werden, welches das Gatemetall des TFT-Transistors des Detektorpaneels 116 ist, die Metallisierungsschicht 218 kann als M2-Metall bezeichnet werden und/oder die Metallisierungsschicht 222 kann als M3-Metall bezeichnet werden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Metallisierungsschicht 222 ein Metall und/oder eine Metalllegierung enthalten, die allgemein besser an dem Material haftet, aus dem die Diode 226 hergestellt ist, typischerweise amorphes Silizium (a-Si). Solch ein Metall für die Metallisierungsschicht 222 kann ein wärmebeständiges Metall oder ähnliches, z.B. Molybdän (Mo), eine Molybdänlegierung, wie beispielsweise Molybdänwolfram (MoW) oder Titan (Ti) oder eine Titanlegierung oder ähnliches sein. Solch ein Metall für die Metallisierungsschicht 222 kann außerdem zur Verarbeitung bei höherer Temperatur geeignet sein, bei der die Diode 226 ausgebildet wird. Außerdem kann ein solches Metall für die Metallisierungsschicht 222 beispielsweise mit Fluorwasserstoffsäure (HF) weniger chemisch reaktiv sein als das Metall der Metallisierungsschicht 218, das beispielsweise Aluminium enthalten kann. Solch ein Metall kann für den direkten Kontakt mit der Diode 226 besser geeignet sein als die Metallisierungsschicht 218, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Somit kann, wie in 2 veranschaulicht ist, die Kontaktierungsstruktur 200 ausgebildet werden, indem das Detektorpaneel 116 mit einer zusätzlichen Metallisierungsschicht 222 und/oder einer Siliziumnitridschicht 224 versehen wird, die beispielsweise Standard-TFT-Transistorschichten, beispielsweise für Pixel des Detektorpaneels 116 enthalten kann. Eine solche Anordnung kann für Pixelzellen, Kontaktfinger und/oder Metallgitter 116 benutzt werden, wobei die Diode 226 mit der Metallisierungsschicht 222 anstelle der Metallisierungsschicht 218 in Verbindung stehen kann. Die Kontaktierungsstruktur 202 kann ähnlich zu der Kontaktierungsstruktur 200 mit der Ausnahme sein, dass die Metallisierungsschicht 218 beispielsweise bei Masseringstrukturen und/oder Scanreparaturstrukturen des Detektorpaneels 116 mit der Metallisierungsschicht 214 in Kontakt steht. Die Kontaktierungsstruktur 204 kann ohne Metallisierungsschicht auskommen, beispielsweise zwischen Metallgittern, Übergängen und/oder Eckkontakten oder ähnlichem. Die Kontaktierungsstruktur 206 kann eine einzelne Metallisierungsschicht 214 beispielsweise in HSD ID-Pads oder ähnlichem aufweisen. Die Kontaktierungsstrukturen 200, 202, 204 und/oder 206 sind lediglich beispielhafte Anordnungen von Kontaktierungsstrukturen, die auf einem Detektorpaneel 116 ausgebildet sein können, beispielsweise um die Haftung von amorphem Silizium der Diode 226 auf Passivierungsnitridschichten, wie beispielsweise der Schicht 220 zu verbessern, wobei der Gegenstand der Erfindung in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Kontaktierungsübergangsstrukturen 200–206 in freien Kanten- oder Randbereichen außerhalb der aktiven Arraybereiche des Detektorpaneels 116 angeordnet sein. In einer Ausführungsform ist eine S/D-Metallgitterstruktur mit einer Teilung von ungefähr 1000 µm ausreichend. In einer oder mehreren anderen Ausführungsformen kann das Hinzufügen eines 100 bis 200-µm-Arrays von ein oder mehreren Kontaktierungsgitteröffnungen ausreichend sein, um das Abschälen der Diodenschicht von dem Glassubstrat 210 in einem oder mehreren freien Rand- oder Kantenbereichen zu mindern oder zu vermeiden, wenn die Dicke der Diode 226 größer ist. In einem oder mehreren Ausführungsbeispielen können an dem Detektorpaneel 116, wo eine oder mehrere Metallisierungsschichten, wie beispielsweise die Metallisierungsschicht 214 und/oder die Metallisierungsschicht 218 unter den Passivierungsnitridschichten des Detektorpaneels 116 vorgesehen sind, und/oder an der Gitterstruktur der Metallisierungsschicht 218 und/oder innerhalb der Gitteröffnung ein oder mehrere solcher Kontaktierungsstrukturen vorgesehen werden. In einer oder mehreren Ausführungsformen können ein oder mehrere Kontaktierungsstrukturen 200–206 dazu benutzt werden, nahezu jeden elektrisch aktiven und/oder elektrisch inaktiven Bereich auszufüllen, wo es zweckmäßig ist, um die Neigung der Diodenschichten der Dioden 226 zum wenigstens teilweisen temporären und/oder permanenten Trennen von dem Detektorpaneel 116 zu mindern oder zu reduzieren, wobei der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf die 3 und 4 Bezug genommen und Skizzen von Querschnittsansichten eines äußeren Abschnitts von Scan- und Datenkontaktfingern und einen inneren Anschlusskontaktfinger in einem Detektorpaneel gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen diskutiert. Wie in 3 und 4 veranschaulicht ist, kann ein anderer Aspekt gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen beinhalten, dass oben auf einem oder mehreren Kontaktfingern eine Diodeninsel belassen wird. 3 veranschaulicht eine Anordnung für einen äußeren Kontaktfinger und 4 veranschaulicht eine Anordnung für einen inneren Kontaktfinger in Nachbarschaft zu dem Pixelarray des Detektorpaneels 116. Um sicherzustellen, dass der Kontaktfinger die am höchsten oder wenigstens im Wesentlichen höchsten aufragende Stelle ist, die einen verlässlichen elektrischen Kontakt zu einem Paneeltester ermöglicht, kann der Kontaktfingeraufbau wie in den 3 und 4 dargestellt beschaffen sein. Vor der Erzeugung der Diode kann die Metallisierungsschicht 222, wie bei 300 veranschaulicht, nach dem Ausbilden der Kontaktierungsstrukturen für die Dioden die höchste Schicht 301 sein. Nach dem HRC-Ätzen kann die Diode 226, wie bei 302 veranschaulicht ist, die höchste Schicht 303 sein. Nach dem Nitridbarriereätzen kann die Diode 226, wie bei 304 veranschaulicht ist, als die am höchsten aufragende Schicht 305 auch dann verbleiben, nachdem die Diodendurchgangsschicht 310 und die Barriereschicht 312 aufgebracht sind. In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Dioden 226 enthaltenden Diodeninseln an der höchsten Position oder an einer gemessen vom Glassubstrat 210 wenigstens im Wesentlichen höchsten Position angeordnet werden. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann die dielektrische Umgebung eines Kontaktfingers, um sicherzustellen, dass die Dioden 226 in den Fingern die höchsten Punkte bilden, entfernt werden und dann kann die Kontaktfingeröffnung über einer Kante der Metallisierungsschicht 218 (M2-Metall) und optional innerhalb angeordnet werden und es kann eine Kantenmetallisierungsschicht 222 (M3-Metall) vorgesehen werden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf 5 verwiesen, in der ein Diagramm einer Querschnittsansichtsform durch Kontaktierungen in einem einer oder mehreren Ausführungsformen entsprechenden Detektorpaneel diskutiert wird. 5 veranschaulicht eine Querschnittsansicht von Kontaktierungsstrukturen 512 und 514, bei denen eine Metallisierungsschicht 510, die als M4-Metall bezeichnet wird, die Oberseite einer Diodeninsel, die die Diode 226 enthält, elektrisch andere Metallisierungsschichten anschließt, wie beispielsweise die Metallisierungsschicht 222 (M3-Metall) und/oder die Metallisierungsschicht 214 (M1-Metall) unterhalb der Diodeninsel des Fingers. Die Metallisierungsschicht 218 weist Aluminium enthaltendes M2-Metall auf, das in einer Ausführungsform aus einer dünnen Aluminiumschicht bestehen und an dem Kontaktierungsübergang 514 absichtlich weggeätzt sein kann, um einen robusten aluminiumfreien M3/M1-Metallstapel 516 der Metallisierungsschicht 214 zu bilden, der wie bei 516 veranschaulicht, in Kontakt mit der Metallisierungsschicht 222 steht, um eine HF-Nassätzbarriere für den Kontaktübergang 514 zu bilden. Die Metallisierungsschicht 510 (M4-Metall) kann dazu ausgelegt sein, einen Kontakt zu einer solchen M1/M3-Metallschichtung bei 516 herzustellen, der dazu eingerichtet sein kann, mit der Metallisierungsschicht 218 (M2-Metall) über einen anderen (nicht veranschaulichten) Kontaktierungsübergang elektrisch verbunden zu werden, der vorausgehend zwischen der Metallisierungsschicht 218 (M2-Metall) und beispielsweise der Metallisierungsschicht 214 (M1-Metall) geöffnet worden ist. Bei einer solchen Anordnung kann bei dem HF-Nassätzen jeder Angriff des Fluorwasserstoffs auf die Aluminiummetallisierungsschicht 218 (M2-Metall) vermieden werden. Es können an einer oder mehreren Stellen ähnliche Kontaktierungsstrukturanordnungen Verwendung finden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf 6 verwiesen und eine Skizze einer Querschnittsansicht einer Diode diskutiert, die eine zusätzliche Nitridschicht und eine zusätzliche Metallschicht gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen enthält. Wie in 6 veranschaulicht, weist die Metallisierungsschicht 222, die beispielsweise eine Dicke von 70 nm (700 Angström) hat, reines oder nahezu reines Molybdän (Mo) oder ähnliches und/oder eine Molybdänlegierung, wie beispielsweise Molybdänwolfram (MoW) oder ähnliches auf, das zwischen die Diode 226 und die Metallisierungsschicht 218 (M2-Metall) eingefügt und auf der Schicht 220 angeordnet ist. Die Metallisierungsschicht 222 kann als M3-Metall bezeichnet werden. Ähnlich kann eine zusätzliche Siliziumnitridschicht 224, die beispielsweise eine Dicke von 250 nm (2500 Angström) hat, zwischen der Metallisierungsschicht 222 und der Diode 226 angeordnet sein. Die Metallisierungsschicht 222 (M3-Metall) kann elektrisch mit einer Source-Metallschicht und/oder einer Drain-Metallschicht, beispielsweise der Metallisierungsschicht 214 mittels eines weiteren Kontaktierungsübergangs, wie beispielsweise dem Übergang 514 nach 5 elektrisch verbunden sein, der Außerhalb der Diodeninsel angeordnet ist, die die Diode 226 enthält, wobei der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen ist die Diode 226 nicht in direktem Kontakt mit der Metallisierungsschicht 218 angeordnet, sondern in elektrischem Kontakt mit der Metallisierungsschicht 218 über die Metallisierungsschicht 222, um jede potentielle Gefahr hinsichtlich der Verlässlichkeit der Diode infolge von Interdiffusion von Aluminium aus der Metallisierungsschicht 218 in elektrische Verbindungen der Diode 226 zu vermeiden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf 7 Bezug genommen und eine Skizze einer Querschnittsansicht eines Diodenkontaktierungsübergangs gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen diskutiert. Wie in 7 veranschaulicht, kann ein erster Diodenkontaktierungsübergang 700 eine Struktur aufweisen, die sich durch eine Diodendurchgangsschicht 310 und die Schicht 224 nach unten erstreckt, um die Metallisierungsschicht 222 freizulegen. Lagen unterhalb der Metallisierungsschicht 222 können unangetastet und im Hinblick auf die Diodenkontaktierung 700 im Wesentlichen eben verbleiben. Bei einer solchen Anordnung kontaktiert die Metallisierungsschicht 222 die Metallisierungsschicht 218 und/oder die Metallisierungsschicht 214 in dem Bereich unterhalb des Diodenkontaktierungsübergangs 700 nicht. Der Diodenkontaktierungsübergang 700 kann im Querschnitt im Wesentlichen V-förmig sein, um eine Diodenschicht zur Ausbildung der Diode 226 in dem V-förmigen Bereich aufzunehmen, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Ein zweiter Diodenkontaktierungsübergang 702 kann eine Struktur aufweisen, die sich durch die Metallisierungsschicht 218 hindurch zu der Metallisierungsschicht 214 erstreckt. Die Metallisierungsschicht 222 kann so angeordnet sein, dass sie die Metallisierungsschicht 214 berührt, jedoch kann sie gegen die Metallisierungsschicht 218 durch eine dielektrische Schicht 220 isoliert sein. Allgemein kann die Metallisierungssicht 214 im Wesentlichen eben verbleiben, wohingegen das Ätzen und/oder das Ablagern von Schichten auf der Metallisierungsschicht dazu führen kann, dass der Diodenkontaktierungsübergang 702 im Querschnitt im Wesentlichen V-förmig ist und gestufte Seitenwände aufweist. Solche gestuften Seitenwandstrukturen können eine verbesserte Haftung der Diodenschicht an den TFT-Schichten ergeben, wenn die Diode 226 innerhalb des Diodenkontaktierungsübergangs 702 ausgebildet ist, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. Ein dritten Diodenkontaktierungsübergang 704 kann eine Struktur aufweisen, die sich durch die Metallisierungsschicht 218 hindurch nach unten erstreckt, um die Schicht 212 zu erreichen, die in einer Ausführungsform ein Source-Kontaktbereich und/oder ein Drain-Kontaktbereich eines entsprechenden TFT sein kann. Die Metallisierungsschicht 222 kann so angeordnet sein, dass sie die Schicht 212 kontaktiert, jedoch gegen die Metallisierungsschicht 218 durch die dielektrische Schicht 220 isoliert ist. Allgemein können die Schichten 214 bis 212 im Wesentlichen eben ausgebildet sein und bleiben, während beim Ätzen und/oder Ablagern von Schichten auf der Schicht 212 sich ein Diodenkontaktierungsübergang 704 ergeben kann, der im Querschnitt im Wesentlichen V-förmig ist und gestufte Seitenränder aufweist. Ähnlich zu den gestuften Seitenwänden des Diodenübergangs 702 können solche gestuften Seitenwände des Diodenübergangs 704 eine verbesserte Haftung der Diodenschicht an den TFT-Schichten ergeben, wenn die Diode 226 innerhalb des Diodenübergangs 704 ausgebildet wird, wobei der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Diodenübergange, wie beispielsweise die Kontaktierungsübergänge 200 bis 206 der 2 oder die Übergänge 700 bis 704 der 7, in einem TFT-Array an einer oder mehreren geeigneten Stellen und/oder in verschiedener Kontaktierungsübergangsdichte, -größe und/oder -form ausgebildet werden. Solche Übergänge können die Haftung der Dioden an der FET-Passivierungsnitridschicht des TFT-Arrays verbessern. In einer oder mehreren Ausführungsformen können solche Übergangsstrukturen an Stellen des Detektorpaneels 116 ausgebildet werden, wo keine oder wenige topographische Merkmale des Arrays vorhanden sind und/oder außerhalb des Arrays in einem freien Kantenbereich. Außerdem können solche Übergangskontaktierungsstrukturen in einer oder mehreren Ausführungsformen an Stellen angeordnet werden, an denen unterhalb der FET-Passivierungsnitridschicht reines Metall vorhanden ist. Um die verdünnte Fluorwasserstoffsäure (Flusssäure) daran zu hindern, das Aluminium in der Metallisierungsschicht 218 (M2-Metall) bei dem Prozess der Ausbildung der Diode anzugreifen, kann eine Metallisierungsschicht 222 mit einem Mo- oder MoW-Metallschichtaufbau 516 in den Kontaktierungsübergangsbereich als Ätzstopp hinzugefügt werden und/oder es kann optional ein trockenes Plasmaätzverfahren verwendet werden, um den nassen Flusssäureätzprozess zu ersetzen und/oder zu verkürzen, wenn es angemessen ist. Zur Verbesserung der langfristigen Verlässlichkeit einer a-Si-Diodenschicht kann die Metallisierungsschicht 222 reines oder nahezu reines Molybdän enthalten, das auf der FET-Passivierungsnitridschicht abgelagert ist, so dass das a-Si der Diodenschicht in direktem Kontakt mit der Metallisierungsschicht 222 an Stelle der Metallisierungsschicht 218 steht, welche Aluminium enthalten kann obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Es wird nun auf 8 verwiesen und ein Flussbild eines Verfahrens zur Herstellung eines Detektorpaneels mit einem TFT-Array und einem Diodenarray gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen diskutiert. Das Verfahren 800 der 8 kann mehr oder wenige Blöcke als veranschaulicht enthalten und/oder die Blöcke des Verfahrens 800 können in einer oder mehreren anderen Reihenfolgen angeordnet sein und das Verfahren ist nicht notwendigerweise auf die Reihenfolge nach 8 beschränkt. Gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen kann das TFT-Array in Stufe 810 mit einer ersten und/oder zweiten Metallschicht versehen werden. Beispielsweise kann ein solches TFT-Array eine Metallisierungsschicht 214 und/oder eine Metallisierungsschicht 218 enthalten. In Block 812 können zu dem TFT-Array Kontaktfinger hinzugefügt werden, wobei die Kontaktfinger den höchsten Punkt oder die höchsten Punkte des TFT-Arrays bilden. Im Block 814 können zu dem TFT-Array in verschiedenen Positionen zur verbesserten Haftung der Diodenschicht auf dem TFT-Array Kontaktübergänge hinzugefügt werden. Optional können die Kontaktübergänge durch Flusssäurenassätzen oder alternativ durch Plasmaätzen hergestellt werden, obwohl der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist. In Block 816 kann zu dem TFT-Array eine dritte Metallisierungsschicht 222 optional zusammen mit einer zusätzlichen Nitridschicht hinzugefügt werden. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die dritte Metallisierungsschicht 222 in Block 818 optional mit der ersten Metallisierungsschicht 214 an einer oder mehreren strategischen Stellen verbunden werden. Ähnlich kann in Block 820 die dritte Metallisierungsschicht in einer oder mehreren Ausführungsformen optional mit der zweiten Metallisierungsschicht 218 an einer oder mehreren strategischen Stellen verbunden werden. In Block 822 kann auf dem TFT zur Ausbildung von Dioden an einer oder mehreren Übergangsstellen eine Diodenschicht abgelagert werden. Die Dioden können in Block 824 mit der dritten Metallisierungsschicht 222 verbunden werden. In Block 826 kann zu dem TFT-Array eine Diodenanschlussschicht und/oder eine vierte Metallisierungsschicht 510 hinzugefügt werden. In Block 828 kann die vierte Metallisierungsschicht 510 an die Dioden 226 angeschlossen werden. Optional kann die vierte Metallisierungsschicht 510 in Block 830 mit der dritten Metallisierungsschicht 222 verbunden werden. Das Verfahren 800 beschreibt ein Verfahren, mit dem ein Detektorpaneel 116, das ein Photodiodenarray aufweist, auf einem TFT-Array ausgebildet werden kann, wobei jedoch auch andere Verfahren benutzt werden können und der beanspruchte Gegenstand in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist.
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Obwohl der beanspruchte Gegenstand mit einem gewissen Grad von Spezifik beschrieben worden ist, sollte klar sein, dass seine Elemente durch den Fachmann geändert werden können, ohne den Geist und den Umfang des beanspruchten Gegenstands zu verlassen. Es wird davon ausgegangen, dass aus der vorausgehenden Beschreibung ein Dünnfilmtransistor- und Diodenarray für ein Bildgebungspaneel oder ähnliches und/oder viele der zugehörigen Vorzüge ersichtlich werden und es wird klar, dass hinsichtlich der Form, des Aufbaus und/oder der Anordnung seiner Komponenten zahlreiche Abwandlungen möglich sind, ohne den Schutzbereich und den Geist des beanspruchten Gegenstands zu verlassen, ohne alle materiellen Vorzüge aufzugeben, wobei die hier beschriebene Form lediglich erläuternde Ausführungsformen sind, an der weitere substantielle Änderungen möglich sind. Es ist die Absicht der Ansprüche, solche Abwandlungen zu umfassen und/oder einzuschließen.
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Bezugszeichenliste
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- 100
- Bildgebungssystem
- 110
- Röntgenstrahlungsquelle (Röntgenstrahlung)
- 112
- Photonen
- 114
- Target (TARGET)
- 116
- Detektor (DETEKTOR)
- 118
- Akquisitionsschaltung
- 120
- Systemcontroller
- 124
- I/O-System
- 200
- Kontaktübergangsstruktur
- 202
- Kontaktübergangsstruktur
- 204
- Kontaktübergangsstruktur
- 206
- Kontaktübergangsstruktur
- 210
- Substrat
- 212
- Schicht
- 214
- Metallisierungsschicht (M1)
- 216
- Schicht
- 218
- Metallisierungsschicht (M2)
- 220
- Schicht
- 222
- Metallisierungsschicht (M3)
- 224
- Schicht
- 226
- Diode
- 300
- Prozessschritt
- 301
- Höchste Schicht
- 302
- Prozessschritt
- 303
- Höchste Schicht
- 304
- Prozessschritt
- 305
- Höchste Schicht
- 310
- Diodenanschlussschicht
- 312
- Barriereschicht
- 510
- Metallisierungsschicht (M4)
- 512
- Kontaktübergangsstruktur
- 514
- Kontaktübergangsstruktur
- 516
- Metallschichtenfolge
- 700
- Diodenkontaktübergang
- 702
- Diodenkontaktübergang
- 704
- Diodenkontaktübergang
- 800
- Verfahren
- 810
- Block
- 812
- Block
- 814
- Block
- 816
- Block
- 818
- Block
- 820
- Block
- 822
- Block
- 824
- Block
- 826
- Block
- 828
- Block
- 830
- Block
