DE102006049324A1 - Halbleiterkörper und Verfahren zum Testen eines Halbleiterkörpers - Google Patents

Halbleiterkörper und Verfahren zum Testen eines Halbleiterkörpers Download PDF

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Abstract

Ein Halbleiterkörper (1) umfasst ein erstes Halbleiterbauelement (10), ein zweites Halbleiterbauelement (20), eine erste Anschlussfläche (14), eine zweite Anschlussfläche (24) und eine elektrische Kopplung zwischen der ersten und der zweiten Anschlussfläche (14, 24). Das erste Halbleiterbauelement (10) weist einen Steueranschluss (11), einen ersten Anschluss (12), der mit der ersten Anschlussfläche (14) verbunden ist, und einen zweiten Anschluss (13) auf. Das zweite Halbleiterbauelement (20) weist einen Steueranschluss (21), einen ersten Anschluss (22), der mit der zweiten Anschlussfläche (24) verbunden ist, und einen zweiten Anschluss (23) auf.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper, einen gehäusten Halbleiterkörper, eine Messanordnung zum Testen und ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterkörpers.
  • Halbleiterkörper können einen Eingangs- oder Ausgangstransistor umfassen, der mit einem hohen Strom beaufschlagt wird. Häufig erfolgt ein Kontaktieren des Halbleiterkörpers mit Bonddrähten. Da der Durchmesser eines Bonddrahtes und damit die durch den Bonddraht fließende, maximal zulässige Stromstärke limitiert ist, kann zum Versorgen eines Transistors eine mehrfache Bondverbindung vorgesehen werden. Mittels eines einfachen elektrischen Tests kann nur getestet werden, ob mindestens ein Bonddraht einer Mehrfach-Bondverbindung vorhanden ist. Mittels eines Röntgenverfahrens lässt sich das Vorhandensein von mehreren Bonddrähten überprüfen. Ob jeder der Bonddrähte einen elektrischen Kontakt zu den Anschlüssen aufweist, kann jedoch mittels eines Röntgenverfahrens nicht überprüft werden. Der Einschaltwiderstand eines Transistors, der mit hohen Strömen beaufschlagt werden kann, kann Werte im Bereich einiger 10 bis 100 mOhm aufweisen. Eine messtechnische Erfassung derart niedriger Einschaltwiderstände ist aufwändig.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Halbleiterkörper, einen gehäusten Halbleiterkörper, eine Messanordnung zum Testen und ein Verfahren zum Testen eines Halbleiterkörpers bereitzustellen, die ein genaues Erfassen von Einschaltwiderständen und ein Testen von Bonddrähten ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird mit den Gegenständen der Patentansprüche 1, 9 und 12 sowie dem Verfahren gemäß dem Patentanspruch 15 gelöst. Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind jeweils Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Erfindungsgemäß umfasst ein Halbleiterkörper ein erstes und ein zweites Halbleiterbauelement. Das erste Halbleiterbauelement weist einen Steueranschluss, einen ersten und einen zweiten Anschluss auf. Entsprechend weist auch das zweite Halbleiterbauelement einen Steueranschluss, einen ersten und einen zweiten Anschluss auf. Der Halbleiterkörper umfasst eine erste und eine zweite Anschlussfläche. Der erste Anschluss des ersten Halbleiterbauelementes ist an die erste Anschlussfläche angeschlossen. Ebenso ist der erste Anschluss des zweiten Halbleiterbauelementes an die zweite Anschlussfläche angeschlossen. Die erste und die zweite Anschlussfläche sind miteinander elektrisch gekoppelt.
  • Mit Vorteil kann durch das Bereitstellen eines ersten und eines zweiten Halbleiterbauelementes sowie einer ersten und einer zweiten Anschlussfläche eine Stromlast auf zwei Halbleiterbauelemente aufgeteilt werden. Führt beispielsweise ausschließlich das erste Halbleiterbauelement, nicht jedoch das zweite Halbleiterbauelement Strom, so kann ein Einschaltwiderstand des ersten Halbleiterbauelementes ermittelt werden. Dieser ist höher und damit einfacher zu ermitteln als ein Einschaltwiderstand eines Halbleiterbauelementes, das die addierten Stromlasten des ersten und des zweiten Halbleiterbauelementes tragen kann. Führt ausschließlich das erste Halbleiterbauelement Strom, so kann über die elektrische Kopplung der ersten und der zweiten Anschlussfläche ein Potential an der ersten Anschlussfläche mit hoher Genauigkeit mittels Abgreifen eines Potentials an der zweiten Anschlussfläche be stimmt werden, da über die zweite Anschlussfläche praktisch kein Strom, vor allem kein Laststrom, fließt und somit keine Verfälschung des zu messenden Potentials aufgrund eines durch einen Stromfluss hervorgerufenen Spannungsabfalls verursacht wird.
  • In einer Weiterbildung ist die erste Anschlussfläche mit der zweiten Anschlussfläche mittels einer Leiterbahn gekoppelt. In einer bevorzugten Weiterbildung weist der Halbleiterkörper einen ersten Widerstand auf, der die erste Anschlussfläche mit der zweiten Anschlussfläche verbindet.
  • In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterkörper eine dritte und eine vierte Anschlussfläche, die jeweils mit dem zweiten Anschluss des ersten beziehungsweise zweiten Halbleiterbauelements verbunden sind. Zwischen der dritten und der vierten Anschlussfläche kann eine elektrische Kopplung vorgesehen sein. In einer Weiterbildung ist die elektrische Kopplung zwischen der dritten und der vierten Anschlussfläche als Leiterbahn realisiert. Bevorzugt umfasst der Halbleiterkörper einen zweiten Widerstand, der die dritte Anschlussfläche mit der vierten Anschlussfläche verbindet.
  • In einer Weiterbildung umfasst der Halbleiterkörper mindestens ein drittes Halbleiterbauelement sowie eine fünfte und eine sechste daran angeschlossene Anschlussfläche. In einer Ausführungsform weist der Halbleiterkörper mindestens zwei weitere Widerstände auf, welche die zweite Anschlussfläche mit der fünften Anschlussfläche und die vierte Anschlussfläche mit der sechsten Anschlussfläche verbinden. Mit Vorteil kann somit eine große Stromlast auf drei Halbleiterbauelemente verteilt werden, wobei das beschriebene Messprinzip entsprechend angewendet werden kann. In einer Weiterbildung kann der Halbleiterkörper mindestens ein weiteres Halbleiterbauelement und entsprechend zugeordnete Anschlussflächen und Widerstände umfassen.
  • Die Stromtreiberfähigkeit der verschiedenen Halbleiterbauelemente kann unterschiedlich sein. Bevorzugt ist die Stromtreibefähigkeit der verschiedenen Halbleiterbauelemente näherungsweise gleich eingestellt.
  • Das erste und das zweite Halbleiterbauelement können jeweils einen Transistor umfassen. In einer Ausführungsform umfassen das erste Halbleiterbauelement und das zweite Halbleiterbauelement jeweils einen Feldeffekttransistor. In einer bevorzugten Ausführungsform sind der erste und der zweite Feldeffekttransistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp. Die beiden Feldeffekttransistoren können n-Kanal-Feldeffekttransistoren sein. Alternativ sind die beiden Feldeffekttransistoren als p-Kanal-Feldeffekttransistoren ausgebildet.
  • Ein gehäuster Halbleiterkörper nach dem vorgeschlagenen Prinzip umfasst den Halbleiterkörper sowie ein Gehäuse. Das Gehäuse weist eine erste Metallbahn, englisch leadfinger, die mit der ersten und der zweiten Anschlussfläche des Halbleiterkörpers verbunden ist, und eine zweite Metallbahn auf, die elektrisch leitend mit der dritten und der vierten Anschlussfläche des Halbleiterkörpers verbunden ist.
  • Die Verbindung der Anschlussflächen auf dem Halbleiterkörper mit den Metallbahnen im Gehäuse kann mittels Bonddrähten realisiert sein. In einer Ausführungsform umfasst der gehäuste Halbleiterkörper einen ersten Bonddraht, der die erste Anschlussfläche mit der ersten Metallbahn verbindet, einen zweiten Bonddraht, der die zweite Anschlussfläche mit der ersten Metallbahn verbindet, sowie einen dritten und einen vierten Bonddraht, welche die dritte beziehungsweise die vierte Anschlussfläche mit der zweiten Metallbahn verbinden. In einer bevorzugten Ausführungsform verbindet genau ein einziger Bonddraht, nämlich der erste Bonddraht, die erste Anschlussfläche mit der ersten Metallbahn. Dementsprechend sind auch die weiteren Anschlussflächen mittels jeweils genau eines einzigen Bonddrahts kontaktiert.
  • Alternativ können Bondkugeln, englisch bond balls, auf den Anschlussflächen vorgesehen sein, die zur Verbindung mit den Metallbahnen ausgebildet sind. Die Bondkugeln können auch als Lötkugeln oder Metallerhebungen, englisch bumps, bezeichnet werden. Zum Herstellen der Verbindung kann der Halbleiterkörper in einer Flip-Chip-Technik auf die Metallbahnen aufgesetzt werden.
  • Nach dem vorgeschlagenen Prinzip umfasst eine Messanordnung zum Testen des Halbleiterkörpers ein Widerstandsmesssystem, das über eine erste und eine zweite Verbindung mit der ersten beziehungsweise zweiten Anschlussfläche verbunden ist. In einer Weiterbildung ist das Widerstandsmesssystem mit der dritten und der vierten Anschlussfläche über eine dritte beziehungsweise eine vierte Verbindung gekoppelt.
  • Das Widerstandsmesssystem kann einen Impedanzanalysator, welcher zur 4-Draht-Messung ausgelegt ist, umfassen. Alternativ kann das Widerstandsmesssystem eine Widerstandsmessbrücke, die zur 4-Draht-Messung ausgebildet ist, umfassen.
  • In einer weiteren alternativen Ausführungsform weist das Widerstandsmesssystem eine Spannungsquelle, ein Strommessgerät und ein Spannungsmessgerät auf. Die Spannungsquelle ist mit der ersten Anschlussfläche verbunden. Das Strommessgerät ist an einem Anschluss mit der dritten Anschlussfläche und an einem weiteren Anschluss mit einem Bezugspotentialanschluss verbunden. Das Spannungsmessgerät ist zwischen die zweite Anschlussfläche und die vierte Anschlussfläche geschaltet.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist das Widerstandsmesssystem eine Stromquelle und ein Spannungsmessgerät auf. Dabei ist die Stromquelle über die erste Verbindung mit der ersten Anschlussfläche verbunden. Die dritte Anschlussfläche ist mittels der dritten Verbindung an einen Bezugspotentialanschluss angeschlossen. Das Spannungsmessgerät ist mittels der zweiten und der vierten Verbindung mit der zweiten und der vierten Anschlussfläche verbunden.
  • Eine der vier Verbindungen kann eine Leitung in Form eines Kabels und eine Leiterbahn auf einer Probecard sowie eine Prüfnadel, auch als Testnadel bezeichnet, umfassen. Alternativ kann die Verbindung auch eine Prüfnadel umfassen, die mechanisch derart mit einem Waferprober verbunden ist, dass die Position der Prüfnadel in Bezug auf die Position einer weiteren Prüfnadel mechanisch einstellbar ist. Der Halbleiterkörper wird dann derart unter der Probecard oder der Anordnung der einzelnen Prüfnadeln positioniert, dass die Prüfnadeln einen mechanischen und damit auch einen elektrischen Kontakt zu den jeweiligen Anschlussflächen aufweisen.
  • Der Halbleiterkörper kann in einem Schaltspannungswandler, einem Linearspannungsregler oder einem Analogschalter eingesetzt werden. Der Halbleiterkörper kann auch in einer Ladungspumpe oder einem Verstärker, insbesondere einem Leistungsverstärker, verwendet werden.
  • Erfindungsgemäß sieht ein Verfahren zum Testen eine Halbleiterkörpers folgende Schritte vor: Ein Widerstandsmesssystem wird mit einem ersten und einem zweiten Anschluss eines ersten Halbleiterbauelementes und mit einem ersten und einem zweiten Anschluss eines zweiten Halbleiterbauelementes verbunden. Das erste und das zweite Halbleiterbauelement werden von einem Halbleiterkörper umfasst. Das erste Halbleiterbauelement wird aktiviert und das zweite Halbleiterbauelement wird deaktiviert. Ein erster Strom I1 wird in das erste Halbleiterbauelement eingespeist. Zwischen den beiden Anschlüssen des ersten Halbleiterbauelementes wird eine erste Spannung U1 abgegriffen. Ein erster Einschaltwiderstand Ron1 wird ermittelt gemäß der Formel Ron1 = U1Ι1 ,wobei I1 der Wert des ersten Stromes und U1 der Wert der ersten Spannung ist.
  • In einer Weiterbildung wird überprüft, ob der erste Einschaltwiderstand Ron1 größer oder kleiner als ein einstellbarer Vorgabewert ist. Der Halbleiterkörper wird als defekt erkannt, falls der erste Einschaltwiderstand höher als der einstellbare Vorgabewert ist.
  • Ein Verfahren zum Testen eines gehäusten Halbleiterkörpers sieht folgende Schritte vor: Ein Widerstandsmesssystem wird mit einer ersten und einer zweiten Metallbahn eines Gehäuses verbunden. Dabei ist die erste Metallbahn mit einem ersten Anschluss eines ersten Halbleiterbauelementes und einem ersten Anschluss eines zweiten Halbleiterbauelementes verbunden. Die zweite Metallbahn ist entsprechend mit einem zweiten An schluss des ersten Halbleiterbauelementes und einem zweiten Anschluss des zweiten Halbleiterbauelementes verbunden. Dabei ist der erste Anschluss des ersten Halbleiterbauelementes mittels eines ersten Widerstandes mit dem ersten Anschluss des zweiten Halbleiterbauelementes gekoppelt. Ebenso ist der zweite Anschluss des ersten Halbleiterbauelementes mittels eines zweiten Widerstandes mit dem zweiten Anschluss des zweiten Halbleiterbauelementes gekoppelt. Der Halbleiterkörper umfasst den ersten und den zweiten Widerstand sowie das erste und das zweite Halbleiterbauelement. Das zweite Halbleiterbauelement wird deaktiviert und das erste Halbleiterbauelement wird aktiviert. Ein erster Strom I1 wird in den Halbleiterkörper, insbesondere in das erste Halbleiterbauelement eingespeist. Eine erste Spannung U1 zwischen der ersten und der zweiten Metallbahn wird bestimmt. Ein erster Einschaltwiderstand Ron1' wird gemäß folgender Gleichung ermittelt: Ron1' = U1I1 ,wobei I1 der Wert des ersten Stromes und U1 der Wert der ersten Spannung ist.
  • In einer Ausführungsform wird ein Defekt des gehäusten Halbleiterkörpers bestimmt. Dabei wird überprüft, ob der erste Einschaltwiderstand Ron1' kleiner als ein einstellbarer Vorgabewert ist. In einer Weiterbildung wird der gehäuste Halbleiterkörper als nicht-defekt definiert, wenn der Einschaltwiderstand kleiner als der Vorgabewert ist.
  • Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand der Figuren näher erläutert. Funktions- bezie hungsweise wirkungsgleiche Bauelemente und Strukturen tragen gleiche Bezugszeichen. Insoweit sich die Bauelemente oder Strukturen in ihrer Funktion entsprechen, wird deren Beschreibung nicht in jeder der folgenden Figuren wiederholt.
  • 1 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines Halbleiterkörpers nach dem vorgeschlagenen Prinzip,
  • 2 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines Halbleiterkörpers und einer Messanordnung nach dem vorgeschlagenen Prinzip,
  • 3 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines gehäusten Halbleiterkörpers und einer Messanordnung nach dem vorgeschlagenen Prinzip,
  • 4A bis 4F zeigen schematisch eine beispielhafte Ausführungsform eines Halbleiterkörpers nach dem vorgeschlagenen Prinzip mit und ohne Bonddraht-Fehler,
  • 5 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines weiteren gehäusten Halbleiterbauelementes nach dem vorgeschlagenen Prinzip.
  • 1 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines Halbleiterkörpers 1 nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Der Halbleiterkörper 1 umfasst ein erstes und ein zweites Halbleiterbauelement 10, 20. Das erste Halbleiterbauelement 10 weist einen Steueranschluss 11, einen ersten Anschluss 12 und einen zweiten Anschluss 13 auf. Entsprechend umfasst das zweite Halbleiterbauelement 20 einen Steueranschluss 21, einen ersten Anschluss 22 und einen zweiten Anschluss 23. Das erste und das zweite Halbleiterbauelement 10, 20 sind jeweils als ein p-Kanal Metall-Oxid-Halbleiter Feldeffekttransistor, abgekürzt p-MOSFET ausgebildet. Das erste Halbleiterbauelement 10 weist eine erste Weite W1 und eine erste Länge L1 des Kanals auf. Entsprechend weist das zweite Halbleiterbauelement 20 eine zweite Weite W2 und eine zweite Länge L2 des Kanals auf.
  • Der Halbleiterkörper 1 umfasst darüber hinaus vier Anschlussflächen 14, 15, 24, 25, englisch pads. Die erste Anschlussfläche 14 ist mit dem ersten Anschluss 12 des ersten Halbleiterbauelements 10 verbunden. Die zweite Anschlussfläche 24 ist mit dem ersten Anschluss 22 des zweiten Halbleiterbauelementes 20 verbunden. Die dritte Anschlussfläche 15 ist am zweiten Anschluss 13 des ersten Halbleiterbauelementes 10 angeschlossen. Entsprechend ist die vierte Anschlussfläche 25 am zweiten Anschluss 23 des zweiten Halbleiterbauelementes 20 angeschlossen. Darüber hinaus umfasst der Halbleiterkörper 1 einen ersten und zweiten Treiber 16, 26 sowie eine fünfte und eine sechste Anschlussfläche 18, 28. Die fünfte Anschlussfläche 18 ist über den ersten Treiber 16 mit dem Steueranschluss 11 des ersten Halbleiterbauelementes 10 gekoppelt. In analoger Weise ist die sechste Anschlussfläche 28 über den zweiten Treiber 26 mit dem Steueranschluss 21 des zweiten Halbleiterbauelementes 20 verbunden. In 1 sind vier Bonddrähte 32 bis 35 angedeutet, mit denen die vier Anschlussflächen 14, 15, 24, 25 angeschlossen werden können.
  • Der Halbleiterkörper 1 umfasst darüber hinaus einen ersten und einen zweiten Widerstand 17, 27. Der erste Widerstand 17 verbindet die erste Anschlussfläche 14 mit der zweiten An schlussfläche 24. Der zweite Widerstand 27 verbindet die dritte Anschlussfläche 15 mit der vierten Anschlussfläche 25.
  • Mit Vorteil ist ein Verhältnis der ersten Weite W1 zu der ersten Länge L1 näherungsweise gleich einem Verhältnis der zweiten Weite W2 zu der zweiten Länge L2, da damit die beiden Halbleiterbauelemente 10, 20 näherungsweise den gleichen Einschaltwiderstand Ron1 beziehungsweise Ron2 und die gleiche Stromtragefähigkeit aufweisen. Ein Gesamtstrom kann somit gleichmäßig auf die beiden Halbleiterbauelemente 10, 20 verteilt werden.
  • In einer alternativen Ausführungsform werden das erste und das zweite Halbleiterbauelement 10, 20 als n-Kanal Metall-Oxid-Halbleiter Feldeffekttransistoren, abgekürzt n-MOSFETs realisiert.
  • In einer alternativen Ausführungsform umfasst der Halbleiterkörper 1 mindestens ein weiteres Halbleiterbauelement und zwei weitere Anschlussflächen, die mit einem ersten und einem zweiten Anschluss des weiteren Halbleiterbauelementes verbunden sind. Die beiden weiteren Anschlussflächen sind über jeweils einen weiteren Widerstand mit den Anschlussflächen 14, 15, 24, 25 gekoppelt.
  • 2 zeigt den Halbleiterkörper 1 gemäß 1 sowie eine Messanordnung. Die Messanordnung umfasst eine Spannungsquelle 50, ein Strommessgerät 51 und ein Spannungsmessgerät 52. Die Spannungsquelle 50 ist über eine erste Verbindung 45 mit der ersten Anschlussfläche 14 gekoppelt. Das Strommessgerät 51 ist über eine dritte Verbindung 46 mit der dritten Anschlussfläche 15 verbunden. Das Strommessgerät 51 ist zwischen der dritten Anschlussfläche 15 und einem Bezugspotentialanschluss 8 geschaltet. Das Spannungsmessgerät 52 ist über eine zweite Verbindung 47 mit der zweiten Anschlussfläche 24 und über eine vierte Verbindung 48 mit der vierten Anschlussfläche 25 verbunden. Die vier Verbindungen 45 bis 48 umfassen jeweils eine Prüfnadel 40 bis 43.
  • Für einen Test wird über nicht gezeigte Verbindungen zu der fünften und/oder der sechsten Anschlussfläche 18, 28 das erste Halbleiterbauelement 10 aktiviert und das zweite Halbleiterbauelement 20 deaktiviert. Mittels der Spannungsquelle 50 und der ersten Verbindung 45 wird die erste Anschlussfläche 14 mit einer Spannung U0 beaufschlagt. Da ausschließlich das erste Halbleiterbauelement 10 aktiviert ist, kann ein Strom I1 ausschließlich durch das erste Halbleiterbauelement 10 und nicht durch das zweite Halbleiterbauelement 20 fließen. Der fließende Strom I1 wird mittels des Strommessgerätes 51, das einen Messwert IMESS bereitstellt, gemessen. Mit dem Spannungsmessgerät 52 wird eine Spannung U1 zwischen der zweiten und der vierten Anschlussfläche 24, 25 abgegriffen. Da das Spannungsmessgerät 52 hochohmig ist, fließt nur ein vernachlässigbarer Strom durch die zweite Verbindung 47 mit der Prüfnadel 42 und durch den ersten Widerstand 17. Ebenso fließt nur ein vernachlässigbarer Strom durch die vierte Verbindung 48 und den zweiten Widerstand 27. Daher entspricht der von dem Spannungsmessgerät 52 bereitgestellte Messwert UMESS einer Spannung zwischen der ersten und der dritten Anschlussfläche 14, 15. Der Quotient aus der ersten Spannung U1 beziehungsweise UMESS und dem ersten Strom 11 beziehungsweise IMESS ist somit ein Einschaltwiderstand Ron1 des ersten Halbleiterbauelements 10.
  • Die hierzu verwendete Messtechnik wird auch als 4-Leiter-Messtechnik oder 4-Draht-Messtechnik bezeichnet und erlaubt eine genaue Bestimmung des ersten Einschaltwiderstands Ron1 auch bei niedrigen Werten des Einschaltwiderstandes.
  • Zum Testen des zweiten Halbleiterbauelementes 20 werden die Verbindung zwischen der Messanordnung und den vier Anschlussflächen 14, 24, 15, 25 verändert. Dieser Test ist in 2 nicht gezeigt. Zum Testen des zweiten Halbleiterbauelementes 20 wird die zweite Anschlussfläche 24 mit der Spannungsquelle 50, die vierte Anschlussfläche 25 mit dem Strommessgerät 51 und die erste und die dritte Anschlussfläche 14, 15 mit dem Spannungsmessgerät 52 verbunden. Diese Verbindungen sind in 2 nicht gezeigt.
  • Das zweite Halbleiterbauelement 20 wird aktiviert und das erste Halbleiterbauelement 10 wird deaktiviert, so dass ein Stromfluss eines zweiten Stroms 12 ausschließlich durch das zweite Halbleiterbauelement 20 und nicht durch das erste Halbleiterbauelement 10 erfolgt. Eine zweite Spannung U2 wird mittels des Spannungsmessgerätes 52 ermittelt. Ein zweiter Einschaltwiderstand Ron2 wird aus dem Quotienten der Spannung U2 beziehungsweise UMESS und dem Strom 12 beziehungsweise IMESS gebildet. Sind der erste oder der zweite Einschaltwiderstand Ron1, Ron2 größer als ein Vorgabewert, so ist das jeweilige Halbleiterbauelement 10, 20 und somit der Halbleiterkörper 1 defekt. Sind beide Einschaltwiderstände Ron1, Ron2 unter einem Vorgabewert, so können beide Halbleiterbauelemente 10, 20 und damit der Halbleiterkörper 1 als funktionsfähig bezeichnet werden.
  • Mit Vorteil ist mittels des ersten und des zweiten Widerstandes 17, 27 eine elektrische Kopplung zwischen der ersten und der zweiten Anschlussfläche 14, 24 und zwischen der dritten und der vierten Anschlussfläche 15, 25 erreicht. Über diese Kopplung ist ein Abgriff der über dem ersten Halbleiterbauelement 10 abfallenden Spannung U1 möglich, da bei einem hochohmigen Spannungsmessgerät 52 ein Stromfluss über die beiden Abgriffe, umfassend die zweite und die vierte Verbindung 47, 48, vernachlässigbar ist. Mit Vorteil sind für den Abgriff keine zusätzlichen Anschlussstellen notwendig, da die für das Bonden vorgesehene zweite und vierte Anschlussflächen 24, 25 einsetzbar sind. Mit Vorteil können vier Prüfnadeln 40 bis 43 aufgesetzt werden. Die 4-Draht-Messtechnik ist zur Bestimmung der Einschaltwiderstände Ron1, Ron2 verwendbar.
  • Durch die Verwendung zweier Halbleiterbauelemente 10, 20 ist der jeweilige Einschaltwiderstand Ron1, Ron2 eines einzelnen Halbleiterbauelementes höher als bei einem Halbleiterkörper, bei dem anstelle der beiden Halbleiterbauelemente 10, 20 ein einziges Halbleiterbauelement vorhanden ist. Somit ist vorliegend mit Vorteil eine genauere Bestimmung des Einschaltwiderstandes der Parallelschaltung aus den beiden Halbleiterbauelementen 10, 20 möglich. Der resultierende Einschaltwiderstand Ron ist vorliegend aufgrund der Parallelschaltung gering.
  • In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist das Widerstandsmesssystem eine Stromquelle auf, die anstelle der Spannungsquelle 50 eingesetzt wird. Ist der von der Stromquelle bereitgestellte Strom bekannt, so kann auf die Messung des fließenden Stroms mittels des Strommessgerätes 51 verzichtet und in 2 die dritte Anschlussfläche 15 über die dritte Verbindung 46 direkt mit dem Bezugspotentialanschluss 8 verbunden werden.
  • 3 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines gehäusten Halbleiterkörpers 2. Der gehäuste Halbleiterkörper 2 weist den Halbleiterkörper 1 gemäß 1 oder 2 auf sowie eine erste und eine zweite Metallbahn 30, 31, welche auch als Leadfinger bezeichnet werden. Die erste Metallbahn 30 ist über einen ersten Bonddraht 32 mit der ersten Anschlussfläche 14 und über einen zweiten Bonddraht 34 mit der zweiten Anschlussfläche 24 verbunden. Analog ist die dritte Anschlussfläche 15 über einen dritten Bonddraht 33 und die vierte Anschlussfläche 25 über einen vierten Bonddraht 35 mit der zweiten Metallbahn 31 verbunden. In 3 ist zusätzlich auch eine Messanordnung gezeigt, welche die Spannungsquelle 50, das Strommessgerät 51 und das Spannungsmessgerät 52 umfasst. Die erste Metallbahn 30 ist mit der Spannungsquelle 50 und einem ersten Anschluss des Spannungsmessgerätes 52 verbunden. Die zweite Metallbahn 31 ist mit dem Strommessgerät 51 und einem zweiten Anschluss des Spannungsmessgerätes 52 verbunden. Das Strommessgerät 51 ist zwischen die zweite Metallbahn 31 und den Bezugspotentialanschluss 8 geschaltet. Die Verbindungen können einen nicht gezeigten Testsockel umfassen, in den das gehäuste Halbleiterbauelement 2 eingesetzt ist.
  • Der Test des gehäusten Halbleiterkörpers 2 erfolgt weitgehend analog zum Test des ungehäusten Halbleiterkörpers 1 gemäß 2. Zum Test des gehäusten Halbleiterkörpers 2 wird über nicht gezeigte Verbindungen mittels des ersten Treibers 16 das erste Halbleiterbauelement 10 aktiviert und mittels des zweiten Treibers 26 das zweite Halbleiterbauelement 20 deaktiviert. Daher ist ausschließlich ein Stromfluss I1 durch das erste Halbleiterbauelement 10 und kein Stromdurchfluss durch das zweite Halbleiterbauelement 20 möglich. Mittels der Spannungsquelle 50 wird eine Spannung U0 zwischen der ersten und der zweiten Metallbahn 30, 31 angelegt. Der durch die beiden Metallbahnen 30, 31 fließende Strom I1 wird mittels des Strommessgerätes 51 bestimmt. Die zwischen den beiden Metallbahnen 30, 31 anliegende Spannung U1 wird mittels des Spannungsmessgerätes 52 ermittelt. Ist das erste Halbleiterbauelement 10 in einem eingeschalteten Betriebszustand, so gibt ein Quotient aus der gemessenen Spannung UMESS beziehungsweise U1 und dem gemessenen Strom IMESS beziehungsweise I1 den ersten Einschaltwiderstand Ron1' wieder. Dieser setzt sich näherungsweise aus dem Einschaltwiderstand Ron1 des ersten Halbleiterbauelementes 10 und einem Wert des Widerstand der Kopplungen der ersten Metallbahn 30 mit der ersten Anschlussfläche 14 sowie einem Wert des Widerstand der Kopplungen der zweiten Metallbahn 31 mit der dritten Anschlussfläche 15 zusammen. Ist der erste Einschaltwiderstand Ron1' über einem Vorgabewert, so wird der gehäuste Halbleiterkörper 2 als defekt bezeichnet. Ist der erste Einschaltwiderstand Ron1' unter dem Vorgabewert, wo wird der gehäuste Halbleiterkörper 1 als funktionsfähig bezeichnet.
  • Fehlt beispielsweise der erste Bonddraht 32, so fließt zwar ein Strom 11 von der ersten Metallbahn 30 über den zweiten Bonddraht 34, die zweite Anschlussfläche 24, den ersten Widerstand 17 und die erste Anschlussfläche 14 zu dem ersten Halbleiterbauelement 10 und von dem ersten Halbleiterbauelement 10 über die dritte Anschlussfläche 15 und den dritten Bonddraht 33 zu der zweiten Metallbahn 31, jedoch ist der gemessene Einschaltwiderstand Ron1' die Summe aus dem Widerstandswert des ersten Widerstands 17 und dem Einschaltwiderstand Ron1 des ersten Halbleiterbauelementes 10 sowie des Widerstands des zweiten und des dritten Bonddrahtes 33, 34. Da der Vorgabewert so eingestellt wird, dass der gemessene Einschaltwiderstand Ron1' über dem Vorgabewert liegt, wird erkannt, dass ein Defekt bei einem der Bonddrähte 32, 33, nämlich dem ersten Bonddraht 32 und/oder dem dritten Bonddraht 33, vorliegt. Der Defekt kann wie oben aufgeführt von einem Fehlen des ersten Bonddrahtes 32 oder des dritten Bonddrahtes 33 oder von einem nicht leitenden Kontakt des ersten Bonddrahtes 32 zu der ersten Metallbahn 30 oder zu der ersten Anschlussfläche 14 oder einem schlechten Kontakt des dritten Bonddrahtes 33 zu der zweiten Metallbahn 31 oder der dritten Anschlussfläche 15 verursacht sein. Der Defekt kann auch durch einen Defekt des ersten Halbleiterbauelementes 10 verursacht sein.
  • Zum Testen des zweiten Halbleiterbauelementes 20 wird das zweite Halbleiterbauelement 20 aktiviert und das erste Halbleiterbauelement 10 deaktiviert. Die Verbindungen der Messanordnung werden zum Testen des zweiten Halbleiterbauelementes 20 nicht verändert. In analoger Weise wird ein zweiter Einschaltwiderstand Ron2' ermittelt und mit einem Vorgabewert verglichen. Ist der zweite Einschaltwiderstand Ron2' größer als der Vorgabewert, so liegt ein Defekt im gehäusten Halbleiterkörper 2 vor. Nur wenn der erste und der zweite Einschaltwiderstand Ron1', Ron2' niedriger als die jeweiligen Vorgabewerte sind, kann der gehäuste Halbleiterkörper 2 als funktionsfähig bezeichnet werden.
  • Mit Vorteil wird ein Fehlen eines Bonddrahtes oder ein nicht leitender Kontakt eines Bonddrahtes zu den Metallbahnen 30, 31 oder zu den Anschlussflächen 14, 15, 24, 25 nachgewiesen. Ein gehäuster Halbleiterkörper 2 wird nur dann als funktionsfähig bezeichnet, wenn alle Bonddrähte vorhanden und leitend angeschlossen sind.
  • 4A bis 4F zeigen schematisch den gehäusten Halbleiterkörper 2 gemäß 3 nach dem vorgeschlagenen Prinzip mit und ohne Bonddrahtfehler. 4A zeigt den gehäusten Halbleiterkörper 2 mit vier Bonddrähten 32 bis 35. Es werden zwei Einschaltwiderstände Ron1' und Ron2 ermittelt, die niedriger als die Vorgabewerte sind, so dass der gehäuste Halbleiterkörper 2 als funktionsfähig definiert ist. Somit sind alle vier Bonddrähte 32 bis 35 vorhanden und leitend angeschlossen. Weiter sind das erste und das zweite Halbleiterbauelement 10, 20 funktionsfähig.
  • 4B zeigt den gehäusten Halbleiterkörper 2, bei dem der zweite Bonddraht 34 fehlt. Mittels des Widerstandsmesssystems wird ermittelt, dass der erste Einschaltwiderstand Ron1 unter dem Vorgabewert, der zweite Einschaltwiderstand Ron2 jedoch über dem Vorgabewert ist. Somit wird der gehäuste Halbleiterkörper 2 als defekt definiert.
  • 4C zeigt den gehäusten Halbleiterkörper 2, bei dem der zweite und der vierte Bonddraht 34, 35 fehlen sowie der erste und der dritte Bonddraht 32, 33 vorhanden sind. Der erste Einschaltwiderstand Ron1' liegt unterhalb des Vorgabewertes, während der zweite Einschaltwiderstand Ron2' deutlich über dem Vorgabewert liegt. Der zweite Einschaltwiderstand Ron2' hat als Wert die Summe der Werte des ersten und des zweiten Widerstands 17, 27, des Einschaltwiderstandes Ron2 des zweiten Halbleiterbauelementes 20 sowie des ersten und des dritten Bonddrahtes 32, 33.
  • 4D zeigt den gehäusten Halbleiterkörper 2, bei dem der erste und der zweite Bonddraht 32, 34 fehlen sowie der dritte und der vierte Bonddraht 33, 35 vorhanden sind. Der gemessene Strom IMESS ist somit näherungsweise Null. Daher sind die Einschaltwiderstände Ron1', Ron2' sehr hoch und größer als die beiden Vorgabewerte. Daher wird der gehäuste Halbleiterkörper 2 als defekt definiert.
  • 4E zeigt den gehäusten Halbleiterkörper 2, bei dem drei Bonddrähte 32, 34, 35 fehlen und der dritte Bonddraht 33 vorhanden ist. Auch hier ist der gemessene Strom IMESS näherungsweise Null und somit die beiden Einschaltwiderstände Ron1', Ron2' sehr hoch und damit größer als die Vorgabewerte.
  • 4F zeigt den gehäusten Halbleiterkörper 2, bei dem die vier Bonddrähte 32 bis 35 fehlen. Da auch hier der gemessene Strom IMESS näherungsweise Null ist und die beiden Einschaltwiderstände Ron1', Ron2' größer als die Vorgabewerte sind, wird der gehäuste Halbleiterkörper 2 als defekt erkannt.
  • Mit Vorteil ist ein Fehlen bereits eines Bonddrahtes 32 bis 35 oder ein Vorhandensein eines nichtleitenden Übergangs eines Bonddrahts 32 bis 35 zu der jeweiligen Anschlussfläche 14, 15, 24, 25 oder der jeweiligen Metallbahn 30, 31 ermittelbar. Dies ist aufgrund der Aufteilung in die zwei Halbleiterbauelemente 10, 20 und in die vier Anschlussflächen 14, 15, 24, 25, die jeweils nur mit jeweils einem Bonddraht 32 bis 35 angeschlossen sind, möglich. Weiter ist dies aufgrund der elektrischen Kopplung der ersten und der zweiten Anschlussfläche 14, 24 über den ersten Widerstand 17 sowie der dritten und der vierten Anschlussfläche 15, 25 über den zweiten Widerstand 27 erreicht.
  • 5 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines gehäusten Halbleiterkörpers 2 nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Das Gehäuse 3 ist als THIN DUAL FLAT NO-LEAD-Gehäuse, abgekürzt TDFN, realisiert und weist zehn Metallbahnen 30, 31, 60 bis 67 auf. In dem Gehäuse 3 ist der Halbleiterkörper 1 eingesetzt. Der Halbleiterkörper 1 umfasst sechs Halbleiterbauelemente 10, 20, 70 bis 73. Dabei sind drei Halbleiterbauelemente 10, 20, 70 als p-Kanal MOSFETs und drei Halbleiterbau elemente 71 bis 73 als n-Kanal MOSFETs realisiert. Das erste Halbleiterbauelement 10 ist am ersten Anschluss 12 über die erste Anschlussfläche 14 mittels des ersten Bonddrahtes 32 mit der ersten Metallbahn 30 verbunden. Ebenso ist das erste Halbleiterbauelement 10 am zweiten Anschluss 13 über die dritte Anschlussfläche 15 mittels des dritten Bonddrahtes 33 mit der zweiten Metallbahn 31 verbunden. In analoger Weise sind die Halbleiterbauelemente 20, 70 am jeweils ersten Anschluss über die zweite beziehungsweise weitere Anschlussfläche 24, 80 mittels des zweiten und des fünften Bonddrahtes 34, 36 mit der ersten Metallbahn 30 sowie an dem jeweiligen zweiten Anschluss über die vierte Anschlussfläche 25 beziehungsweise eine weitere Anschlussfläche 81 mittels des vierten und des sechsten Bonddrahtes 35, 37 mit der zweiten Metallbahn 31 verbunden.
  • In analoger Weise sind die Halbleiterbauelemente 71, 72, 73 an den ersten Anschlüssen über die drei Anschlussflächen 15, 25, 81 mittels des dritten, des vierten und des sechsten Bonddrahtes 33, 35, 37 mit der zweiten Metallbahn 31 und an den zweiten Anschlüssen über die Anschlussflächen 82 bis 84 mittels eines siebten, achten und neunten Bonddrahtes 38, 39, 94 mit der Metallbahn 61 verbunden. Die drei Anschlussflächen 15, 25, 81 werden somit von den p-MOSFETS 10, 20, 70 und den n-MOSFETS 71, 72, 73 genutzt. Die Anschlussflächen 14, 24, 80, die Anschlussflächen 15, 25, 81 und die Anschlussflächen 82, 83, 84 sind auf dem Halbleiterkörper 1 mittels nicht eingezeichneter Widerstände miteinander verbunden.
  • Der gehäuste Halbleiterkörper 2 wird mit dem in 3 gezeigten Widerstandsmesssystem verbunden. Der gehäuste Halbleiterkörper 2 wird über ein Signal an der Metallbahn 66 in einen Testmodus versetzt. Mittels entsprechender Signale an den Metallbahnen 60, 62, 63 werden die sechs Halbleiterbauelemente 10, 20, 70 bis 73 nacheinander aktiviert. Dabei wird zu einer Zeit jeweils genau ein Halbleiterbauelement 10, 20, 70 bis 73 aktiviert, während die weiteren Halbleiterbauelemente deaktiviert werden, so dass sechs Einschaltwiderstände Ron1' bis Ron6' ermittelbar sind. Somit wird am gehäusten Halbleiterkörper 2 ermittelt, ob der erste bis neunte Bonddraht 32 bis 39, 94 fehlt oder einen nichtleitenden Anschluss zu den Metallbahnen 30, 31, 61 oder den Anschlussflächen 14, 15, 24, 25, 80 bis 84 aufweist.
  • Für einen Betrieb werden die drei p-Kanal-MOSFETs 10, 20, 70 parallel angesteuert. Ebenso werden die drei n-Kanal-MOSFETs 71, 72, 73 parallel mit Treibersignalen beaufschlagt. Die Stromlasten werden somit jeweils auf drei MOSFETS verteilt. Die Signale an den Metallbahnen 60, 62, 63, 66 haben dabei eine andere Funktion als im Testmodus.
  • Ein derartiger Halbleiterkörper 2 ist beispielsweise in einem Schaltspannungswandler, der als Aufwärtswandler realisiert ist, einsetzbar.
    • 1
    Halbleiterkörper
    2
    gehäuster Halbleiterkörper
    3
    Gehäuse
    8
    Bezugspotentialanschluss
    10
    erstes Halbleiterbauelement
    11
    Steueranschluss
    12
    erster Anschluss
    13
    zweiter Anschluss
    14
    erste Anschlussfläche
    15
    dritte Anschlussfläche
    16
    Treiber
    17
    erster Widerstand
    18
    fünfte Anschlussfläche
    20
    zweites Halbleiterbauelement
    21
    Steueranschluss
    22
    erster Anschluss
    23
    zweiter Anschluss
    24
    zweite Anschlussfläche
    25
    vierte Anschlussfläche
    26
    zweiter Treiber
    27
    zweiter Widerstand
    28
    sechste Anschlussfläche
    30
    erste Metallbahn
    31
    zweite Metallbahn
    32
    erster Bonddraht
    33
    dritter Bonddraht
    34
    zweiter Bonddraht
    35
    vierter Bonddraht
    36
    fünfter Bonddraht
    37
    sechster Bonddraht
    38
    siebter Bonddraht
    39
    achter Bonddraht
    40–43
    Prüfnadel
    45
    erste Verbindung
    46
    dritte Verbindung
    47
    zweite Verbindung
    48
    vierte Verbindung
    50
    Spannungsquelle
    51
    Strommessgerät
    52
    Spannungsmessgerät
    60–67
    Metallbahn
    70–73
    drittes Halbleiterbauelement
    80–84
    Anschlussfläche
    94
    neunter Bonddraht
    I1
    erster Strom
    I2
    zweiter Strom
    IMESS
    Messwert
    L1
    erste Länge
    L2
    zweite Länge
    Ron1, Ron1'
    erster Einschaltwiderstand
    Ron2, Ron2'
    zweiter Einschaltwiderstand
    U0
    Spannung
    U1
    erste Spannung
    U2
    zweite Spannung
    UMESS
    Messspannung
    W1
    erste Weite
    W2
    zweite Weite

Claims (15)

  1. Halbleiterkörper, umfassend – ein erstes Halbleiterbauelement (10) mit einem Steueranschluss (11), einem ersten Anschluss (12), der mit einer ersten Anschlussfläche (14) des Halbleiterkörpers (1) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss (13), – ein zweites Halbleiterbauelement (20) mit einem Steueranschluss (21), einem ersten Anschluss (22), der mit einer zweiten Anschlussfläche (24) des Halbleiterkörpers (1) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss (23) und – einer elektrischen Kopplung zwischen der ersten und der zweiten Anschlussfläche (14, 24).
  2. Halbleiterkörper nach Anspruch 1, umfassend einen ersten Widerstand (17), der zur elektrischen Kopplung zwischen die erste und die zweite Anschlussfläche (14, 24) geschaltet ist.
  3. Halbleiterkörper nach Anspruch 1 oder 2, umfassend – eine dritte Anschlussfläche (15), die mit dem zweiten Anschluss (13) des ersten Halbleiterbauelementes (10) verbunden ist, und – eine vierte Anschlussfläche (25), die mit dem zweiten Anschluss (23) des zweiten Halbleiterbauelementes (20) verbunden ist, wobei eine elektrische Kopplung zwischen der dritten und der vierten Anschlussfläche (15, 25) vorgesehen ist.
  4. Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 3, umfassend einen zweiten Widerstand (27), der zwischen die dritte und die vierte Anschlussfläche (15, 25) geschaltet ist.
  5. Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das erste und das zweite Halbleiterbauelement (10, 20) jeweils einen Transistor umfassen.
  6. Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei – das erste Halbleiterbauelement (10) einen Feldeffekttransistor mit einer ersten Kanalweite W1 und einer ersten Kanallänge L1 und – das zweite Halbleiterbauelement (20) einen Feldeffekttransistor mit einer zweiten Kanalweite W2 und einer zweiten Kanallänge L2 umfasst sowie der erste und der zweite Feldeffekttransistor vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind.
  7. Halbleiterkörper nach Anspruch 6, wobei ein erstes Verhältnis W1/L1 der ersten Kanalweite W1 zu der ersten Kanallänge L1 und ein zweites Verhältnis W2/L2 der zweiten Kanalweite W2 zu der zweiten Kanallänge L2 näherungsweise gleich sind.
  8. Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend – einen ersten Treiber (16), der mit dem Steueranschluss (11) des ersten Halbleiterbauelementes (10) verbunden ist, und – einen zweiten Treiber (26), der mit dem Steueranschluss (21) des zweiten Halbleiterbauelementes (20) verbunden ist.
  9. Gehäuster Halbleiterkörper, umfassend einen Halbleiterkörper (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 sowie ein Gehäuse mit einer ersten Metallbahn (30), die elektrisch leitend mit der ersten und der zweiten Anschlussfläche (14, 24) des Halbleiterkörpers (1) verbunden ist.
  10. Gehäuster Halbleiterkörper nach Anspruch 9, sofern rückbezogen nach Anspruch 3, wobei das Gehäuse eine zweite Metallbahn (31) umfasst, die elektrisch leitend mit der dritten und der vierten Anschlussfläche (15, 25) des Halbleiterkörpers (1) verbunden ist.
  11. Gehäuster Halbleiterkörper nach Anspruch 9 und 10, umfassend – einen ersten Bonddraht (32) zur Verbindung der ersten Metallbahn (30) mit der ersten Anschlussfläche (14), – einen zweiten Bonddraht (34) zur Verbindung der ersten Metallbahn (30) mit der zweiten Anschlussfläche (24), – einen dritten Bonddraht (33) zur Verbindung der zweiten Metallbahn (31) mit der dritten Anschlussfläche (15) und – einen vierten Bonddraht (35) zur Verbindung der zweiten Metallbahn (30) mit der vierten Anschlussfläche (25).
  12. Messanordnung zum Testen des Halbleiterkörpers (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, umfassend – eine erste Verbindung (45) zur Kopplung eines Widerstandsmesssystems (50, 51, 52) mit der ersten Anschlussfläche (14) und – eine zweite Verbindung (47) zur Kopplung des Widerstandsmesssystems (50, 51, 52) mit der zweiten Anschlussfläche (24).
  13. Messanordnung nach Anspruch 12, sofern rückbezogen nach Anspruch 3, umfassend – eine dritte Verbindung (46) zur Kopplung des Widerstandsmesssystems (50, 51, 52) mit der dritten Anschlussfläche (15) und – eine vierte Verbindung (48) zur Kopplung des Widerstandsmesssystems (50, 51, 52) mit der vierten Anschlussfläche (25).
  14. Messanordnung nach Anspruch 12 und 13, wobei das Widerstandsmesssystem (50, 51, 52) – eine Spannungsquelle (50), an welche die erste Verbindung (45) angeschlossen ist, – ein Strommessgerät (51), an welches die dritte Verbindung (46) angeschlossen ist, und – ein Spannungsmessgerät (52), an welches die zweite und die vierte Verbindung (42, 43) angeschlossen ist, umfasst.
  15. Verfahren zum Testen eines Halbleiterkörpers, umfassend folgende Schritte: – Koppeln eines Widerstandsmesssystems (50, 51, 52) mit einem ersten und einem zweiten Anschluss (12, 13) eines ersten Halbleiterbauelementes (10) des Halbleiterkörpers (1) und mit einem ersten und einem zweiten Anschluss (22, 23) eines zweiten Halbleiterbauelementes (20) des Halbleiterkörpers (1), wobei der erste Anschluss (12) des ersten Halbleiterbauelementes (10) und der erste Anschluss (22) des zweiten Halbleiterbauelementes (20) miteinander elektrisch gekoppelt sind und der zweite Anschluss (13) des ersten Halbleiterbauelementes (10) und der zweite An schluss (23) des zweiten Halbleiterbauelementes (20) miteinander elektrisch gekoppelt sind, – Deaktivieren des zweiten Halbleiterbauelementes (20) und Aktivieren des ersten Halbleiterbauelementes (10), – Einspeisen eines ersten Stromes 11, der durch das erste Halbleiterbauelement (10) in einen Bezugspotentialanschluss (8) fließt, – Abgreifen einer ersten Spannung U1 zwischen dem ersten Anschluss (12) und dem zweiten Anschluss (13) des ersten Halbleiterbauelementes (10), – Ermitteln eines ersten Einschaltwiderstandes Ron1 gemäß folgender Gleichung: Ron1 = U1I1 ,wobei I1 der Wert des ersten Stromes und U1 der Wert der ersten Spannung ist.
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