DE102006010803A1 - Verfahren zur Herstellung einer Entladungslampe und eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Lampe - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Entladungslampe und eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Lampe Download PDFInfo
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Abstract
Description
- Technisches Gebiet
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Entladungslampe mit zumindest einem Entladungsgefäß und zwei sich in einen Entladungsraum des Entladungsgefäßes erstreckenden Elektroden, die mit aus dem Entladungsgefäß herausgeführten Stromzuführungen verbunden sind, wobei zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitende, lichtdurchlässige Beschichtung auf eine Außenumfangsfläche des Entladungsgefäßes aufgebracht wird, so dass sich zwischen der Beschichtung und zumindest einer Elektrode und/oder Stromzuführung eine kapazitive Kopplung ausbildet. Die Erfindung betrifft weiterhin eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Entladungslampe.
- Stand der Technik
- Eine derartige Entladungslampe wird beispielsweise auf der Internetdomain www.osram.de unter der Produktbezeichnung „XENARC®" beschrieben. Diese herkömmlichen Hochdruckentladungslampen haben ein Entladungsgefäß, das einen mit einer ionisierbaren Füllung gefüllten Entladungsraum begrenzt, in den sich zwei Elektroden erstrecken, die zur Energieversorgung mit aus dem Entladungsgefäß herausgeführten Stromzuführungen verbunden sind und im Betrieb der Lampe eine Gasentladung erzeugen. Aus Gründen des Umweltschutzes wurden Entladungslampen entwickelt, deren Füllung kein Quecksilber enthält. Es hat sich gezeigt, dass derartige Lampen gegenüber Lampen mit quecksilberhaltiger Füllung schlechtere Zündeigenschaften aufweisen. Insbesondere wird eine hohe Zündspannung und dadurch eine große Zündeinheit bei ungenügender Zündsicherheit und Problemen mit der elektromagnetischen Verträglichkeit benötigt.
- Zur Verbesserung der Zündeigenschaften ist aus der nachveröffentlichten
EP 05017122.2 - Darstellung der Erfindung
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Entladungslampe und eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Entladungslampe zu schaffen, bei denen gegenüber herkömmlichen Lösungen eine verbesserte Zündung ermöglicht ist.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Hochdruckentladungslampe, mit zumindest einem Entladungsgefäß und zwei sich in einen Entladungsraum des Entladungsgefäßes erstreckenden Elektroden, die mit aus dem Entladungsgefäß herausgeführten Stromzuführungen verbunden sind, wobei zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitende, lichtdurchlässige Beschichtung auf eine Außenumfangsfläche des Entladungsgefäßes aufgebracht wird, so dass sich zwischen der Beschichtung und zumindest einer Elektrode und/oder Stromzuführung eine kapazitive Kopplung ausbildet, wobei die Beschichtung mittels eines Vakuumbeschich tungsverfahrens auf das Entladungsgefäß aufgebracht wird. Diese Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Entladungslampe. Besonders vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
- Aufgrund der erfindungsgemäßen Beschichtung der Entladungslampe im Vakuumbeschichtungsverfahren wird auf dem Entladungsgefäß eine Beschichtung mit einer definierten Schichtdicke und hoher Haftfestigkeit erreicht. Dabei ist vorteilhaft, dass der Vakuumbeschichtungsprozess kontinuierlich abläuft, d.h. keine Zwischenbelüftung der Vakuumkammer erfolgt und dadurch keine Verunreinigungen der Beschichtung auftreten, so dass die Qualität der Beschichtung und dadurch die Zündeigenschaften der Entladungslampe wesentlich verbessert sind. Die elektrischen Eigenschaften der Beschichtung können auf einfache Weise durch das verwendete Material, die Schichtgeometrie und Dicke der Schicht eingestellt werden, um die gewünschten Verbesserungen der Zündeigenschaften zu erreichen.
- Bei einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Beschichtung in PVD-Sputtertechnik oder CVD-Technik auf das Entladungsgefäß aufgebracht. Als besonders geeignetes Verfahren hat sich ein reaktiver PVD-Sputterprozess erwiesen.
- Um die Geometrie der Beschichtung zu beeinflussen, wird die Beschichtung vorzugsweise in Masken- oder Blendentechnik auf das Entladungsgefäß aufgebracht.
- Die Beschichtung kann aus unterschiedlichen elektrisch leitenden Materialien bestehen. Vorzugsweise weist die Beschichtung zumindest eine Oxidverbindung auf. Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn die Beschichtung dotiertes Zinnoxid (SnO), insbesondere Indiumzinnoxid (InzO3:SnO2), Cadmiumstannatoxid (Cd2SnO4), Indiumoxid (In2O3) oder dotiertes Zinkoxid (ZnO) aufweist.
- Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine Beschichtung aus Gold (Au) oder Titannitrid (TiN) auf das Entladungsgefäß aufgebracht. Gold hat den Vorteil, dass die Beschichtung eine hohe Korrosionsbeständigkeit aufweist und keiner Nachbehandlung zum Korrosionsschutz unterworfen werden muss.
- Die Beschichtung wird bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel mit einer Schichtdicke im Bereich von etwa 0,1 bis 0,5 μm, vorzugsweise von 0,2 μm, auf das Entladungsgefäß aufgebracht.
- Vorzugsweise hat die Beschichtung einen Flächenwiderstand im Bereich von etwa 3 bis 20 Ω/⎕.
- Der Widerstand pro Längeneinheit der Beschichtung, gemessen zwischen zwei, in einem Abstand auf der Schicht angeordneten Punkten, ist vorzugsweise kleiner oder gleich 105 Ohm/cm. Die Durchbruchsspannung der Entladungsstrecke zwischen den Elektroden und dadurch die Zündspannung ist durch eine derartige Beschichtung wesentlich reduziert.
- Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Beschichtung zumindest im Bereich des Entladungsraumes ausgebildet und erstreckt sich über einen Umfangsabschnitt des Entladungsgefäßes. Aufgrund der flächenhaften Ausdehnung der Beschichtung wird die kapazitive Kopplung der Beschichtung zu einer Elektrode, vorzugsweise zu beiden Elektroden und den Stromzuführungen, weiter verbessert. Um die vorgenannte kapazitive Kopplung zu optimieren, wird die Beschichtung zusätzlich zumindest teilweise auf Endabschnitte des Entladungsgefäßes aufgebracht.
- Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das Entladungsgefäß mit einem Endabschnitt in einen Sockel eingesetzt und weist ein sockelnahes und ein sockelfernes abgedichtetes Ende auf, aus denen jeweils eine Stromzuführung für die Elektroden herausgeführt ist, wobei die aus dem sockelfernen Ende des Entladungsgefäßes herausgeführte Stromzuführung mit einer hin zu dem Sockel geführten Stromrückführung verbunden ist, wobei die Beschichtung auf einem der Stromrückführung zugewandten Oberflächenbereich des Entladungsgefäßes aufgebracht wird. Der der Stromrückführung zugewandte Oberflächenbereich des Entladungsgefäßes ist beim Einsatz der Entladungslampe in einem Scheinwerfer für die Erzeugung der gewünschten Lichtverteilung nur von geringer Bedeutung. Daher ist auch eine geringfügige, durch die Beschichtung verursachte Lichtabsorption für die Funktion der Lampe vernachlässigbar.
- Um die vorgenannte kapazitive Kopplung zu optimieren, wird die Beschichtung bei Entladungslampen, deren Stromzuführung zumindest eine Molybdänfolie aufweist, derart auf das Entladungsgefäß aufgebracht, dass sich die Beschichtung bis in den Bereich der Molybdänfolie erstreckt und einer der beiden Seitenflächen der Molybdänfolien zugewandt ist. Dadurch bilden die Molybdänfolien und die Beschichtung eine Art von Plattenkondensator, wobei das dazwischen angeordnete Glas des Entladungsgefäßes das Dielektrikum dieses Kondensators bildet.
- Bei Entladungslampen, die für den Betrieb in horizontaler Ausrichtung, d.h. mit in einer horizontalen Ebene angeordneten Elektroden vorgesehen sind, wird die lichtdurchlässige, elektrisch leitfähige Beschichtung vorteilhafter Weise im Bereich unterhalb der Elektroden auf das Entladungsgefäß aufgebracht. Die Beschichtung reflektiert einen Teil der von der Entladung erzeugten Infrarotstrahlung in den Entladungsraum zurück und bewirkt dadurch eine selektive Erwärmung der kälteren, unterhalb der Elektroden liegenden Bereiche des Entladungsgefäßes, in denen sich die für die Lichterzeugung verwendeten Metallhalogenide sammeln. Dadurch kann die Effizienz der Entladungslampe gesteigert werden, ohne die thermisch hoch belasteten Bereiche des Entladungsgefäßes zu erwärmen. Des Weiteren ist die Beschichtung auf der kälteren Unterseite des Entladungsgefäßes thermisch weniger belastet, so dass geringere Anforderungen an die thermische Belastbarkeit der Beschichtungsmaterialien gestellt werden können.
- Das Entladungsgefäß wird aus Sicherheitsgründen vorzugsweise von einem Außenkolben umgeben, wobei der Zwischenraum von Außenkolben und Entladungsgefäß mit einer Gasfüllung, beispielsweise einer Inertgasfüllung, versehen wird, die ungewünschte chemische Reaktionen der Beschichtung verhindert. Vorzugsweise enthält die Gasfüllung weiterhin geringe Mengen von Sauerstoff, um eine Diffusion von Sauerstoff aus der Beschichtung auszugleichen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Nachstehend wird die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung einer Hochdruckentladungslampe mit einer erfindungsgemäß hergestellten Beschichtung; -
2 eine Einzeldarstellung des Entladungsgefäßes gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Beschichtung; -
3 eine Seitenansicht des Entladungsgefäßes aus2 ; -
4 eine Einzeldarstellung des Entladungsgefäßes gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Beschichtung; -
5 eine Einzeldarstellung des Entladungsgefäßes gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Beschichtung; -
6 eine Seitenansicht des Entladungsgefäßes aus5 und -
7 eine stark vereinfachte Darstellung einer Vakuumbeschichtungsanlage. - Bevorzugte Ausführung der Erfindung
- Die Erfindung wird im Folgenden anhand einer quecksilberfreien Hochdruckentladungslampe erläutert, wie sie beispielsweise in Fahrzeugscheinwerfern Verwendung findet. Das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch keinesfalls auf derartige Lampentypen beschränkt.
-
1 zeigt eine schematische Darstellung einer Hochdruckentladungslampe1 mit einer erfindungsgemäß in einem Vakuumbeschichtungsverfahren aufgebrachten elektrisch leitenden, lichtdurchlässigen Beschichtung2 . Die Hochdruckentladungslampe1 besitzt ein Entladungsgefäß4 aus Quarzglas mit einem Entladungsraum6 und zwei diametral angeordneten, abgedichteten Endabschnitten8 ,10 in denen jeweils eine Molybdänfolie12 zur gasdichten Stromdurchführung eingebettet ist. Die Molybdänfolien12 sind an einer ersten Schmalseite14 mit einer äußeren Stromzuführung16 aus dotiertem Molybdän verbunden. In den Entladungsraum6 des Entladungsgefäßes4 ragen zwei diametral angeordnete Elektroden18 ,20 aus dotiertem Wolfram, die jeweils mit einer zweiten Schmalseite22 der Molybdänfolien12 ver bunden sind und zwischen denen sich während des Lampenbetriebs eine Gasentladung ausbildet. In dem Entladungsraum6 des Entladungsgefäßes4 ist eine quecksilberfreie, ionisierbare Füllung eingeschlossen, die aus hochreinem Xenongas und mehreren Metallhalogeniden besteht. Das Entladungsgefäß4 ist von einem Außenkolben24 umgeben, der aus Quarzglas besteht, das mit Ultraviolettstrahlung absorbierenden Dotierstoffen versehen ist. Die Hochdruckentladungslampe1 weist ferner einen Lampensockel26 auf, der das Entladungsgefäß4 und den Außenkolben24 trägt. Der Lampensockel26 hat ein abschnittsweise zylinderförmiges Sockelgehäuse28 aus elektrisch isolierendem Kunststoff, das lampenseitig einen Befestigungsabschnitt30 zur Aufnahme der Lampe1 in dem Sockelgehäuse28 aufweist. Der Befestigungsabschnitt30 hat einen zumindest abschnittsweise ringförmigen Flansch32 zur Befestigung der Hochdruckentladungslampe1 in einer nicht dargestellten Lampenfassung. Die äußere Stromzuführung16 des sockelfernen Endabschnitts10 des Entladungsgefäßes4 ist über eine von einer Isolierhülse34 umgebene Stromrückführung36 mit einem elektrischen Anschlussring38 des Sockels26 verbunden, während die sockelnahe Stromzuführung16 mit einem nicht dargestellten, inneren Kontaktstift der Hochdruckentladungslampe1 verbunden ist. - Die erfindungsgemäß mittels eines Vakuumbeschichtungsverfahrens auf das Entladungsgefäß
4 aufgebrachte elektrisch leitende, lichtdurchlässige Beschichtung2 , bildet zusammen mit den Elektroden18 ,20 und mit den aus dem Entladungsgefäß4 herausgeführten Stromzuführungen16 einen Kondensator aus, wobei das dazwischen liegende Quarzglas des Entladungsgefäßes4 und das Füllgas im Entladungsraum6 das Dielektrikum dieses Kondensators bilden. Dadurch wird, insbesondere mit Hilfe der hochfrequenten Anteile des Zündimpulses, im Entladungsraum6 eine dielektrisch behinderte Entladung zwischen den Elektroden18 ,20 und der Beschichtung2 erzeugt. Diese dielektrische behinderte Entladung generiert im Entladungsraum6 eine ausreichende Anzahl von freien Ladungsträgern, um den elektrischen Durchbruch zwischen den beiden Elektroden18 ,20 der Entladungslampe1 zu ermöglichen bzw. die dafür erforderliche Zündspannung erheblich zu reduzieren, so dass die Beschichtung geeignet ist, die aufgrund des fehlenden Quecksilbers erhöhte Zündspannung abzusenken. Aufgrund der erfindungsgemäßen Beschichtung2 der Entladungslampe1 im Vakuumbeschichtungsverfahren wird auf dem Entladungsgefäß4 eine Beschichtung mit einer definierten Schichtdicke mit hoher Haftfestigkeit erreicht. Dabei ist vorteilhaft, dass der Vakuumbeschichtungsprozess kontinuierlich abläuft, d.h. keine Zwischenbelüftung der Vakuumkammer erfolgt und dadurch keine Verunreinigungen der Beschichtung2 auftreten, so dass die Qualität der Beschichtung2 und dadurch die Zündeigenschaften der Entladungslampe1 wesentlich verbessert sind. Der elektrische Widerstand der Beschichtung2 kann auf einfache Weise durch die Schichtgeometrie und Dicke der Schicht eingestellt werden. Der von dem Außenkolben24 und dem Entladungsgefäß4 begrenzte Zwischenraum40 ist mit einer Gasfüllung, beispielsweise einer Inertgasfüllung versehen, die ungewünschte chemische Reaktionen der Beschichtung2 verhindert. Der Gasfüllung ist weiterhin eine geringe Menge von Sauerstoff zugesetzt, um eine Diffusion von Sauerstoff aus der Beschichtung2 auszugleichen. - Die Beschichtung
2 erstreckt sich bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel in Längsrichtung der Entladungslampe1 über die gesamte Länge des Entladungsraumes6 und über ungefähr die Hälfte der Länge der abgedichteten Enden8 ,10 des Entladungsgefäßes4 . Die Beschichtung2 ist auf einer Außenumfangsfläche42 des Entladungsgefäßes4 aufgebracht und erstreckt sich über etwa 5 bis 10 Prozent des Umfangs des Entladungsgefäßes4 . Aufgrund der flächenhaften Ausdehnung der Beschichtung2 wird eine hohe kapazitive Kopplung der Beschichtung2 zu den Elektroden18 ,20 und den Stromzuführungen16 erreicht. Um die kapazitive Kopplung zu optimieren, ist die Beschichtung2 derart auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht, dass sich die Beschichtung2 bis in den Bereich der Molybdänfolien12 erstreckt und jeweils einer der beiden Seitenflächen44 der Molybdänfolien12 zugewandt ist. Dadurch bilden die Molybdänfolien12 und die Beschichtung2 eine Art von Plattenkondensator aus, wobei das dazwischen angeordnete Quarzglas des Entladungsgefäßes4 das Dielektrikum dieses Kondensators bildet. Die Beschichtung2 ist auf einem der Stromrückführung36 zugewandten Oberflächenbereich des Entladungsgefäßes4 aufgebracht, da der der Stromrückführung36 zugewandte Oberflächenbereich des Entladungsgefäßes4 beim Einsatz der Entladungslampe1 , beispielsweise in einem Scheinwerfer, für die Erzeugung der gewünschten Lichtverteilung nur von geringer Bedeutung ist, so dass eine geringfügige, durch die Beschichtung2 verursachte Lichtabsorption in diesem Bereich für die Funktion der Lampe1 vernachlässigbar ist. Bei derartigen für den Betrieb in horizontaler Lage vorgesehenen Entladungslampen1 , wird die Beschichtung2 vorzugsweise im Bereich unterhalb der Elektroden18 ,20 auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht. Die Beschichtung2 reflektiert einen Teil der von der Entladung erzeugten Infrarotstrahlung in den Entladungsraum6 zurück und bewirkt dadurch eine selektive Erwärmung der kälteren, unterhalb der Elektroden18 ,20 liegenden Bereiche des Entladungsgefäßes4 , in denen sich die für die Lichterzeugung verwendeten Metallhalogenide sammeln. Dadurch kann die Effizienz der Entladungslampe1 gesteigert werden, ohne die thermisch hoch belasteten Bereiche des Entladungsgefäßes4 zu erwärmen. Des Weiteren ist die Beschichtung2 auf der kälteren Unterseite des Entladungsgefäßes4 thermisch weniger belastet, so dass geringere Anforderungen an die thermische Belastbarkeit der Beschichtungsmaterialien gestellt werden können. - In den
2 und3 sind zwei Ansichten eines Entladungsgefäßes4 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Beschichtung2 gezeigt. Gemäß2 unterscheidet sich dieses Ausführungsbeispiel von dem vorbeschriebenen Ausführungsbeispiel im Wesentlichen dadurch, dass die Beschichtung2 im Bereich des Entladungsgefäßes4 bogenförmig zurückgesetzt ist. Aus3 , die eine Draufsicht auf die Beschichtung2 des Entladungsgefäßes4 aus2 zeigt, ist zu entnehmen, dass die Beschichtung 2 im Bereich der Endabschnitte8 ,10 etwa rechteckig auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht ist. - Wie
4 zu entnehmen ist, die eine Einzeldarstellung eines Entladungsgefäßes4 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Beschichtung2 zeigt, kann diese derart auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht sein, dass sie sich in Längsrichtung der Lampe1 nur über die Länge des Entladungsraumes6 und etwa die Hälfte der Länge des sockelnahen Endes8 des Entladungsgefäßes4 erstreckt. Das sockelferne Ende10 des Entladungsgefäßes4 ist bei dieser Variante nicht beschichtet. - Gemäß den
5 und6 , die zwei Ansichten eines Entladungsgefäßes4 gemäß einer weiteren alternativen Variante der Beschichtung2 zeigen, erstreckt sich die Beschichtung2 bei diesem Ausführungsbeispiel in Längsrichtung der Lampe1 über die gesamte Länge des Entladungsraumes6 und über etwa 40 Prozent der Länge der Endabschnitte8 ,10 des Entladungsgefäßes4 . Die Beschichtung2 ist auf etwa 30 Prozent der Außenumfangsfläche42 des Entladungsgefäßes4 aufgebracht. Wie6 zu entnehmen ist, die eine Draufsicht auf die Beschichtung2 des Entladungsgefäßes4 aus5 zeigt, ist die Beschichtung2 im Bereich der Endabschnitte8 ,10 etwa rechteckig auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht, wobei die freien Endbereiche der Beschichtung konvex gekrümmt ausgebildet sind. - Die Beschichtung
2 wird erfindungsgemäß durch ein Vakuumbeschichtungsverfahren auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht. Bei den gezeigten Ausführungsbeispielen der Erfindung wird die Beschichtung2 in einem reaktiven PVD-Sputterprozess auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht. Dies wird im Folgenden anhand7 näher erläutert. - Gemäß
7 , die eine stark vereinfachte Darstellung einer Vakuumbeschichtungsanlage46 zeigt, wird das Entladungsgefäß4 mit einem Target48 , von dem Beschichtungsmaterial abgetragen werden soll, und einer Schattenmaske50 mit Öffnung52 in einer Vakuumkammer (Rezipient)54 angeordnet. Das Target48 kann je nach gewünschter Beschichtung2 aus unterschiedlichen elektrisch leitenden Materialien bestehen. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel besteht das Target48 aus Indiumzinnoxid (ITO). Bei einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung findet ein Target48 aus dotiertem Zinnoxid, beispielsweise Cadmiumstannatoxid, Indiumoxid, dotiertem Zinkoxid, Gold oder Titannitrid Verwendung. Der Rezipient54 wird in einem ersten Arbeitsschritt bis zu einem definierten Druckunterschied evakuiert und mit einem Prozessgas, beispielsweise Argon befüllt. Anschließend wird das Target48 mit einer Spannung beaufschlagt, wodurch sich im Prozessgas ein Plasma ausbildet. Dieses bewirkt die Herauslösung von Metallionen aus dem Target48 , welche sich in der angedeuteten Pfeilrichtung im Prozessgas ausbreiten und durch die zwischen dem Target48 und dem Entladungsgefäß4 angeordnete Schattenmaske50 hindurch auf das Entladungsgefäß4 treffen und dort die schematisch angedeutete Beschichtung2 ausbilden. Diese zeichnet sich durch ihre elektri sche Leitfähigkeit und Lichtdurchlässigkeit aus und entspricht in ihrer Kontur etwa der Öffnung52 der Schattenmaske50 . Hat die Beschichtung2 die geforderte Schichtdicke erreicht, wird der Sputterprozess unterbrochen. Die Beschichtung2 wird bei den dargestellten Ausführungsbeispielen mit einer Schichtdicke von etwa 0,2 μm auf das Entladungsgefäß aufgebracht, so dass diese einen Flächenwiderstand im Bereich von etwa 3 bis 20 Ω/⎕ aufweist. Der Widerstand pro Längeneinheit der Beschichtung2 , gemessen zwischen zwei, in einem Abstand auf der Schicht angeordneten Punkten, liegt vorzugsweise im Bereich von etwa 103 bis 105 Ohm/cm. Die Durchbruchsspannung der Entladungsstrecke zwischen den Elektroden18 ,20 und dadurch die Zündspannung ist durch eine derartige Beschichtung2 , wie bereits eingangs erläutert, wesentlich reduziert. - Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Entladungslampe
1 ist nicht auf das beschriebene Sputterverfahren beschränkt, vielmehr kann die Beschichtung2 mittels unterschiedlicher aus dem Stand der Technik bekannten Vakuumbeschichtungsverfahren erfolgen. Des Weiteren ist die Geometrie der Beschichtung2 nicht auf die genannten Ausführungsbeispiele beschränkt. Insbesondere kann die Beschichtung2 etwa ringförmig auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht werden, oder sich über die gesamte Oberfläche des Entladungsgefäßes4 erstrecken. - Offenbart ist ein Verfahren zur Herstellung einer Hochdruckentladungslampe
1 , mit zumindest einem Entladungsgefäß4 und zwei sich in einen Entladungsraum6 des Entladungsgefäßes4 erstreckenden Elektroden18 ,20 , die mit aus dem Entladungsgefäß4 herausgeführten Stromzuführungen16 verbunden sind, wobei zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitende, lichtdurchlässige Beschichtung2 auf eine Außenumfangsfläche42 des Entladungsgefäßes4 aufgebracht wird, so dass sich zwischen der Beschichtung2 und zumindest einer Elektrode18 ,20 und/oder Stromzuführung16 eine kapazitive Kopplung ausbildet. Erfindungsgemäß wird die Beschichtung2 mittels eines Vakuumbeschichtungsverfahrens auf das Entladungsgefäß4 aufgebracht. Weiterhin offenbart ist eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Entladungslampe1 . -
- 1
- Hochdruckentladungslampe
- 2
- Beschichtung
- 4
- Entladungsgefäß
- 6
- Entladungsraum
- 8
- Endabschnitt
- 10
- Endabschnitt
- 12
- Molybdänfolie
- 14
- Schmalseite
- 16
- Stromzuführung
- 18
- Elektrode
- 20
- Elektrode
- 22
- Schmalseite
- 24
- Außenkolben
- 26
- Lampensockel
- 28
- Sockelgehäuse
- 30
- Befestigungsabschnitt
- 32
- Flansch
- 34
- Isolierhülse
- 36
- Stromrückführung
- 38
- Anschlussring
- 40
- Zwischenraum
- 42
- Außenumfangsfläche
- 44
- Seitenfläche
- 46
- Vakuumbeschichtungsanlage
- 48
- Target
- 50
- Schattenmaske
- 52
- Öffnung
- 54
- Vakuumkammer
Claims (17)
- Verfahren zur Herstellung einer Hochdruckentladungslampe (
1 ), mit zumindest einem Entladungsgefäß (4 ) und zwei sich in einen Entladungsraum (6 ) des Entladungsgefäßes (4 ) erstreckenden Elektroden (18 ,20 ), die mit aus dem Entladungsgefäß (4 ) herausgeführten Stromzuführungen (16 ) verbunden sind, wobei zumindest abschnittsweise eine elektrisch leitende, lichtdurchlässige Beschichtung (2 ) auf eine Außenumfangsfläche (42 ) des Entladungsgefäßes (4 ) aufgebracht wird, so dass sich zwischen der Beschichtung (2 ) und zumindest einer Elektrode (18 ,20 ) und/oder Stromzuführung (16 ) eine kapazitive Kopplung ausbildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (2 ) mittels eines Vakuumbeschichtungsverfahrens auf das Entladungsgefäß (4 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Beschichtung (
2 ) in PVD-Sputtertechnik oder CVD-Technik auf das Entladungsgefäß (4 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Beschichtung (
2 ) in Masken- oder Blendentechnik auf das Entladungsgefäß (4 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (
2 ) zumindest eine elektrisch leitende, lichtdurchlässige Oxidverbindung aufweist. - Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Beschichtung (
2 ) dotiertes Zinnoxid (SnO), insbesondere Indiumzinnoxid (InzO3:SnO2), Cadmiumstannatoxid (Cd2SnO4), Indiumoxid (In2O3) oder dotiertes Zinkoxid (ZnO) aufweist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Beschichtung (
2 ) Gold (Au) oder Titannitrid (TiN) aufweist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (
2 ) mit einer Schichtdicke im Bereich von etwa 0,1 bis 0,5 μm, vorzugsweise von 0,2 μm, auf das Entladungsgefäß (4 ) aufgebracht ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (
2 ) einen Flächenwiderstand im Bereich von etwa 3 bis 20 Ω/⎕ aufweist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Widerstand pro Längeneinheit der Beschichtung (
2 ), gemessen zwischen zwei, in einem Abstand auf der Schicht angeordneten Punkten, kleiner oder gleich 105 Ohm/cm ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (
2 ) zumindest im Bereich des Entladungsraumes (6 ) ausgebildet wird und sich über einen Umfangsabschnitt des Entladungsgefäßes (4 ) erstreckt. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Beschichtung (
2 ) zumindest teilweise auf Endabschnitte (8 ,10 ) des Entladungsgefäßes (4 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Entladungsgefäß (
4 ) mit einem Endabschnitt (8 ) in einen Sockel (26 ) eingesetzt wird und ein sockelnahes und ein sockelfernes abgedichtetes Ende (8 ,10 ) aufweist, aus denen jeweils eine Stromzuführung (16 ) für die Elektroden (18 ,20 ) herausgeführt ist, wobei die aus dem sockelfernen Ende (10 ) des Entladungsgefäßes (4 ) herausgeführte Stromzuführung (16 ) mit einer hin zu dem Sockel (26 ) geführten Stromrückführung (36 ) verbunden ist, wobei die Beschichtung (2 ) auf einem der Stromrückführung (36 ) zugewandten Oberflächenbereich des Entladungsgefäßes (4 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Stromzuführung (
16 ) zumindest eine Molybdänfolie (12 ) aufweist und sich die Beschichtung (2 ) bis in den Bereich der Molybdänfolie (12 ) erstreckt und einer der beiden Seitenflächen (44 ) der Molybdänfolien (12 ) zugewandt ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, zur Herstellung einer Entladungslampe (
1 ) mit im Wesentlichen in einer horizontalen Ebene angeordneten Elektroden (18 ,20 ), wobei die Beschichtung (2 ) im Bereich unterhalb der Elektroden (18 ,20 ) aufgebracht wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Außenkolben (
24 ) auf das Entladungsgefäß (4 ) aufgesetzt und der Zwischenraum (40 ) von Außenkolben (24 ) und Entladungsgefäß (4 ) mit einer Gasfüllung, insbesondere einer Inertgasfüllung, versehen wird. - Verfahren nach Anspruch 15, wobei in die Gasfüllung Sauerstoff eingebracht wird.
- Entladungslampe mit einer Beschichtung (
2 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
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DE200610010803 DE102006010803A1 (de) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | Verfahren zur Herstellung einer Entladungslampe und eine nach einem derartigen Verfahren hergestellte Lampe |
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