DE102006003482A1 - Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat sowie pulverförmiger Lotwerkstoff - Google Patents
Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat sowie pulverförmiger Lotwerkstoff Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006003482A1 DE102006003482A1 DE102006003482A DE102006003482A DE102006003482A1 DE 102006003482 A1 DE102006003482 A1 DE 102006003482A1 DE 102006003482 A DE102006003482 A DE 102006003482A DE 102006003482 A DE102006003482 A DE 102006003482A DE 102006003482 A1 DE102006003482 A1 DE 102006003482A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solder
- aluminum
- powdered
- soft
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0607—Solder feeding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
- C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/42—Printed circuits
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/264—Bi as the principal constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/268—Pb as the principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/06181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/27312—Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2733—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form
- H01L2224/27332—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form using a powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0215—Metallic fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
- H05K2203/0425—Solder powder or solder coated metal powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
- H05K2203/1344—Spraying small metal particles or droplets of molten metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots (4) aus einem Aluminium enthaltenden Lotwerkstoff (6) auf ein Substrat (8), bei dem das Lotdepot (4) durch Kaltgasspritzen des pulverförmigen Lotwerkstoffs (6) mit einem Prozessgas auf das Substrat (8) aufgebracht wird. Die Erfindung betrifft weiter einen pulverförmigen Lotwerkstoff (6). Es ist vorgesehen, dass der Lotwerkstoff (6) pulverförmiges Weichlot und pulverförmiges Aluminium enthält.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, sowie einen pulverförmigen Lotwerkstoff gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 11.
- Stand der Technik
- Aus der
DE 2004 026 490 A1 ist bereits ein Verfahren der eingangs genannten Art zum Applizieren von Loten auf Grundwerkstoffe bekannt, bei dem Hartlote und insbesondere Fe-, Ni- und Cu- sowie Al- und Zn-Basislote in Form von Legierungen mit verschiedenen Legierungsbestandteilen durch einen thermischen Spritzprozess auf den Grundwerkstoff aufgetragen werden. Ein in derDE 2004 026 490 A1 genannter thermischer Spritzprozess ist das Kaltgasspritzen, bei dem ein vorgewärmtes Prozessgas in einer Lavaldüse auf Überschallgeschwindigkeit beschleunigt wird, wobei die Gastemperatur deutlich unterhalb der Schmelztemperatur des eingesetzten Lotwerkstoffs liegt. Der aus der Düse austretende pulverförmige Lotwerkstoff erreicht hohe kinetische und relativ geringe thermische Energien. - Aus der
DE 103 20 740 A1 ist ein Verfahren zum Verlöten zweier Teile bekannt, bei dem eines der beiden Teile aus einem schwer lötbaren Material besteht und zuerst mit einem Überzug aus einem lötfähigen Material, zum Beispiel aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, versehen wird. Auf diesen Überzug wird dann durch Kaltgasspritzen eine Schicht aus Lot aufgebracht, die zum späteren Verlöten mit dem anderen Teil dient. - Darüber hinaus offenbart die
DE 102 37 495 A1 einen Aluminium enthaltenden Lotwerkstoff und ein Verfahren zum Ausbilden einer Weichlötverbindung, wobei der als Weichlot ausgebildete Lotwerkstoff einen Aluminiumzusatz von mehr als 0,001 Gew.-% enthält. Mit dem beschriebenen Verfahren kommt es einerseits bei der Herstellung der Lötverbindung in einer Diffusionszone zwischen dem Weichlot und einem das Weichlot tragenden Substrat zu einer erwünschten chemischen Wechselwirkung in Form einer Legierungsbildung, während andererseits eine unerwünschte fortgesetzte chemische Wechselwirkung nach Abschluss des Lötvorgangs verhindert werden kann, weil das im Weichlot enthaltene Aluminium beim Aufschmelzen des Weichlots während des Lötvorgangs an der Grenzfläche zum Substrat eine Barriere- oder Sperrschicht bildet. Diese Barriere- oder Sperrschicht verhindert selbst dann ein späteres Auftreten von Diffusions- und Legierungsvorgängen, wenn das aluminiumhaltige Weichlot infolge erhöhter Betriebstemperaturen der verlöteten Teile erneut stark erwärmt oder gar flüssig wird, was eine Steigerung der Diffusionsgeschwindigkeiten und damit die Ablegierraten zur Folge hat. - Die Herstellung eines Lotdepots mit dem in der
DE 102 37 495 A1 beschriebenen Verfahren ist allerdings bisher nur unter Verwendung eines Lotbads oder von Lotkugeln aus einem aluminiumhaltigen Weichlot möglich, in denen das Aluminium während der Verarbeitung und der Herstellung des Lotdepots in einem fein verteilten Zustand gehalten und durch das umgebende Weichlot vor Oxidation geschützt wird. Demgegenüber haben sich andere Lötverfahren bei Versuchen als ungeeignet erwiesen, zum Beispiel die Verwendung einer Lotpaste aus pulverförmigem Weichlot, pulverförmigem Aluminium und einem Flussmittelsystem, da es in der Lotpaste zu einer oberflächlichen Oxidation des pulverförmigen Aluminiums kommt, so dass während der Herstellung der Lötverbindung kein metallisches Aluminium für die Ausbildung der gewünschten Barriere- oder Sperrschicht zugänglich bzw. verfügbar ist. Diese Einschränkung bei der Verarbeitung bedeutet jedoch, dass das wegen seiner Eigenschaften sehr vorteilhafte aluminiumhaltige Weichlot für die meisten Anwendungen der Elektronik, wie z.B. für Schaltungsträger, nicht kommerziell angewandt werden kann. - Vorteile der Erfindung
- Überraschenderweise hat sich gezeigt, dass man die in der
DE 102 37 495 A1 beschriebenen Eigenschaften eines Aluminium enthaltenden Weichlots auch dann erhalten kann, wenn ein zur Herstellung eines Lotdepots durch Kaltgasspritzen auf ein Substrat aufgebrachter Lotwerkstoff neben pulverförmigem Weichlot pulverförmiges Aluminium enthält. - Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es nicht erforderlich, eine Aluminium enthaltende Legierung zu verwenden, um für eine gleichmäßige Verteilung des Aluminiums im Lotwerkstoff zu sorgen, da durch das Kaltgasspritzen selbst bereits eine ausreichende Durchmischung des pulverförmigen Aluminiums mit dem pulverförmigen Weichlot gewährleistet wird. Auf der anderen Seite hat sich gezeigt, dass eine Oxidation des pulverförmigen Aluminiums in dem beim Kaltgasspritzen verarbeiteten Lotwerkstoff keine merklichen negativen Auswirkungen hat, vermutlich weil sich das pulverförmige Aluminium infolge der hohen Geschwindigkeit beim Aufprall auf das Substrat ausreichend stark verformt, um die zuvor gebildete Oxidschicht an den Oberflächen der Aluminiumpartikel aufzubrechen und das metallische Aluminium freizulegen, so dass es beim späteren Lötvorgang zur Ausbildung einer Barriere- oder Sperrschicht verfügbar ist.
- Versuche haben gezeigt, dass die in der
DE 102 37 495 A1 beschriebenen vorteilhaften Eigenschaften mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erreicht werden können, ohne dass es notwendig ist, den Anteil des Aluminiums im Lotwerkstoff gegenüber den aus derDE 102 37 495 A1 bekannten Lotwerkstoffen zu erhöhen, so dass dieser Anteil vorzugsweise mehr als 0,01 Gew.-% und weniger als 5 Gew.-% beträgt. Insbesondere wurde festgestellt, dass die beim Lötvorgang gebildete Barriere- oder Sperrschicht selbst im Falle eines länger anhaltenden teilweisen Aufschmelzens der Lötverbindung infolge erhöhter Betriebstemperaturen ausreichend ist, um eine weiter anhaltende chemische Wechselwirkung zwischen dem Weichlot und den Verbindungspartnern zu verhindern. - Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das beim Kaltgasspritzen verwendete Prozessgas ein Inertgas ist, das bei den während des Kaltgasspritzens herrschenden Druck- und Temperaturbedingungen nicht mit dem Aluminium reagiert und insbesondere eine Oxidation der aufgebrochenen Oberflächen der Aluminiumpartikel verhindert, bis diese durch eine ausreichend dicke Schicht aus Weichlot vor einem Kontakt mit Luftsauerstoff geschützt sind. Die Temperatur des Prozessgases beim Kaltgasspritzen wird so eingestellt, dass sie unterhalb der Schmelztemperatur des Weichlots und damit auch unterhalb der Schmelztemperatur des Aluminiums liegt, um ein Aufschmelzen des pulverförmigen Lotwerkstoffs während des Kaltgasspritzens zu vermeiden. Der Zusammenhalt der einzelnen Partikel im Lotdepot wird auch ohne ein Aufschmelzen erreicht, weil die Partikel beim Aufprall bedingt durch Mikroreibung lokal erwärmt werden, was an den Reibungspunkten zu einer Mikroverschweißung benachbarter Partikel führt. Dies reicht aus, um den Lotwerkstoff bis zum späteren Aufschmelzen während der Herstellung der Lotverbindung am Substrat festzuhalten und für eine ausreichende Haftung der Partikel untereinander zu sorgen.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weisen das pulverförmige Aluminium und das pulverförmige Weichlot eine Partikelgröße zwischen 1 und 100 μm auf, wobei sie vorteilhafterweise eine ähnliche Korngrößenverteilung besitzen, um eine möglichst homogene Durchmischung des Lotwerkstoffs zu erzielen bzw. diese bei einer eventuellen Umlenkung des Pulvergemischs innerhalb der Düse beim Zuführen des Lotwerkstoffs in das Prozessgas aufrecht zu erhalten.
- Als Weichlot können beliebige handelsübliche Weichlote verwendet werden, jedoch finden zweckmäßig vor allem Weichlote in Form von PbSn-Legierungen, BiSn-Legierungen, SnAg-Legierungen oder SnAgCu-Legierungen Verwendung.
- Zeichnung
- Die Erfindung wird nachfolgend in einigen Ausführungsbeispielen anhand der zugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 : eine schematische Darstellung einer Spritzdüse zum Aufbringen eines Lotdepots aus aluminiumhaltigem Weichlot durch Kaltgasspritzen; -
2 : eine Seitenansicht eines Schaltungsträgers und eines mit aluminiumhaltigem Weichlot auf den Schaltungsträger aufgelöteten elektronischen Bauteils; -
3 : eine Seitenansicht eines mit aluminiumhaltigem Weichlot zwischen flächige Kontakte eines Schaltungsträgers gelöteten elektronischen Bauteils; -
4 : eine Seitenansicht eines Schaltungsträgers und eines anderen, mit aluminiumhaltigem Weichlot auf den Schaltungsträger aufgelöteten elektronischen Bauteils; -
5 : eine Seitenansicht eines Schaltungsträgers und eines noch anderen, mit aluminiumhaltigem Weichlot auf den Schaltungsträger aufgelöteten elektronischen Bauteils. - Beschreibung der Ausführungsbeispiele
- Die in
1 dargestellte Spritzdüse2 dient dazu, durch Kaltgasspritzen mindestens ein Lotdepot4 aus einem pulverförmigen Lotwerkstoff6 auf ein Substrat8 aufzubringen, zum Beispiel auf einen elektrischen Kontakt10 eines in den2 bis4 dargestellten Schaltungsträgers12 , der anschließend durch Aufschmelzen des Lotde pots4 und Anpressen von einem oder mehreren metallischen Anschlüssen14 eines elektrischen oder elektronischen Bauteils16 mit dem Bauteil16 verlötet wird. - Wie in
1 dargestellt, umschließt die langgestreckte Spritzdüse2 einen inneren Hohlraum18 mit einer zur Längsachse der Spritzdüse2 koaxialen Längsachse. Der Hohlraum18 weist einen vom Substrat8 abgewandten erweiterten hinteren Kammerteil20 und einen langgestreckten Düsenteil22 auf, der sich in Richtung eines dem Substrat8 zugewandten vorderen Stirnendes24 der Spritzdüse2 mit einem kleinen Konuswinkel zuerst verjüngt und von einer maximalen Einschnürung26 an bis zu einer Düsenaustrittsöffnung28 am vorderen Stirnende24 wieder etwas erweitert. Vom hinteren Stirnende30 der Spritzdüse2 aus ragt ein Injektorrohr32 in den Hohlraum18 , das außerhalb der Spritzdüse2 in einen Vorratsbehälter (nicht dargestellt) für den pulverförmigen Lotwerkstoff6 mündet und dessen Austrittsöffnung34 innerhalb des Hohlraums18 am vorderen Ende eines mit einem größeren Konuswinkel verjüngten Übergangsbereichs36 zwischen dem Kammerteil20 und dem Düsenteil22 angeordnet ist. Der Kammerteil20 ist durch eine seitliche Gaszufuhröffnung38 in der Nähe des hinteren Stirnendes30 der Spritzdüse2 mit einem unter Druck stehenden Prozessgas (Pfeil P) aus einer geeigneten Druckgasquelle beaufschlagbar, das von der Gaszufuhröffnung38 aus durch Öffnungen40 eines im Kammerteil22 angeordneten Heizelements42 und dann an der Austrittsöffnung34 des Injektorrohrs32 vorbei durch den Düsenteil22 strömt, wobei es infolge der konischen Verjüngung des Übergangsteils36 und des Düsenteils22 stark beschleunigt wird. Dadurch wird an der Austrittsöffnung34 des Injektorrohrs32 ein Unterdruck erzeugt, so dass der pulverförmige Lotwerkstoff6 durch das Injektorrohr32 aus dem Vorratsbehälter angesaugt, durch die Austrittsöffnung34 in das am Injektorrohr32 vorbei strömende Prozessgas eingetragen und vor seinem Austritt durch die Öffnung28 innerhalb des Düsenteils22 homogen mit dem Prozessgas vermischt wird. - Der im Vorratsbehälter enthaltene Lotwerkstoff
6 besteht aus einem pulverförmigen Weichlot, zum Beispiel einer Wismut-Zinn-Legierung, sowie aus pulverförmigem Aluminium, wobei die Korngröße der Pulverpartikel44 der beiden metallischen Werkstoffe jeweils zwischen etwa 10 μm und etwa 50 μm liegt und eine ähnliche Korngrößenverteilung aufweist. Der Anteil des Weichlotpulvers beträgt etwa 99 Gew.-%, während der Anteil des Aluminiumpulvers etwa 1 % beträgt, jeweils bezogen auf das Gewicht des gesamten Lotwerkstoffs6 . Innerhalb der Weichlot-Legierung beträgt der Wismutanteil56 Gew.-% und der Zinnanteil44 Gew.-%, jedoch können auch Weichlot-Legierungen mit anderen Zusammensetzungen verwendet werden. - Das in den Hohlraum
18 zugeführte Prozessgas besteht aus einem Schutz- oder Inertgas, vorzugsweise Stickstoff oder Helium, dessen Temperatur und Druck, zum Beispiel zwischen 15 und 35 bar, so gewählt werden, dass die in den Gasstrom zugeführten Pulverpartikel44 nicht aufgeschmolzen werden, jedoch bereits vor ihrem Aufprall auf das Substrat8 eine erhöhte Temperatur besitzen. Durch die erhöhte Temperatur der Partikel44 wird bewirkt, dass sich diese beim Aufprall auf das Substrat8 stärker verformen, so dass eine zuvor durch Kontakt der Aluminiumpartikel mit Luftsauerstoff entstandene oberflächliche Oxidhaut auf den Aluminiumpartikeln leichter aufreißt, was eine anschließende lokale Verschmelzung von Aluminium und Weichlot benachbarter Weichlotpartikel infolge von Mikro reibung begünstigt. Gleichzeitig bewirkt die Anströmung des Substrats mit dem Schutz- oder Inertgas eine Verdrängung der Umgebungsluft aus dem Bereich des Lotdepots4 , wodurch eine erneute Oxidation des Aluminiumpartikel verhindert und dadurch ebenfalls eine lokale Verschmelzung von Aluminium und Weichlot gefördert wird. - Da auch die Weichlotpartikel vom Prozessgas erwärmt werden und beim Aufprall auf das Substrat
8 durch Mikroreibung oberflächlich erwärmt und lokal mit dem Substrat8 bzw. den unmittelbar zuvor aufgespritzten Weichlotpartikeln verschmolzen werden, wird ein fest am Substrat8 haftendes schichtförmiges Lotdepot4 erzeugt, in dem die Aluminiumpartikel homogen verteilt sind und in metallischem Kontakt mit den Weichlotpartikeln stehen. Auf diese Weise kann das Aluminium beim Herstellen einer Lötverbindung46 zwischen dem Substrat8 und einem anderen metallischen Bauteil in das beim Verlöten aufgeschmolzene Weichlot eindiffundieren. Dadurch wird nach dem Erstarren des Lots eine Barriere- oder Sperrschicht gebildet, die fortschreitende Legierungs- oder Diffusionsvorgänge oder unerwünschte chemische Wechselwirkungen zwischen dem Weichlot und den benachbarten metallischen Bauteilen sicher verhindert. - Wenn das Substrat
8 , zum Beispiel der in den2 bis5 dargestellte Schaltungsträger12 , mit dem durch Kaltgasspritzen aufgebrachten Lotdepot4 mit einem anderen metallischen Bauteil, zum Beispiel dem in den2 bis5 dargestellten elektrischen oder elektronischen Bauteil16 , verlötet werden soll, wird das Lotdepot4 über den Schmelzpunkt des Weichlots hinaus erhitzt, während das andere metallische Bauteil16 im Bereich des Lotdepots4 gegen das Substrat8 angepresst wird. Dazu besitzt das andere Bauteil16 zweckmäßig eine dem Lotdepot4 gegenüberliegende Oberfläche aus einem gut lötbaren Material, wie Kupfer oder einer Kupferlegierung, kann jedoch an dieser Stelle auch mit einer Beschichtung aus einem aluminiumhaltigen Weichlot oder einem anderen Weichlot versehen werden, so dass es möglich wird, das aluminiumhaltige Weichlot als Verbindungselement in elektrischen Schaltungen und Schalteinrichtungen zu nutzen. - Bei den so hergestellten Lötverbindungen
46 treten nach dem Lötvorgang keine chemischen Wechselwirkungen zwischen dem Weichlot und dem Substrat8 bzw. dem anderen metallischen Bauteil16 auf. Die Werkstoffe dieser beiden löttechnisch verbundenen metallischen Teile8 ,16 und das Weichlot werden nach dem Lötvorgang selbst dann nicht mehr durch eine chemische Wechselwirkung beeinflusst, wenn die Teile8 ,16 im Betrieb erhöhten Betriebstemperaturen ausgesetzt sind oder gar erneut aufgeschmolzen werden. Dies wiederum verhindert irreversible Veränderungen der mechanischen, elektrischen und thermischen Funktion der Lötverbindung46 und der Verbindungspartner8 ,16 unter Temperaturbelastung. -
2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Lötverbindung46 , bei der ein Schaltungsträger12 mit einem elektrischen oder elektronischen Bauteil16 verlötet worden ist, wobei ein durch Kaltgasspritzen auf einen von drei ebenen metallischen Kontakten10 des Schaltungsträgers12 aufgebrachtes Lotdepot4 aus aluminiumhaltigem Weichlot mit seiner entgegengesetzten Breitseitenfläche flächig mit einem von zwei metallischen Anschlüssen14 an den entgegengesetzten Breitseitenflächen des Bauteils16 verlötet ist. Der andere Anschluss14 ist durch zwei Bonddrähte48 mit den beiden anderen metallischen Kontakten10 verbunden. -
3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel, bei dem die beiden metallischen Anschlüsse14 an den entgegengesetzten Breitseitenflächen eines ähnlichen elektrischen oder elektronischen Bauteils16 jeweils mit einem gegenüberliegenden metallischen Kontakt10 des Schaltungsträgers12 verlötet sind. Wie bei dem vorangehenden Beispiel besteht jede Lötverbindung46 aus einem aluminiumhaltigen Weichlot, das als Lotdepot4 durch Kaltgasspritzen auf die Kontakte10 aufgebracht worden ist. - Der Schaltungsträger
12 bei dem in4 dargestellten Ausführungsbeispiel weist an seiner Oberseite zwei im Abstand angeordnete metallische Kontakte10 auf. Auf jeden dieser Kontakte10 ist einer der beiden als Anschlussbein50 ausgebildeten Anschlüsse14 des Bauteils16 aufgelötet, wobei die Lötverbindungen46 ebenfalls mit Hilfe eines zuvor durch Kaltgasspritzen aufgebrachten Lotdepots4 aus einem Aluminium enthaltenden Weichlot hergestellt werden. - Bei dem in
5 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die beiden metallischen Kontakte10 an der Oberseite des Schaltungsträgers10 jeweils durch eine kugelförmige Lötverbindung46 mit einem gegenüberliegenden metallischen Anschluss14 an der Unterseite des Bauteils16 verbunden. Die Lötverbindung46 besteht erneut aus einem Aluminium enthaltenden Weichlot.
Claims (14)
- Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots aus einem Aluminium enthaltenden Lotwerkstoff auf ein Substrat, bei dem das Lotdepot durch Kaltgasspritzen des pulverförmigen Lotwerkstoffs mit einem Prozessgas auf das Substrat aufgebracht wird, dadurch ge kennzeichnet, dass der Lotwerkstoff pulverförmiges Weichlot und pulverförmiges Aluminium enthält.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des pulverförmigen Aluminiums im Lotwerkstoff mehr als 0,001 Gew.-% und weniger als 5 Gew.-% beträgt.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des pulverförmigen Weichlots im Lotwerkstoff mehr als 95 Gew.-% beträgt und weniger als 99,99 Gew.-% beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das pulverförmige Aluminium eine Partikelgröße zwischen 1 und 100 μm aufweist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das pulverförmige Weichlot eine Partikelgröße zwischen 1 und 100 μm aufweist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das pulverförmige Weichlot und das pulverförmige Aluminium eine ähnliche Korngrößenverteilung aufweisen.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Weichlot aus einer PbSn-Legierung besteht.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Weichlot aus einer BiSn-Legierung besteht.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Weichlot aus einer SnAg-Legierung besteht.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Weichlot aus einer SnAgCu-Legierung besteht.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas ein Inertgas ist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur des Prozessgases beim Kaltgasspritzen unterhalb der Schmelztemperatur des Weichlots liegt.
- Pulverförmiger Lotwerkstoff, insbesondere zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat, dadurch gekennzeichnet, dass der Lotwerkstoff (
6 ) pulverförmiges Weichlot und pulverförmiges Aluminium enthält. - Lotwerkstoff nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des pulverförmigen Aluminiums mehr als 0,001 Gew.-% und weniger als 5 Gew.-% beträgt, bezogen auf das Gewicht des Lotwerkstoffs (
6 ).
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006003482A DE102006003482A1 (de) | 2006-01-25 | 2006-01-25 | Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat sowie pulverförmiger Lotwerkstoff |
PCT/EP2007/050513 WO2007085563A1 (de) | 2006-01-25 | 2007-01-18 | Verfahren zum aufbringen eines lotdepots aus einem lotwerkstoff auf ein substrat durch kaltgas s pri t z en sowie pulverförmiger lotwerkstoff , wobei der lotwerkstoff pulverförmiges weichlot und pulverförmiges aluminium enthält |
TW096102414A TW200804025A (en) | 2006-01-25 | 2007-01-23 | Method of applying a solder to substrate surface transported by gas spraying and powdery solder material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006003482A DE102006003482A1 (de) | 2006-01-25 | 2006-01-25 | Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat sowie pulverförmiger Lotwerkstoff |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006003482A1 true DE102006003482A1 (de) | 2007-07-26 |
Family
ID=37895835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006003482A Withdrawn DE102006003482A1 (de) | 2006-01-25 | 2006-01-25 | Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat sowie pulverförmiger Lotwerkstoff |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102006003482A1 (de) |
TW (1) | TW200804025A (de) |
WO (1) | WO2007085563A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007029422A1 (de) * | 2007-06-26 | 2009-01-08 | Behr-Hella Thermocontrol Gmbh | Thermische Kontaktierung eines Leistungsbauelements auf einem Schaltungsträger durch Kaltgasspritzen |
DE102020206009A1 (de) | 2020-05-13 | 2021-11-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Erzeugung einer stoffschlüssigen Verbindung im Verbundguss |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080160332A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | General Electric Company | Method of applying braze filler metal powders to substrates for surface cleaning and protection |
CN113663895B (zh) * | 2021-08-26 | 2023-04-07 | 南通斯康泰智能装备有限公司 | 一种ic引脚截面上锡工艺及其上锡设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996030154A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | T & N Technology Limited | Joining aluminium articles |
DE19859735A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Erbsloeh Ag | Verfahren zur partiellen oder vollständigen Beschichtung der Oberflächen von Bauteilen aus Aluminium und seinen Legierungen mit Lot, Fluß- und Bindemittel zur Hartverlötung |
DE10320740B4 (de) * | 2003-05-09 | 2005-11-24 | Newspray Gmbh | Verfahren zum Verlöten zweier Teile |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4659399A (en) * | 1986-02-10 | 1987-04-21 | Mcdonnell Douglas Corporation | Solder composition |
US5427865A (en) * | 1994-05-02 | 1995-06-27 | Motorola, Inc. | Multiple alloy solder preform |
JP3800977B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | Zn−Al系はんだを用いた製品 |
US6915964B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-07-12 | Innovative Technology, Inc. | System and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation |
DE10237495A1 (de) * | 2002-04-22 | 2003-11-13 | Siemens Ag | Lotmaterial und Verfahren zum Ausbilden einer Weichlötverbindung |
US7125586B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-10-24 | Delphi Technologies, Inc. | Kinetic spray application of coatings onto covered materials |
-
2006
- 2006-01-25 DE DE102006003482A patent/DE102006003482A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-01-18 WO PCT/EP2007/050513 patent/WO2007085563A1/de active Application Filing
- 2007-01-23 TW TW096102414A patent/TW200804025A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996030154A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | T & N Technology Limited | Joining aluminium articles |
DE19859735A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Erbsloeh Ag | Verfahren zur partiellen oder vollständigen Beschichtung der Oberflächen von Bauteilen aus Aluminium und seinen Legierungen mit Lot, Fluß- und Bindemittel zur Hartverlötung |
DE10320740B4 (de) * | 2003-05-09 | 2005-11-24 | Newspray Gmbh | Verfahren zum Verlöten zweier Teile |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007029422A1 (de) * | 2007-06-26 | 2009-01-08 | Behr-Hella Thermocontrol Gmbh | Thermische Kontaktierung eines Leistungsbauelements auf einem Schaltungsträger durch Kaltgasspritzen |
DE102020206009A1 (de) | 2020-05-13 | 2021-11-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Erzeugung einer stoffschlüssigen Verbindung im Verbundguss |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200804025A (en) | 2008-01-16 |
WO2007085563A1 (de) | 2007-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112011101556B4 (de) | Gemischtlegierungslötmittelpaste | |
DE112006002497B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Lotformteils | |
DE69709699T2 (de) | Verfahren zum Verbinden von einem Substrat und einem elektronischen Bauteil | |
EP1337376B1 (de) | Lotmittel zur verwendung bei diffusionslotprozessen | |
EP1052053B1 (de) | Flussmittel für das Hartlöten von schwerbenetzbaren metallischen Werkstoffen | |
DE2228703A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer vorgegebenen lotschichtstaerke bei der fertigung von halbleiterbauelementen | |
DE112011102163B4 (de) | Pb-freie Lotlegierung | |
DE19526822A1 (de) | Legierung, insbesondere Lotlegierung, Verfahren zum Verbinden von Werkstücken durch Löten mittels einer Lotlegierung sowie Verwendung einer Legierung zum Löten | |
DE112011104328B4 (de) | Pb-freie Lotlegierung, die überwiegend Zn enthält | |
DE69925107T2 (de) | Bleifreies lötpulver und herstellungsverfahren dafür | |
DE102006003482A1 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Lotdepots auf ein Substrat sowie pulverförmiger Lotwerkstoff | |
DE4301927C2 (de) | Verbundener Metall-Keramik-Werkstoff, dessen Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112012005672B4 (de) | Lötpaste | |
EP1647352B1 (de) | Lotmaterial | |
DE60213173T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Aufbauanordnungen ohne Verminderung von Bindekraft von elektronischen Teilen durch Trennung von niederfesten/niedrig schmelzenden Legierungen | |
DE112011105017B4 (de) | Pb-freie Lotpaste | |
DE69806310T2 (de) | Lötverfahren | |
DE69523175T2 (de) | Mit einer einzigen lötlegierung kaschiertes substrat | |
DE1151160B (de) | Metallpulvermischung zum Spritzschweissen | |
EP1239983B1 (de) | Herstellung eines pulvers aus geschmolzenem metall durch zerstäubung mit reaktivem gas | |
DE2735638C2 (de) | ||
DE10001968B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Pulvers | |
DE102013109588A1 (de) | Aufschmelz-Verbindungsverfahren | |
DE68922949T2 (de) | Verfahren zum Schmelzbeschichten in einer Atmosphäre mit gesteuerter Oxydationsfähigkeit. | |
DE1433158A1 (de) | Loetmaterial zur vakuumdichten Verbindung von aus Keramik,Glas und Metall bestehenden Bauteilen und Verfahren zur Herstellung derselben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |