DE102006003434A1 - Verfahren zur automatischen Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Prozesses - Google Patents

Verfahren zur automatischen Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Prozesses Download PDF

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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Ein Verfahren zur automatischen Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Belichtungsprozesses ist offenbart. Als erstes wird die Datei für einen Wafer erzeugt, die mindestens die Informationen über die Größe des Wafers, die Position einer Vielzahl von Messmustern, die Reihenfolge, in der die Messmuster aufgenommen und registriert werden, und die Ausrichtung der Messmuster enthält. Als zweites wird diese Information in einem Referenzgitter gespeichert. Als drittes werden Bilder der Muster von jeder im Referenzgitter in der erzeugten Datei gespeicherten Positionen aufgenommen, wobei die Bildaufnahme in der gespeicherten Reihenfolge ausgeführt wird. Zuletzt werden Namen zu den aufgenommenen Bildern zugeordnet.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur automatischen Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Belichtungsprozesses.
  • Es ist wichtig, ein Verfahren zur Fokusüberwachung zu haben, das eine verlässliche Bestimmung des Fokusstatus eines lithografischen Prozesses ermöglicht. Die Veröffentlichung „Optimization and Characterization of the Blazed Phase Grating Focus Monitoring Technique" von Bill Roberts und Gerhard Kunkel; Infineon, offenbart ein Verfahren die Fokusauflösung zu erhöhen. Das Blazed Phase Grating Verfahren ist erwiesenermaßen ein passendes Verfahren zur Überwachung von Wafer-Abweichungen, benötigt jedoch ex-situ Korrelationen, um die Koeffizientenwerte zu ermitteln. Das Phase Grating Verfahren wird in die Produktion als ein Fokusüberwachungsprogramm eingeführt. Die Genauigkeit dieses Verfahrens ermöglicht uns, eine detaillierte Analyse über die nivellierende/geringer werdende Leistungsfähigkeit und die Stabilität aller Belichtungswerkzeuge zu erstellen. Der Test basiert auf einem optischen Mikroskop, das mehr als 6000 Datenpunkte pro Stunde mit einer sehr hohen Genauigkeit verarbeiten kann. Neben der täglichen Fokusüberwachung, die nur ungefähr fünf Minuten braucht, ermöglicht das Mikroskop eine schnelle vollständige Wafer-Analyse für die Chuck-Begutachtung, das Wafer-Eckverhalten und andere Signaturen, die den Ertrag/die Qualität verringern.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, ein schnelles, verlässliches und automatisches Verfahren zur Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Belichtungsprozesses zur Verfügung zu stellen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur automatischen Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Belichtungsprozesses erreicht, das die folgenden Schritte umfasst:
    • • Erzeugen einer Datei für einen Wafer, wobei die Datei mindestens die Informationen über die Größe des Wafers, eine Position einer Vielzahl von Messmustern, die Reihenfolge, in der die Messmuster aufgenommen und registriert werden, und die Ausrichtung der Messmuster enthält,
    • • Speichern der Position einer Vielzahl von ausgewählten Messmustern in einem Referenzgitter,
    • • Aufnehmen von Bildern der Muster von jeder im Referenzgitter in der erzeugten Datei gespeicherten Positionen, wobei die Bildaufnahme in der gespeicherten Reihenfolge ausgeführt wird, und
    • • Zuordnen von Namen zu den aufgenommenen Bildern.
  • Die Datei, in der die Vielzahl von ausgewählten Messmustern in einem Referenzgitter gespeichert sind, ist eine KLA-Datei.
  • Der Schritt zum Erzeugen der Datei, der KLA-Datei, umfasst den Schritt, dass ein optisches System zu jeder Position eines Messmusters verschoben wird, und dass jede Position des Messmusters gespeichert wird, um das Referenzgitter zu erzeugen.
  • Der Schritt der Dateierzeugung hat eine Einstellung, so dass jede Position eines einzelnen Messmusters mit einem Wafer-Inspektionssystem bestimmt wird, wobei die Einstellung des Wafer-Inspektionssystems derart gewählt ist, dass die Position der Messmuster an das System gemeldet wird, was als ein einzelner Defekt angezeigt wird, so dass die Position nur einmal registriert wird.
  • Das Referenzgitter enthält Informationen zur Reihenfolge und Ausrichtung. Das Referenzgitter wird einmal erzeugt und als Inspektionsrezept für alle Wafer verwendet, die zur Inspektion während eines laufenden lithografischen Belichtungsprozesses ausgewählt werden. Während des laufenden lithografischen Belichtungsprozesses wird ein golden image mit einem Bild eines Messmusters verglichen, wobei das golden image und das Bild des Messmusters identisch bezüglich der Reihenfolge und Ausrichtung sind.
  • Die Messmuster können unterschiedliche Ausgestaltungen und Formen haben.
  • Die Beschaffenheit und Arbeitsweise der vorliegenden Erfindung wird nun genauer anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die dargestellten Figuren beschrieben, aus denen weitere Funktionalitäten, Vorteile und Aufgaben abgeleitet werden können:
  • 1 ist eine schematische Darstellung eines Gerätes, das das Verfahren gemäß der zugrunde gelegten Erfindung umfasst;
  • 2 ist eine schematische Draufsicht eines Wafers, der eine Vielzahl von Feldern verteilt auf der Oberfläche besitzt, wobei jedes Feld eine Vielzahl von Mustern besitzt, die zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet werden;
  • 3a ist eine erste Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird;
  • 3b ist eine zweite Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird;
  • 3c ist eine dritte Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird;
  • 3d ist eine vierte Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird;
  • 4 ist eine schematische Darstellung eines einzelnen Feldes mit einer Vielzahl von Mustern;
  • 5 ist eine schematische Darstellung des Verfahrens, um Daten zur Bestimmung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses zu sammeln und bereit zu stellen.
  • 6 ist ein Lernrezept des Inspektionssystems für das Wafer-Design;
  • 7 ist ein Lernrezept des Inspektionssystems zur Erzeugung des Referenzgitters; SpotCheck;
  • 8 ist ein Lernrezept des Inspektionssystems zur Zuordnung eines speziellen Inspektionsprogramms zu dem Wafer;
  • 9 ist eine schematische Darstellung eines Referenzgitters;
  • 10 ist eine Darstellung der Bilder, die für eine Zweipunkt„Selbstausrichtung" verwendet werden;
  • 11 ist der Menüpfad auf der Benutzeroberfläche des Bildschirms, der genommen werden muss, um den VPG Dialog zu öffnen;
  • 12 ist der VPG Dialog, der dem Benutzer auf der Benutzeroberfläche des Bildschirms gezeigt wird;
  • 13 ist ein Wafer Vorauswahl-Dialog;
  • 14 ist ein Ereignis Vorauswahl-Dialog
  • 15 ist ein Dialog zum Einrichten der Scan-Optionen;
  • 16 ist ein Dialog zum Einrichten der Ausrichtungs-Optionen;
  • 17 ist ein Dialog zum Einrichten der Ergebnis-Optionen; und
  • 18 ist eine Darstellung der Dateistruktur einer Vielzahl von KLA-Dateien und einer Vielzahl von Messrezepten, die der Benutzer zum Ausführen der Fokusüberwachung auswählen kann.
  • 1 ist eine schematische Darstellung eines Inspektionssystems 1 für Halbleiterträgermaterialien, insbesondere Wafer. Gemäß der dargestellten Ausführungsform umfasst das Inspektionssystem 1 die Fähigkeit, Makro- und Mikro-Inspektionen der Wafer durchzuführen. In dem vorliegenden Beispiel werden die Wafer in speziellen Behältern 3 von einem lithografischen Belichtungsprozess zu dem Inspektionssystem 1 geliefert. Die Inspektion der Wafer wird in einem geschlossenen Gehäuse 2 ausgeführt. Mindestens ein Bildschirm 5 wird an dem geschlossenen Gehäuse 2 zur Verfügung gestellt. Zusätzlich zu dem Bildschirm 5 wird eine Tastatur 7 zur Verfügung gestellt. Über die Tastatur 7 kann der Benutzer die Dateneingaben vornehmen, um die verschiedenen Inspektionsprozesse einzustellen, die mit dem Inspektionssystem 1 ausgeführt werden können. Zusätzlich kann der Benutzer spezielle Inspektionsrezepte erstellen.
  • 2 zeigt eine schematische Draufsicht eines Wafers 10, der eine Vielzahl von Feldern 12 verteilt auf seiner Oberfläche 11 besitzt, wobei jedes Feld 12 eine Vielzahl von Mustern besitzt, die zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet werden. In jedem Feld wird das Messmuster inpiziert und bekannte Algorithmen werden verwendet, um die Fokusqualität des lithografischen Belichtungsprozesses zu ermitteln.
  • 3a zeigt eine erste Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird.
  • 3a zeigt eine zweite Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird.
  • 3c zeigt eine dritte Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird.
  • 3d zeigt eine vierte Ausführungsform eines Musters, das zur Berechnung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses verwendet wird.
  • 4 ist eine schematische Darstellung eines einzelnen Feldes 12 mit einer Vielzahl von Mustern 20. Die Muster sind in einer Vielzahl von Spalten 22 angeordnet, wobei die Muster mindestens eine unterschiedliche Belichtungsform von Spalte zu Spalte aufweisen. Ein Kreis 23 markiert in der linken unteren Ecke des Feldes 12 den Beginn des lithografischen Belichtungsprozesses in jedem Feld 12.
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung des Verfahrens, um Daten zur Bestimmung des Fokus eines lithografischen Belichtungsprozesses zu sammeln und bereit zu stellen. In einem ersten Schritt 31 wird ein Rezept erstellt wie die individuelle Position von einem Messmuster gefunden und registriert wird. Das Rezept ist ein SpotCheck Rezept. Dann werden in einem zweiten Schritt 32 Daten anhand des Rezeptes gesammelt und in einer speziellen Datei gespeichert, die das Referenzgitter darstellt. Die Datei ist eine KLA-Datei. In einem dritten Schritt 33 wird ein Rezept zur Aufnahme der Bilder erstellt. Die Bilder gehören zu den verschiedenen Messmustern, die in jeder Position gefunden werden, wobei die Positionen im Referenzgitter der KLA-Datei gespeichert werden. In einem vierten Schritt 34 werden die Bilder im RUN-Modus gesammelt. Wie oben beschrieben, werden die Bilder in der gleichen Reihenfolge gesammelt wie sie in der KLA-Datei gespeichert werden.
  • 6 st ein Lernrezept 60 des Inspektionssystems 1 für das Wafer-Design. Das Lernrezept 60 wird dem Benutzer auf dem Bildschirm 5 des Inspektionssystems 1 angezeigt. Auf dem Bildschirm 5 ist ein Karteireiter 61 namens „Wafer design" ausgewählt. In einem ersten Bereich 62 des Lernrezepts können die Wafer-Einstellungen ausgewählt oder eingegeben werden. Eine Eingabe ist beispielsweise die Größe des Wafers. In dem hier dargestellten Beispiel beträgt die Wafer-Größe 300 mm. In einem zweiten Bereich 63 kann eine Designauswahl für den Wafer vorgenommen werden. Der Benutzer kann das relevante Waferdesign aus einer drop-down-Liste 631 wählen. Zusätzlich kann der Benutzer durch Anklicken einer „NEW" Taste 632 ein neues Waferdesign zur drop-down-Liste hinzufügen. In einem dritten Bereich 64 werden Designdaten bereitgestellt. Die Designdaten sind beispielsweise die Größe auf dem Wafer, der Versatz und die SAW Größe in der X- und der Y-Richtung. Durch Anklicken einer „LOAD" Taste 641 kann der Benutzer die Daten für den zu prüfenden Wafer laden. Durch Anklicken einer „EDIT" Taste 642 kann der Benutzer die Eingabedaten ändern. In einem vierten Bereich 65 können die Einstellungen für die „Auto Alignment" (Selbstausrichtung) vorgenommen werden. In einem fünften Bereich 66 können verschiedenen Pressformen von dem Inspektionsprozess ausgeschlossen werden. Zusätzlich wird eine Statusleiste 67 angezeigt, die die Anwesenheit oder Abwesenheit eines Wafers auf dem Tisch (nicht dargestellt) des Inspektionssystems anzeigt.
  • 7 ist ein Lernrezept 70 des Inspektionssystems 1 zur Erzeugung des Referenzgitters; SpotCheck. Auf dem Bildschirm 5 ist ein Karteireiter 71 namens „Inspection" ausgewählt. In einem ersten Bereich 72 namens „NEW" kann der Benutzer den „Inspection Scan" und den „Inspection Type" auswählen. In einem zweiten Bereich 73 kann der Benutzer die „Position Base" und den „Focus Mode" auswählen. In einem dritten Bereich 74 kann der Benutzer die „Detection Parameters" auswählen. Zusätzlich kann auch die Verwendung des „Golden Image" ausgewählt werden. In einem vierten Bereich 75 wird der Benutzer über die aktuelle Inspektionsposition informiert. In einem fünften Bereich 76 wird der Benutzer über die "Die/Saw Selection" (Pressform/Säge Auswahl) informiert. Zusätzlich wird eine Statusleiste 77 angezeigt, die anzeigt, dass die Inspektionsuche bereit zur Verwendung ist.
  • 8 ist ein Lernrezept 80 des Inspektionssystems 1 zur Zuordnung eines speziellen Inspektionsprogramms zu dem Wafer. Auf dem Bildschirm 5 ist ein Karteireiter 81 namens „Assign Program To Wafer" (Ordne Programm dem Wafer zu) ausgewählt. In einem ersten Bereich 82 namens „Lot Data" kann der Benutzer die Menge und die Kassettengröße eingeben. In einem zweiten Bereich 83 hat der Benutzer ein Textfeld 831 für ein Programm. In einem dritten Bereich 84 wird der Benutzer über die Zuordnung des Wafers zur Kassettennummer und zur Steckplatznummer in der Kassette informiert. Zusätzlich wird eine Statusleiste 85 angezeigt, die anzeigt, dass das Verfahren bereit zur Erzeugung eines neuen Inspektionssprogramms ist.
  • Der Lernmodus der Lernrezepte 60, 70 und 80 kann durch den Benutzer über den Bildschirm 5 und/oder die Tastatur 7 gestartet werden.
  • 9 ist eine schematische Darstellung eines Referenzgitters 90. Eine Vielzahl von Positionen 91 ist auf dem Referenzgitter gespeichert. Jede Position hat eine definierte Position in einer Spalte 92 und einer Reihe 91. Die untere linke Ecke des Referenzgitters 90 wird in diesem Beispiel mit „C1 R31" bezeichnet. Das bedeutet, dass die Position in der ersten Spalte 91 und der 31ten Reihe ist.
  • Über den Bildschirm 5 kann der Benutzer ein neues Programm öffnen oder erstellen (ein Rezept zur Inspektion eines Wafers). Zusätzlich kann der Benutzer ein existierendes Programm zum Editieren öffnen. Falls der Benutzer die Option „Open As" (Öffnen als) auswählt, wird eine Kopie eines bereits existierendes Programm zum Editieren geöffnet. Das bereits existierende Programm dient als Vorlage für ein neues Programm.
  • Wie oben bereits bei der Beschreibung von 6 erwähnt, wählt der Benutzer zuerst die Wafer-Größe, die Wafer-Orientierungsmarke und die Wafer-Ausrichtung. Die Orientierungsmarke kann als eine Fläche 14 (siehe 6) oder als eine Aussparung (nicht dargestellt) konfiguriert werden. Der zu inspizierende Wafer wird von den Containern 3 geladen. Entsprechend dem Wafertyp erzeugt oder wählt der Benutzer ein Waferdesign aus. Passend zum neuen Waferdesign muss ein neues Wafergitter oder ein neues Referenzgitter gelernt werden. Die Ecke und/oder die DIEs (Pressformen) sind davon ausgeschlossen. Das System 1 muss eine automatische Ausrichtung (auto alignment) lernen und ein spezieller Fehlercode wird ausgewählt, damit das System jede gefundene Position eines Messmusters auf dem Wafer registriert.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird für das Waferdesign die Struktur in Reihe R30 und Spalte C15 verwendet. Da das Messmuster kein typisches DIE ist, muss man sich auf die Spalte und Reihen konzentrieren und das als eine untere linke Ecke verwenden.
  • Wie oben erwähnt, wird das Referenzgitter mit einem speziellen Programm erstellt. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Programm SpotCheck aufgerufen. Dabei muss der Benutzer als erstes einen SpotCheck Scan erstellen oder auswählen. Zusätzlich muss der Benutzer einen SpotCheck-Typ und -Fokustyp auswählen. Dann werden die Prüfparameter eingestellt. Das Golden Image wird erlernt und die Scan-Positionen werden ausgewählt. Zusätzlich werden die DIEs für den SpotCheck ausgewählt. Als letztes wird der SpotCheck getestet. Typische Prüfparameter für die „Image Alignment" (Bildausrichtung) sind die maximale Bildverschiebung in X-Richtung und die maximale Bildverschiebung in Y-Richtung. Typische Prüfparameter für die „Image Filters" (Bildfilter) sind die maximale Normalisierung und die Korngröße. Ein typischer Prüfparameter für die „Detection" (Messung/Überwachung/Erkennung) ist die Empfindlichkeit. Typische Prüfparameter für die „Defect Filters" (Defektfilter) sind die minimale Dichte, Dichte-Fenstergröße, Defektanbindung und die minimale Defektgröße. Typische Einstellungen für die maximale Bildverschiebung in die X-Richtung und die maximale Bildverschiebung in die Y-Richtung ist 5870,41 μm, für die maximale Normalisierung 255, für die Korngröße 0, für die Empfindlichkeit 55%, für die minimale Dichte 0%, für die Dichte-Fenstergröße 9,39 μm, für die Defektanbindung 0 μm und für die minimale Defektgröße 0,50 μm.
  • Das „Golden Image" ist sehr ungewöhnlich für diese Rezepte, da es keinen interessanten Bereich hat, in dem ein Defekt erwartet wird. Das Golden Image ist nur für die Ausrichtung der Position der Messmuster relevant. Daher wird das Golden Image mit einer hellen Ecke in einem dunklen Feld verwendet.
  • Der Scanvorgang führt alle Positionen der Messmuster aus, die verfügbar sind, um später Bilder in einem ADR Rezept auf zu nehmen.
  • Die Scan-Ergebnisoption zeigt verschiedene Einstellungen an, die sehr wichtig sind. In Kombination mit dem „Golden Image" wird ein Defekt nur einmal bei jeder Inspektionsposition ermittelt, da das „Golden Image" keinen interessanten Bereich zeigt und hier der Fokus auf die Ermittlung der Position von verschiedenen Messmustern gerichtet ist.
  • Mit der Funktion „assign program to Wafer" (ordne Programm dem Wafer zu) ist es möglich, alle Felder (Messmuster) auf dem Wafer in einer vorgegebenen Reihenfolge anzubringen. Die vorgegebene Reihenfolge ist sehr wichtig für die spätere Analyse. Um eine KLA-Datei zu verwenden, die automatisch Daten zur Fokusüberwachung eines lithografischen Belichtungsprozesses bereitstellt, ist die Modifikation in der KLA-Datei sehr wichtig. Als erstes muss die ID des Inspektionssystems 1 geändert werden. Im zweiten Schritt muss der Wafer geladen, der Wafer ausgerichtet und der „Adjust Origin" (Ursprung einstellen) zu dem richtigen Feld eingerichtet werden.
  • Nach der Modifikation des „Adjust Origin" bleibt der Wafer auf dem Tisch und einige Prüfpunkte werden kontrolliert. Die gesamte Struktur der Messmuster sollte im Sichtfeld bleiben. Wenn alles richtig vorbereitet ist, wird der Lerndialog für die „Auto Alignment" (Selbstausrichtung) gestartet. Für die "Selbstausrichtung" wird eine Zweipunkt-„Selbstausrichtung" mit drei dunklen Bildern für jeden Punkt ausgeführt (siehe 10). An einem ersten Punkt 101 werden drei verschiedene Bilder 103 für die „Selbstausrichtung" verwendet. An einem zweiten Punkt 102 werden die drei Bilder 103 für die „Selbstausrichtung" verwendet. Ein Rahmen 104 markiert auf jedem Bild 103 den Bereich mit der ausgeführten Ausrichtung.
  • 11 zeigt den Menüpfad 110 auf der Benutzeroberfläche des Bildschirms 5, der genommen werden muss, um den VPG Dialog zu öffnen. VPG ist die Abkürzung für VISCON Program Generator. Mit VPG lernt der Benutzer das ADR Rezept. ADR ist die Abkürzung für Automatic Defect Review (automatische Defektprüfung/-überwachung).
  • 12 ist der VPG Dialog 120, der dem Benutzer auf der Benutzeroberfläche des Bildschirms 5 gezeigt wird. In einer oberen Menüzeile 121 des VPG Dialogs 120 werden von links nach rechts einige Einstellungen angezeigt, die für das Rezeptdesign vorgenommen werden müssen. Der erste Menüpunkt ist „File" 122 (Datei), der zweite Menüpunkt ist „Wafer" 123, der dritte Menüpunkt ist „Event" 124 (Ereignis), der vierte Menüpunkt ist „Scan" 125, der fünfte Menüpunkt ist „Options" 126 (Optionen), und der sechste Menüpunkt ist „Mode" 127 (Modus).
  • 13 zeigt einen Wafer Vorauswahl-Dialog 130, der dem Benutzer ermöglicht, den Wafer auszuwählen, der sich in einem Behälter befindet und mit dem Inspektionssystem 1 inspiziert werden muss. Ein Fenster 131 in dem Wafer Vorauswahl-Dialog 130 ermöglicht dem Benutzer, den Wafer aus vielen zu inspizierenden Wafern auszuwählen. Zusätzlich sollte der Benutzer ein Kontrollkästchen 132 namens „Allow operator change" (Operatorwechsel erlauben) nicht markieren.
  • 14 ist ein Ereignis Vorauswahl-Dialog 140. Das Kontrollkästchen 141 namens „Use Automatic Selection" ist zur automatischen Auswahl markiert. Desweiteren ist auch das Kontrollkästchen 142 „Random Selection" (Zufallsauswahl) markiert und die Zufallswerte für die Wafer und die Pressformen sind auf 100% eingestellt. Eine Liste der auswählbaren Filter wird in dem Fenster 143 mit der Überschrift „Filters" angezeigt.
  • 15 ist ein Dialog zum Einrichten der Scan-Optionen 150. Mit dem Dialog 150 wählt der Benutzer die Lichtquelle für die Beleuchtung aus. In dem vorliegenden Dialog 150 ist in einer Listbox 151 ein Laser ausgewählt. Zusätzlich wird ein Fenster 152 angezeigt, in dem der Benutzer die Mikroskop-Einstellungen vornehmen und speichern kann. Die Mikroskop-Einstellungen sind beispielsweise Vergößerung, Blendeinstellung, Kontrast, Helligkeit, Graufilter und Z-Verschiebung.
  • 16 ist ein Dialog zum Einrichten der Ausrichtungs-Optionen 160. In der vorliegenden Ausführungsform sind ein Kontrollkästchen „alignment" 161 (Ausrichtung) und ein Auswahlknopf „Auto" 162 (Selbstausrichtung) gesetzt.
  • Zusätzlich wählt der Benutzer ein spezielles Programm zur Ausrichtung in einer drop-down-Liste 163 aus.
  • 17 ist ein Dialog zum Einrichten der Ergebnis-Optionen 170. Der Benutzer kann in mehreren drop-down-Listen 171 unterschiedliche Optionen zum Speichern der Ergebnisse auswählen.
  • 18 ist eine Darstellung der Dateistruktur einer Vielzahl von KLA-Dateien und einer Vielzahl von Messrezepten, die der Benutzer zum Ausführen der Fokusüberwachung auswählen kann. Vor dem Start der Datenbestimmung zur Fokusüberwachung muss der Benutzer die KLA-Datei 181 im rechten Fenster wählen. Nach der Auswahl der gewünschten KLA-Datei 181 muss der Benutzer das gewünschte Rezept 182 für das ADR Rezept im rechten Fenster auswählen.

Claims (8)

  1. Ein Verfahren zur automatischen Datenbereitstellung zur Fokusüberwachung eines lithografischen Belichtungsprozesses umfasst die folgenden Schritte: • Erzeugen einer Datei für einen Wafer, wobei die Datei mindestens die Informationen über die Größe des Wafers, eine Position einer Vielzahl von Messmustern, die Reihenfolge, in der die Messmuster aufgenommen und registriert werden, und die Ausrichtung der Messmuster enthält, • Speichern der Position einer Vielzahl von ausgewählten Messmustern in einem Referenzgitter, • Aufnehmen von Bildern der Muster von jeder im Referenzgitter in der erzeugten Datei gespeicherten Positionen, wobei die Bildaufnahme in der gespeicherten Reihenfolge ausgeführt wird, und • Zuordnen von Namen zu den aufgenommenen Bildern.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Datei eine KLA-Datei ist.
  3. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt der Dateierzeugung den Schritt umfasst, dass ein optisches System zu jeder Position eines Messmusters verschoben wird, und dass jede Position des Messmusters gespeichert wird, um das Referenzgitter zu erzeugen.
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt der Dateierzeugung eine Einstellung hat, so dass jede Position eines einzelnen Messmusters mit einem Wafer-Inspektionssystem bestimmt wird, wobei die Einstellung des Wafer-Inspektionssystems derart gewählt ist, dass die Position der Messmuster an das System gemeldet wird, was als ein einzelner Defekt angezeigt wird, so dass die Position nur einmal registriert wird.
  5. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Referenzgitter Informationen zur Reihenfolge und Ausrichtung enthält.
  6. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Referenzgitter einmal erzeugt und als Inspektionsrezept für alle Wafer verwendet wird, die zur Inspektion während eines laufenden lithografischen Belichtungsprozesses ausgewählt werden.
  7. Das Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei während des laufenden lithografischen Belichtungsprozesses ein golden image mit einem Bild eines Messmusters verglichen wird, wobei das golden image und das Bild des Messmusters identisch bezüglich der Reihenfolge und Ausrichtung sind.
  8. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Messmuster unterschiedliche Ausgestaltungen und Formen haben können.
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