DE102007047933B3 - Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit - Google Patents

Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit Download PDF

Info

Publication number
DE102007047933B3
DE102007047933B3 DE102007047933A DE102007047933A DE102007047933B3 DE 102007047933 B3 DE102007047933 B3 DE 102007047933B3 DE 102007047933 A DE102007047933 A DE 102007047933A DE 102007047933 A DE102007047933 A DE 102007047933A DE 102007047933 B3 DE102007047933 B3 DE 102007047933B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
area
detection
areas
sensitivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102007047933A
Other languages
English (en)
Inventor
Detlef Michelsson
Jörg Richter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Tencor MIE GmbH
Original Assignee
Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vistec Semiconductor Systems GmbH filed Critical Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority to DE102007047933A priority Critical patent/DE102007047933B3/de
Priority to US12/316,117 priority patent/US8200004B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102007047933B3 publication Critical patent/DE102007047933B3/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • G01N21/9503Wafer edge inspection

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Inspektion einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit. Dazu wird ein Bild von der ausgewählten Oberfläche des Wafers mit einem Detektor aufgenommen. Mit einer Eingabeeinheit kann auf der Oberfläche des Wafers mindestens ein Bereich festgelegt werden, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit als der Rest des Wafers behandelt wird. Die für die Bereiche festgelegte Detektionsempfindlichkeit stellt einen Prozentwert dar, der kleiner ist als die Detektionsempfindlichkeit für die Oberfläche des Wafers ohne die Bereiche mit der anderen Detektionsempfindlichkeit.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Inspektion einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit. Im Besonderen findet die vorliegende Erfindung bei der Makrodetektion, bzw. Makroinspektion Verwendung.
  • Die Deutsche Offenlegungsschrift DE 103 31 594 A1 (offenbart ein Verfahren zur Inspektion von Strukturen auf Halbleitersubstraten. Nach der Aufnahme eines Bildes vom Halbleitersubstrat werden die verschiedenen Strukturelemente verschiedenen Bereichen zugeordnet. In der Regel werden diese Bereiche als Region of Interest (ROI) bezeichnet. Diese ROIs können automatisch auf entsprechende Strukturelemente des Halbleitersubstrats übertragen werden. Entsprechend der auszuwertenden Struktur der Halbleiterelemente werden in den unterschiedlichen ROIs unterschiedliche Inspektionen, bzw. Inspektionen mit unterschiedlichen Inspektionsparametern durchgeführt. Dieses Verfahren bezieht sich auf die Mikroinspektion der Halbleiter.
  • Das Koreanische Patent 10 065 229 7 B1 offenbart ein Verfahren zur Detektion beeinträchtigender Defekte bei Halbleitern. Ein Defekt auf dem Wafer wird dadurch erkannt, dass eine manuelle Schwelle gesetzt wird. Ein anderer Defekt auf dem Wafer wird durch eine Modifikation dieser Schwelle gefunden.
  • Das U.S.-Patent 4,795,260 A (offenbart eine Vorrichtung zur Lokalisation und zum Testen von interessierenden Gebieten auf einem Wafer. Oftmals ist es wichtig und notwendig, dass ein Wafer sofort nach einem Prozessschritt untersucht wird, um festzustellen, ob dieser Prozessschritt auch entsprechend der Vorgaben ausgeführt worden ist. Eine Möglichkeit hierzu ist der sog. 5-Punkte-Test, bei dem fünf Bereiche auf dem Wafer angefahren werden, die nicht strukturiert sind.
  • Die U.S.-Patentanmeldung 2005/0117017 A1 offenbart ein System und ein Verfahren zur Abbildung von Region of Interest (ROI). Eine Kamera verwendet eine Karte um in einem Bild mehr als zwei Regionen innerhalb des Bildfeldes einer Kamera zu finden. Die Karte identifiziert ausgewählte Pixel des Bildes, die innerhalb der ROI liegen. Die Bilddaten, welche denen des Bildes entsprechen, können abgespeichert werden und die Bilddaten, welche denen in der ROI entsprechen, werden bearbeitet. Die Kamera kann in ein optisches Inspektionssystem eingebaut sein, um ROI-Segmente auf der Oberfläche eines Targets zu analysieren.
  • Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung ist, ein Verfahren anzugeben, mit dem die Detektion von Defekten auf der Waferoberfläche verbessert wird. Dabei soll dieses Verfahren bei der Detektion der Frontseite eines Wafers, der Rückseite des Wafers und auch bei der Kantendetektion des Wafers Anwendung finden.
  • Die obige Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren, dass die Merkmale des Anspruchs 1 umfasst.
  • Das Verfahren zur Inspektion einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit umfasst zunächst den Schritt, bei dem ein Bild von einer ausgewählten Oberfläche des Wafers mit einem Detektor aufgenommen wird. Dabei kann, wie bereits eingangs erwähnt, die Oberfläche des Wafers die Vorderseite des Wafers sein, oder die Rückseite des Wafers sein. In der Regel trägt die Vorderseite des Wafers die strukturierten Halbleiter. Das Bild des Wafers wird auf einem Display dargestellt. Über das Display können mit einer Eingabeeinheit auf der Oberfläche des Wafers Bereiche festgelegt werden, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit als der Rest des Wafers behandelt werden. In der Regel reicht es aus, einen einzigen Bereich auf der Oberfläche des Wafers festzulegen, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit behandelt wird. Die für die ausgewählten Bereiche festgelegte Detektionsempfindlichkeit stellt einen Prozentwert dar, der kleiner ist als die Detektionsempfindlichkeit für die restliche Oberfläche des Wafers, die keine Bereiche mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit enthält. Ebenfalls können mit einer Eingabeeinheit die Parameter oder die Art der Aufnahme des Bildes der Oberfläche des Wafers für die Bereiche festgelegt werden, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit behandelt werden.
  • Der für die Bildaufnahme der Vorderseite oder der Rückseite des Wafers verwendete Detektor kann eine CCD-Zeile oder ein CCD-Chip sein.
  • Auf dem Display wird ein User-Interface dargestellt, anhand dessen ein Benutzer die für die Detektion notwendigen Parameter einstellt und Einstellungen für die Bildaufnahme und die Bildauswertung vornimmt.
  • Auf dem User-Interface können mehrere Fenster dargestellt werden. In einem ersten Fenster, welches auf dem User-Interface dargestellt wird, kann der Benutzer Eingaben hinsichtlich der Makrodetektion des Wafers machen. Dabei ist eine Schaltfläche vorgesehen, über die die Inspektion von der Oberfläche des Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit initialisiert wird.
  • In einem zweiten auf dem User-Interface dargestellten Fenster können ebenfalls Eingaben hinsichtlich der Makrodetektion der Vorderseite oder der Rückseite des Wafers gemacht werden. Dabei ist ebenfalls eine Schaltfläche vorgesehen, über die die Inspektion von der ausgewählten Oberfläche des Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit initialisiert wird.
  • In einem dritten Fenster, welches ebenfalls auf dem User-Interface dargestellt wird, können Eingaben hinsichtlich der Parameter bzgl. der Form des mindestens einen Bereichs festgelegt werden, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert wird.
  • In dem dritten Fenster sind mehrere Bereiche aufgelistet, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert werden. Jedem der Bereiche ist dabei eine Identifikationsnummer zugewiesen, wobei bei der Inspektion der Vorderseite des Wafers jedem der Bereiche ein Prozentwert für eine Empfindlichkeit der Pixeldetektion des Detektors, eine Empfindlichkeit der Gradientendetektion und eine Empfindlichkeit für eine lokale Farbdetektion zugewiesen wird.
  • Ebenso können in dem dritten Fenster mehrere Bereiche, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert werden, aufgelistet sein. Jedem dieser Bereiche ist auch eine Identifikationsnummer zugewiesen. Bei der Inspektion der Rückseite des Wafers, wird jedem der Bereiche ein Prozentwert für eine Empfindlichkeit der Pixeldetektion des Detektors im Hellfeld, eine Empfindlichkeit der Pixeldetektion im Dunkelfeld und eine Empfindlichkeit für eine Farbdetektion im Hellfeld zugewiesen.
  • Der mindestens eine Bereich, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit detektiert wird, ist ein Polygon, ein Rechteck oder ein vom Benutzer editiertes Objekt.
  • Im Bild der Oberfläche des Wafers können mehrere Bereiche festgelegt werden, die jeweils mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden können. Die Form der Bereiche und die Detektionsparameter der Bereiche können dabei nach Belieben festgelegt werden.
  • Die auf der Oberfläche des Wafers festgelegten Bereiche, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden können, können mit einem Eingabemittel verändert, bzw. gelöscht werden.
  • Für den Fall, dass der Bereich auf der Oberfläche des Wafers, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden soll, ein Polygon ist, wird das Polygon derart erstellt, dass mehr als drei Eckpunkte mit dem Eingabemittel im Bild der Oberfläche des Wafers erstellt werden. Es ist darauf zu achten, dass die Eckpunkte für die Festlegung des Polygons nicht auf einer Geraden liegen.
  • Falls ein Überlapp des Polygons mit einem Bereich des Wafers vorliegt, auf dem kein Chip strukturiert ist, wird die Detektion nur auf den Bereich des Polygons ausgeführt, der die für die Vorderseite des Wafers strukturierten Chips enthält. Eine weitere Möglichkeit ist, dass bei einem Überlapp des Polygons mit einem Randbereich des Wafers, der von keinem Chip belegt ist, die Detektion nur in dem Bereich des Polygons ausgeführt wird, der auf der Vorderseite des Wafers keine strukturierten Chips enthält. Der Bereich des Polygons auf der Oberfläche des Wafers, der keine Chips enthält, wird dem Benutzer mit einer anderen Farbe oder einem anderen Muster dargestellt als der Bereich des Polygons, der Chips umfasst.
  • Bei mehreren überlappenden Bereichen, von denen jeder jeweils mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden soll und wobei sich die Bereiche hinsichtlich der Parameter für die Detektionsempfindlichkeit unterscheiden, werden diejenigen Parameter für den Bereich des Überlapps verwendet, die für den zuletzt eingebenden Bereich gültig sind. In der Regel ist der zuletzt eingegebene Bereich dadurch definiert, dass er auf den Stapel der Bereiche zuoberst aufliegt. Die Reihenfolge der überlappenden Bereiche kann mit dem Eingabemittel geändert werden, dabei werden immer diejenigen Parameter für die Detektion im Überlappbereich verwendet, die dem Bereich entsprechen, der zuoberst zu liegen kommt.
  • Im Folgenden sollen Ausführungsbeispiele die Erfindung und ihre Vorteile anhand der beigefügten Figuren näher erläutern.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Vorrichtung mit der die Inspektion der Vorder-, bzw. Rückseite eines Wafers durchgeführt werden kann.
  • 2 zeigt einen schematischen optischen Aufbau, der für die Aufnahme eines Bildes von der Vorderseite, bzw. der Rückseite eines Wafers verwendet werden kann.
  • 3 zeigt eine schematische Ansicht eines aufgenommenen Bildes von der Vorderseite eines Wafers, auf dem mehrere Bereiche definiert sind, die mit einer unterschiedlichen Detektionsempfindlichkeit behandelt werden.
  • 4 zeigt ein Bild von der Vorderseite eines Wafers, auf dem mehrere Bereiche festgelegt sind, die sich überlappen.
  • 5 zeigt einen Ausschnitt des Bildes von der Vorderseite eines Wafers, wobei sich der Bereich mit unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit mit dem Randbereich des Wafers überlappt.
  • 6 zeigt schematisch die Bildaufnahme des Wafers von der Waferrückseite, wobei auf der Waferrückseite ein Bereich definiert ist, der mit einer unterschiedlichen Detektionsempfindlichkeit behandelt werden soll.
  • 7 zeigt eine Darstellung eines ersten Fensters, welches auf dem Display der Vorrichtung dem Benutzer dargestellt wird, um hierüber Eingaben für die Detektion der Bereiche auf der Oberfläche eines Wafers mit unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit zu machen (in diesem Fenster ist die Detektion auf der Vorderseite des Wafers beschrieben).
  • 8 zeigt ein zweites Fenster, was ebenfalls auf dem Display dem Benutzer dargestellt wird und über das der Benutzer entsprechende Eingaben hinsichtlich der Detektionsempfindlichkeit machen kann (in diesem Fenster ist die Detektion auf der Rückseite des Wafers beschrieben).
  • 9 zeigt ein weiteres Fenster, welches auf dem Display dem Benutzer dargestellt wird und über das der Benutzer verschiedene Bereiche mit unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit auswählen kann und deren Parameter verändern kann.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Vorrichtung 1, mit der Bilder von der Oberfläche eines Substrats aufgenommen werden können. In der Regel handelt es sich bei dem Substrat um einen Wafer, der eine Vorderseite aufweist, die die strukturierten Halbleiter trägt. Auf der Rückseite des Wafers sind keine Strukturen vorgesehen. Die Vorrichtung besitzt zwei Eingabeports 2a und 2b, über die die Vorrichtung mit Wafern versorgt wird. In einer Untereinheit 3 der Vorrichtung 1 können z. B. die Bilder von der Vorderseite, bzw. Rückseite des Wafers aufgenommen werden. Zusätzlich kann ein Mikroskop 8 vorgese hen sein, über das ein Benutzer mikroskopische Begutachtungen der Oberfläche des Wafers, bzw. von Teilen der Oberfläche des Wafers durchführen kann. Das Bild der Oberfläche des Wafers, welches innerhalb der Vorrichtung 1 aufgenommen worden ist, wird einem Benutzer auf dem Display 7 dargestellt. Auf dem Display 7 werden nicht nur das Bild von der Oberfläche des Wafers, sondern auch mehrere User-Interfaces dargestellt, über die der Benutzer Eingaben hinsichtlich der Inspektion des Wafers machen kann. Ferner steht dem Benutzer eine Eingabeeinheit 6 zur Verfügung, über die der Benutzer Parameteränderungen zur Untersuchung und/oder Inspektion der Oberfläche des Wafers durchführen kann. Die Eingabeeinheit kann eine Tastatur, eine Maus, ein Track-Ball und/oder ein Joystick sein.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung der optischen Einrichtung 20 für die Aufnahme eines Bildes von der Vorderseite 30 oder der Rückseite 31 eines Wafers 32. Der Wafer 32 ist dabei auf einem in X-Koordinatenrichtung und in Y-Koordinatenrichtung beweglichen Tisch 22 aufgelegt. Für die Beleuchtung der Oberfläche des Wafers ist mindestens eine Auflichtbeleuchtungseinrichtung 11 und mindestens eine Dunkelfeldbeleuchtungseinrichtung 12 vorgesehen. Mit dem Detektor 16 kann das von der Oberfläche 30 des Wafers 32 ausgehende Licht in elektrische Signale umgewandelt werden. Für die Abbildung des Lichts auf dem Detektor 16 ist mindestens ein optisches Element 18 vorgesehen. In der hier dargestellten Ausführungsform wird das Licht der Auflichtbeleuchtungseinrichtung 11 über einen Strahlteiler in den Detektionsstrahlengang 10 des Detektors 16 eingekoppelt. In der hier dargestellten Ausführungsform wird die gesamte Oberfläche des Wafers mit einem sog. Mäanderscann aufgenommen. Dabei wird immer ein Streifen 30a des Teils der Oberfläche 30 des Wafers aufgenommen. Ebenfalls ist es denkbar, die gesamte Oberfläche des Wafers mit einer Aufnahme aufzunehmen. Obwohl sich die Beschreibung der 2 auf die Aufnahme der Oberfläche des Wafers mit einem Mäanderscann beschränkt, soll dies nicht als Beschränkung der Erfindung aufgefasst werden. Ein Fachmann kennt viele Möglichkeiten, mit denen ein makroskopisches Bild von der Oberfläche (der Vorderseite und/oder der Rückseite) eines Wafers aufgenommen werden kann.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf die Vorderseite 30 eines Wafers 32. Wie bereits mehrfach erwähnt, trägt die Vorderseite 30 des Wafers die strukturierten Halbleiterstrukturen. Auf der Vorderseite 30 des Wafers 32 sind ein erstes Polygon 41 und ein zweites Polygon 42 festgelegt. Diese beiden Polygone 41 und 42 beschreiben die Bereiche, die mit einer unterschiedlichen Detektionsempfindlichkeit behandelt werden, als der Rest des Wafers 32. Jedes der Polygone 41 und 42 ist dabei durch eine entsprechende Anzahl von Eckpunkten 100 festgelegt. Die Festlegung der Polygone kann vom Benutzer durchgeführt werden. Hierzu wird das Bild von der Vorderseite 30 des Wafers auf dem Display 7 der Vorrichtung 1 dargestellt. Mit einer Eingabeeinheit kann der Benutzer um den Bereich auf der Vorderseite 30 des Wafers mehrere Eckpunkte 100 festlegen, die dann zu dem entsprechenden Polygon verbunden werden. Innerhalb dieses Bereichs wird dann eine andere Detektionsempfindlichkeit angewendet, als auf den Rest des Wafers.
  • In einer möglichen Ausführungsform kann das Zeichnen der Polygone 41 oder 42 folgendermaßen durchgeführt werden. Hierbei wird die Computermaus als Eingabemittel verwendet. Mit dem linken Mausknopf werden die Eckpunkte 100 festgesetzt. Anschließend hält der Mauszeiger einen neuen Eckpunkt 100 und zieht eine Linie von dem vorhergehenden Eckpunkt 100. Dies bedeutet, dass immer ein geschlossenes Polygon dargestellt wird, solange die Anzahl der Eckpunkte 100 größer als 2 ist. Das Polygon wird mit dem rechten Mausknopf fertig gestellt. Anschließend wird der letzte veränderbare Eckpunkt gelöscht. Für den Fall, dass die Zahl der Eckpunkte 100 kleiner als 3 ist, wird das gesamte Polygon gelöscht.
  • 4 zeigt die Draufsicht auf die Vorderseite 30 eines Wafers 32, auf dessen Oberfläche mehrere Polygone 41, 42 und 43 festgelegt worden sind. Die Polygone 41, 42 und 43 sind dabei derart positioniert, dass sie einen gemeinsamen überschneidenden Bereich 45 aufweisen. In der hier gezeigten Darstellung ist der gemeinsame sich überschneidende Bereich, auch Überlappbereich genannt, mit einem kugelförmigen Füllmuster dargestellt. Für jeden der Bereiche 41, 42, 43 können unterschiedliche Parameter festgelegt werden, die die jeweils andere Detektionsempfindlichkeit bestimmen, mit der diese Bereiche detektiert werden sollen. Die Detektionsempfindlichkeit der einzelnen Bereiche unterscheidet sich dabei von dem Rest des Wafers, dass die Detektionsempfindlichkeit innerhalb der Bereiche geringer ist, als im Rest des Wafers. Für den Überlappbereich 45 gilt nun folgendes, dass für diesen Bereich diejenige Detektionsempfindlichkeit angewendet wird, wie sie für den Bereich festgelegt worden ist, der zuoberst auf dem Stapel der Bereiche 41, 42 und 43 abgelegt worden ist. In dem hier vorliegenden Fall ist der zuoberst liegende Bereich der Bereich, der mit dem Bezugszeichen 43 bezeichnet ist. Die Reihenfolge der Bereiche 41, 42 und 43 kann mit dem Eingabemittel jederzeit geändert werden.
  • 5 zeigt eine Teilansicht des Randbereichs eines Wafers 32. Dabei ist der Bereich 41, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert werden soll, als der Rest der Vorderseite 30 des Wafers 32, derart nahe am Rand des Wafers angeordnet, dass er mit einem Bereich 47 überlappt, in dem keine Strukturen strukturiert sind. Das Polygon 41 überlappt somit mit dem Randbereich 47 des Wafers, auf dem kein Chip strukturiert ist. Dieser Überlapp 48 stellt somit einen Bereich dar, in dem keine Detektion durchgeführt wird. Eine andere Möglichkeit ist in 5 durch den Bereich 44 dargestellt. Der Bereich 44 schließt somit einen großen Teil des Randbereichs 47 des Wafers 32 mit ein. Hier überlappt also das Polygon 44 mit dem Randbereich 47 des Wafers, in dem keine Chips strukturiert sind. Die Detektion in diesem Bereich kann nun derart ausgebildet sein, dass die Detektion nur in dem Bereich des Polygons ausgeführt wird, welcher keine Chips enthält. Dies bietet somit die Möglichkeit, eine genauere, bzw. angepasste Detektion des Randbereichs 47 des Wafers zu erhalten.
  • 6 zeigt die Rückseite 31 des Wafers 32. Auf der Rückseite 31 des Wafers ist ebenfalls ein Polygon 41 definiert. Das Polygon 41 zeichnet sich durch eine Grauschattierung 49 aus. Innerhalb dieses Bereichs wird somit eine Detektion mit anderen Parametern durchgeführt. Ebenso ist es möglich, dass der mit dem Kreis gekennzeichnete Eckpunkt 100 verschoben werden kann oder gelöscht werden kann, oder dass an dieser Stelle auch ein weiterer Eckpunkt 100 hinzugefügt werden kann. Ebenso ist es möglich, dass mit der Mar kierung eines Eckpunkts 100 des Polygons das gesamte Polygon gelöscht werden kann.
  • Mit dem hier vorgeschlagenen Verfahren ist es möglich, die Bereiche, in denen eine Detektion mit unterschiedlicher Empfindlichkeit durchgeführt wird, in der Formen von Polygonen oder Rechtecken oder jeden anderen beliebigen Form auszugestalten. Die Bereiche können auf jeder beliebigen Oberfläche des Wafers gebildet werden. Ferner soll die Empfindlichkeit für die Detektion für jedes Polygon zwischen 0 und 100% gesetzt werden können. Ebenfalls soll diese Detektionsempfindlichkeit für jede Detektionsart gesetzt werden.
  • 7 zeigt ein erstes Fenster 50, welches dem Benutzer auf dem Display 7 dargestellt werden kann. Die Funktionalität, dass auf dem Wafer Bereiche definiert werden können, die mit unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit detektiert werden, kann in dem ersten Fenster mit einem Button 51 erzeugt werden. Der Button 51 ist dabei mit „Wafer ROI" beschriftet. Im ersten Fenster 50 können eine weitere Vielzahl von Parametern und Detektionsarten eingestellt werden. In einem ersten Bereich 52 kann die Scannart der Oberfläche des Wafers eingestellt, bzw. angezeigt werden. In einem zweiten Fenster 53 wird angezeigt, ob der Wafer durch ein Autoalinementverfahren ausgerichtet wird. In einem dritten Abschnitt 54 des Fensters 50 wird die Einstellung für die Beleuchtung angezeigt. In einem vierten Bereich 55 des Fensters 50 werden allgemeine Einstellungen für die Detektion angezeigt. In einem fünften Bereich 56 des Fensters werden Einstellungen für die Farbdetektion angezeigt.
  • 8 zeigt ein zweites Fenster 60, das ebenfalls dem Benutzer auf dem Display dargestellt wird. Dieses Fenster dient zur Einstellung der Detektion auf der Rückseite des Wafers. Das Fenster 60 weist ebenfalls einen Button auf, der mit „Wafer ROI" bezeichnet ist. Ferner ist dieses Fenster 60 ebenfalls in einem ersten Bereich 62, einem zweiten Bereich 63, einen dritten Bereich 64, einem vierten Bereich 65 und einem fünften Bereich 66 unterteilt. Der erste Bereich 62 des Fensters gibt an, welcher Inspektionstyp verwendet wird. In der hier dargestellten Ausführungsform wird die Inspektion der Rückseite (backside-inspection) verwendet. Im zweiten Bereich 63 des Fensters 60 werden ge nerelle Einstellungen dem Benutzer dargestellt. Im dritten Bereich 64 des Fensters 60 können Einstellungen für die Pixeldetektion vorgenommen werden. Im vierten Bereich 65 des Fensters 60 können weitere Einstellungen, wie z. B. Farbdetektion oder Verstärkung der Korrektur vorgenommen werden. Ebenfalls ist im vierten Bereich 65 des Fensters 60 der Button mit der Beschriftung „Wafer ROI" vorhanden. Im fünften Bereich 66 des Fensters 60 kann eine Mittelwertbildung vorgenommen werden.
  • Nachdem die Einstellungen für die Arten der Detektion (Detektion der Vorderseite, Detektion der Rückseite oder Detektion des Waferrandes) vorgenommen worden sind, drückt der Benutzer, wie bereits vorstehend erwähnt, auf den Button, der mit „Wafer ROI" bezeichnet ist. Nach dem Drücken des Buttons wird dem Benutzer auf dem Display ein drittes Fenster 70 dargestellt. Über dieses Dialogfenster kann die Definition der Polygone und die Konfiguration der Parameter, mit denen die Detektion innerhalb der einzelnen Polygone durchgeführt werden kann, festgelegt werden. Im dritten Fenster 70 wird dem Benutzer eine Liste dargestellt, die die einzelnen Polygone umfasst, welche auf der Oberfläche des Wafers festgelegt worden sind. In der ersten Spalte 72 der Liste 71 sind mehrere Check-Boxen vorgesehen, über die z. B. ein Polygon von der Detektion ausgeschlossen werden kann. In der in 9 dargestellten Ausführungsform ist z. B. das Polygon mit der Identifikationsnummer 2 von der Detektion ausgeschlossen. Der Ausschluss geschieht dadurch, in dem vor der Identifikationsnummer 73 des Polygons ein Haken in die Check-Box gesetzt wird. In der dritten Spalte kann somit die Empfindlichkeit bei der Pixeldetektion festgelegt werden. In der vierten Spalte 75 kann die Empfindlichkeit für die Gradientendetektion der einzelnen Polygone festgelegt werden. In der fünften Spalte 76 kann die Empfindlichkeit der Polygone für die Farbdetektion festgelegt werden. Neben der Liste 71 sind ein Aufwärtspfeil 78 und ein Abwärtspfeil 79 dargestellt. Wird z. B. der Aufwärtspfeil 78 betätigt, so wird das in der Liste 71 markierte Polygon um eine Stellung nach oben verschoben. Entsprechendes gilt für die Betätigung des Abwärtspfeils 79. Im dritten Fenster 70 ist weiterhin ein Unterfenster 80 vorgesehen, mit dem mehrere Aktionen ausgewählt werden können. In dem Unterfenster kann z. B. die Aktion „Hinzufügen eines Polygons" oder „Hinzufügen eines Rechtecks", oder „Editieren eines Objekts" ausgewählt werden. Wählt man z. B. den Button „Hinzufügen eines Polygons” aus, bezeichnet mit „Add Polygon", so wird dem Benutzer auf dem Display die Oberfläche oder der Bereich der Oberfläche des Wafers dargestellt und der Benutzer kann in der vorstehend erwähnten Art und Weise ein Polygon hinzufügen. Nachdem der Benutzer mit der rechten Maustaste die Vervollständigung des Polygons bestätigt hat, wird dieses neue Polygon in die Liste 71 im dritten Fenster hinzugefügt. Das Gleiche geschieht, wenn der Benutzer die Aktion „Rechteck hinzufügen" (bezeichnet mit „Add Rectangle") betätigt. Wenn der Benutzer den Menüpunkt „Objekt editieren" betätigt, können alle Polygone, welche in der Liste 71 vorhanden sind, verändert, bzw. editiert werden. Mit dem Betätigungsbutton „Delete ROI" kann ein vorher in der Liste ausgewählter Bereich aus der Liste und aus der bildlichen Darstellung der Oberfläche des Wafers mit den verschiedenen Bereichen (Polygone oder Rechtecke) gelöscht werden. Mit dem Button „import ROI list" 82 kann der Benutzer eine vorher abgespeicherte Liste von Bereichen (ROI) importieren und dabei alle vorher festgelegten Parameter wieder erhalten. Die importierten Polygone, bzw. Bereiche und die dazugehörigen Parameter werden an das Ende der Liste 71 angefügt. Alte Werte werden dabei nicht überschrieben. Mit dem weiteren Betätigungsbutton 83 „export ROI list" kann der Benutzer eine einmal erstellte Liste von Bereichen (Polygonen und/oder Rechtecken) unter einem von ihm gewählten Namen abspeichern.
  • Die Erfindung wurde unter Berücksichtigung spezieller Ausführungsformen beschrieben. Es ist jedoch denkbar, dass Abwandlungen und Änderungen durchgeführt werden können, ohne dabei den Schutzbereich der nachstehenden Ansprüche zu verlassen.

Claims (19)

  1. Verfahren zur Inspektion einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: – dass ein Bild von der ausgewählten Oberfläche des Wafers mit einem Detektor aufgenommen wird; – dass das Bild des Wafers auf einem Display dargestellt wird, – dass über das Display mit einer Eingabeeinheit auf der Oberfläche des Wafers mindestens ein Bereich festgelegt wird, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit als der Rest des Wafers behandelt wird, wobei die für die Bereiche festgelegte Detektionsempfindlichkeit einen Prozentwert darstellt, der kleiner ist als die Detektionsempfindlichkeit für die Oberfläche des Wafers ohne die Bereiche mit der anderen Detektionsempfindlichkeit; und – dass ebenfalls mit der Eingabeeinheit die Parameter oder die Art der Aufnahme des Bildes der Oberfläche des Wafers für die Bereiche festgelegt werden, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit behandelt werden sollen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Wafers die Vorderseite des Wafers oder die Rückseite des Wafers ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Detektor als Zeilensensor oder Flächensensor ausgebildet ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Display ein User-Interface dargestellt wird, an Hand dessen ein Benutzer die für die Detektion notwendigen Parameter einstellt und Einstellungen für die Bildaufnahme und Bildauswertung vornimmt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem User-Interface ein erstes Fenster (50) dargestellt wird, über das Eingaben hinsichtlich der Makro-Detektion des Wafers gemacht werden und wobei eine Schaltfläche vorgesehen ist, über die die Inspektion von der Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit initialisiert wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem User-Interface ein zweites Fenster (60) dargestellt wird, über das Eingaben hinsichtlich der Makro-Detektion der Rückseite des Wafers gemacht werden und wobei eine Schaltfläche vorgesehen ist, über die die Inspektion von der ausgewählten Oberfläche des Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit initialisiert wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem User-Interface ein drittes Fenster dargestellt wird, über das die Parameter hinsichtlich der Form des mindestens einen Bereiches festgelegt werden, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass in dem dritten Fenster mehrere Bereiche, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert werden, aufgelistet sind, wobei jedem der Bereiche eine Identifikationsnummer zugewiesen ist, dass bei der Inspektion der Vorderseite des Wafers jedem der Bereiche ein Prozentwert für eine Empfindlichkeit der Pixeldetektion des Detektors, eine Empfindlichkeit der Gradientendetektion und eine Empfindlichkeit für eine lokale Farbdetektion zugewiesen wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass in dem dritten Fenster mehrere Bereiche, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit inspiziert werden, aufgelistet sind, wobei jedem der Bereiche eine Identifikationsnummer zugewiesen ist, dass bei der Inspektion der Rückseite des Wafers jedem der Bereiche ein Prozentwert für eine Empfindlichkeit der Pixeldetektion des Detektors im Hellfeld, eine Empfindlichkeit der Pixelde tektion im Dunkelfeld und eine Empfindlichkeit für eine Farbdetektion im Hellfeld zugewiesen wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Bereich, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit detektiert wird, ein Polygon, ein Rechteck oder ein vom Benutzer editiertes Objekt sein kann.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass im Bild der Oberfläche des Wafers mehrere Bereiche festgelegt werden, die jeweils mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden, wobei die Form der Bereiche und die Detektionsparameter der Bereiche beliebig festgelegt werden können.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der Oberfläche des Wafers festgelegten Bereiche, die mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden, mit einem Eingabemittel verändert bzw. gelöscht werden.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass für den Fall, dass der Bereich auf der Oberfläche des Wafers, der mit einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden soll, ein Polygon ist, wird das Polygon derart erstellt, dass mehr als drei Eckpunkte mit dem Eingabemittel im Bild der Oberfläche des Wafers erstellt werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass Eckpunkte für die Festlegung des Polygons nicht auf einer Geraden liegen.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Überlapp des Polygons mit einem Bereich des Wafers, der von keinem Chip belegt ist, die Detektion nur in dem Bereich des Polygons ausgeführt wird, der die auf der Vorderseite des Wafer strukturierten Chips enthält.
  16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass bei einem Überlapp des Polygons mit einem Randbereich des Wafers, der von keinem Chip belegt ist, die Detektion nur in dem Bereich des Polygons aus geführt wird, der keine auf der Vorderseite des Wafer strukturierten Chips enthält.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich des Polygons auf der Oberfläche des Wafers, der keine Chips enthält, dem Benutzer mit einer anderen Farbe oder mit einem anderen Muster dargestellt wird, als der Bereich des Polygons, der die Chips umfasst.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass bei mehreren überlappenden Bereichen, die mit jeweils einer anderen Detektionsempfindlichkeit untersucht werden sollen und sich hinsichtlich der Parameter für die Detektionsempfindlichkeit unterscheiden, diejenigen Parameter für den Bereich des Überlapps gültig sind, die dem zuletzt eingegebenen Bereich entsprechen.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Reihenfolge der überlappenden Bereiche mit einem Eingabemittel geändert werden kann, wobei für die Detektion im Überlappbereich dann die Parameter des zu oberst liegenden Bereichs verwendet werden
DE102007047933A 2007-12-20 2007-12-20 Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit Expired - Fee Related DE102007047933B3 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007047933A DE102007047933B3 (de) 2007-12-20 2007-12-20 Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit
US12/316,117 US8200004B2 (en) 2007-12-20 2008-12-09 Method for inspecting a surface of a wafer with regions of different detection sensitivity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007047933A DE102007047933B3 (de) 2007-12-20 2007-12-20 Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007047933B3 true DE102007047933B3 (de) 2009-02-26

Family

ID=40280495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007047933A Expired - Fee Related DE102007047933B3 (de) 2007-12-20 2007-12-20 Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8200004B2 (de)
DE (1) DE102007047933B3 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101784276B1 (ko) * 2015-02-27 2017-10-12 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 방법 및 시스템
KR20190090081A (ko) 2015-12-07 2019-07-31 지머젠 인코포레이티드 Htp 게놈 공학 플랫폼에 의한 미생물 균주 개량
US11017265B1 (en) * 2020-01-29 2021-05-25 ReportsNow, Inc. Systems, methods, and devices for image processing
US11158031B1 (en) 2021-05-24 2021-10-26 ReportsNow, Inc. Systems, methods, and devices for image processing
US11862524B2 (en) 2021-06-28 2024-01-02 Kla Corporation Overlay mark design for electron beam overlay
US11720031B2 (en) 2021-06-28 2023-08-08 Kla Corporation Overlay design for electron beam and scatterometry overlay measurements
US11703767B2 (en) 2021-06-28 2023-07-18 Kla Corporation Overlay mark design for electron beam overlay

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4406545A (en) * 1981-05-07 1983-09-27 Western Electric Company, Inc. Methods of and apparatus for measuring surface areas
US4795260A (en) * 1987-05-15 1989-01-03 Therma-Wave, Inc. Apparatus for locating and testing areas of interest on a workpiece
DE10331594A1 (de) * 2003-07-11 2005-01-27 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Inspektion von Strukturen auf Halbleitersubstraten
US20050117017A1 (en) * 2003-12-01 2005-06-02 Baer Richard L. System and method for imaging regions of interest
US7130055B2 (en) * 2001-03-05 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Use of coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer
KR100652297B1 (ko) * 2005-09-29 2006-11-29 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장비에서 센시티비티 증가에 따른 누이상스 결함검출 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0168243B1 (ko) * 1994-12-19 1999-05-01 다떼이시 요시오 관측 영역 설정 방법 및 그 장치와, 이 관측 영역 설정 방법을 이용한 외관 검사 방법 및 그 장치
IL131282A (en) * 1999-08-05 2009-02-11 Orbotech Ltd Apparatus and methods for inspection of objects
US6590645B1 (en) * 2000-05-04 2003-07-08 Kla-Tencor Corporation System and methods for classifying anomalies of sample surfaces
JP3978098B2 (ja) * 2002-08-12 2007-09-19 株式会社日立製作所 欠陥分類方法及びその装置
US7164410B2 (en) * 2003-07-28 2007-01-16 Sig G. Kupka Manipulating an on-screen object using zones surrounding the object
US7676077B2 (en) * 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
WO2008077100A2 (en) * 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4406545A (en) * 1981-05-07 1983-09-27 Western Electric Company, Inc. Methods of and apparatus for measuring surface areas
US4795260A (en) * 1987-05-15 1989-01-03 Therma-Wave, Inc. Apparatus for locating and testing areas of interest on a workpiece
US7130055B2 (en) * 2001-03-05 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Use of coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer
DE10331594A1 (de) * 2003-07-11 2005-01-27 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Inspektion von Strukturen auf Halbleitersubstraten
US20050117017A1 (en) * 2003-12-01 2005-06-02 Baer Richard L. System and method for imaging regions of interest
KR100652297B1 (ko) * 2005-09-29 2006-11-29 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장비에서 센시티비티 증가에 따른 누이상스 결함검출 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KOREAN PATEN ABSTRACT & KR 100652297 B1 *
KOREAN PATENT ABSTRACT 100652297 B1

Also Published As

Publication number Publication date
US20090161942A1 (en) 2009-06-25
US8200004B2 (en) 2012-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007047933B3 (de) Verfahren zur Inspektion von einer Oberfläche eines Wafers mit Bereichen unterschiedlicher Detektionsempfindlichkeit
DE10081029B4 (de) Bildbearbeitung zur Vorbereitung einer Texturnalyse
DE69629292T2 (de) Verfahren zum feststellen der preparationsgüte von objektträgern und proben
DE10000364B4 (de) Merkmalbasierende Feststellung von Fehlern
DE102010061505B4 (de) Verfahren zur Inspektion und Detektion von Defekten auf Oberflächen von scheibenförmigen Objekten
DE3505331C2 (de) Verfahren und Gerät zur Vermessung des bei der Eindringhärteprüfung in einer Probe hinterlassenen Eindrucks
DE4309802A1 (de) Produktionsnahe Farbkontrolle mit bildgebenden Sensoren
DE102013224183A1 (de) Härteprüfer und Verfahren für Härteprüfung
DE102016224467A1 (de) Verfahren zur Erkennung von Defekten und dazugehörige Vorrichtung
DE102014107143B4 (de) System und Verfahren zur Messung der Verschiebung einer Objektoberfläche
DE102007025304B4 (de) Verfahren zur Verbesserung der Reproduzierbarkeit einer Koordinaten-Messmaschine und deren Genauigkeit
DE102007039982B3 (de) Verfahren zur optischen Inspektion und Visualisierung der von scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messerwerte
DE102005014595A1 (de) Verfahren zur visuellen Inspektion einer Randentlackungskante eines scheibenförmigen Objekts
DE102006014812A1 (de) Sichtprüfeinrichtung und Sichtprüfverfahren
DE102012216908A1 (de) Verfahren unter Verwendung einer Bildkorrelation zum Bestimmen von Positionsmessungen in einem Maschinenvisionssystem
DE102021101704A1 (de) Bilderzeugungssystem
EP2787485B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur automatischen Fehlerstellenerkennung bei biegeschlaffen Körpern
DE10013012A1 (de) Röntgenfluoreszenzanalysevorrichtung
DE102006042956B4 (de) Verfahren zur optischen Inspektion und Visualisierung der von scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messwerte
DE19951146A1 (de) Verfahren zum Reduzieren des Rauschens in einem durch Abbildung erhaltenen Signal
DE3226999A1 (de) Verfahren und geraet fuer die erfassung von anomalien in der wiedergabe eines musters
DE102013020705B4 (de) Verfahren zur Untersuchung einer Maske
DE10057948A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Benutzerführung in der Rastermikroskopie
DE10031880A1 (de) Prüfverfahren für bildaufnehmende Elemente
DE102017126785A1 (de) Flexibler Hochgeschwindigkeitsmessungsscanner für den Vorbehandlungsprozess

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: REICHERT & LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELT, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee