DE102006000477A1

DE102006000477A1 - Feldeffekttransistor

Info

Publication number: DE102006000477A1
Application number: DE102006000477A
Authority: DE
Inventors: Masayoshi Kosaki; Koji Hirata
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2005-09-22
Filing date: 2006-09-21
Publication date: 2007-04-05
Also published as: JP2007088252A; US20070063220A1; CN100499162C; US7432538B2; CN1937247A

Abstract

Ein Feldeffekttransistor schließt eine Kanalschicht mit einem Kanal und eine Trägerzufuhrschicht ein, die auf der Kanalschicht abgeschieden ist, welche einen Halbleiter enthält, der durch die Formel Al_xGa_1-xN dargestellt wird, wobei der Index x größer als 0,4 und kleiner als 0,45 ist. Der Kanal wird nahe der Grenzfläche zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht gebildet oder abgereichert, die Trägerzufuhrschicht weist eine größere Bandlückenenergie als die der Kanalschicht auf, und der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN nimmt monoton mit einem Anstieg des Abstandes von der Grenzfläche ab. Die Kanalschicht kann kristallin aus Galliumnitrid sein. Die Kanalschicht kann undotiert sein. Der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN der Trägerzufuhrschicht ist an der Grenzfläche größer als oder gleich 0,15 und kleiner als oder gleich 0,40.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Feldeffekttransistoren (FET's), wie Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT's). Die vorliegende Erfindung bezieht sich insbesondere auf einen Feldeffekttransistor, welcher durch Kristallwachstum hergestellt wurde und Gruppe-III-Elementnitrid-Halbleiter enthält.
Herkömmliche Feldeffekttransistoren schließen Kanalschichten und Halbleiterkristallschichten wie Trägerzufuhrschichten oder Barriereschichten ein, die einen Halbleiter enthalten, der durch die Formel Al_xGa_1-xN dargestellt wird. Um eine große Barrierehöhe zwischen jeder Halbleiterkristallschicht und Kanalschicht zu ermöglichen, reicht der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gewöhnlicher Weise von 0,20 bis 0,30. Dies ermöglicht Feldeffekttransistoren mit niedrigem Durchlasswiderstand.

Die japanische ungeprüfte Patentanmeldungen Nr. 2000-277536 und Nr. 2005-183551 (hiernach jeweils als Patentdokumente 1 und 2 bezeichnet) offenbaren Techniken zum Verringern der Leckströme, welche in den Feldeffekttransistoren fließen.

Da die Feldeffekttransistoren die Halbleiterkristallschichten einschließen, die einen solchen Halbleiter enthalten, können die Feldeffekttransistoren keine hohe dielektrische Durchschlagsfestigkeit aufweisen, obwohl die Feldeffekttransistoren einen niedrigen Durchlasswiderstand haben. Dies ist vielleicht der Fall, weil ein Anstieg des Index x in der Formel Al_xGa_1-xN die Kristallinität der Halbleiterkristallschichten beeinträchtigt und folglich Leckpfade durch das Anlegen von hohen Spannungen an die Feldeffekttransistoren gebildet werden, durch welche Basis-Leckströme fließen.

In den herkömmlichen Techniken, die in den Patentdokumenten 1 und 2 offenbart werden, obwohl die Leckströme verringert werden können, müssen zusätzliche Bestandteile wie Kappenschichten verwendet werden. Dies ruft bei der Struktur der Feldeffekttransistoren und dem Verfahren zur Herstellung der Feldeffekttransistoren eine hohe Komplexität hervor. Folglich sind die herkömmlichen Techniken nicht notwendiger Weise vorteilhaft bei der effizienten Herstellung der Feldeffekttransistoren.

Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die vorstehenden Probleme zu lösen. Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Feldeffekttransistor zur Verfügung zu stellen, welcher einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe dielektrische Durchschlagsfestigkeit aufweist.

Die vorstehenden Probleme können wie nachstehend beschrieben gelöst werden.

Die vorliegende Erfindung stellt einen Feldeffekttransistor zur Verfügung, welcher durch Bilden einer Vielzahl von Halbleiterkristallschichten durch Kristallwachstum gebildet wurde, die Gruppe-III-Elementnitrid-Halbleiter enthalten. Der Feldeffekttransistor schließt eine Kanalschicht mit einem Kanal und eine Trägerzufuhrschicht, die auf der Kanalschicht abgeschieden ist, ein, die einen Halbleiter enthält, der durch die Formel Al_xGa_1-xN dargestellt wird, wobei der Index x größer als 0,04 und kleiner als 0,45 ist. Der Kanal wird nahe der ersten Grenzfläche zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht gebildet oder abgereichert. Die Trägerzufuhrschicht weist eine größere Bandlückenenergie als die Kanalschicht auf. Der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN nimmt monoton mit dem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche ab.

Alternativ kann der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN schrittweise oder kontinuierlich mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche abnehmen oder unbeabsichtigt leicht fluktuieren. Der Kanal kann durch Steuern der Basisspannung gebildet oder abgereichert werden.

In dem Feldeffekttransistor kann die Kanalschicht kristallin sein wie bei Galliumnitrid (GaN), Indiumgalliumnitrid (InGaN) oder einem anderen Nitrid.

Die Kanalschicht kann undotiert sein.

Die Trägerzufuhrschicht kann das erste Zusammensetzungsverhältnis x1 an der ersten Grenzfläche aufweisen, und x1 in der Formel Al_x1Ga_1-x1N ist bevorzugt größer als oder gleich 0,15 und weniger als oder gleich 0,40, und insbesondere bevorzugt größer als oder gleich 0,19 und weniger als oder gleich 0,25.

Die Trägerzufuhrschicht kann die zweite Grenzfläche aufweisen, die auf der gegenüberliegenden Seite zu der ersten Grenzfläche lokalisiert ist und das zweite Zusammensetzungsverhältnis x2 an der zweiten Grenzfläche aufweist, und x2 in der Formel Al_x2Ga_1-x2N ist bevorzugt größer gleich oder gleich 0,05 und weniger als oder gleich 0,20 und insbesondere bevorzugt größer als oder gleich 0,13 und weniger als oder gleich 0,17.

Darüber hinaus kann der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN der Trägerzufuhrschicht monoton von 0,20 auf 0,15 mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche zur der zweiten Grenzfläche hin abnehmen.

Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachstehend beschrieben.

Da der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN der Trägerzufuhrschicht monoton mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht abnimmt, kann die Barrierehöhe zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht konstant und die Kristallinität der Kanalschicht hoch aufrecht erhalten werden. Dies ermöglicht für den Feldeffekttransistor einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe dielektrische Durchschlagsfestigkeit.

Wenn die Kanalschicht kristallin aus GaN ist, weist die Kanalschicht eine gute flache Kristallwachstumsfläche auf, auf welcher die Trägerzufuhrschicht gebildet wird. Dies ermöglicht ebenso für den Feldeffekttransistor einen niedrigen Durchlasswiderstand.

Wenn die Kanalschicht, welche kristallin aus GaN ist, undotiert ist, ist die Kristallwachstumsfläche der Kanalschicht zu der Trägerzufuhrschicht besser und flacher. Dies ermöglicht ebenso für den Feldeffekttransistor einen niedrigen Durchlasswiderstand.

Wenn die Trägerzufuhrschicht das erste Zusammensetzungsverhältnis x1 an der ersten Grenzfläche aufweist, und x1 in der Formel Al_x1Ga_1-x1N größer als oder gleich 0,15 und weniger als oder gleich 0,40 ist, ist die Barrierehöhe zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht hoch. Dies ermöglicht für den Feldeffekttransistor ebenso einen niedrigen Durchlasswiderstand.

Wenn die Trägerzufuhrschicht die zweite Grenzfläche auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Grenzfläche lokalisiert aufweist, und das zweite Zusammensetzungsverhältnis x2 an der zweiten Grenzfläche zu zum Beispiel einer Elektrode aufweist, und x2 in der Formel Al_x2Ga_1-x2N größer als oder gleich 0,05 und weniger als oder gleich 0,20 ist, ist die Kristallinität der Trägerzufuhrschicht hoch. Dies verringert den Leckstrom, der in dem Feldeffekttransistor fließt.

Wenn der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN der Trägerzufuhrschicht monoton von 0,20 auf 0,15 mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche abnimmt, ist die Barrierehöhe zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht hoch und die Kristallinität der Trägerzufuhrschicht ebenso hoch. Dies ermöglicht für den Feldeffekttransistor einen niedrigen Durchlasswiderstand und verringert den Leckstrom, der in dem Feldeffekttransistor fließt.

1 ist eine Querschnittsansicht eines Feldeffekttransistors 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine graphische Darstellung, welche die Beziehung zwischen der Vorspannung, die an jede Probe angelegt ist, und dem entsprechenden Leckstrom zeigt.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben. Die Ausführungsform sollte in keiner Weise als begrenzend angesehen werden.
1 zeigt einen Feldeffekttransistor 100 gemäß der Ausführungsform. Der Feldeffekttransistor 100 ist eine Halbleitervorrichtung, welche durch Abscheiden von auf Gruppe-III-Elementnitrid beruhenden Halbleitern hergestellt wird. Unter Bezug auf 1 schließt der Feldeffekttransistor 100 ein Kristallwachstumsträgermaterial 101, eine Pufferschicht 102, eine undotierte erste Halbleiterkristallschicht 103, die als Kanalschicht dient, und eine undotierte zweite Halbleiterkristallschicht 104, die als Trägerzufuhrschicht dient, ein, wobei diese Schichten auf dem Kristallwachstumsträgermaterial 101 in dieser Reihenfolge angeordnet sind.
Das Kristallwachstumsträgermaterial 101 weist eine Dicke von etwa 900 μm auf und enthält Siliciumcarbid (SiC). Die Pufferschicht 102 weist eine Dicke von etwa 200 nm auf und enthält Aluminiumnitrid (AlN).
Die erste Halbleiterkristallschicht 103 weist eine Dicke von etwa 2 μm auf und enthält undotiertes GaN. Die zweite Halbleiterkristallschicht 104 weist eine Dicke von etwa 400 Å auf und enthält einen Halbleiter, der durch die Formel Al_xGa_1-xN dargestellt wird, wobei 0,15 ≤ x ≤ 0,20. Der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN nimmt monoton von 0,20 auf 0,15 mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche zwischen der ersten Halbleiterkristallschicht 103 und der zweiten Halbleiterkristallschicht 104 ab. Die zweite Halbleiterkristallschicht 104 weist eine Viellagenstruktur, zum Beispiel eine sechslagige Struktur auf.
Die Dicke der zweiten Halbleiterkristallschicht 104 ist so ausgelegt, dass sie den Trägern (Elektronen) ermöglicht, von Ohm'schen Elektroden, die nachstehend beschrieben werden, zu einer Kanalschicht zu tunneln, wobei die Kanalschicht nahe der ersten Grenzfläche zwischen der ersten Halbleiterkristallschicht 103 und der zweiten Halbleiterkristallschicht 104 gebildet wird, wenn die Basis abgeschaltet ist. Die zweite Grenzfläche der Trägerzufuhrschicht liegt zwischen der Trägerzufuhrschicht und den Elektroden.
Der Feldeffekttransistor 100 schließt ferner eine Ohm'sche Quellenelektrode 105, eine Basiselektrode 106, die eine Schottky-Elektrode ist, und eine Ohm'sche Ableitungselektrode 107, ein, wobei diese Elektroden auf der zweiten Halbleiterkristallschicht 104 angeordnet sind. Die Quellenelektrode 105 und die Ableitungselektrode 107 schließen jeweils eine erste Metallschicht, die durch Gasphasenabscheidung gebildet wurde, und eine zweite Metallschicht ein, die durch Gasphasenabscheidung gebildet wurde und auf der ersten Metallschicht liegt. Die erste Metallschicht enthält Titan (Ti) und weist eine Dicke von etwa 100 Å auf. Die zweite Metallschicht enthält Al und weist eine Dicke von etwa 3.000 Å auf. Die Quellenelektrode 105 und die Ableitungselektrode 107 sind sicher mit der zweiten Halbleiterkristallschicht 104 in einer solchen Art und Weise verbunden oder legiert, dass die Quellenelektrode 105 und die Ableitungselektrode 107 bei einer Temperatur von etwa 700 °C bis 900 °C für weniger als eine Sekunde durch blitzartiges Anlassen wärmebehandelt werden. Die Basiselektrode 106 schließt eine dritte Metallschicht, die durch Gasphasenabscheidung gebildet wurde, und eine vierte Metallschicht ein, die durch Gasphasenabscheidung gebildet wurde und auf der dritten Metallschicht liegt. Die dritte Metallschicht enthält Nickel (Ni) und weist eine Dicke von etwa 100 Å auf. Die vierte Metallschicht enthält Gold (Au) und weist eine Dicke von etwa 3.000 Å auf.
Ein Verfahren zur Herstellung des Feldeffekttransistors 100 wird nun unter besonderer Berücksichtigung der zweiten Halbleiterkristallschicht 104 beschrieben, die ein Schlüsselbestandteil des Feldeffekttransistors 100 ist.
Die Pufferschicht 102, die erste Halbleiterkristallschicht 103 und die zweite Halbleiterkristallschicht 104 werden bevorzugt durch eine Gasphasenaufwachstechnik wie eine metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) gebildet. Gasförmige Substanzen, die zum Bilden dieser Schichten verwendet werden, sind gasförmiger Wasserstoff (H₂) oder gasförmiger Stickstoff (N₂), die als Trägergas verwendet werden, und gasförmiger Ammoniak (NH₃), gasförmiges Trimethylgallium (Ga(CH₃)₃), gasförmiges Trimethylaluminium (Al(CH₃)₃) und dergleichen.
Beispiele einer Technik zum Bilden dieser Schichten schließen Molekularstrahlepitaxie (MBE) und Halogenidgasphasenepitaxie (HVPE) zusätzlich zu MOVPE ein.
Bedingungen zum Bilden dieser Schichten werden nachstehend beschrieben.
1. Pufferschicht 102

(1) Kristallwachstumstemperatur T₀: 1.140 °C
(2) Schichtstruktur: Einzelschichtstruktur (etwa 200 nm Dicke, AlN)

2. Erste Halbleiterkristallschicht 103

(1) Kristallwachstumstemperatur T_A: 1.140 °C
(2) Schichtstruktur: Einzelschichtstruktur (etwa 2 μm Dicke, GaN)

3. Zweite Halbleiterkristallschicht 104

(1) Kristallwachstumstemperatur T_B: 1.000°C
(2) Schichtstruktur: Vielschichtstruktur (Sechsschichtstruktur) Erste Unterschicht: etwa 70 Å Dicke, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gleich 0,20 ist Zweite Unterschicht: etwa 70 Å Dicke, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gleich 0,19 ist Dritte Unterschicht: etwa 60 Å Dicke, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gleich 0,18 ist Vierte Unterschicht: etwa 60 Å Dicke, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gleich 0,17 ist Fünfte Unterschicht: etwa 70 Å Dicke, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gleich 0, 16 ist Sechste Unterschicht: etwa 70 Å Dicke, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN gleich 0,15 ist.

In diesem Fall des ersten Zusammensetzungsverhältnisses ist x1 der zweiten Halbleiterschicht 104 0,20 und ihr zweites Zusammensetzungsverhältnis x2 ist 0,15.
Die zweite Halbleiterkristallschicht 104 kann so gebildet werden, dass sie eine solche sechslagige Struktur in einer solchen Art und Weise aufweist, dass der Gehalt an Al(CH₃)₃ in dem Zufuhrgas während der Bildung der ersten bis sechsten Unterschicht durch Kristallwachstum zum Beispiel von der ersten zur zweiten Grenzfläche der zweiten Halbleiterschicht 104 leicht verändert wird. Folglich kann der Feldeffekttransistor 100 mit einer höheren Effizienz oder gleich zu der Herstellungseffizienz eines herkömmlichen Feldeffekttransistors hergestellt werden.
Beispiel 1
Probe S1 mit dem gleichen Aufbau wie der des Feldeffekttransistors 100, der in 1 gezeigt wurde, wurde hergestellt.
Beispiel 2
Probe S2 wurde hergestellt. Probe S2 wies im Wesentlichen den gleichen Aufbau wie den des Feldeffekttransistors 100, der in 1 gezeigt wird, mit der Ausnahme auf, dass Probe S2 eine zweite Halbleiterkristallschicht einschloss, welche einen Halbleiter enthielt, der durch die Formel Al_0,15Ga_0,85N dargestellt wird und eine einlagige Struktur aufwies.
Vergleichsbeispiel 1
Probe S3, ähnlich zu dem Feldeffekttransistor 100, der in 1 gezeigt wird, wurde hergestellt. Probe S3 war von dem Feldeffekttransistor 100 darin unterschiedlich, dass Probe S3 eine zweite Halbleiterkristallschicht einschloss, welche einen Halbleiter enthielt, der durch die Formel Al_0,20Ga_0,80N dargestellt wird und eine einlagige Struktur aufwies. Andere Bestandteile, die in der Probe S3 eingeschlossen waren, waren die gleichen wie jene des Feldeffekttransistors 100.
Experiment 1
Die Proben S1 bis S3 wurden auf ihren Leckstrom gemessen.
2 zeigt die Beziehung zwischen der Vorspannung, die an jede Probe angelegt wurde, und dem entsprechenden Leckstrom. In 2 stellen die Kurven I, II und III die Veränderungen der Leckströme dar, die in den Proben S1, S2 und S3 jeweils fließen.
Wie aus 2 deutlich wird, ist der Leckstrom, der in Probe S1 fließt, im Wesentlichen der gleiche wie der, der in Probe S2 fließt und ist 1/100 oder weniger des Stroms, der in Probe S3 fließt.
Experiment 2
Die Proben S1 bis S3 wurden in einer solchen Art und Weise geprüft, dass der Schichtwiderstand der Grenzfläche zwischen der ersten und zweiten Halbleiterkristallschicht jeder Probe gemessen wurde. Die Messung zeigte, dass Probe S1 einen Schichtwiderstand von etwa 600 Ω/Quadrat, Probe S2 einen Schichtwiderstand von etwa 700 Ω/Quadrat und Probe S3 einen Schichtwiderstand von etwa 500 Ω/Quadrat aufwies.
Probe S1 weist einen niedrigen Schichtwiderstand auf, das heißt, einen niedrigen Durchlasswiderstand und folglich eine hohe elektrische Leitfähigkeit. Darüber hinaus ist der Leckstrom, der in Probe S1 fließt, klein, und folglich weist Probe S1 eine hohe dielektrische Durchschlagsfestigkeit auf, wie in Experiment 1 beschrieben wird. Das heißt, die elektrische Leitfähigkeit und die dielektrische Durchschlagsfestigkeit von Probe S1 sind miteinander kompatibel. Ein Feldeffekttransistor mit solchen Eigenschaften kann nicht leicht durch jegliche herkömmliche Technik hergestellt werden.
Wie vorstehend beschrieben wurde, stellt die vorliegende Erfindung einen Feldeffekttransistor mit einem niedrigen Durchlasswiderstand und hoher dielektrischer Durchschlagsfestigkeit zur Verfügung, wie zum Beispiel HEMT. Der Feldeffekttransistor kann durch das Kristallwachstum von auf Gruppe-III-Elementnitriden beruhenden Halbleitern hergestellt werden.
Ein Feldeffekttransistor schließt eine Kanalschicht mit einem Kanal und eine Trägerzufuhrschicht ein, die auf der Kanalschicht abgeschieden ist, welche einen Halbleiter enthält, der durch die Formel Al_xGa_1-xN dargestellt wird, wobei der Index x größer als 0,4 und kleiner als 0,45 ist.
Der Kanal wird nahe der Grenzfläche zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht gebildet oder abgereichert, die Trägerzufuhrschicht weist eine größere Bandlückenenergie als die der Kanalschicht auf, und der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN nimmt monoton mit einem Anstieg des Abstandes von der Grenzfläche ab. Die Kanalschicht kann kristallin aus Galliumnitrid sein. Die Kanalschicht kann undotiert sein. Der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN der Trägerzufuhrschicht ist an der Grenzfläche größer als oder gleich 0,15 und kleiner als oder gleich 0,40.

Claims

Feldeffekttransistor, welcher durch Bilden einer Vielzahl von Halbleiterkristallschichten durch Kristallwachstum hergestellt wurde, die auf Gruppe-III-Elementnitrid beruhende Halbleiter enthalten, wobei der Feldeffekttransistor umfasst: eine Kanalschicht mit einem Kanal; und eine Trägerzufuhrschicht, die auf der Kanalschicht abgeschieden ist, und einen Halbleiter enthält, der durch die Formel Al_xGa_1-xN dargestellt wird, wobei der Index x größer als 0,04 und kleiner als 0,45 ist, wobei der Kanal nahe der ersten Grenzfläche zwischen der Kanalschicht und der Trägerzufuhrschicht gebildet wurde oder abgereichert wurde, wobei die Trägerzufuhrschicht eine größere Bandlückenenergie als die Kanalschicht aufweist, und der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN monoton mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche abnimmt.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, wobei die Kanalschicht kristallin aus Galliumnitrid ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 2, wobei die Kanalschicht undotiert ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, wobei die Trägerzufuhrschicht ein erstes Zusammensetzungsverhältnis x1 an der ersten Grenzfläche aufweist und x1 in der Formel A_x1Ga_1-x1N größer als oder gleich 0,15 und kleiner als oder gleich 0,40 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 2, wobei die Trägerzufuhrschicht eine erstes Zusammensetzungsverhältnis x1 an der ersten Grenzfläche aufweist, und x1 in der Formel A_x1Ga_1-x1N größer als oder gleich 0,15 und kleiner als oder gleich 0,40 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, wobei die Trägerzufuhrschicht ein erstes Zusammensetzungsverhältnis an der ersten Grenzfläche aufweist, und x1 in der Formel A_x1Ga_1-x1N größer als oder gleich 0,15 und kleiner als oder gleich 0,40 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, wobei die Trägerzufuhrschicht eine zweite Grenzfläche aufweist, die auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Grenzfläche lokalisiert ist und ein zweites Zusammensetzungsverhältnis x2 an der zweiten Grenzfläche aufweist, und x2 in der Formel A_x2Ga_1-x2N größer als oder gleich 0,05 und kleiner als oder gleich 0,20 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 4, wobei die Trägerzufuhrschicht eine zweite Grenzfläche aufweist, die auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Grenzfläche lokalisiert ist, und ein zweites Zusammensetzungsverhältnis x2 an der zweiten Grenzfläche aufweist, und x2 in der Formel A_x2Ga_1-x2N größer als oder gleich 0,05 und kleiner als 0,20 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, wobei die Trägerzufuhrschicht eine zweite Grenzfläche aufweist, die auf der gegenüberliegende Seite der ersten Grenzfläche lokalisiert ist und ein zweites Zusammensetzungsverhältnis x2 an der zweiten Grenzfläche aufweist, und x2 in der Formel A_x2Ga_1-x2N größer als oder gleich 0,05 und kleiner als oder gleich 0,20 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 6, wobei die Trägerzufuhrschicht eine zweite Grenzfläche aufweist, die an der gegenüberliegenden Seite der ersten Grenzfläche lokalisiert ist und ein zweites Zusammensetzungsverhältnis x2 an der zweiten Grenzfläche aufweist, und x2 in der Formel A_x2Ga_1-x2N größer als oder gleich 0,05 und kleiner als oder gleich 0,20 ist.
Der Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, wobei der Index x in der Formel Al_xGa_1-xN monoton von 0,20 bis 0,15 mit einem Anstieg des Abstandes von der ersten Grenzfläche abnimmt.