DE102005061772A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents
Leistungshalbleitermodul Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005061772A1 DE102005061772A1 DE102005061772A DE102005061772A DE102005061772A1 DE 102005061772 A1 DE102005061772 A1 DE 102005061772A1 DE 102005061772 A DE102005061772 A DE 102005061772A DE 102005061772 A DE102005061772 A DE 102005061772A DE 102005061772 A1 DE102005061772 A1 DE 102005061772A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor module
- metal layer
- plastic
- module according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49506—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad an insulative substrate being used as a diepad, e.g. ceramic, plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10409—Screws
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
- H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Es wird ein Leistungshalbleitermodul (1) angegeben mit mindestens einer Trägerplatte (2), die auf einer ersten Seite (3) eine erste Metallschicht (4), die nach außen weist und einen Teil der Außenseite des Leistungshalbleitermoduls (1) bildet, und auf einer zweiten Seite eine zweite Metallschicht (6) aufweist, die nach innen gerichtet ist und an der mindestens ein Leistungs-Halbleiterbauelement (7) befestigt ist, und mit einem Kunststoffkörper (13) aus einem wärmehärtbaren Kunststoff (16), der die Trägerplatte (2) mit Ausnahme der ersten Metallschicht (4) oder zumindest eines Teils davon einschließt. DOLLAR A Man möchte eine zufriedenstellende Kühlung der Halbleiterbauelemente (7) und eine ausreichende Lebensdauer sicherstellen. DOLLAR A Hierzu ist vorgesehen, daß der Kunststoff (16) einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem der Trägerplatte (2) entspricht.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit mindestens einer Trägerplatte, die auf einer ersten Seite eine erste Metallschicht, die nach außen weist und einen Teil der Außenseite des Leistungshalbleitermoduls bildet, und auf einer zweiten Seite eine zweite Metallschicht aufweist, die nach innen gerichtet ist und an der mindestens ein Leistungs-Halbleiterbauelement befestigt ist, und mit einem Kunststoffkörper aus einem wärmehärtbaren Kunststoff, der die Trägerplatte mit Ausnahme der ersten Metallschicht oder zumindest eines Teils davon einschließt.
- Ein derartiges Leistungshalbleitermodul ist beispielsweise aus
EP 0 270 069 B1 oderUS 4 878 106 bekannt. - Ein Leistungshalbleitermodul weist mindestens ein Leistungs-Halbleiterbauelement auf, das in der Lage ist, größere Ströme zu schalten oder zu beeinflussen. Üblicherweise befindet sich außer dem Leistungs-Halbleiterbauelement auch noch mindestens ein weiteres elektronisches Bauelement auf der Trägerplatte, das zum Ansteuern des Leistungs-Halbleiterbauelements dient.
- Beim Betrieb eines derartigen Leistungshalbleitermoduls entsteht Wärme, die abgeführt werden muß. Wenn die Wärme nicht abgeführt wird, dann führt sie zu einer Temperaturerhöhung. Die Temperaturfestigkeit der meisten Halbleiterbauelemente, auch der meisten Leistungs-Halbleiterbauelemente, ist jedoch begrenzt. Man muß also dafür sorgen, daß die im Betrieb erzeugte Wärme abgeführt wird.
- Es ist hierzu bekannt, die Trägerplatte, die üblicherweise aus einem keramischen Material gebildet ist, mit zwei Metallschichten zu versehen. Die eine Metallschicht, die im folgenden als erste Metallschicht bezeichnet wird, weist nach außen und dient dazu, Wärme, die im Leistungshalbleitermodul erzeugt wird, nach außen abzugeben. Auf der der ersten Metallschicht gegenüberliegenden Seite der Trägerplatte ist die zweite Metallschicht angeordnet, die nicht unbedingt flächig durchgehen muß, sondern auch Leiterbahnen bilden kann, an denen das Leistungs-Halbleiterbauelement befestigt ist. Die vom Leistungs-Halbleiterbauelement erzeugte Wärme wird dann an die zweite Metallschicht abgegeben, gelangt von dort durch die Trägerplatte an die erste Metallschicht und wird von dort an die Umgebung abgegeben.
- Um die Wärmeabgabe zu verbessern, kann man die erste Metallschicht auch mit einem Kühlkörper verbinden, der dann als Wärmesenke dient. Hierzu ist es allerdings erforderlich, die Verbindung zwischen der ersten Metallschicht und dem Kühlkörper so auszubilden, daß sie einen ausreichenden Wärmeübergang ermöglicht. Im einfachsten Fall wird dies dadurch bewerkstelligt, daß man die Trägerplatte mit einem gewissen Druck gegen den Kühlkörper preßt.
- Diese Vorgehensweise führt jedoch nicht immer zu einer zufriedenstellenden Wirkung. Bei einer Temperaturerhöhung ändert sich nämlich die Form des Leistungshalbleitermoduls. In vielen Fällen hat der Kunststoff einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als die Trägerplatte. Bei einer Temperaturerhöhung wird sich also die Trägerplatte und die erste Metallschicht konkav wölben, so daß sie in einem mittleren Bereich den Kontakt zum Kühlkörper verliert, also dort, wo die meiste Wärme erzeugt wird. Theoretisch ließe sich dieses Problem zwar dadurch entschärfen, daß man die Trägerplatte mit einer entsprechend großen Kraft gegen den Kühlkörper drückt. Die möglichen Kräfte sind jedoch begrenzt, weil die Trägerplatte nur eine begrenzte mechanische Belastbarkeit aufweist. Darüber hinaus ergibt sich bei mehreren aufeinanderfolgenden Aufheiz- und Abkühlvorgängen das Risiko, daß die Leiterbahnen der zweiten Metallschicht aufgrund der Verformung des Leistungshalbleitermoduls reißen oder von der Trägerplatte abgelöst werden. Dieses Risiko der Abscherung betrifft vor allem die auf der Trägerplatte befindlichen Bauelemente und Verbindungsdrähte (Bondrähte). Dieses Risiko läßt sich auch durch eine größere Anpreßkraft der Trägerplatte an den Kühlkörper nicht restlos beseitigen.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine zufriedenstellende Kühlung des Halbleiterbauelements und eine ausreichende Lebensdauer sicherzustellen.
- Diese Aufgabe wird bei einem Leistungshalbleitermodul der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß der Kunststoff einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem der Trägerplatte entspricht.
- Mit dieser Lösung dehnen sich bei einer Temperaturerhöhung der Kunststoff und die Trägerplatte im wesentlichen gleichförmig aus. Dabei muß es sich zwar nicht um eine exakte Übereinstimmung der Ausdehnung handeln. Kleinere Unterschiede in den Wärmeausdehnungskoeffizienten sind durchaus noch tolerierbar. Eine Verformung des Leistungshalbleitermoduls, die man bislang beobachten konnte, ergibt sich jedoch nicht oder nur in einem weitaus geringeren Maße. Dies hat dann den Vorteil, daß die erste Seite und damit auch die erste Metallschicht ihre ursprünglich eingenommene Form zumindest weitgehend beibehält, so daß ein Abheben der Trägerplatte von einer Kühleinrichtung im Grunde nicht zu befürchten ist. Wenn die Wärmeausdehnungskoeffizienten zumindest im wesentlichen übereinstimmen, dann sind auch Verformungskräfte, die thermisch bedingt sind, entsprechend kleiner, so daß man diesen Verformungskräften mit entsprechend kleinen Gegenkräften entgegenwirken kann. Die mechanische Belastung der Trägerplatte wird also klein gehalten. Gleichzeitig ergibt sich aber eine ausrei chende Wärmeabfuhr, so daß das Leistungshalbleitermodul weder thermisch noch mechanisch überbeansprucht wird.
- Vorzugsweise weist der Kunststoff mindestens einen Füllstoff auf. Durch die Verwendung eines Füllstoffs, der auch als "Füller" bezeichnet werden kann, kann man in erheblichem Maße Einfluß auf den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Kunststoffs, genauer gesagt des mit dem Füllstoff versehenen Kunststoffs nehmen. Man ist also nicht mehr darauf angewiesen, einen Kunststoff an sich verwenden zu müssen, der den gewünschten niedrigen oder jedenfalls mit dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Trägerplatte übereinstimmenden Wärmeausdehnungskoeffizienten hat. Damit ist man bei der Wahl des Kunststoffs freier.
- Vorzugsweise ist der Füllstoff ein Siliziumoxid, insbesondere ein Siliziumdioxid. Liegt eine breite Kornfraktion und eine insgesamt sehr kleine, zum Teil im Sub-Mikrobereich befindliche Größenverteilung vor, so beeinflußt dies die Fließfähigkeit und Verdichtbarkeit zu einem homogenen Körper positiv. Siliziumoxid bzw. Siliziumdioxid ist ein preisgünstiges Material, das dem Kunststoff den gewünschten Wärmeausdehnungskoeffizienten verleihen kann.
- Auch ist von Vorteil, wenn der Kunststoff ein Duroplast, z.B. ein Epoxidharz ist. Ein Epoxidharz läßt sich beispielsweise durch Gießen oder Pressen leicht in die gewünschte Form bringen. Es härtet dann unter Wärme aus.
- Vorzugsweise weist der mit Füllstoff versehene Kunststoff eine Schrumpfung auf, die kleiner ist als 0,3 %. Die meisten Kunststoffe weisen eine Schrumpfung auf, die sich beim oder unmittelbar nach dem Gießen ergibt. Diese Schrumpfung wird üblicherweise bei der Gestaltung der zum Gießen verwendeten Form berücksichtigt. Die Trägerplatte weist üblicherweise keine Schrumpfung auf, d.h. sie verändert ihre Abmessungen beim Preß- oder Gießvorgang (oder einem anderen Formgebungsvorgang für den Kunststoff) nicht. Wenn man nun einen Kunststoff verwendet, der einen sehr kleinen Schrumpfungs-Faktor von maximal 0,3 % hat, dann ist die durch die Schrumpfung des Kunststoffs zu erwartende Änderung der Form des Leistungshalbleitermoduls entsprechend klein. Dementsprechend ist auch die Gefahr der Beschädigung des Leistungshalbleitermoduls durch die Schrumpfung klein.
- Vorzugsweise liegt die Schrumpfung in einem Bereich von 0,05 % bis 0,25 %. Der in Form gebrachte Kunststoff, der bei oder nach der Formgebung schrumpft, ändert seine Form relativ zur Trägerplatte praktisch nicht mehr, so daß nur kleine oder sogar fast keine Verformungen des Leistungshalbleitermoduls zu befürchten sind.
- Bevorzugterweise ist die erste Seite konvex gewölbt. Sie steht also in einem mittleren Bereich etwas weiter vor als in einem Randbereich. Eine derartige Formgebung läßt sich durch mehrere Maßnahmen erreichen, die auch zusammen angewendet werden können. Eine Maßnahme ist, daß die zum Formgeben des Kunststoffs verwendete Form bereits eine entsprechend konkave Form aufweist, so daß die Trägerplatte bei der Formgebung etwas durchgebogen wird. Eine weitere Maßnahme besteht darin, daß man die Schrumpfung des Kunststoffs gezielt ausnutzt, um die gewünschte konvexe Formgebung der ersten Seite der Trägerplatte zu erzielen. In vielen Fällen wird es sinnvoll sein, beide Maßnahmen miteinander zu kombinieren.
- Vorzugsweise ist die erste Seite auf einem Kühlkörper festgespannt. Der Kühlkörper kann durch einen massiven Körper, beispielsweise eine Platte aus Kupfer oder Aluminium, gebildet sein. Der Kühlkörper kann auch Kühlrippen oder Kanäle zum Durchleiten eines Kühlfluids aufweisen. Wenn die Trägerplatte konvex gewölbt ist, dann steht sie in einem mittleren Bereich stärker zum Kühlkörper hin vor. Wenn man dann das Leistungshalbleitermodul auf dem Kühlkörper festspannt, ergibt sich der größte Preßdruck in der Mitte, also dort, wo die erste Seite der Trägerplatte auf den Kühlkörper vorsteht. Dort ist dann auch der Wärmeübergang am besten. Dies ist günstig, weil in einem mittleren Bereich der Trägerplatte vielfach auch die meiste Wärme entsteht oder sich die Wärme dort konzentriert.
- Bevorzugterweise ist zwischen dem Kühlkörper und der ersten Metallschicht eine Wärmeleitpaste angeordnet. Eine derartige Wärmeleitpaste kann beispielsweise durch ein Fett gebildet sein, das eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist. In diesem Fall ist es unschädlich, wenn die erste Metallschicht nicht vollflächig an dem Kühlkörper anliegt. Der verbleibende Spalt, der ohnehin nur eine geringe Höhe hat, wird durch die Wärmeleitpaste ausgefüllt und ermöglicht einen ausreichenden Wärmeübergang von dem Leistungshalbleitermodul zum Kühlkörper.
- Auch ist von Vorteil, wenn die Wärmeleitpaste in einem mittleren Bereich der ersten Seite eine geringere Stärke als in einem Randbereich aufweist. Dies ist insbesondere dann mit einfachen Maßnahmen zu erreichen, wenn die erste Seite der Trägerplatte konvex gewölbt ist. Wenn man dann das Leistungshalbleitermodul auf den Kühlkörper unter Zwischenlage der Wärmeleitpaste aufsetzt, dann wird die Wärmeleitpaste von innen nach außen verdrängt. Damit stellt man sicher, daß keine luftgefüllten Taschen in der Wärmeleitpaste verbleiben, die einen Wärmeübergang behindern könnten.
- Die Erfindung wird im folgenden anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben. Hierin zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung eines Teils eines Leistungshalbleitermoduls, -
2 das Leistungshalbleitermodul im Schnitt, -
3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer Eigenschaft des Leistungshalbleitermoduls, -
4 das Leistungshalbleitermodul von3 beim Aufbringen auf einen Kühlkörper, -
5 eine perspektivische Darstellung eines Leistungshalbleitermoduls und -
6 das Leistungshalbleitermodul von5 aus einem anderen Blickwinkel. -
1 zeigt wesentliche Bestandteile eines Leistungshalbleitermoduls1 (2 ). Eine Trägerplatte2 , die beispielsweise aus einem keramischen Material, wie Ak2O3, gebildet ist, ist an einer ersten Seite3 mit einer ersten Metallschicht4 versehen. Die erste Metallschicht4 kann beispielsweise aus Kupfer gebildet werden. Auf einer der ersten Seite3 gegenüberliegenden zweiten Seite 5 befindet sich eine zweite Metallschicht6 , die nicht durchgehend ausgebildet sein muß. Die zweite Metallschicht6 ist ebenfalls aus Kupfer gebildet. Sie kann durch Ätzen in eine Reihe von voneinander getrennten Bereichen unterteilt sein, so daß die zweite Metallschicht6 gleichzeitig Leiterbahnen bildet. - Auf der zweiten Metallschicht
6 sind mehrere Leistungs-Halbleiterbauelemente7 angeordnet und mit der zweiten Metallschicht6 leitend verbunden, beispielsweise durch Löten. In an sich bekannter, aber nicht näher dargestellter Weise können zusätzlich zu den Leistungs-Halbleiterbauelementen7 auch noch weitere Halbleiterbauelemente auf der zweiten Metallschicht6 angeordnet sein, die Steuerungsfunktionen für die Halbleiterbauelemente7 haben. - Eine Trägerplatte
2 mit Kupferbahnen als Metallschichten4 ,6 sind als DBC-Produkte bekannt, also als "Direct Bond Copper Product". - Im Betrieb erzeugen die Leistungs-Halbleiterbauelemente
7 in erheblichem Umfang Wärme. Diese Wärme wird zumindest teilweise an die zweite Metallschicht6 abgegeben, durchdringt von dort aus die Trägerplatte2 und gelangt zur ersten Metallschicht4 . Von dort wird sie an die Umgebung abgegeben. Dies ist insbesondere dann möglich, wenn die erste Metallschicht4 einen Teil der Außenseite des Leistungshalbleitermoduls1 bildet. -
2 zeigt nun eine Einbausituation, in der das Leistungshalbleitermodul1 auf einem Kühlkörper8 angeordnet ist. Der Kühlkörper kann auf unterschiedliche Weise ausgebildet sein. Er ist daher nur schematisch dargestellt. Möglich sind Kühlkörper8 , die eine vergrößerte Oberfläche aufweisen, beispielsweise in Gestalt von mehreren abstehenden Fingern. Es ist aber auch möglich, den Kühlkörper8 mit Kanälen zu versehen, durch die ein Kühlfluid, beispielsweise eine Flüssigkeit, geführt werden kann, um Wärme abzutransportieren. - Das Leistungshalbleitermodul
1 weist, wie dies aus2 zu erkennen ist, neben den in1 dargestellten Elementen noch Anschlüsse9 ,10 auf, die über Leitungsdrähte11 ,12 mit den Leistungs-Halbleiterbauelementen7 verbunden sind. Die mit den Anschlüssen9 ,10 und den Leitungsdrähten11 ,12 versehenen Elemente2 ,4 ,6 ,7 sind in einem Kunststoffkörper13 angeordnet. Der Kunststoffkörper13 wird mit Hilfe von Schrauben14 ,15 gegen den Kühlkörper8 gespannt. - Der Kunststoffkörper
13 ist gebildet durch einen Kunststoff16 , der mit einem Füllstoff17 versehen ist. Der Füllstoff ist als Siliziumdioxid-Füller ausgebildet. Der Kunststoff16 selbst ist beispielsweise ein Epoxidharz. - Epoxidharz (und die meisten anderen Kunststoffe) haben einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der wesentlich größer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient der Trägerplatte
2 . Eine Trägerplatte2 aus Keramik hat üblicherweise einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von etwa 7 ppm/°K. Typische Kunststoffe, die im Spritzgußverfahren verwendet werden können, haben einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von etwa 80 bis 100 ppm/°K. - Durch die Verwendung des Füllstoffs
17 ist es nun möglich, den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Kunststoffkörpers13 etwa genauso groß zu machen, wie den Wärmeausdehnungskoeffizienten der Trägerplatte2 . Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Kunststoffkörpers13 liegt im Bereich von etwa 7 bis 9 ppm/°K. - Geeignete Kunststoffe
16 , die bereits mit dem entsprechenden Füllstoff17 versehen sind, sind beispielsweise von Hitachi Chemical Co., Ltd. unter der Bezeichnung "Hitachi Chemical CEL-9750 HF 10" oder "Hitachi Chemical CEL-9750 ZHF 10" verfügbar. Auch die Sumitomo Bakelite Co., Ltd. bietet unter der Bezeichnung "Sumitomo Sumikon EME-G670 HE" oder "Sumitomo Sumikon EME-G770 HE" geeignete Kunststoffe an. - Dadurch, daß nun die Trägerplatte
2 und der Kunststoffkörper13 im wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, ergibt sich bei einer Wärmezufuhr und der damit verbundenen Temperaturerhöhung keine Relativverschiebung zwischen der Trägerplatte2 bzw. der zweiten Metallschicht6 und dem Kunststoffkörper13 . Dadurch werden Belastungen in der Verbindung zwischen der zweiten Metallschicht6 und der Trägerplatte2 bzw. Verbindungen zwischen den Halbleiterbauelementen7 und der zweiten Metallschicht6 klein gehalten. Auch bei einer wiederholten Temperaturänderung ergeben sich praktisch keine Ermüdungserscheinungen, die die Lebensdauer des Leistungshalbleitermoduls1 herabsetzen könnten. - Ein besonderer Vorteil ist allerdings auch darin zu sehen, daß die erste Metallschicht
4 an der ersten Seite3 der Trägerplatte2 durch die Temperaturerhöhung oder Absenkung nicht in nennenswertem Umfang verformt wird, so daß ein Abheben der zweiten Metallschicht4 vom Kühlkörper8 nicht zu befürchten ist, auch wenn sich das Leistungshalbleitermodul1 erwärmt. Dies wiederum hat zur Folge, daß die zugeführte Wärme in ausreichendem Maße abgeführt werden kann, weil sich auch bei einer Temperaturerhöhung ein flächiger Kontakt zwischen der ersten Metallschicht4 und dem Kühlkörper8 aufrecht erhalten läßt. - Der Kunststoffkörper
13 , genauer gesagt der mit Füllstoff17 versehene Kunststoff16 , weist auch eine relativ kleine Schrumpfung auf. Diese liegt bei den obengenannten Kunststoffen von Hitachi Chemical Co., Ltd. oder Sumitomo Bakelite Co., Ltd. im Bereich von 0,07 bis 0,15 %. Die Schrumpfung ist ein Prozeß, der sich bei oder kurz nach der Formgebung des Kunststoffkörpers13 ergibt. Diese Formgebung13 erfolgt üblicherweise bei einer erhöhten Temperatur, beispielsweise durch Spritzgießen oder Spritzpressen. Der Kunststoff16 mit dem Füllstoff17 hat dabei eine Temperatur in der Größenordnung von 180°C. Der Einspritzdruck liegt in der Größenordnung von etwa 200 bar. Beim Abkühlen verringert der Kunststoff16 sein Volumen. Durch den Zusatz des Füllstoffs17 kann man die Volumenverringerung, al so die Schrumpfung, auf sehr kleine Bereiche von weniger als 0,3 %, vorzugsweise sogar im Bereich von 0,05 bis 0,25 %, vermindern. - Eine gewisse Schrumpfung kann jedoch von Vorteil sein, wie anhand von
3 und4 erläutert werden soll. Hier sind schematisch die Trägerplatte2 und der Kunststoffkörper13 dargestellt. Die Trägerplatte2 schrumpft bei der Formgebung praktisch nicht. Der Kunststoffkörper13 schrumpft um den oben angegebenen Wert, beispielsweise 0,15 %. Dies führt dazu, daß sich das Leistungshalbleitermodul1 etwas wölbt und zwar so, daß die erste Seite3 konvex gewölbt ist. Sie steht also mit ihrem mittleren Bereich etwas nach außen vor. - Wenn diese Wölbung durch die Schrumpfung des Kunststoffkörpers
13 nicht erreicht werden kann, dann kann man auch eine Spritzguß- oder Spritzpreßform verwenden, die eine der in3 dargestellten konvexen Wölbung der ersten Seite3 entsprechende konkave Wölbung aufweist. Wenn dann der Kunststoff eingespritzt ist und den Kunststoffkörper13 bildet, ergibt sich ebenfalls die in3 dargestellte Form. - Wenn man nun ein derartiges Leistungshalbleitermodul
1 mit den in2 dargestellten Schrauben14 ,15 auf dem Kühlkörper8 befestigt, dann wird das Leistungshalbleitermodul1 zunächst in einem mittleren Bereich18 in Kontakt mit dem Kühlkörper8 kommen. Mit weiterem Anspannen der Schrauben14 ,15 wird der Abstand zwischen dem Leistungshalbleitermodul1 und dem Kühlkörper8 in Randbereichen19 ,20 vermindert. Der Abstand ist hier übertrieben groß dargestellt. Tatsächlich wird die Wölbung des Leistungshalbleitermoduls1 nur so groß sein, daß die Abstände zwischen dem Leistungshalbleitermodul1 und dem Kühlkörper8 in den Randbereichen in der Größenordnung von 10 bis 50 μm (10 bis 50 × 10–6 m) liegen. - Vor dem Aufsetzen des Leistungshalbleitermoduls
1 auf den Kühlkörper8 hat man eine Wärmeleitpaste21 auf den Kühlkörper8 aufgebracht. Die Wölbung des Leistungshalbleitermoduls1 führt nun dazu, daß die Wärmeleitpaste21 , beispielsweise ein Wärmeleitfett, von innen nach außen in Richtung der Pfeile22 ,23 verdrängt wird. Dies führt im Endeffekt dazu, daß die Wärmeleitpaste21 eine Schicht bildet, die im mittleren Bereich18 dünner ist als in den Randbereichen19 ,20 . Das Verdrängen der Wärmeleitpaste21 von innen nach außen stellt sicher, daß die Wärmeleitpaste21 frei von Luftblasen oder Lunkern ist, so daß ein Wärmeübergang zwischen dem Leistungshalbleitermodul1 und dem Kühlkörper8 tatsächlich über die gesamte erste Metallschicht4 erfolgen kann. - Die
5 und6 zeigen in perspektivischer Darstellung das Leistungshalbleitermodul1 in einer möglichen Realisierung von außen. Gleiche Elemente sind mit den gleichen Bezugszeichen wie in den1 bis4 versehen. Es ist zu erkennen, daß sich die erste Metallschicht4 über praktisch die gesamte Unterseite des Kunststoffkörpers13 erstreckt.
Claims (10)
- Leistungshalbleitermodul mit mindestens einer Trägerplatte, die auf einer ersten Seite eine erste Metallschicht, die nach außen weist und einen Teil der Außenseite des Leistungshalbleitermoduls bildet, und auf einer zweiten Seite eine zweite Metallschicht aufweist, die nach innen gerichtet ist und an der mindestens ein Leistungs-Halbleiterbauelement befestigt ist, und mit einem Kunststoffkörper aus einem wärmehärtbaren Kunststoff, der die Trägerplatte mit Ausnahme der ersten Metallschicht oder zumindest eines Teils davon einschließt, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoff (
16 ) einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der dem der Trägerplatte (2 ) entspricht. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoff (
16 ) mindestens einen Füllstoff (17 ) aufweist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Füllstoff (
17 ) ein Siliziumoxid, insbesondere ein Siliziumdioxid, ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoff (
16 ) ein Duroplast, insbesondere ein Epoxidharz ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der mit Füllstoff (
17 ) versehene Kunststoff (16 ) eine Schrumpfung aufweist, die kleiner ist als 0,3 %. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schrumpfung in einem Bereich von 0,05 % bis 0,25 % liegt.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Seite (
3 ) konvex gewölbt ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Seite (
3 ) auf einem Kühlkörper (8 ) festgespannt ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kühlkörper (
8 ) und der ersten Metallschicht (4 ) eine Wärmeleitpaste (21 ) angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeleitpaste (
21 ) in einem mittleren Bereich (18 ) der ersten Seite (3 ) eine geringere Stärke als in einem Randbereich (19 ,20 ) aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005061772.7A DE102005061772B4 (de) | 2005-12-23 | 2005-12-23 | Leistungshalbleitermodul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005061772.7A DE102005061772B4 (de) | 2005-12-23 | 2005-12-23 | Leistungshalbleitermodul |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005061772A1 true DE102005061772A1 (de) | 2007-07-05 |
DE102005061772B4 DE102005061772B4 (de) | 2017-09-07 |
Family
ID=38135595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005061772.7A Active DE102005061772B4 (de) | 2005-12-23 | 2005-12-23 | Leistungshalbleitermodul |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102005061772B4 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009100698A2 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum niedertemperatur-drucksintern |
EP2525397B1 (de) | 2011-05-17 | 2015-10-21 | IXYS Semiconductor GmbH | Leistungshalbleiter |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4878106A (en) * | 1986-12-02 | 1989-10-31 | Anton Piller Gmbh & Co. Kg | Semiconductor circuit packages for use in high power applications and method of making the same |
EP0270069B1 (de) * | 1986-12-02 | 1992-06-03 | Anton Piller GmbH & Co. KG | Modul mit Halbleiter-Leistungsschaltelementen |
EP0805492A2 (de) * | 1996-04-03 | 1997-11-05 | Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder | Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat |
DE19707514A1 (de) * | 1997-02-25 | 1998-08-27 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul |
DE10125697A1 (de) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls |
DE10161101A1 (de) * | 2001-12-12 | 2003-03-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
US20030071348A1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-04-17 | Shuji Eguchi | Semiconductor module and mounting method for same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6583505B2 (en) * | 2001-05-04 | 2003-06-24 | Ixys Corporation | Electrically isolated power device package |
-
2005
- 2005-12-23 DE DE102005061772.7A patent/DE102005061772B4/de active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4878106A (en) * | 1986-12-02 | 1989-10-31 | Anton Piller Gmbh & Co. Kg | Semiconductor circuit packages for use in high power applications and method of making the same |
EP0270069B1 (de) * | 1986-12-02 | 1992-06-03 | Anton Piller GmbH & Co. KG | Modul mit Halbleiter-Leistungsschaltelementen |
EP0805492A2 (de) * | 1996-04-03 | 1997-11-05 | Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder | Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat |
DE19707514A1 (de) * | 1997-02-25 | 1998-08-27 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleitermodul |
US20030071348A1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-04-17 | Shuji Eguchi | Semiconductor module and mounting method for same |
DE10125697A1 (de) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls |
DE10161101A1 (de) * | 2001-12-12 | 2003-03-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009100698A2 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum niedertemperatur-drucksintern |
WO2009100698A3 (de) * | 2008-02-15 | 2009-12-10 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum niedertemperatur-drucksintern einer wärmesenkenplatte an das substrat einer elektronischen baugruppe |
US8118211B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-02-21 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Method for the low-temperature pressure sintering of electronic units to heat sinks |
CN101952960B (zh) * | 2008-02-15 | 2012-07-11 | 丹福斯矽电有限责任公司 | 低温加压烧结的方法 |
EP2525397B1 (de) | 2011-05-17 | 2015-10-21 | IXYS Semiconductor GmbH | Leistungshalbleiter |
EP2525397B2 (de) † | 2011-05-17 | 2018-08-08 | IXYS Semiconductor GmbH | Leistungshalbleiter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005061772B4 (de) | 2017-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10066446B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit zwei Abstrahlungsbauteilen | |
DE102009042600B4 (de) | Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleitermodul | |
DE102010038826B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE102018207532B4 (de) | Halbleitereinrichtung | |
DE102006058347B4 (de) | Aufbau eines Leistungsmoduls und dieses verwendendes Halbleiterrelais | |
DE102014110967B4 (de) | Verkapselte elektronische Chipvorrichtung mit Befestigungseinrichtung und von außen zugänglicher elektrischer Verbindungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1951583A1 (de) | Halbleitervorrichtungen mit einem laenglichen Koerper aus formbarem Material | |
DE69534483T2 (de) | Leiterrahmen und Halbleiterbauelement | |
DE10129388A1 (de) | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4021871A1 (de) | Hochintegriertes elektronisches bauteil | |
DE102009027292A1 (de) | Inverterleistungsmodul mit verteilter Stütze zur direkten Substratkühlung | |
DE102018121403A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer stabilisierten Platine | |
DE102015215133B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE3601130A1 (de) | Befestigungsanordnung fuer halbleiterbauteile | |
DE102009042399A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
EP0718886B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102016202067A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
DE69628964T2 (de) | Harzvergossenes Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren | |
DE112016007464B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102017203361A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines formprodukts und formprodukt | |
DE602004000600T2 (de) | Zusammenbau einer Schaltungsanordnung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE102017212186B4 (de) | Mit Gießharz versiegelte Leistungshalbleiter-Einrichtung | |
DE102014218389B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE3438435C2 (de) | Gehäuse aus Metall und Kunststoff für eine Halbleiter-Vorrichtung, das zur Befestigung an einem nicht genau ebenen Wärmeableiter geeignet ist, sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112014006653T5 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KEIL & SCHAAFHAUSEN PATENTANWAELTE PARTGMBB, DE Representative=s name: KEIL & SCHAAFHAUSEN PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE |
|
R084 | Declaration of willingness to licence |