DE102005050364A1 - Verfahren zur Herstellung von hochreinen Si3N4-Pulvern - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft Si¶3¶N¶4¶-Pulver mit einer Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 10 ppm.

Description

• Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen Si₃N₄-Pulvern.
• Si₃N₄-Pulver sind für verschiedene keramische Anwendungen interessant. Jedoch steht bei diesen Anwendungen die Reinheit normalerweise nicht im Fokus. Bei einer Verwendung von Si₃N₄-Pulvern für die Herstellung von Solarzellen hat die Reinheit des Si₃N₄-Pulvers eine höhere Bedeutung. Hierbei wird Si₃N₄ zur Beschichtung von SiO₂-Tiegeln eingesetzt.
• In den besagten SiO₂-Tiegeln wird granulares oder stückiges Silizium aufgeschmolzen und in Form eines Blockes auskristallisiert. Die Si₃N₄-Schicht verhindert dabei, dass die Siliziumschmelze in den SiO₂-Tiegel eindringt und unter SiO-Bildung den Tiegel korrosiv angreift.
• Ferner kann es aufgrund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und SiO₂ bei der Kristallisation in den Solartiegeln zu Rissen im Siliziumblock kommen, wenn sich das Silizium sehr fest mit der Tiegelinnenseite verbindet. Da dies unter allen Umständen vermieden werden muss, werden die Solartiegel innenseitig mit einer Si₃N₄-Schicht versehen, die als Trennschicht zwischen Silizium und SiO₂ fungiert.
• Aus dem Siliziumblock werden dann Silizium-Wafer gesägt. Um einen möglichst hohen Wirkungsgrad des daraus resultierenden Solarsiliziumwafers zu erreichen, ist es äußerst wichtig, das hochreine Silizium während der Kristallisation nicht mit Metallen zu verunreinigen. Daher muss sowohl der Solartiegel als auch die Si₃N₄-Schicht möglichst rein, d. h. möglichst arm an metallischen Verunreinigungen, hergestellt werden.
• Ein Verfahren zum Reinigen eines Silizimnitrid-Pulvers ist in JP07025603 beschrieben. Mit diesem Verfahren können die Verunreinigungen Fe und Ca im Pulver in Summe maximal auf 160 ppm reduziert werden. Andere Elemente des Periodensystems, die für den Wirkungsgrad des Solarwafers ebenso eine wichtige Rolle spielen, wie Ti, Ni, Cr, Na, K, werden in der genannten Schrift nicht betrachtet.
• Die vorliegende Erfindung betrifft ein hochreines Siliziumpulver und Verfahren zu seiner Herstellung.
• Das erfindungsgemäße Si₃N₄-Pulver ist dadurch gekennzeichnet, dass es eine Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 10 ppm aufweist.
• Vorzugsweise weist es eine Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 1 ppm, besonders bevorzugt eine Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 100 ppb auf.
• Die erfindungsgemäßen Si₃N₄-Pulver werden vorzugsweise hergestellt mittels eines Verfahrens umfassend die Schritte:
  Konditionierung eines Si₃N₄-Pulvers mittels einer Mahlung, Reinigung des gemahlenen Si₃N₄-Pulvers durch eine Säure im flüssigen oder gasförmigen Zustand,
  Abtrennen des Si₃N₄-Plvers von dem Gemisch,
  Waschen des Si₃N₄-Pulvers mit hochreinem Wasser,
  Trocknen des Si₃N₄-Pulvers.
• Im Rahmen der Untersuchungen, die zu vorliegender Erfindung führten, wurde überraschenderweise festgestellt, dass mittels der o. g. Verfahrensschritte aus konventionellen Si₃N₄-Pulvern, deren Gehalt an metallische Verunreinigungen in der Regel zwischen 20 und 1000 ppm liegt (Beispiele siehe Tab. 1), wie sie z. B. bei der Fa. SKW Trostberg oder der Fa. UBE erhältlich sind, durch Nachreinigung sehr wohl noch weitaus reinere Si₃N₄- Pulver hergestellt werden können, als der Stand der Technik dies vermuten lässt. Tab. 1:

  
• Die Mahlung des Silizimnitrid-Pulvers erfolgt vorzugsweise in einer für die Pulveraufbereitung üblichen Mahlapparatur (z. B. einer Strahlmühle, Walzenmühle, Kugelmühle oder einem Attritor). Ziel des Mahlprozesses ist die Zerstörung von Aggregaten und Agglomeraten sowie die Verkleinerung der Primärpartikel. Dadurch kommt es zu einer Oberflächenvergrößerung des Si₃N₄-Pulvers, welche einen verbesserten Angriff der Säure bei der nachfolgenden Reinigung erlaubt.
• Zur Mahlung können keramische, säurebeständige Mahlkugeln verwendet werden (z. B. Al₂O₃, SiO₂, Mullit, Zirkonsilikat). Als Mahlkugeln eignen sich bevorzugt SiO₂-Kugeln. Erfolgt die Mahlung mittels eines nasschemischen Mahlprozesses in einer Rührwerkskugelmühle oder einem Attritor, so können zusätzlich Dispergiermittel zum Einsatz kommen. Die Dispergiermittel sollen eine Reagglomeration der gemahlenen Primärpartikel verhindern. Vorzugsweise handelt es sich bei den Dispergiermitteln um Wasser, Alkohole, wie Ethanol, Isopropanol und Polyvinylalkohol, Ketone, wie Aceton, und organische Säuren, wie anionische Polyelektrolyte basierend auf Polyacrylsäure, z. B. käuflich erhältlich unter der Bezeichnung Dolapix CE64 bei der Fa. Zschimmer-Schwarz, bzw. um Gemische aus den genannten Reagenzien.
• In einer bevorzugten Ausführungsform der Mahlung kommt eine Strahlmühle zum Einsatz. In einer Strahlmühle werden die Partikel des Si₃N₄-Pulvers durch Luftströme mitgerissen, aufeinander geschleudert und beim Aufprall zerkleinert. Diese Technik arbeitet bei Verwendung von harten Keramiken (Vickers-Härte > 17 × 10³ Nmm^–2 wie Al₂O₃ oder SiC) im Mahlraum, hochreinen Kunststoffen, wie Polytetrafluorethylen (PTFE), Perfluor/Alkoxyalkan-Copolymer (PFA), Polyvinylidenfluorid (PVDF) und Polyetheretherketon (PEEK), im Bereich von Transferleitungen und Elastomeren, wie Naphthylen-1,5-Diisocyanat (Handelsname Vulkollan), im Bereich von Prallflächen völlig verschleißfrei. Wird darüber hinaus hochreine Mahlluft, d. h. vorzugsweise Luft der Reinraumklasse 1000 bis 10000 verwendet, dann ist dieser Prozessschritt frei von Kontaminationen jeglicher Art.
• An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass eine perfekt hochreine Mahlung nicht zwingend notwendig ist, weil die bei der Mahlung entstandenen Oberflächenverunreinigungen im anschließenden Auslaugeschritt leichter entfernt werden können als Verunreinigungen, die von vornherein im Si₃N₄-Korn gebunden sind. Für eine höhere Effizienz des Auslaugeschrittes ist dennoch eine möglichst kontaminationsfreie Arbeitsweise im vorgelagerten Mahlschritt anzustreben.
• Bei einer Mahlung von Standard-Si₃N₄-Pulvern mit D(50) = 2,5 μm und D(90) = 7,5 μm (z. B. Si₃N₄-Pulver vom Typ SQ der Fa. SKW Trostberg) erfolgt die Mahlung vorzugsweise, bis eine mittlere Korngröße zwischen 0,2 μm und 1,0 μm erreicht ist. Bei einer Mahlung von sehr feinkörnigen Si₃N₄-Ausgangspulvern mit D(50) = 0,5 μm und D(90) = 3,0 μm (z. B. Si₃N₄-Pulver vom Typ E10 der Fa. UBE), erfolgt die Mahlung bis zu einer mittleren Korngröße zwischen 0,2 und 0,5 μm.
• Die sich an die Mahlung anschließende Reinigung des Si₃N₄-Pulvers wird durch Auslaugung mittels Säuren bei einer Temperatur im Bereich von 20 bis 1300°C durchgeführt. In einer bevorzugten Ausführungsform werden heiße Säuren verwendet. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform sind die Säuren so heiß, dass sie bereits teilweise oder ganz gasförmig vorliegen.
• Als Säuren können starke anorganische Säuren, wie Salzsäure, Salpetersäure oder Flußsäure, oder organische Säuren, wie Ameisensäure oder Essigsäure, verwendet werden. Die Säuren können mit Wasser bzw. mit einem organischen Lösungsmittel, wie Methanol oder Ethanol, verdünnt werden.
• Bevorzugt werden anorganische Säuren einzeln oder im Gemisch miteinander eingesetzt. Besonders bevorzugt verwendet man Salzsäure.
• Für eine hohe Effizienz des Auslaugungsschrittes ist es bevorzugt, dass die Säuren möglichst konzentriert vorliegen, vorzugsweise wird daher von unverdünnten Säuren Gebrauch gemacht.
• Vorzugsweise erfolgt die Auslaugung mittels Säuren bei einem Mischungsverhältnis Säure: Si₃N₄-Pulver von 1:2 bis 4:1. Ein typisches Mischungsverhältnis konz. Säure: Si₃N₄-Pulver lautet 2:1.
• Das Abtrennen des Si₃N₄-Pulvers aus dem Gemisch erfolgt vorzugsweise durch Dekantation, Zentrifugation oder Filtration.
• Im nächsten Schritt wird das Si₃N₄-Pulver mit Reinstwasser ausgewaschen, von Säurerückständen befreit und anschließend getrocknet.
• Unter Reinstwasser ist vorzugsweise Wasser mit einem elektrischen Widerstand von ≥ 18 MΩ·cm zu verstehen.
• Die Trocknung des Si₃N₄-Pulvers erfolgt vorzugsweise mit herkömmlichen Trocknungsapparaturen, wie Trockenschrank, Wirbelbett oder Mikrowelle. Bevorzugt wird eine Mikrowellentrocknung eingesetzt, weil die Energieübertragung zur Trocknung eine Strahlungsquelle darstellt, die ohne besondere Berücksichtigung von speziellen Werkstoffen kontaminationsfrei arbeitet.
• Zur weiteren Verbesserung der Reinheit des Si₃N₄-Pulvers können die Verfahrensschritte Reinigung, Abtrennen und Waschen auch mehrfach, d. h. vorzugsweise 2- bis 5fach, erfolgen.
• Setzt man das Säure-Si₃N₄-Gemisch einer Temperaturbehandlung aus, so wird die Kinetik der Auslaugung dadurch beschleunigt. Bei Temperaturen in einem Bereich von 20°C bis 200°C liegt die Säure entweder flüssig oder gasförmig vor. Mit Hilfe eines Rückflusskühlers kann man dafür sorgen, dass die verdampfte Säure wieder rekondensiert. In diesem Fall erzeugt man ein sehr reaktives Gemisch aus flüssigen und gasförmigen Anteilen, das sehr gute Auslaugungseffekte bewirkt.
• Wird die Auslaugung bei hohen Temperaturen (200°C-1300°C) durchgeführt, bei der die Säure hauptsächlich gasförmig vorliegt, kann zur Verbesserung der Nachreinigungswirkung der Säure ein halogenhaltiges Behandlungsgas zugegeben werden. Das halogenhaltige Behandlungsgas unterstützt die Reinigungswirkung der Säure, dadurch dass Verunreinigungen, die mit Halogenen flüchtige Reaktionsprodukte bilden, noch wirksamer aus dem Pulver entfernt werden. Als halogenhaltiges Behandlungsgas kommen Fluor-, Chlor-, Brom-, Jodgas, gasförmige Verbindungen dieser Elemente und gasförmige Gemische der Elemente und Verbindungen in Frage. Besonders bevorzugt als halogenhaltiges Behandlungsgas ist Chlorgas.
• Das Mengenverhältnis in dem Gemisch aus HCl-Gas und Cl₂-Gas beträgt vorzugsweise 10:1 bis 2:1.
• Der Reinigungsgrad hängt auch von der Behandlungsdauer (vorzugsweise 5 bis 50 h) des Si₃N₄-Pulvers mit Säure und halogen haltigen Behandlungsgas und von der Behandlungstemperatur ab. Bei einer höheren Temperatur reagiert das Behandlungsgas schneller mit den metallischen Verunreinigungen, so dass mit steigender Temperatur ein besserer Reinigungseffekt zu beobachten ist. Daher erfolgt die Reinigung vorzugsweise bei einer Temperatur von 1000°C bis 1300°C. Bei der hohen Behandlungstemperatur diffundieren in dem teilchenförmigen Siliziumnitrid enthaltene Verunreinigungen an die Teilchenoberfläche, reagieren dort mit der gasförmigen Atmosphäre zu flüchtigen Chlorverbindungen, die dann in Form von Dämpfen aus der Kammer entfernt werden. In der technischen Ausführungsform durchströmen das Chlor- und HCl-Gas die Auslaugungskammer und reißen die flüchtigen Chlorverbindungen als Matrixgase mit.
• Wird die Reinigung bei gleichzeitiger Mahlung durchgeführt, so können die besten Reinheiten erhalten werden. Die durch Temperaturbehandlung erweichte Körnung neigt zur Agglomeratbildung, was den freien Zutritt des Behandlungsgases zur Oberfläche der einzelnen Körner erschwert und die Reinigungswirkung des Behandlungsgases beeinträchtigt. Eine gleichzeitige Mahlung verhindert die Agglomeration. Vorzugsweise wird die Reinigung bei gleichzeitiger Mahlung bzw. Dispergierung mittels Dissolver durchgeführt.
• Die Kombination der Verfahrensschritte Reinigung und Mahlung erfolgt vorzugsweise in einer Kammer aus einem verschleißfreien Werkstoff unter Verwendung von säurebeständigen keramischen Mahlkugeln. Als Werkstoffe für Kammer und Mahlkugeln kommen vorzugsweise Quarzglas, Al₂O₃ und synthetischer Mullit in Frage. Die Kammer enthält dabei einen Inliner aus einem der genannten Werkstoffe.
• Anstelle von Mahlkugeln kann ein bei hoher Umdrehungszahl (1000-10000 U/Min.) arbeitender Dissolver zur Vermeidung von Reagglomeration eingesetzt werden. Der Dissolver besteht vor zugsweise aus einem harten, hochreinen Kunststoff (Kugeldruckhärte > 120 MPa, wie bei Delrin (Polyoxymethylen Homopolymer) und Rilsan (Polyamid 12 mit 25% Glasfaser).
• Nach dem Schritt der kombinierten Mahlung und Reinigung wird in einem zweiten Schritt die Abtrennung des Flüssigkeit-Gas-Gemisches vom gereinigten Si₃N₄-Pulver durchgeführt. Daraufhin erfolgt in einem dritten Schritt das Waschen des Si₃N₄-Pulvers mit hochreinem Wasser. Wiederum gilt, dass die besten Reinheiten erzielt werden, wenn die genannten 3 Schritte mehrfach, vorzugsweise 2- bis 5fach, hintereinander durchgeführt werden. Die Trocknung des nachgereinigten Pulvers erfolgt vorzugsweise mittels einer Mikrowelle.
• Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
• Beispiel 1: Nachreinung mit konz. HCl und 100°C
• Ein Si₃N₄-Pulver des Typs SQ mit einer mittleren Korngröße von 2,5 μm und einer Kontamination von 103,5 ppm bezogen auf die Elemente Fe, Ni, Cr, Ca, Na, K und Ti (käuflich erhältlich bei SKW Trostberg) wird durch Mahlung mit einer Strahlmühle auf eine Körnung einer mittleren Korngröße von 0,5 μm zerkleinert. Die Mahlung erfolgt mit Hilfe von 3 in einer Ebene angeordneten Luftstrahlen. Die Menge an durchgesetzter hochreiner Luft beträgt 150 m³/h bei einem Druck von 5 bar. Das im Feingutaustrag befindliche Sichterrad dreht mit 18000 U/Min.
• 100 g des gemahlenen Si₃N₉-Pulvers werden 10 h mit 200 ml konz. HCl bei 100°C ausgelaugt. Ein Rückflusskühler sorgt für eine Rekondensation der verdampften Säure. Die Säure wird dekantiert, 200 ml frische konz. HCl werden zugegeben und das Pulver erneut für 10 h bei 100°C ausgelaugt. Die Säure wird wieder dekantiert. Das ausgelaugte Si₃N₄-Pulver wird mit 400 ml Reinstwasser unter Rühren vermischt. Nach 30 Min. Einwirkzeit unter Rühren wird das Wasser dekantiert und das Si₃N₄-Pulver mittels einer Mikrowelle getrocknet.
• Das resultierende Si₃N₄-Pulver enthält nur mehr 4 ppm Verunreinigungen. Tab. 2.

  
• Die Reinheiten wurden mittels ICP-AES (induktiv gekoppeltes Plasma und Atomemissionsspektroskopie) bzw. ICP-MS (induktiv gekoppeltes Plasma und Massenspektrometrie) ermittelt.
• Beispiel 2: Nachreinigung mit konz. HCl und 80°C unter intensivem Dispergieren
• Ein Si₃N₄-Pulver des Typs E10 mit einer mittleren Korngröße von 0,5 μm und einer Kontamination von 24 ppm bezogen auf die Elemente Fe, Ni, Cr, Ca, Na, K und Ti (käuflich erhältlich bei Fa. UBE) wird durch Mahlung mit einer Strahlmühle auf eine Körnung von 0,3 μm zerkleinert. Die Mahlung erfolgt mit Hilfe von 3 in einer Ebene angeordneten Luftstrahlen. Die Menge an durchgesetzter hochreiner Luft beträgt 170 m³/h bei einem Druck von 6 bar. Das im Feingutaustrag befindliche Sichterrad dreht mit 22000 U/Min.
• 100 g des gemahlenen Si₃N₄-Pulvers werden mit 200 ml konz. HCl versetzt. Die Suspension wird auf 80°C erwärmt und unter diesen Bedingungen 10 h unter Rühren mittels Dissolver bei 1000 U/Min. Rührintensität ausgelaugt. Ein Rückflusskühler sorgt für eine Rekondensation der verdampften Säure. Die Säure wird dekantiert, 100 ml frische konz. HCl werden zugegeben und das Pulver erneut für 10 h unter intensivem Rühren ausgelaugt. Die Säure wird dekantiert. Die Prozesskette Auslaugen-Dekantieren wird insgesamt fünfmal durchgeführt. Das ausgelaugte Si₃N₄-Pulver wird dann mit 300 ml Reinstwasser unter Rühren (500 U/Min.) vermischt. Nach 30 Min. Einwirkzeit unter Rühren wird das Wasser dekantiert und das Si₃N₄-Pulver mittels einer Mikrowelle getrocknet.
• Das resultierende Si₃N₄-Pulver enthält nur mehr 0,71 ppm Verunreinigungen. Tab. 3:

  
• Die Reinheiten wurden mittels ICP-MS und ETV-ICP-MS (elektrothermische Verdampfung und induktiv gekoppeltes Plasma und Massenspektroskopie) ermittelt.
• Beispiel 3: Nachreinigung mit konz. HCl, Cl₂, 1000°C
• Ein Si₃N₄-Pulver des Typs E10 mit einer mittleren Korngröße von 0,5 μm und einer Kontamination von 24 ppm bezogen auf die Elemente Fe, Ni, Cr, Ca, Na, K und Ti wird durch Mahlung mit einer Strahlmühle auf eine Körnung von 0.3 μm zerkleinert. Die Mahlung erfolgt mit Hilfe von 3 in einer Ebene angeordneten Luftstrahlen. Die Menge an durchgesetzter hochreiner Luft beträgt 170 m³/h bei einem Druck von 6 bar. Das im Feingutaustrag befindliche Sichterrad dreht mit 22000 U/Min.
• 100 g des gemahlenen Si₃N₄-Pulvers werden mit 200 ml konz. HCl versetzt. Die Suspension wird auf 80°C erwärmt und unter diesen Bedingungen 1.0 h unter Rühren mittels Dissolver bei 1000 U/Min.
• Rührintensität ausgelaugt. Ein Rückflusskühler sorgt für eine Rekondensation der verdampften Säure. Die Säure wird dekantiert, 100 ml frische konz. HCl werden zugegeben und das Pulver erneut für 10 h unter intensivem Rühren ausgelaugt. Die Säure wird dekantiert. Die Prozesskette Auslaugen-Dekantieren wird insgesamt fünfmal durchgeführt. Das ausgelaugte Si₃N₄-Pulver wird dann mit 300 ml Reinstwasser unter Rühren (500 U/Min.) vermischt. Nach 30 Min. Einwirkzeit unter Rühren wird das Wasser dekantiert und das Si₃N₄-Pulver mittels einer Mikrowelle getrocknet.
• Das nachgereinigte Pulver wird in einem Wirbelbett bei 1000°C mittels eines Gasstromes aus HCl und Cl₂ behandelt. Die Wirbelbettkammer ist aus dem Werkstoff Quarzglas ausgekleidet. 200 g Si₃N₄-Pulver werden von 0.5 l/Min. des Gasgemisches durchströmt. Das Konzentrationsverhältnis von HCl zu Cl₂ beträgt 7:1. Das Pulver wird 2 h behandelt. Nach der Behandlung und Abkühlung wird das Pulver mit 400 ml Reinstwasser gewaschen und getrocknet.
• Das resultierende Si₃N₄-Pulver enthält nur mehr 0,08 ppm Verunreinigungen. Tab. 4:

  
• Die Reinheiten wurden mittels ICP-MS und ETV-ICP-MS ermittelt (* = unterhalb Nachweisgrenze von 0,005 ppm).

Claims (15)

1. Si₃N₉-Pulver mit einer Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 10 ppm.
2. Si₃N₉-Pulver mit einer Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 1 ppm.
3. Si₃N₉-Pulver mit einer Summe an metallischen Verunreinigungen kleiner 100 ppb.
4. Verfahren zur Herstellung eines Si₃N₄-Pulvers gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet dass es folgende Schritte umfasst: Konditionierung eines Si₃N₉-Pulvers mittels einer Mahlung, Reinigung des gemahlenen Si₃N₉-Pulvers durch eine Säure im flüssigen oder gasförmigen Zustand, Abtrennen des Si₃N₉-Pulvers von dem Gemisch, Waschen des Si₃N₉-Pulvers mit hochreinem Wasser, Trocknen des Si₃N₉-Pulvers.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigung bei gleichzeitiger Mahlung bzw. Dispergierung mittels Dissolver durchgeführt wird.
6. Verfahren gemäß der Ansprüche 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Si₃N₉-Pulver mit einem Gehalt an metallischen Verunreinigungen von 20 und 1000 ppm eingesetzt wird.
7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Mahlung mittels einer Strahlmühle, Walzenmühle, Kugelmühle oder eines Rttritors erfolgt.
8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Mahlung auf eine mittlere Korngröße zwischen 0,2 und 0,5 μm erfolgt.
9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigung des Si₃N₉-Pulvers durch Auslaugung mittels einer Säure bei einer Temperatur im Bereich von 20 bis 1300°C durchgeführt wird.
10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtrennen des Si₃N₉-Pulvers durch Dekantation, Zentrifugation oder Filtration erfolgt.
11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Waschen mit Reinstwasser mit einem Widerstand von ≥ 18 MΩ·cm erfolgt.
12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass Reinigung, Abtrennen und Waschen 2- bis 5fach, erfolgen.
13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigung bei einer Temperatur von 200°C bis 1300°C durchgeführt wird und der Säure ein halogenhaltiges Behandlungsgas zugegeben wird.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass als halogenhaltiges Behandlungsgas ausgewählt ist aus der Gruppe Fluor-, Chlor-, Brom-, Jodgas, gasförmige chemische Verbindung dieser Elemente und deren gasförmige Gemische.
15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Trocknung des nachgereinigten Pulvers mit einer Mikrowelle erfolgt.