DE102005039278A1 - Leistungshalbleitermodul mit Leitungselement - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse, Lastanschlusselmenten und einer Mehrzahl innerhalb des Gehäuses angeordneter gleichartiger Substrate. Diese weisen metallische Verbindungsbahnen unterschiedlicher Polarität sowie hierauf angeordnete Leistungshalbleiterbauelemente auf. Oberhalb und beabstandet von den Substraten ist mindestens ein Leitungselement angeordnet, das ein Lastanschlusselement und eine Verbindungsbahn mindestens eines nicht direkt zu diesem Lastanschluss benachbarten Substrats gleicher Polarität verbindet, wobei bei einer Mehrzahl derartiger Leitungselemente diese eng benachbart zueinander angeordnet sind. Alternativ sind bei in Reihe angeordneten Substraten und hierauf entlang der Längsachse der Reihe angeordneten Verbindungsbahnen diese Verbindungbahnen der positiven und der negativen Polarität bei aufeinander folgenden Substraten alternierend angeordnet und mindestens zwei Leitungselemente verbinden Verbindungsbahnen jeweils gleicher Polarität der Substrate.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul bestehend aus einem Gehäuse vorzugsweise mit einer Grundplatte zur Montage auf einem Kühlkörper und mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl darauf befindlicher gegeneinander isolierter metallischer Verbindungsbahnen und hierauf befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen. Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul Anschlusselemente für externe Last- und Hilfskontakte und auch Verbindungselemente für Verbindungen im Inneren des Leistungshalbleitermoduls auf.
  • Leistungshalbleitermodule, die Ausgangspunkt dieser Erfindung sind, sind beispielhaft bekannt aus der DE 103 16 356 A1 und DE 103 33 329 A1 . Diese Druckschriften offenbaren jeweils Leistungshalbleitermodule in Form einer Halbbrückenschaltungsanordnung mit einem ersten und einem zweiten Leistungsschalter. Jeder dieser Leistungsschalter ist ausgebildet als eine Parallelschaltung von Leistungstransistoren mit jeweils einer zugeordneten Freilaufdiode. Je ein erster und ein zweiter Leistungstransistor mit zugeordneter Leistungsdiode ist hierbei auf einem eigenen Substrat angeordnet. Die Substrate sind gleichartig ausgebildet, weisen also einen grundsätzlich identischen Verlauf der Leiterbahnen auf. Die Unterschiede liegen ausschließlich in Hilfsverbindungsbahnen, beispielhaft für Sensoren, die nicht auf jedem Substrat vorgesehen sind.
  • Gemäß den als Stand der Technik genannten Druckschriften sind die Substrate derartiger Leistungshalbleitermodule ausgebildet als isolierende Substrate bestehend aus einem Isolierstoffkörper als Trägermaterial und zur elektrischen Isolierung zu einer Grundplatte oder zu einem Kühlkörper. Dieser Isolierstoffkörper besteht nach dem Stand der Technik aus einer Industriekeramik beispielhaft Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrit. Auf diesem Isolierstoffkörper auf dessen dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten ersten Hauptfläche befindet sich eine Mehrzahl von gegeneinander elektrisch isolierten metallischen Verbindungsbahnen. Auf diesen wiederum sind die Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet.
  • Meist weist der Isolierstoffkörper auf seiner dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls abgewandten zweiten Hauptfläche ebenfalls eine metallische Schicht gleichen Materials und gleicher Dicke wie diejenige der Verbindungsbahnen auf der ersten Hauptfläche auf. In der Regel ist diese Schicht allerdings nicht in sich strukturiert, da sie beispielhaft der Lötverbindung zu einer Grundplatte dient. Die Verbindungsbahnen sowie die metallische Schicht der zweiten Hauptfläche besteht vorzugsweise aus nach dem DCB (direct copper bonding) Verfahren aufgebrachten Kupfer, wobei das Kupfer hierbei eine typische Dicke von weniger als 1 mm aufweist.
  • Weiterhin weisen die genannten Leistungshalbleitermodule nach dem Stand der Technik Lastanschlusselemente auf, wobei diese jeweils im Bereich der kürzeren Außenseite des Gehäuses angeordnet sind. Diese Lastanschlusselemente für die beiden Gleichstromanschlüsse und für den Wechselstromanschluss sind als bandartiger Metallformkörper ausgestaltete. Die Lastanschlusselemente verbinden äußere Kontaktierungen mit zugeordneten Verbindungsbahnen auf dem ersten jeweils zum Lastanschlusselement benachbarten Substrat. Die Verbindungsbahnen gleicher Polarität der einzelnen Substrate untereinander sind mittels einzelner Verbindungselemente ausgebildet.
  • Moderne Leistungshalbleiterbauelemente, besonders Leistungstransistoren, weisen zunehmend eine höhere Stromtragfähigkeit pro Fläche auf. Somit kann bei gegebenen Abmessungen eines Leistungshalbleitermoduls dessen gesamte Leistung, die direkt mit der Stromtragfähigkeit der Leistungsschalter skaliert, gesteigert werden, durch den Einsatz von Leistungshalbleiterbauelementen gleicher Größer und höherer Stromtragfähigkeit. Da wie oben beschrieben die Verbindungsbahnen gleicher Polarität der einzelnen Substrate innerhalb des Leistungshalbleitermoduls miteinander verbunden sind, fließen der Strom für alle einzelnen Substrate bereits durch dasjenige Substrat, das mit dem Lastanschlusselement verbunden ist. Somit erweist sich als begrenzende Größe für die Leistungsfähigkeit von derartigen Leistungshalbleitermodulen die Stromtragfähigkeit der Verbindungsbahnen.
  • Weiterhin nachteilig an Leistungshalbleitermodulen nach dem genannten Stand der Technik ist, dass die Verbindungsbahnen positiver und negativer Polarität auf Grund der möglichst Platz sparenden Gesamtanordnung nicht direkt benachbart angeordnet sind, sondern zwischen ihnen die Wechselstromverbindungsbahn angeordnet ist. Diese Anordnung geht im Schaltbetrieb einher mit nachteiligen parasitären Induktivitäten.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl gleichartiger Substrate oder Substratabschnitte weiterzubilden, wobei die Leistungsfähigkeit bei gegebener Ausgestaltung der Substrate gesteigert wird und hierbei die Stromtragfähigkeit der Zuleitungen zu den einzelnen Substraten bei gleich bleibender Grundfläche erhöht wird und/oder die parasitären Induktivitäten im Leistungshalbleitermodul verringert werden.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, durch die Maßnahmen der Merkmale der Ansprüche 1 und 2. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen beschrieben.
  • Der erfinderische Gedanke geht aus von einem Leistungshalbleitermodul vorzugsweise mit einer Grundplatte zur Montage auf einem Kühlkörper. Dieses Leistungshalbleitermodul weist mindestens folgende Komponenten auf: ein Gehäuse, Anschlusselemente für Last- und Hilfsanschlüsse, eine Mehrzahl von gleichartigen Substraten oder Substratabschnitten jeweils mit Verbindungsbahnen und mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement pro Substrat oder Substratabschnitt.
  • Die Anschlusselemente für Lastanschlüsse führen vorzugsweise jeweils im Bereich der kürzeren Außenseite des Gehäuses aus diesem heraus und dienen der elektrischen Verbindung der im Gehäuseinneren angeordneten Leistungsschalter. Die zur Grundplatte oder einem Kühlkörper elektrisch isolierend ausgebildeten Substrate oder Substratabschnitte bestehen ihrerseits jeweils aus einem Isolierstoffkörper, vorzugsweise einer Industriekeramik, und hierauf, auf dessen der Grundplatte oder dem Kühlkörper abgewandten ersten Hauptfläche befindlich, einer Mehrzahl von gegeneinander elektrisch isolierten metallischen Verbindungsbahnen. Auf diesen Verbindungsbahnen sind Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet und schaltungsgerecht verbunden.
  • Oberhalb und beabstandet von den Substraten oder Substratabschnitten ist mindestens ein Leitungselement angeordnet, das mit einem Lastanschlusselement und einer Verbindungsbahn mindestens eines nicht direkt zu diesem Lastanschluss benachbarten Substrats oder Substratabschnitts gleicher Polarität verbunden ist. Vorzugsweise sind eine Mehrzahl derartiger Leitungselemente vorgesehen, bevorzugt für die Anschlüsse negativer und positiver Polarität, wobei diese Leitungselemente dann eng benachbart zueinander angeordnet sind.
  • Bei einer Anordnung von gleichartigen Substraten oder Substratabschnitten in Reihe und bei hierauf angeordneten Verbindungsbahnen, die entlang der Längsachse der Reihenanordnung vorgesehen sind ist es bevorzugt, wenn die Verbindungsbahnen der positiven und der negativen Polarität bei aufeinander folgenden Substraten oder Substratabschnitten alternierend angeordnet sind und mindestens zwei Leitungselemente die Verbindungsbahnen gleicher Polarität der Substrate oder Substratabschnitte verbinden.
    •
  • Der erfinderische Gedanke wird anhand der Ausführungsbeispiele der 1 bis 7 näher erläutert.
  • 1 und 2 zeigen ein Leistungshalbleitermodul nach dem Stand der Technik.
  • 3 und 4 zeigen eine erste Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
  • 5 zeigt eine zweite Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
  • 6 zeigt eine dritte Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
  • 7 zeigt eine dreidimensionale Darstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls.
  • 1 und 2 zeigen ein Leistungshalbleitermodul (1) in Halbbrückenschaltungsanordnung nach dem Stand der Technik wie es Ausgangspunkt der Erfindung ist. 1 zeigt die Draufsicht und 2 einen Längsschnitt entlang der Linie A-A der 1. Das Leistungshalbleitermodul (1) weist eine Grundplatte (2) auf, worauf das das rahmenartige Gehäuse (3) sowie zwei Substrate (5) angeordnet sind. Jedes Substrat (5) besteht aus einem Isolierstoffkörper (54) sowie aus metallischen Kaschierungen, die auf beiden Hauptflächen angeordnet sind. Die der Grundplatte (2) zugewandte metallische Kaschierung (53) ist flächig ausgebildet und nicht strukturiert. Mittels einer Lötverbindung zwischen dieser Kaschierung (53) und der Grundplatte (2) werden diese zueinander fixiert. Demgegenüber ist die dem Leistungshalbleitermodulinneren zugewandte Kaschierung in sich strukturiert und bildet somit die Verbindungsbahnen (52a/b/c) des Substrats (5) aus.
  • Auf diesen Verbindungsbahnen (52a/c) sind die Leistungshalbleiterbauelemente (80) angeordnet. Die elektrischen Anschlusselemente bilden die Leistungs- (42) und die nicht explizit dargestellten Hilfsanschlüsse. Die schaltungsgerechte Verbindung der Leistungshalbleiterbauelemente (80) mit den Verbindungsbahnen (52b/c) ist als Bondverbindung (46) ausgebildet.
  • Die Anschlusselemente (42) der Leistungsanschlüsse werden gebildet durch Metallformkörper, die an ihrem einen Ende löttechnisch mit der zugeordneten Verbindungsbahn (52a/b/c) des direkt benachbarten Substrats (5) stumpf verbunden sind und an ihrem anderen Ende eine Ausnehmung zur Schraubverbindung aufweisen.
  • Jedes Substrat (5) weist je eine in Richtung der Längsachse des Leistungshalbleitermoduls (1) verlaufende Verbindungsbahn (52a/b) für Leistungsanschlüsse positiver und negativer Polarität sowie eine Wechselstrom führende Verbindungsbahn (52c) auf, wobei diese mittig zwischen den beiden Verbindungsbahnen (52a/b) des Gleichstroms angeordnet ist. Dies ist vorteilhaft um möglichst groß dimensionierte Leistungshalbleiterbauelement (80) auf möglichst kleiner Grundfläche anzuordnen. Weiterhin sind Verbindungsbahnen (52) für Steuer- und Hilfsanschlüsse auf dem Substrat (5) angeordnet. Auf jedem Substrat (5) ist ein ersten und ein zweiter Leistungstransistor jeweils mit antiparallel geschalteter Freilaufdiode angeordnet. Die Mehrzahl von ersten und zweiten Leistungstransistoren in Parallelschaltung auf einer Mehrzahl von Substraten (5) bildet somit die beiden Leistungsschalter der Halbbrückenschaltung aus. Hierzu sind die Verbindungsbahnen (54) der Leistungsanschlüsse mittels Lötverbindern (44) miteinander elektrisch leitend verbunden.
  • 3 und 4 zeigen ein erfindungsgemäß weitergebildetes Leistungshalbleitermodul (1). Hierbei sind die Lötverbinder (44), gemäß 1 oder 2, der Gleichstromverbindungsbahnen ersetzt durch Leitungselemente (60). Diese Leitungselemente (60) sind oberhalb und beabstandet von den Substraten (5) angeordnet. Die Lötverbinder der Verbindungsbahnen (52c) des Wechselstroms entsprechen hierbei weiterhin dem Stand der Technik, könnten allerdings ebenso durch ein drittes Verbindungselement ersetzt werden.
  • 3 zeigt den Verlauf zweier Leitungselemente (60), je eines für die beiden Gleichstromanschlüsse des Leistungshalbleitermoduls (1), wobei diese Leitungselemente (60) hierbei ausgebildet sind als je ein Metallformteil analog den Leistungsanschlusselementen (40, 42). Mit den Leistungsanschlusselementen (40) sind die Leitungselemente (60) vorzugsweise mittels einer Lötverbindung verbunden. Die Verbindung zu den Verbindungsbahnen (52a/b) der Substrate (5) erfolgt ebenfalls mittel Lötverbindung an den Verbindungsstellen (62). Die Leitungselemente (60) übernehmen den Stromanteil für das zweite und dritte Substrat (5) und entlasten so die Verbindungsbahn (52a/b) auf dem ersten Substrat (5) von der Führung dieser Ströme. Dies ist speziell bei der Verbindungsbahn (54) negativer Polarität vorteilhaft, weil diese keine Leistungshalbleiterbauelement (80) trägt und somit einen geringeren Querschnitt im Vergleich zu den anderen Laststrom führenden Verbindungsbahnen aufweist. Die beiden Leitungselemente (60) sind im wesentlichen Teil ihres Verlaufs eng benachbart und parallel angeordnet, wodurch die parasitären Induktivitäten des Leistungshalbleitermoduls (1) deutlich verringert werden.
  • In der Schnittansicht gemäß 4 ist dargestellt, dass das jeweilige Verbindungselement (60) mit dem Lastanschlusselement (40) und auch mit der zugeordneten Verbindungsbahn (52) des Substrats (5) mittels einer Lötverbindung verbunden ist. Weiterhin ist der Verlauf oberhalb der Substratebene dargestellt. Durch diesen Verlauf eines Leitungselements (60) parallel zum Substrat (5), wobei auch die jeweiligen Hauptflächen des Substrats und des Leitungselements parallel zueinander verlaufen, ist die Verwendung dieser erfinderischen Weiterbildung auch in Leistungshalbleitermodulen (1) geringer Bauhöhe einsetzbar.
  • 5 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls (1). Hierbei ist im Vergleich zur 4 die Anbindung des Leitungselements (60) an das Lastanschlusselemente (40) sowie an die zugeordnete Verbindungsbahn (52) des Substrats (5) unterschiedlich. Für beide Verbindungen bieten sich neben der in 4 dargestellten Lötverbindung auch weitere hier dargestellte Verbindungstechniken an. Besonders bevorzugt sind hierbei Bondverbindungen (66) und/oder druckkontaktierte elastische Verbindungen mittels Federelementen (64).
  • Bei derartigen Verbindungen sind auch andere Ausgestaltungen des Leitungselements (70) bevorzugt. Beispielhaft ist hier die Ausgestaltung als DCB-Element geeignet. Eine derartige Verbindung mit einem Isolierstoffkörper (76) und darauf angeordneten Leitungsbahnen (72) entspricht der Technologie der Substrate (5). Hierbei sind dann für alle Polaritäten Leiterbahnen (72) mit gleichem Querschnitt vorsehbar. Ebenfalls sind bei einer derartigen Ausgestaltung auch beide Seiten des Isolierstoffkörpers (76) zur Stromleitung nutzbar. Dies erhöht einerseits die zur Stromleitung zur Verfügung stehende Querschnittsfläche und führt gleichzeitig zu einer eng benachbarten Stromführung, welche der niederinduktiven Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls (1) dient.
  • 6 zeigt eine dritte Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls (1). Dargestellte ist wiederum eine Halbbrückenschaltungsanordnung, wobei hier aus Gründen der Übersichtlichkeit die Leistungshalbleiterbauelemente nicht dargestellt sind. Bei dieser Ausgestaltung von drei gleichartigen Substrate (5) sind diese in Reihe angeordnet. Es kann sich hierbei um einzelne Substrate (5) oder wie auch bereits bei den vorhergehenden Ausführungsbeispielen um sog. Substratabschnitte handeln. Unter gleichartigen Substratabschnitten soll eine Analogie zu Einzelsubstraten verstanden werden, wobei einzelne Topologien von Verbindungsbahnen sich regelmäßig auf einem Isolierstoffkörper (54) wiederholen und somit eine schaltungstechnisch identische Topologie bilden, wie sie auch durch einzelne Substrate erzielbar wäre.
  • Wie auch gemäß 3 sind hier die einzelnen Verbindungsbahnen (52a/b/c) entlang der Längsachse der in Reihe angeordneten Substrate (5) ausgerichtet. Im Gegensatz zu 3 alterniert hierbei allerdings die Position der Verbindungsbahnen (52a /b) von Substrat zum benachbarten Substrat bezogen auf diese Längsachse. Somit ist auf dem ersten Substrat die Reihenfolge von oben nach unter betrachtet von positiver Polarität, Wechselstrom und negativer Polarität umgekehrt zum zweiten Substrat. Diese alternierende Anordnung wird für alle Substrate (5) beibehalten. Erfindungsgemäß sind hier schematisch dargestellte Verbindungselemente (70) angeordnet, die jeweils Verbindungsbahnen (52a/b) gleicher Polarität der Substrate (5) oder Substratabschnitte miteinander verbinden. Hierbei müssen diese Leitungselement (70) sich in ihrem Verlauf zwischen den Kontaktpunkten auf den jeweiligen Substraten kreuzen.
  • Es ist weiterhin bevorzugt, wenn die Leistungselemente (70), wie oben beschrieben, mit dem jeweils zugeordneten Lastanschlusselement (40) verbunden sind. Weiterhin ist hier die Ausgestaltung der Leitungselemente (70) als Isolierstoffkörper (76) mit zweiseitigen Leiterbahnen (72), gegenüber der Ausgestaltung als Metallformkörper, besonders bevorzugt. Ebenso ist bevorzugt, dass die Ausgestaltung der Verbindungselemente als ein Substrat mit einer Mehrzahl an Leiterbahnen (72), das Überkreuzen der einzelnen Strompfade besonders vereinfacht, da hierbei Leiterbahnabschnitte beispielhaft mittels Durchkontaktierungen (74) durch den Isolierstoffkörper (76) verbunden werden und somit die Leiterbahn (72) ausbilden.
  • Die hier dargestellte Ausführungsform ist bezüglich der Vermeidung parasitärer Induktivitäten besonders vorteilhaft, da hier entstehende magnetische Felder von Substrat (5) zu Substrat (5) sich auf Grund der entgegen gesetzten Feldrichtung zumindest teilweise gegenseitig auslöschen.
  • 7 zeigt in dreidimensionaler Darstellung ein Gleichrichtermodul bestehend aus der Reihenschaltung einer Diode (80a) und eines Thyristors (80b), wobei wiederum die Lastanschlusselemente (40, 42) jeweils im Bereich der kürzeren Außenseite des Gehäuses (3) angeordnet sind. Dargestellt ist hier ebenfalls ein Leistungshalbleitermodul (1) mit einer Grundplatte (2) und zwei Substraten (5), wobei hier auf Grund der notwendigen Größe der Leistungshalbleiterbauelement (80) und der begrenzten Platzverhältnisse die Stromzufuhr, hier positiver Polarität, zum zweiten Substrat nicht über die Verbindungsbahn (54) des ersten Substrats (5) möglich wäre. Vorteilhafterweise ist hierbei, dass das Lastanschlusselement (5) und das Leitungselement (60) zugehöriger Polarität einstückig ausgebildet sind. Das Leitungselement (60) kontaktiert die zugeordnete Verbindungsbahn (52) auf dem Substrat an zentraler Stelle, damit die Stromzufuhr zum Leistungshalbleiterbauelement (80b) über eine nicht dargestellte Bondverbindung mittig erfolgt und somit die gesamte Fläche des Leistungshalbleiterbauelement (80b) mit Strom beaufschlagt wird und somit die maximale Stromtragfähigkeit des Leistungshalbleiterbauelement (80b) erzielt wird. Weitere Verbindungen zwischen den Verbindungsbahnen (54) der Substrate (5) entsprechen Lötverbindung (44) nach dem Stand der Technik.

Claims (9)

  1. Leistungshalbleitermodul (1) mindestens bestehend aus einem Gehäuse (3), nach außen führenden Lastanschlusselementen (4), einer Mehrzahl innerhalb des Gehäuses (3) angeordneter elektrisch isolierender gleichartig ausgebildeter Substrate oder Substratabschnitte (5), wobei diese bestehen aus einem Isolierstoffkörper (54) und auf der dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten ersten Hauptfläche befindliche einer Mehrzahl von gegeneinander elektrisch isolierten metallischen Verbindungsbahnen (52a/b/c) unterschiedlicher Polarität, auf diesen Verbindungsbahnen angeordnet je Substrat oder Substratabschnitt mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement (80) mit Verbindungselementen zu dessen schaltungsgerechten Verbindung, wobei oberhalb und beabstandet von den Substraten (5) oder Substratabschnitten mindestens ein Leitungselement (60, 70) angeordnet ist, das mit einem Lastanschlusselement (40) und einer Verbindungsbahn (52a/b/c) mindestens eines nicht direkt zu diesem Lastanschluss (40) benachbarten Substrats (5) oder Substratabschnitts gleicher Polarität verbunden ist und bei einer Mehrzahl derartiger Leitungselemente (60, 70) diese eng benachbart zueinander angeordnet sind.
  2. Leistungshalbleitermodul (1) mindestens bestehend aus einem Gehäuse (3), nach außen führenden Lastanschlusselementen (4), einer Mehrzahl innerhalb des Gehäuses (3) angeordneter elektrisch isolierender gleichartig ausgebildeter Substrate oder Substratabschnitte (5), wobei diese bestehen aus einem Isolierstoffkörper (54) und auf der dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten ersten Hauptfläche befindliche einer Mehrzahl von gegeneinander elektrisch isolierten metallischen Verbindungsbahnen (52a/b/c) unterschiedlicher Polarität, auf diesen Verbindungsbahnen angeordnet je Substrat oder Substratabschnitt mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement (80) mit Verbindungselementen zu dessen schaltungsgerechten Verbindung, wobei die gleichartigen Substrate (5) oder Substratabschnitte in Reihe angeordnet sind und hierauf die Verbindungsbahnen (52a/b/c) entlang der Längsachse der Reihe angeordnet sind, wobei die Verbindungsbahnen (52a/b) der positiven und der negativen Polarität bei aufeinander folgenden Substraten oder Substratabschnitten alternierend angeordnet sind und mindestens zwei Leitungselemente (60, 70) die Verbindungsbahnen (52a/b/c) jeweils gleicher Polarität der Substrate oder Substratabschnitte verbinden.
  3. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Leitungselement (60, 70) ausgebildet ist als ein Metallformteil (60) oder als ein Isolierstoffkörper (76) mit mindestens einer darauf angeordneten Leiterbahn (72).
  4. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 3, wobei die Leitungselemente (70) ausgebildet sind als ein Isolierstoffkörper (76) mit einer Mehrzahl von Leiterbahnen (72) oder Leiterbahnabschnitten auf beiden Seiten des Isolierstoffkörpers (76) und die Leiterbahnabschnitte schaltungsgerecht miteinander verbunden sind und Leiterbahnen (72) bilden.
  5. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 4, wobei diese Verbindungen der Leiterbahnabschnitte als Durchkontaktierungen (74) durch den Isolierstoffkörper (76) ausgebildet sind.
  6. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Verbindung zwischen der Verbindungsbahnen (52a/b/c) des Substrats und dem zugeordneten Leitungselement (60, 70) ausgestaltet ist als eine Lötverbindung (62) oder eine Bondverbindung (66) oder mittels eines druckbeaufschlagten Federelements (64).
  7. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Verbindung zwischen dem Lastanschlusselement (40) und dem zugeordneten Leitungselement (6, 70) ausgestaltet ist als eine Lötverbindung (62) oder eine Bondverbindung (66) oder mittels eines druckbeaufschlagten Federelements (64).
  8. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leitungselemente (60, 70) an zentraler Stelle die zugeordnete Verbindungsbahn (52) auf dem Substrat (5) oder auf dem Substratabschnitt kontaktieren.
  9. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Lastanschlusselement (40) und das Leitungselement (60) zugehöriger Polarität einstückig ausgebildet sind.
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