DE102005028240A1 - Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben - Google Patents

Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben Download PDF

Info

Publication number
DE102005028240A1
DE102005028240A1 DE102005028240A DE102005028240A DE102005028240A1 DE 102005028240 A1 DE102005028240 A1 DE 102005028240A1 DE 102005028240 A DE102005028240 A DE 102005028240A DE 102005028240 A DE102005028240 A DE 102005028240A DE 102005028240 A1 DE102005028240 A1 DE 102005028240A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resist
pattern
mold plate
forming
photo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102005028240A
Other languages
English (en)
Inventor
Jin-Wuk Uiwang Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of DE102005028240A1 publication Critical patent/DE102005028240A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Abstract

Ein Verfahren zum Ausbilden eines Musters beinhaltet das Ausbilden einer Ätzobjektschicht auf einem Trägermaterial, Aufbringen eines Abdecklackes auf der Ätzobjektschicht, wobei der Abdecklack einen Photoinitiator und ein flüssiges Prepolymer, das eine Vinyl-funktionelle Gruppe und eine hydrophile funktionelle Gruppe beinhaltet, aufweist, Formgebung des Abdecklackes mittels einer Formplatte, die einen darin ausgebildeten Abdruck hat, und Aushärten des Abdecklackes, um ein Abdecklack-Muster auszubilden, während die Formplatte den Abdecklack entsprechend des Abdruckes ausbildet.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und ein Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben, und ganz besonders ein Verfahren zum Ausbilden eines Musters mittels eines In-Plane-Druckverfahrens und einen Abdecklack für das In-Plane-Druckverfahren.
  • Im Allgemeinen zeigt eine Flachbildschirm-Einheit, wie beispielsweise eine Flüssigkristallanzeige-Einheit (LCD), Bilder an, die an jedem Bildpunkt eine aktive Einheit verwenden. Beispielsweise weist die aktive Einheit einen Dünnschichttransistor auf. Eine derartige Anzeigeeinheit hat eine Mehrzahl von aktiven Einheiten, die in einer Matrix angeordnet sind und von einem Aktivmatrixsteuerverfahren angesteuert werden.
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine Struktur einer Flüssigkristallanzeige-Einheit gemäß dem Stand der Technik darstellt. In 1 weist eine LCD-Einheit eine Mehrzahl von Gitterleitungen 4 und Datenleitungen 6 auf, die sich gegenseitig überschneiden, wodurch eine Mehrzahl von Bildpunkten 1 definiert wird, die in einer Matrix angeordnet sind. Die Gitterleitungen 4 empfangen ein Abtastsignal, das von einer Steuer-Treiberschaltung (nicht gezeigt) angelegt wird, und die Datenleitungen 6 empfangen ein Bildsignal von einer Daten-Treiberschaltung (nicht gezeigt).
  • Zusätzlich weist die LCD-Einheit außerdem einen Dünnschichttransistor (TFT) als eine aktive Einheit in jedem der Bildpunkte 1 auf. Der TFT weist eine Gate-Elektrode 3, die mit entsprechend einer der Gitterleitungen 4 verbunden ist, eine Halbleiterschicht 8, die auf der Gate-Elektrode 3 ausgebildet ist, und eine Source-/Drain-Elektrode 5, die auf der Halbleiterschicht 8 ausgebildet ist, auf. Die Halbleiterschicht 8 wird aktiviert, wenn das Abtastsignal an der Gate-Elektrode 3 von der entsprechenden Gitterleitung 4 angelegt wird. Zusätzlich wird, wenn die Halbleiterschicht 8 aktiviert wird, das Bildsignal an der Source-/Drain-Elektrode 5 von entsprechend einer der Datenleitungen 6 angelegt.
  • Eine Bildpunktelektrode 10 ist an einem Anzeigebereich von jedem der Bildschirmpunkte 1 ausgebildet, die elektrisch mit der Source-/Drain-Elektrode 5 verbunden sind. Die Bildpunktelektrode 10 erzeugt ein elektrisches Feld mit einer anderen Elektrode, z.B. einer gewöhnlichen Elektrode (nicht gezeigt), um Flüssigkristallmoleküle (nicht gezeigt) in Übereinstimmung mit dem Bildsignal, das durch die Source-/Drain-Elektrode 5 angelegt wird, wenn die Halbleiterschicht 8 aktiviert wird, auszurichten. Als Folge wird das Ausrichten der Flüssigkristallmoleküle gesteuert, so dass die Lichtdurchlässigkeit hiervon gesteuert wird, um Bilder anzuzeigen.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die eine Struktur eines Dünnschichttransistors der Flüssigkristallanzeigeeinheit aus 1 darstellt. Wie in 2 gezeigt ist der TFT auf einem Trägermaterial 20 ausgebildet. Das Trägermaterial 20 ist aus einem transparenten Isolationsmaterial, wie beispielsweise Glas, gebildet. Insbesondere ist die Gate-Elektrode 3 auf dem Trägermaterial 20 ausgebildet, eine Gate-Isolationsschicht 22, ausgebildet auf der gesamten Oberfläche des Trägermaterials 20, das die Steuerelektrode 3 abdeckt, ist ausgebildet, die Halbleiterschicht 8 ist auf der Gate-Isolationsschicht 22 ausgebildet, die Source-/Drain-Elektrode 5 ist auf der Halbleiterschicht 8 ausgebildet, und eine Passivierungsschicht 25 ist auf der Source-/Drain-Elektrode 5 zum Schutz der Einheit ausgebildet.
  • Im Allgemeinen hat in einer LCD-Einheit vom Typ einer aktiven Matrix jeder Bildpunkt eine Größe von ungefähr mehreren Dutzend μm. Entsprechend muss die in dem Bildpunkt angeordnete aktive Einheit, wie zum Beispiel der TFT, so ausgebildet werden, dass sie eine geringe Größe von ungefähr mehreren μm hat. Wenn ferner die Anforderungen an eine Anzeige-Einheit mit hoher Bildqualität ansteigen, wie zum Beispiel eines HDTV, müssen mehr Bildpunkte auf einem Bildschirm mit gleicher Fläche angeordnet werden. Entsprechend muss ebenso ein Muster einer aktiven Einheit, das in jedem Bildpunkt mit Gitterleitungs-Muster und Datenleitungs-Muster angeordnet ist, eine noch kleinere Größe haben.
  • In Übereinstimmung mit dem Stand der Technik ist ein TFT, ein Muster oder eine Leitung mittels eines Photolithographie-Verfahrens mit Belichtungseinrichtung ausgebildet. Jedoch weist das Photolithographie-Verfahren eine Serie von Vorgängen auf, wie beispielsweise Ablagern eines Photolackes, einen Ausrichtungsvorgang, einen Belichtungsvorgang, einen Entwicklungsvorgang, einen Ätzungsvorgang, einen Ablösevorgang und dergleichen. Dadurch ist das Photolithographie-Verfahren zeitaufwendig.
  • Zusätzlich sind Photomasken und Belichtungseinrichtung, die in dem Photolithographie-Verfahren verwendet werden, teuer. Hauptsächlich nehmen die Herstellungskosten zu und die Produktivität sinkt, wenn man das Photolithographie-Verfahren zum Ausbilden von Mustern einer Flüssigkristallanzeigeeinheit mehrere Male wiederholt.
  • Beschreibung der Erfindung
  • Entsprechend betrifft die vorliegende Erfindung einen Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und ein Verfahren zum Ausbilden dieses Musters, das im Wesentlichen einen oder mehrere der mit Beschränkungen und Nachteile des Standes der Technik verbundener Probleme vermeidet.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Ausbilden eines Musters bereitzustellen, das ein In-Plane-Druckverfahren ohne Photomasken und Belichtungseinrichtung verwendet.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Abdecklack für das In-Plane-Druckverfahren bereitzustellen.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung offenbart, und diese werden zum Teil mit Hilfe der Beschreibung ersichtlich werden, oder durch den Gebrauch der Erfindung erlernt werden können. Die Zielsetzungen und zusätzlichen Vorteile der Erfindung werden durch die Gliederung, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen hiervon als auch in den beigefügten Zeichnungen aufgezeigt werden, realisiert und erreicht.
  • Um diese und weitere Vorteile in Übereinstimmung mit dem Zweck der vorliegenden Erfindung zu erzielen, wie sie hier verkörpert und allgemein beschrieben sind, beinhaltet ein Abdecklack zum Ausbilden eines Musters einen Photoinitiator und ein flüssiges Prepolymer, das eine Vinyl-funktionelle Gruppe und eine hydrophile funktionelle Gruppe aufweist.
  • In einem weiteren Aspekt weist ein Abdecklack zum Ausbilden eines Musters einen Photoinitiator, ein hydrophiles Prepolymer, das über eine Photoreaktion ein lineares Polymer ausbildet, und einen Photo-Säurebildner zum Aktivieren einer physikalischen Quervernetzungsreaktion des linearen Polymeres auf.
  • In einem noch weiteren Aspekt beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Musters das Ausbilden einer Ätzobjektschicht auf einem Trägermaterial, Aufbringen eines Abdecklackes auf der Ätzobjektschicht, wobei der Abdecklack einen Photoinitiator und ein flüssiges Prepolymer, das eine Vinyl-funktionelle Gruppe und eine hydrophile funktionelle Gruppe beinhaltet, aufweist, Formgebung des Abdecklackes mittels einer Formplatte, die einen darin ausgebildeten Abdruck hat und Aushärten des Abdecklackes, um ein Abdecklack-Muster auszubilden, während die Formplatte den Abdecklack entsprechend des Abdruckes ausbildet.
  • Es sollte selbstverständlich sein, das sowohl die vorangegangene allgemeine Beschreibung beispielhaft und erläuternd ist und die folgende detaillierte Beschreibung weitere Erläuterungen der Erfindung, wie beansprucht, bereitstellen soll.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Die beigefügten Zeichnungen, welche beigefügt sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen und als Teil der Spezifikation einbezogen sind und einen Teil davon darstellen, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Darlegung der Prinzipien der Erfindung. In den Zeichnungen:
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine Struktur einer Flüssigkristallanzeige-Einheit gemäß dem Stand der Technik darstellt;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die eine Struktur eines Dünnschichttransistors der Flüssigkristallanzeigeeinheit aus 1 darstellt; und
  • 3A bis 3F sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Ausbilden eines Musters darstellen, das ein In-Plane-Druckverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Es wird nun im Detail zu den bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Bezug genommen, wobei Beispiele dieser in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • 3A bis 3F sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Ausbilden eines Musters darstellen, das ein In-Plane-Druckverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet. Wie in 3A gezeigt weist ein Trägermaterial 100 eine Ätzobjektschicht 101 auf, die selektiv geätzt werden kann, um ein gewünschtes Muster auf dem Trägermaterial 100 auszubilden. Die Ätzobjektschicht 101 kann eine Metallschicht zum Ausbilden beispielsweise einer Elektrode eines TFT, einer Gitterleitung, einer Datenleitung oder einer Bildpunktelektrode oder eine Halbleiterschicht zum Ausbilden einer aktiven Schicht sein. Zusätzlich kann die Ätzobjektschicht 101 eine Isolationsschicht wie zum Beispiel SiOx oder SiNx sein.
  • Ein Abdecklack 103 ist auf der Ätzobjektschicht 101 aufgebracht. Insbesondere kann der Abdecklack 103 über die gesamte Oberfläche der Ätzobjektschicht 101 aufgebracht werden. Der Abdecklack 103 weist einen Photoinitiator und ein flüssiges Prepolymer auf, das eine Vinyl-funktionelle Gruppe und eine hydrophile funktionelle Gruppe beinhaltet. Beispielsweise kann das flüssige Prepolymer eine Struktur haben, die in der chemischen Formel 1 gezeigt ist.
  • [Chemische Formel 1]
    Figure 00070001
  • Eine C0-C4 Alkylgruppe, wie zum Beispiel Wasserstoff (H), Fluorkohlenwasserstoff (CF) und eine Methyl-Gruppe (CH3), eine Ethyl-Gruppe (C2H5), eine Propyl-Gruppe (C3H7) und eine Butyl-Gruppe (C4H9), kann für R1, R2 und R3 stehen. Hydrophile Gruppen können für eine der Gruppen R4 bis R8 stehen. Beispielsweise können die hydrophilen Gruppen eine Gruppe von OH, COOHCH3, COOC2H5, COOC3H7, COOC4H9, SOOHCH3, SOOC2H5, SOOC3H7 und SOOC4H9 sein.
  • Wenn die R1, R2 und R3 H bedeuten, kann OH für R6 stehen. Beispielsweise kann das flüssige Prepolymer Para-Hydroxystyrol sein, das eine Struktur hat, die in der chemischen Formel 2 gezeigt ist.
  • [Chemische Formel 2]
    Figure 00070002
  • Wie in 3B gezeigt, ist eine Formplatte 105 über dem Trägermaterial 100 angeordnet. Die Formplatte 105 weist eine Mehrzahl von konkaven Nuten 107 auf, die mit einem Muster übereinstimmen, das auf dem Trägermaterial 100 ausgebildet werden soll. Obwohl nur konkave Nuten 107 in der Formplatte 105 zu sehen sind, kann die Formplatte 105 verschiedene Abdrücke haben, die darin ausgebildet sind, um mit dem gewünschten Muster überein zu stimmen.
  • Die Formplatte 105 kann mit Polydimethylsiloxan (PDMS), Polyurethan, gehärtetem Novolak-Harz, oder dergleichen, welche relativ hohe Elastizität haben, hergestellt werden. Insbesondere kann ein PDMS-Material, das im Gegensatz zu dem Abdecklack 103 hydrophobe Eigenschaften hat, bevorzugt verwendet werden. Besonders dann, wenn die Formplatte 105 die hydrophoben Eigenschaften und der Abdecklack 103 die hydrophilen Eigenschaften hat, kann eine abstoßende Kraft zwischen der Formplatte 105 und dem Abdecklack 103 erzeugt werden, wobei die Entwicklung eines Abdecklack-Musters ermöglicht wird, wie im Detail nachstehend diskutiert wird.
  • Nachdem die Formplatte 105 mit dem Abdecklack 103 ausgerichtet ist, wird Druck aufgebracht, so dass eine Kontaktoberfläche der Formplatte 105 in Kontakt mit der Ätzobjektschicht 101 tritt. Insbesondere wird mittels des Druckes eine Kapillarkraft zwischen der Formplatte 105 und dem Trägermaterial 100 erzeugt, und eine abstoßende Kraft wird mittels der entgegengesetzten Eigenschaften der Formplatte 105 und des Abdecklackes 103 zwischen der Formplatte 105 und dem Abdecklack 103 erzeugt. Als Ergebnis bewegt sich der Abdecklack 103 in die Nuten 107 der Formplatte 105 hinein, wie in 3B mit Hilfe der Pfeile gezeigt, und die Formplatte 105 hält den Abdecklack 103 in einer gewünschten Form.
  • Wie in 3C gezeigt härtet der Abdecklack 103, während sich der Abdecklack 103 in den Nuten 107 befindet, um ein Abdecklack-Muster 103a auszubilden. Beispielsweise wird mittels einer UV-Quelle (nicht gezeigt) UV-Licht ausgestrahlt, um den Abdecklack 103 durch Photoreaktion zu härten. Das Abdecklack-Muster 103a kann ein Muster aus linearem Polymer sein. Dies ist der Fall, wenn der Abdecklack 103 das flüssige Prepolymer mit Para-Hydroxystyrol enthält, wobei mittels Licht das flüssige Prepolymer ein lineares Polymer mit der Struktur erzeugt, das in der chemischen Formel 3 gezeigt ist.
  • [Chemische Formel 3]
    Figure 00090001
  • Wenn Licht ausgestrahlt wird und wenn der Abdecklack 103 das Para-Hydroxystyrol enthält, wird ein lineares Polymer erzeugt, wenn der Photoinitiator zur Radikalbildung führt, wodurch eine Polymerisation erzeugt wird, die entlang der Vinylgruppen des Para-Hydroxystyrols fortschreitet. Zusätzlich kann der Abdecklack 103 ebenfalls einen Photo-Säurebildner aufweisen. Der Photo-Säurebildner verlängert die Polymerkette, so dass eine physikalische Quervernetzungsreaktion durch Aktivierung der physikalischen Quervernetzungsreaktion der linearen Polymerkette erfolgt, wobei das Molekulargewicht zunimmt. Der Photo-Säurebildner enthält eines von Triarylsulfoniumsalz und organischem Sulfonester. Beispielsweise enthält das Triarylsulfoniumsalz ein Onium-Salz, und der organische Sulfonester beinhaltet eines von Nitrobenzylsulfonat und Imidosulfonat.
  • Der Abdecklack 103 kann ein flüssig hydrophiles Prepolymer, Photoinitiator und Photo-Säurebildner, die in dem Bereich von ungefähr 10 bis 15 Gew.-%, 80 bis 90 Gew.-% und 2 bis 8 Gew.-% entsprechend gemischt werden, enthalten. Insbesondere kann der Abdecklack 103 vorzugsweise 5 Gew.-% des Säurebildners mittels Licht beinhalten.
  • Wie in 3D gezeigt, wird die Formplatte 105 von dem Trägermittel 100 abgetrennt, nachdem das Abdecklack- Muster 103a ausgebildet ist. Dadurch verbleibt das Abdecklack-Muster auf Teilen der Ätzobjektschicht 101.
  • Wie in 3E gezeigt wird die Ätzobjektschicht 101 unter Verwendung des Abdecklack-Musters 103a als eine Maske geätzt. Beispielsweise wird die Ätzobjektschicht 101 unter Verwendung eines üblichen Ätzverfahrens, zum Beispiel Trockenätzens oder Feuchtätzens, geätzt, um ein gewünschtes Muster 101a auszubilden. Das Muster 101a kann eine metallische Struktur, zum Beispiel eine Elektrode, eine Halbleiterstruktur, zum Beispiel eine Steuerschicht, oder eine Isolationsschicht, zum Beispiel ein Kontaktloch, sein.
  • Wie in Bild 3F gezeigt wird das Abdecklack-Muster 103a von dem Trägermaterial 100 entfernt, nachdem das gewünschte Muster 101a ausgebildet ist. Das Abdecklack-Muster 103a kann unter Verwendung eines Ablöseverfahrens entfernt werden. Beispielsweise kann ein Ablösemittel, das ein organisches Lösungsmittel, wie zum Beispiel ein organisches Amin, N-Methylpyrrolidinon, Toluol, oder Xylol enthält, verwendet werden, um das Abdecklack-Muster 103a zu entfernen.
  • Dementsprechend beinhaltet das Verfahren zum Ausbilden eines Musters, das ein In-Plane-Druckverfahren gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung verwendet, das Aufbringen eines Abdecklackes auf einer Ätzobjektschicht, Ausgestalten des Abdecklackes durch Verwenden einer Formplatte, die wenigstens eine Nut hat, und Aushärten des Abdecklackes, um ein Abdecklack-Muster auszubilden, während die Formplatte die Form des Abdecklackes aufweist. Insbesondere wird Druck aufgebracht, um die Formplatte mit der Ätzobjektschicht in Berührung zu bringen, wodurch der Abdecklack ausgeformt wird. Zusätzlich wird eine abstoßende Kraft zwischen der Formplatte und dem Abdecklack erzeugt, um den Abdecklack auszubilden. Insbesondere kann der Abdecklack hydrophile Eigenschaften haben, und die Formplatte kann hydrophobe Eigenschaften haben, so dass die abstoßende Kraft durch die entgegengesetzten Eigenschaften des Abdecklackes und der Formplatte erzeugt werden kann. Als Ergebnis passt sich der Abdecklack jedem Abdruck in der Formplatte an, zum Beispiel bewegt er sich in die Nut der Formplatte hinein.
  • Der Abdecklack härtet aus und bildet ein lineares Polymer, sobald Licht darauf gestrahlt wird, wobei ein Abdecklack-Muster ausgebildet wird. Weil die Formplatte die Form des Abdecklackes aufweist, während das Abdecklack-Muster ausgebildet wird, können exaktere und kleinere Muster ausgebildet werden. Darüber hinaus kann der Abdecklack ferner einen Photo-Säurebildner enthalten, welcher eine Reaktion unterdrückt, wenn eine Kette des linearen Polymeren nach der Initiierung zu lang ist, und gleichzeitig die Reaktion begünstigt, wenn die Kette des linearen Polymeren zu kurz ist.
  • Das Abdecklack-Muster kann ein positiv lichtundurchlässiger Photolack sein. Der lichtundurchlässige Photolack kann ferner ein negativ lichtundurchlässiger Photolack sein, in welchem ein Muster auf einem Bereich zurückbleibt, wo Licht eingestrahlt wird, oder ein positiv lichtundurchlässiger Photolack, in welchem ein Muster auf einem Bereich zurückbleibt, wo kein Licht eingestrahlt wird. Ein negativ lichtundurchlässiger Photolack ist bei Lichtstrahlung einer chemischen Quervernetzungsreaktion ausgesetzt und bildet in dem Bereich, wo Licht eingestrahlt wird, ein verzweigtes Polymer aus. Demgegenüber ist ein positiver Abdecklack bei Lichtstrahlung einer physikalischen Quervernetzungsreaktion ausgesetzt und bildet in dem Bereich, wo Licht eingestrahlt wird, ein lineares Polymer aus. Entsprechend ist der negativ lichtundurchlässige Photolack mittels des Ablösemittels nicht leicht abzutragen, während der positiv lichtundurchlässige Photolack leicht mittels des Ablösemittels zu entfernen ist. Folglich bildet der Abdecklack gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung ein Abdecklack-Muster aus, das infolge Lichteinstrahlung ein lineares Polymer enthält. Ein solches Abdecklack-Muster ist einfach mittels eines Ablösemittels entfernbar. Beispielsweise beinhaltet ein Ablösemittel ein organisches Lösungsmittel, das allgemein erhältlich ist.
  • Das Verfahren zum Ausbilden eines Musters, das ein In-Plane-Druckverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet, vereinfacht Herstellungsverfahren durch Ausbilden eines Musters mittels des In-Plane-Druckverfahrens und bildet ein präzises Muster durch Ausbilden eines Musters unter Verwendung eines Abdecklackes, der leicht durch das allgemein erhältliche Ablösemittel zu entfernen ist. Dementsprechend verwendet das Verfahren zum Ausbilden eines Musters, das ein In-Plane-Druckverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet, keine teure Photomaske, wodurch die Herstellungskosten reduziert und die Produktionseffizienz verbessert wird. Zusätzlich kann das Verfahren zum Ausbilden eines Musters, das ein In-Plane-Druckverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet, eine Einheit auf einer Halbleiterscheibe oder einer Steuereinheit auf einem Glasträgermaterial ausbilden.
  • Für den Durchschnittsfachmann ist es ersichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen des Abdecklackes zum Ausbilden eines Musters und das Verfahren zum Ausbilden dieses Musters der vorliegenden Erfindung erfolgen können, ohne vom Geist und Inhalt der Erfindung abzuweichen. Es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen abdeckt und die Variationen der vorliegenden Erfindung offenbart, die innerhalb des Anwendungsbereichs der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente auftreten.

Claims (20)

  1. Abdecklack zum Ausbilden eines Musters, der umfasst: – einen Photo-Initiator; und – ein flüssiges Prepolymer, das eine Vinyl-funktionelle Gruppe und eine hydrophile funktionelle Gruppe beinhaltet.
  2. Abdecklack nach Anspruch 1, wobei das flüssige Prepolymer eine Struktur hat, die in der chemischen Formel 1 gezeigt ist.
    Figure 00130001
  3. Abdecklack nach Anspruch 2, wobei die R1, R2 und R3 eine Alkylgruppe (≤C4) beinhalten.
  4. Abdecklack nach Anspruch 2, wobei wenigstens eines der R4 bis R8 hydrophile Eigenschaften aufweist.
  5. Abdecklack nach Anspruch 2, wobei das flüssige Prepolymer Para-Hydroxystyrol ist, das eine Struktur hat, die in der chemischen Formel 2 zu sehen ist:
    Figure 00140001
  6. Abdecklack nach Anspruch 5, wobei das flüssige Prepolymer ein lineares Polymer ausbildet, das eine Struktur hat, die gemäß der chemischen Formel 3 gebildet wird.
    Figure 00140002
  7. Abdecklack nach Anspruch 1, der weiter umfasst: – einen Photo-Säurebildner zum Steuern einer physikalischen Quervernetzungs-Aktivität einer Polymerkette nach Initiierung mittels des Photo-Initiators.
  8. Abdecklack nach Anspruch 7, wobei der Photo-Säurebildner eines von Triarylsulfoniumsalz und organischem Sulfonester enthält.
  9. Abdecklack zur Formgebung eines Musters, der umfasst: – einen Photo-Initiator; – ein flüssiges hydrophiles Prepolymer, das durch Photoreaktion ein lineares Polymer ausbildet; und – einen Photo-Säurebildner zur Aktivierung einer physikalischen Quervernetzungsreaktion des linearen Polymers.
  10. Abdecklack nach Anspruch 9, wobei der Photo-Initiator mit ungefähr 10 bis 15 Gew.-% enthalten ist.
  11. Abdecklack nach Anspruch 9, wobei das flüssige hydrophile Prepolymer mit ungefähr 80 bis 90 Gew.-% enthalten ist.
  12. Abdecklack nach Anspruch 9, wobei der Photo-Säurebildner mit ungefähr 2 bis 8 Gew.-% enthalten ist.
  13. Abdecklack nach Anspruch 9, wobei das flüssige hydrophile Prepolymer Para-Hydroxystyrol ist, das eine Struktur hat, die in der chemischen Formel 1 gezeigt ist:
    Figure 00150001
  14. Verfahren zum Ausbilden eines Musters, das aufweist: – Ausbilden einer Ätzobjektschicht auf einem Trägermaterial; – Aufbringen eines Abdecklackes auf einer Ätzobjektschicht, wobei der Abdecklack einen Photo-Initiator und ein flüssiges Prepolymer mit einer Vinyl-funktionellen Gruppe und einer hydrophilen funktionellen Gruppe enthält; – Ausbilden des Abdecklackes unter Verwendung einer Formplatte mit einem darauf ausgebildeten Abdruck; und – Aushärten des Abdecklackes, um ein Abdecklackmuster auszubilden, während die Formplatte den Abdecklack entsprechend des Abdrucks ausbildet.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Ausbilden des Abdecklackes beinhaltet: – Beaufschlagen der Formplatte mit Druck, um sie mit der Ätzobjektschicht in Kontakt zu bringen, wobei die Formplatte eine hydrophobe Gruppe hat.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Aushärten des Abdecklackes eine Lichtbestrahlung des Abdecklackes beinhaltet, während die Formplatte die Form des Abdecklackes hält.
  17. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Abdecklack unter Lichteinstrahlung ein lineares Polymer erzeugt.
  18. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Formplatte wenigstens eine Nut beinhaltet.
  19. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Ausbilden einer Ätzobjektschicht auf einem Trägermaterial beinhaltet: – Abscheiden eines Metallmaterials, eines Halbleitermaterials und eines Isolationsmaterials auf dem Trägermaterial.
  20. Verfahren nach Anspruch 14, das weiter aufweist: – Ätzen der Ätzobjektschicht durch Verwendung des Abdecklack-Musters als eine Maske; und – Entfernen des Abdecklackes, der auf der Ätzobjektschicht zurückbleibt.
DE102005028240A 2004-06-18 2005-06-17 Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben Ceased DE102005028240A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040045699A KR101031693B1 (ko) 2004-06-18 2004-06-18 패턴형성용 레지스트 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR10-2004-0045699 2004-06-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005028240A1 true DE102005028240A1 (de) 2006-01-12

Family

ID=35481185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005028240A Ceased DE102005028240A1 (de) 2004-06-18 2005-06-17 Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7754780B2 (de)
KR (1) KR101031693B1 (de)
CN (1) CN100592206C (de)
DE (1) DE102005028240A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007023581B4 (de) 2006-05-24 2022-03-10 Lg Display Co., Ltd. Zusammensetzungen zur Ausbildung einer Struktur und in-plane-Druckverfahren unter Verwendung derselben

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101117987B1 (ko) * 2005-06-07 2012-03-06 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 방법
KR101137862B1 (ko) * 2005-06-17 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
KR101183928B1 (ko) * 2005-07-19 2012-10-11 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP2007081070A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Canon Inc 加工装置及び方法
KR101319271B1 (ko) * 2006-06-09 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 인쇄용 레지스트, 인쇄용 레지스트 제조방법 및 이를이용한 패턴형성방법
KR101336850B1 (ko) * 2006-06-26 2013-12-04 엘지디스플레이 주식회사 피디엠에스 블렌드, 이를 이용한 기판의 표면처리 방법,그리고 이를 이용한 박막형성 방법
KR100832298B1 (ko) 2006-06-29 2008-05-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴 형성용 레지스트와 이를 이용한 소프트몰드 제조방법
KR101290598B1 (ko) * 2006-09-07 2013-07-29 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 컬러필터 기판의 제조방법
KR101308441B1 (ko) * 2006-11-29 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조장치 및 이를 이용한 박막 패턴의제조방법
KR101370969B1 (ko) * 2006-11-30 2014-03-10 엘지디스플레이 주식회사 광경화성의 유기 물질
KR101336037B1 (ko) * 2006-12-29 2013-12-04 엘지디스플레이 주식회사 레진막 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR101308460B1 (ko) * 2007-04-26 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조장치 및 방법
KR100847824B1 (ko) * 2007-06-27 2008-07-23 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 용액 및 이를 이용한 평판표시소자의 제조장치 및방법
KR101501699B1 (ko) * 2007-09-19 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
US20220390833A1 (en) * 2021-06-03 2022-12-08 Viavi Solutions Inc. Method of replicating a microstructure pattern

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3644120A (en) * 1966-09-27 1972-02-22 Tsunetoshi Kai Photosensitive compositions
US3760030A (en) * 1971-06-02 1973-09-18 Gen Electric Multiple sequence block copolymers of silicones and styrene
US3880784A (en) * 1973-12-21 1975-04-29 Bayer Ag Solutions of diisocyanate polyaddition products which contain free semiacetals and which are stable in storage
US4650743A (en) * 1985-07-31 1987-03-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Optical coating composition
JPH0717737B2 (ja) 1987-11-30 1995-03-01 太陽インキ製造株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物及びソルダーレジストパターン形成方法
US5049275A (en) * 1990-06-15 1991-09-17 Hoechst Celanese Corp. Modified microporous structures
EP0623440B1 (de) 1993-03-16 1997-09-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche
US5707780A (en) * 1995-06-07 1998-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photohardenable epoxy composition
TW467933B (en) * 1995-11-24 2001-12-11 Ciba Sc Holding Ag Photopolymerizable compositions comprising borate photoinitiators from monoboranes and the use thereof
US6090526A (en) 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
JPH10316708A (ja) 1997-05-22 1998-12-02 Showa Denko Kk 光硬化性組成物及び色戻り防止方法
JP2001081137A (ja) 1999-09-16 2001-03-27 Wako Pure Chem Ind Ltd 新規なポリマー及びレジスト組成物
US20030091926A1 (en) * 1999-11-03 2003-05-15 Shipley Company, L.L.C. Dry film photoresist
US6517744B1 (en) * 1999-11-16 2003-02-11 Jsr Corporation Curing composition for forming a heat-conductive sheet, heat-conductive sheet, production thereof and heat sink structure
KR100827741B1 (ko) * 2000-07-17 2008-05-07 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 임프린트 리소그래피 공정을 위한 자동 유체 분배 방법 및시스템
KR100407954B1 (ko) * 2001-05-23 2003-12-03 엘지전자 주식회사 광소자 부모듈의 광학벤치 제조방법
JP2003077807A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd モールド、モールドの製造方法、および、パターン形成方法
KR100827617B1 (ko) * 2002-02-22 2008-05-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 제조방법 및 이의 고분자 유기막 패턴 형성방법
US20060108905A1 (en) * 2004-11-25 2006-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Mold for fabricating barrier rib and method of fabricating two-layered barrier rib using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007023581B4 (de) 2006-05-24 2022-03-10 Lg Display Co., Ltd. Zusammensetzungen zur Ausbildung einer Struktur und in-plane-Druckverfahren unter Verwendung derselben

Also Published As

Publication number Publication date
US20050282402A1 (en) 2005-12-22
CN1710488A (zh) 2005-12-21
KR20050120380A (ko) 2005-12-22
CN100592206C (zh) 2010-02-24
KR101031693B1 (ko) 2011-04-29
US7754780B2 (en) 2010-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005028240A1 (de) Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben
DE102005030339B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Farbfilter-Arraysubstrats
DE102007017010A1 (de) Fotolackzusammensetzung, Verfahren zum Bilden einer Fotolackstruktur unter Verwendung derselben, Arraysubstrat hergestellt unter Verwendung derselben und Herstellungsverfahren des Arraysubstrats
DE112008000635B4 (de) Verfahren zum Bilden eines Mikromusters, Form gebildet durch dieses Verfahren zum Bilden eines Mikromusters, Transferverfahren und Mikromuster-Bildungsverfahren unter Verwendung dieser Form
EP1676330B1 (de) Strukturierung von elektrischen funktionsschichten mittels einer transferfolie und strukturierung des klebers
DE602004013338T2 (de) Stempel für die sanfte Lithographie, insbesondere für das Mikro-Kontaktdruckverfahren und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1597781B1 (de) Verfahren zur herstellung einer lichtemittierenden einrichtung
DE102006023138B4 (de) LCD und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1532851B1 (de) Herstellung organischer elektronischer schaltkreise durch kontaktdrucktechniken
DE102006028325A1 (de) Druckvorrichtung für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Strukturbildungsverfahren, das diese anwendet
DE102005030675A1 (de) Herstellungsverfahren eines organischen Dünnschichttransistors und Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigenvorrichtung unter Verwendung desselben
DE112018007569T5 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leiterplattenschutzschicht
KR20090118870A (ko) 인쇄용 요판, 인쇄용 요판의 제조 방법, 전자 기판의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
DE102005051629B4 (de) Herstellungsverfahren für Flach-Panel-Anzeigenvorrichtung
EP1646507B1 (de) Mehrschichtkörper, vorrichtung und verfahren zur erzeugung eines flächenmusters hoher auflösung
WO2004004025A2 (de) Verfahren zur kostengünstigen strukturierung von leitfähigen polymeren mittels definition von hydrophilen und hydrophoben bereichen
DE102007023581B4 (de) Zusammensetzungen zur Ausbildung einer Struktur und in-plane-Druckverfahren unter Verwendung derselben
DE60035690T2 (de) Verfahren zur herstellung einer digitalbebilderten schablone für ein siebdruckverfahren
WO2003059026A1 (de) System zur fertigung von elektrischen und integrierten schaltkreisen
KR19990066017A (ko) 액정표시장치
DE10219122B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Hartmasken
DE3940640A1 (de) Verfahren zum herstellen einer substratplatte fuer eine fluessigkristallzelle mit schwarzmatrixbereichen
DE10228546B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Lithographiemaske
DE102012018635A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer 3D-Struktur
EP3394672B1 (de) Verfahren zur generativen herstellung von reliefdruckformen mittels monomerdiffusion durch eine integrale maskenschicht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD., SEOUL, KR

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER, DE

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB PATENT- UND , DE

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER PATENT- UND RECH, DE

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER, 40476 DUESSELDORF,

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R006 Appeal filed
R008 Case pending at federal patent court
R011 All appeals rejected, refused or otherwise settled
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20140701