DE102005024920B4 - Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines organischen Feldeffekttransistors mit folgenden Verfahrensschritten:
– Aufbringen einer Sourceelektrode (2), Aufbringen einer Drainelektrode (3) und Aufbringen von organischem, halbleitenden Material (4) auf ein Substrat (1), wobei das organischem, halbleitende Material (4) sowohl die Sourceelektrode (2) als auch Drainelektrode (3) kontaktiert,
– Aufbringen eines Gate-Isolators (5) auf das organische, halbleitende Material (4),
– Behandlung der Oberfläche des Gate-Isolators (5) mit (i) einem Ammoniak-Plasma oder (ii) einem Ammoniak-Plasma und einem Argon-Plasma oder (iii) einem Hexamethylsilazan-Plasma und Argon-Plasma unter Ausbildung einer Metallhaftverbesserungsschicht (6), die mindestens eine funktionelle Gruppe auf Stickstoffbasis aufweist, und
– Aufbringen einer Gateelektrode (8) auf den Gate-Isolator (5) mittels Tintenstrahldrucken einer wasserbasierten Metalltinte.

Description

• Die Erfindung betrifft einen organischen Feldeffekttransistor und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
• Unter dem Oberbegriff der organischen Elektronik sind neben Anwendungen im Bereich der Displayelemente, z. B. der organischen Leuchtdioden, auch Feldeffekttransistoren als Anwendung diskutiert worden. Diese bilden ein weiteres Glied hin zur Realisierung von einfachen elektronischen Schaltungen, die ohne aufwendige Halbleiter-Fabrikationsprozesse hergestellt werden können. Unter anderem können die so hergestellten Schaltungen auf der Basis organischer und polymerer Halbleiter für Transponder-Anwendungen sowie zur Ansteuerung von großflächigen Displays verwendet werden.
• Die Definition von p- und n-leitenden Materialien weicht in der organischen Elektronik von der Definition für typische anorganische Halbleiter wie Silizium ab. Während sich die Definition bei klassischen Halbleitern auf die Art der Dotierung stützt, wird p- und n-Leitung bei organischen Halbleitern allgemein auf die Polarität des Ladungsträgers mit der höheren Beweglichkeit bezogen. Insofern besitzen bei n-leitenden Halbleitern Elektronen und bei p-leitenden Halbleitern Defektelektronen eine höhere Beweglichkeit. Dotierungen mit einer Polarität von Überschussladungsträgern sind bei organischen Halbleitern dagegen schwierig einzuführen und im Stand der Technik nur bei organischen Leuchtdioden gebräuchlich (Zhou et. al, Appl. Phys. Lett. 81 (2002), p. 4070).
• Bei einer auf organischem Material basierenden Feldeffekttransistorstruktur ist halbleitendes, organisches Material zwischen einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode angeordnet. Im Bereich (Kanal) zwischen diesen beiden Elektroden wird durch Anlegen einer geeigneten Spannung an der Gateelektrode ein elektrisches Feld erzeugt, wodurch Ladungsträger (Elektronen oder Defektelektronen) in den aus organischem Material bestehenden Kanal eingebracht werden und dort die Leitfähigkeit zwischen Source- und Drainkontakt erhöhen. Dabei wird die Leitung im Kanal bei einer Transistorstruktur mit p-Charakteristik durch Defektelektronen (Löcher), bei einer Transistorstruktur mit n-Charakteristik durch Elektronen realisiert. Der Transistor kann somit durch die Gatespannung gesteuert werden.
• Um eine Migration der Gegenladungen von der Gateelektrode in den Kanal zu vermeiden, wodurch das elektrische Feld und damit die Funktionalität der Transistorstruktur abnehmen würde, ist es bekannt, zwischen Kanal und Gateelektrode eine Isolierschicht (Gate-Isolator oder Dielektrikum) anzuordnen.
• Für ein Aktiv-Matrix-Display mit einer Vielzahl von matrixförmig angeordneten Bildpunkten wird pro einzelnem Pixel mindestens ein Transistor benötigt. Zur Herstellung eines solchen Aktiv-Matrix-Displays ist es also nötig, eine Vielzahl von organischen Feldeffekttransistoren auf ein Substrat bzw. eine geeignete Unterlage aufzubringen. Da neben dem organischen Feldeffekttransistor noch weitere Komponenten, wie beispielsweise die aktiven Pixelflächen mit organischem Emittermaterial, auf dem Substrat angeordnet sind, ist zur Ausbildung einer Viel zahl von organischen Feldeffekttransistoren auf einem Substrat eine Strukturierung der einzelnen Komponenten des Transistors, also beispielsweise von Sourceelektrode, Drainelektrode und Gateelektrode erforderlich. Während Sourceelektrode und Gateelektrode mittels hochauflösender Strukturierungstechnologien (kleiner 50 μm), wie der Lithographie, aufgebracht werden können, ist es zum Aufbringen und Strukturieren der Gateelektrode bekannt, neben Strukturierungsprozessen wie der Lithographie oder der Anwendung von Masken, das Tintenstrahldrucken zu verwenden. Das Tintenstrahldrucken zeichnet sich insbesondere durch geringe Kosten und einen geringen Materialverbrauch aus.
• Im Falle einer „Top gate”-Transistorstruktur wird das für die Gateelektrode zu verwendende Material in einer Tinte, d. h. in einem Lösungsmittel gelöst und mittels Tintenstrahldrucktechnik auf den (vorher aufgebrachten) Gate-Isolator aufgebracht. Ein Nachteil des Aufbringens der Gateelektrode mittels Tintenstrahldruckens im Vergleich zu herkömmlichen Methoden ist jedoch die geringe Haftung der Metalltinte auf dem Gate-Isolator. Ein weiteres Problem besteht darin, dass sich zwischen dem Gate-Isolator und dem mittels Tintenstrahldrucken aufgebrachten Tintentropfen ein ungünstiger, meist zu großer Kontaktwinkel einstellt, wodurch die Auflösung der gedruckten Strukturen nachteilhafterweise verringert wird.
• Aus EP 01 291 932 A2 ist ein organischer Feldeffekttransistor sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung bekannt. Ein isolierender Film wird zwischen Gateelektrode und dem organischen halbleitenden Material angeordnet, wobei dieser isolierende Film durch eine Plasmabehandlung unter atmosphärischem Druck hergestellt wird. Als Gase für das Plasma werden u. a. Inertgase wie Helium, Neon, Argon, Krypton, Xenon oder Radon verwendet.
• Weiterhin ist aus US 6,403,397 B1 ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung bekannt, mittels welchem bestimmte Regionen eine höhere oder niedrigere Affinität für organische Halbleitermaterialien oder Lösungen von organischen Halbleitermaterialien aufweisen. Zur Oberflächenbehandlung werden verschiedene Materialien, beispielsweise eine Lösung von Xylene oder eine Lösung von Toluene vorgeschlagen.
• Aus US 2002/0192851 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors bekannt, wobei zur Herstellung des Feldeffekttransistors zunächst eine Vielzahl von Signalleitungen zur Ausbildung von Source- und Drainelektroden, sowie Halbleitermaterial über diesen Elektroden aufgebracht wird und weiterhin ein organischer isolierender Film auf das Substrat abgeschieden wird, und dieser organische Film strukturiert wird. Nach der Strukturierung des organischen Films wird eine Plasmabehandlung der Oberfläche mit Heliumplasma durchgeführt.
• Nachteilig an den vorgenannten Methoden nach dem Stand der Technik ist jedoch, dass mit diesen Techniken kein ausreichendes Haftvermögen von mittels Tintenstrahldrucken aufgebrachter Metalltinte auf den isolierenden Film (Gate-Isolator) eines organischen Feldeffekttransistors erzielt werden kann. Ein weiterer Nachteil nach dem Stand der Technik besteht darin, dass der Kontaktwinkel zwischen Gate-Isolator und einer wasser basierenden Metalltinte der Gateelektrode bei Verwendung eines fluorierten Gate-Isolators, welcher in der Regel hydrophob ist, hoch (z. B. 120°) ist, weshalb ein Tintenstrahldrucken z. B. von wasserbasierenden Metalltinten nicht bzw. nur sehr schlecht möglich ist, da die Tropfen von der Oberfläche des Gate-Isolators „abperlen” und daher sich nicht wie gewünscht, z. B. zu einer Linie formen.
• EP 1 282 175 A2 beschreibt die Herstellung eines organischen Feldeffekttransistors mit einem Gate-Isolator aus einem polymeren Material, dessen Hydropholie/Hydrophobie durch Laserbehandlung einstellbar ist. Das Aufbringen der Gateelektrode kann mittels Tintenstrahldrucken erfolgen.
• Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Feldeffekttransistors anzugeben, welches zur Strukturierung der Gateelektrode das Tintenstrahldrucken als preiswerte und materialsparende Technik verwenden kann und weiterhin ein gutes Haftvermögen zwischen dem Gate-Isolator und der Gateelektrode (getrocknete Metalltinte) ermöglicht. Weiterhin soll ein der Kontaktwinkel zwischen Gate-Isolator und Metalltinte (Gateelektrode) zur Erzielung einer hohen Auflösung in einem gewünschten Bereich (von 120° bis 16°) eingestellt werden können.
• Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale der Ansprüche 1 (Verfahrensanspruch) und Anspruch 5 (organischer Feldeffekttransistor). Bevorzugte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten.
• Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines organischen Feldeffekttransistors umfasst die folgenden Verfahrensschritte:
• – Aufbringen einer Sourceelektrode, Aufbringen einer Drainelektrode und Aufbringen von organischem, halbleitenden Material auf ein Substrat, wobei das organischem, halbleitende Material sowohl die Sourceelektrode als auch Drainelektrode kontaktiert,
• – Aufbringen eines Gate-Isolators auf das organische, halbleitende Material,
• – Behandlung der Oberfläche des Gate-Isolators mit (i) einem Ammoniak-Plasma oder (ii) einem Ammoniak-Plasma und einem Argon-Plasma oder (iii) einem Hexamethylsilazan-Plasma und Argon-Plasma unter Ausbildung einer Haftverbesserungsschicht, die mindestens eine funktionelle Gruppe auf Stickstoffbasis aufweist, und
• – Aufbringen einer Gateelektrode auf den Gate-Isolator mittels Tintenstrahldrucken einer wasserbasierten Metalltinte.
• Die Idee der Erfindung besteht darin, durch eine
• – Ammoniak-Plamsabehandlung,
• – eine Ammoniak-Plasmabehandlung und eine Argon-Plasma-Behandlung oder
• – eine Argon-Plasmabehandlung und einer Behandlung mit plasma-polymerisiertem Hexamethylsilazan zwischen dem Gate-Isolator und der durch Tintenstrahldrucken aufzubringenden Gateelektrode eine sehr dünne Zwischenschicht zur Haftverbesserung des Gatemetalls (getrocknete Metalltinte) und dem Gate-Isolator zu erzeugen. Dabei wurde gefunden, dass durch die o. g. Plasmabehandlungen von Ammoniak oder Ammoniak und Argon oder Argon und Hexamethylsilazan ein besonders hohes Haftvermögen bzw. eine besonders hohe Haftfestigkeit zwischen dem durch Tintenstrahldrucken aufgebrachten Gatemetall und dem Gate-Isolator erzeugt werden kann.
• Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der Kontaktwinkel zwischen Gate-Isolator und dem Gatemetall (getrockneter Tintentropfen) in einem gewünschten Bereich (von 120° bis 16°) eingestellt werden kann, wodurch eine hohe Auflösung (beispielsweise eines Aktiv-Matrix-Displays mit derart strukturierten organischen Feldeffekttransistoren) erreicht werden kann, wobei gleichzeitig (bei Verwendung eines fluorierten Gate-Isolators) ein „abperlen” der Metalltintentropfen (Tintenstrahldrucken) von der Oberfläche des Gate-Isolators vermieden werden kann. Insbesondere ist es vorteilhaft, dass auf diese Weise Strukturen mit organischen Feldeffekttransistoren mit hoher Auflösung und hohem Haftvermögen unter Verwendung der preiswerten Tintenstrahldrucktechnik hergestellt werden können.
• Als Gate-Isolator wird vorzugsweise Polyvinylphenol, Polyvinylalkohol, Polyethylen, Polystyrol, Poly(vinyltoluol), Poly(methylmethacrylat) (PMMA), Poly(butylmethacrylat), Poly(cyclohexylmethacrylat), Polyisobutylen, Polypropylen, Polypropylen-co-1-buten oder Poly-ethylen-co-1-buten verwendet. In einer besonders bevorzugten Ausführungsvariante wird für den Gate-Isolator ein fluoriertes Polymer (Fluor-Polymer), besonders bevorzugt Polyhexafluorpropen, fluoriertes para-Xylol, Fluorpolyarylether, Fluorpolyalkylether, fluoriertes Polyamid, Poly(ethylen/tetrafluorethylen), Poly(ethylen/chlortrifluroethylen), fluoriertes Ehtylen/propylen-Copolymer, Poly-(1,2di-(difluormethylen)-perfluor-tetrahydrofuran) oder Teflon AF verwendet.
• Die verwendete Tinte weist vorzugsweise ein Lösungsmittel sowie darin gelöste dispergierte metallische Nanopartikel und/oder eine im Lösungsmittel gelöste dispergierte Nanoverbundstruktur auf. Vorzugweise werden für die metallischen Nanopartikel Metalle wie Silber, Gold, Platin, Palladium, Nickel oder Kupfer verwendet. Vorzugsweise werden weiterhin metallstabilisierende organische Polymere als Zusätze in der Tinte verwendet.
• Der erfindungsgemäße organische Feldeffekttransistor weist ein Substrat, eine Sourceelektrode, eine Drainelektrode und zwischen Sourceelektrode und Drainelektrode angeordnetes organisches halbleitendes Material sowie eine Gateelektrode auf, welche im Bereich des halbleitenden Materials zwischen Sourceelektrode und Drainelektrode angeordnet ist, wobei zwischen Gateelektrode und halbleitendem Material ein Gate-Isolator angeordnet ist, und wobei zwischen Gate-Isolator und Gateelektrode eine Metallhaftverbessungsschicht, die mindestens eine funktionelle Gruppe auf Stickstoffbasis aufweist, angeordnet ist, welche durch die o. g. Verfahren hergestellt werden kann. Der Gate-Isolator ist vorzugsweise aus einem fluorierten Polymer ausgebildet.
• Die stickstoff-funktionalisierte Gruppe ist vorzugsweise eine primäre Aminogruppe, eine sekundäre Aminogruppe, eine tertiäre Aminogruppe oder eine Amidgruppe.
• Die Metallhaftverbesserungsschicht weist vorzugsweise eine Dicke zwischen 1 nm und 10 nm auf und ist vorzugsweise als einfachlagige oder doppellagige Schicht ausgebildet.
• Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zeigen:
• 1: eine organische Struktur mit einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode, organischem halbleitenden Material und einem Gate-Isolator in schematischer, geschnittener Darstellung,
• 2: die organische Struktur gemäß 1 nach einer erfindungsgemäßen Plasmabehandlung und
• 3: einen erfindungsgemäßen organischen Feldeffekttransistor in schematischer, geschnittener Darstellung.
• 1 zeigt ein Vorprodukt, welches zu einem organischen Feldeffekttransistor verarbeitet werden kann in schematischer, geschnittener Darstellung. Auf dem Substrat 1, welches beispielsweise ein Glassubstrat oder ein Plastiksubstrat sein kann, sind eine Sourceelektrode 2 und eine Gateelektrode 3 angeordnet. Zwischen Sourceelektrode 2 und Gateelektrode 3 ist organisches halbleitendes Material 4, welches sowohl die Sourceelektrode 2 als auch die Gateelektrode 3 kontaktiert, angeordnet. Auf dem organischen halbleitenden Material 4 ist ein Gate-Isolator 5 aus einem fluorierten Polymer angeordnet.
• Der Gate-Isolator 5 ist zur Vermeidung der Migration von Gegenladungen von der später aufzubringenden Gateelektrode in den Kanal (organisches halbleitendes Material 4) vorgesehen, da durch eine solche Migration” von Gegenladungen das elektrische Feld und damit Funktionalität der Transistorstruktur abnehmen würde.
• Zur Verbesserung der Haftung zwischen dem Gate-Isolator 5 und einer später auf den Gate-Isolator 5 aufzubringenden Gateelektrode, wobei diese Gateelektrode mittels Tintenstrahldrucken und Trocknen der aufgedruckten Metalltinte aufgebracht wird, ist es erfindungsgemäß vorgesehen, der Gate-Isolator 5 einer Plasmabehandlung unter Verwendung eines Ammoniakplasmas 7 (oder alternativ eine Ammoniak-Plasmabehandlung und eine anschließende Argon-Plasmabehandlung oder alternativ eine Argon-Plasmabehandlung und eine anschließende Behandlung mit plasma-polymerisiertem Hexamethylsilazan) zu unterziehen, wodurch eine sehr dünne Metallhaftverbesserungsschicht 6 auf dem Gate-Isolator 5 ausgebildet wird (s. 2). Hierdurch wird die Haftung zwischen der durch Tintenstrahldrucken aufgebrachten Gateelektrode 8 (s. 3) und dem Gate-Isolator 5 deutlich erhöht. Weiterhin kann durch die Anwesenheit von Aminogruppen die Oberflächenenergie des Gate-Isolators 5 erhöht werden, wodurch der Kontaktwinkel zwischen Gate-Isolator 5 (bzw. den Schichten 5 und 6) und der Gateelektrode 8 vorteilhaft eingestellt werden kann. Dadurch wird ein „abperlen” der aufzudruckenden Tinte (Gateelektrode 8) vermieden, wobei gleichzeitig eine hohe Auflösung der zu druckenden Metalltinte (sofern linienförmig gedruckt wird: der Metalllinie) erreicht werden kann. Die Gateelektrode 8 weist vorzugsweise eine Schichtdicke zwischen 10 nm und 10 μm auf. Die Gateelektrode 8 wird durch Tintenstrahldruck aufgebracht.
• Zur Herstellung der erfindungsgemäßen organischen Feldeffekttransistorstruktur wird eine Sourceelektrode 2 und eine Drainelektrode 3 auf das Substrat 1, aufgebracht und beispielsweise mittels lithographischer Techniken strukturiert. Nachfolgend wird die Schicht aus einem organischen halbleitenden Material 4 sowie der Gate-Isolator 5 aus einem flourierten Polymer aufgebracht. Nachfolgend wird das so beschichtete Substrat (s. 1) einer erfindungsgemäßen Plasmabehandlung, beispielsweise einer Ammoniak-Plasmabehandlung (mittels des Ammoniak-Plasmas 7) (s. 2) unterzogen. Die Dauer der Plasmabehandlung liegt vorzugsweise zwischen 1 Sekunde und 1 Stunde.
• Ohne die erfindungsgemäße Plasmabehandlung ist der fluorierte Gate-Isolator 5 in der Regel sehr hydrophob. Die Oberflächenenergie ist in der Regel niedrig. Der Kontaktwinkel zwischen Gate-Isolator 5 und einer wasserbasierenden Metalltinte der Gateelektrode 8 ist hoch (z. B. 120°). Ein Tintenstrahldrucken von wasserbasierenden Metalltinten ist sehr schlecht möglich, da die Tropfen von der Oberfläche des Gate-Isolators 5 „abperlen” und z. B. nicht wie gewünscht zu einer Linie formen. Hier kann das Ammoniak Plasma die Oberfläche des fluorierten Gate-Isolators 5 hydrophil machen. Die Oberflächenenergie des fluorierten Gate-Isolators 5 kann gezielt verringert werden. Der Kontaktwinkel mit Wasser der modifizierten fluorierten Polymer-Gate-Isolator Oberfläche 5 kann dadurch im Bereich von 120° bis 16° eingestellt werden. Durch die Reduzierung der Oberflächenenergie des fluorierten Gate-Isolators 5 kann die Auflösung der gedruckten Gateelektroden 8 gesteuert und verbessert werden.
• Insbesondere wird die Haftung zwischen der Gateelektrode 8 und dem Gate-Isolator 5 durch die mittels der genannten Plasmabehandlungen eingeführte Metallhaftverbesserungsschicht 6 deutlich erhöht. Dies liegt insbesondere an einer Quervernetzung der Metallpartikel der Gateelektrode 8 mit funktionellen Gruppen auf Stickstoffbasis, wie beispielsweise Aminogruppen. Die Gateelektrode 8 kann beispielsweise durch Aufbringen von Silber-Nano-Tinte mittels eines Multidüsentintenstrahldruckers aufgebacht werden. Zur Trocknung der Tinte wird das Substrat bei einer Temperatur von 140°C für 20 Minuten getempert, so dass die Tinte (Gateelektrode 8) leitfähig wird. Das so hergestellte erfindungsgemäße Substrat kann dann für weitere Prozesse, beispielsweise die Herstellung eines Aktiv-Matrix-Displays verwendet werden.
• Das Vorhandensein von C-N-, C-N-C-, N-H-- und C-N-H-Bindungen kann beispielsweise mittels ESCA (Elektronenspektroskopie für chemische Analysen oder ATRFTIR (abgeschwächte Totalreflexions-Fuoriertransformations-Infrarotspektroskopie) detektiert werden.

1

Substrat

2

Sourceelektrode

3

Drainelektrode

4

organisches halbleitendes Material

5

Gate-Isolator

6

Metallhaftverbesserungsschicht

7

Argon-/HMDS-, Ammoniak- oder Ammoniak-/Argon-Plasma

8

Gateelektrode

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines organischen Feldeffekttransistors mit folgenden Verfahrensschritten: – Aufbringen einer Sourceelektrode (2), Aufbringen einer Drainelektrode (3) und Aufbringen von organischem, halbleitenden Material (4) auf ein Substrat (1), wobei das organischem, halbleitende Material (4) sowohl die Sourceelektrode (2) als auch Drainelektrode (3) kontaktiert, – Aufbringen eines Gate-Isolators (5) auf das organische, halbleitende Material (4), – Behandlung der Oberfläche des Gate-Isolators (5) mit (i) einem Ammoniak-Plasma oder (ii) einem Ammoniak-Plasma und einem Argon-Plasma oder (iii) einem Hexamethylsilazan-Plasma und Argon-Plasma unter Ausbildung einer Metallhaftverbesserungsschicht (6), die mindestens eine funktionelle Gruppe auf Stickstoffbasis aufweist, und – Aufbringen einer Gateelektrode (8) auf den Gate-Isolator (5) mittels Tintenstrahldrucken einer wasserbasierten Metalltinte.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Gate-Isolator (5) Polyvinylphenol, Polyvinylalkohol, Polyethylen, Polystyrol, Poly(vinyltoluol), Poly(methylmethacrylat), Poly(butylmethacrylat), Poly(cyclohexylmethacrylat), Polyisobutylen, Polypropylen, Polypropylen-co-1-buten, Poly-ethylen-co-1-buten oder ein fluoriertes Polymer, wie Polyhexafluorpropen, fluoriertes para-Xylol, Fluorpolyarylether, Fluorpolyalkylether, fluoriertes Polyamid, Poly(ethylen/tetrafluorethylen), Poly(ethylen/chlortrifluroethylen), fluoriertes Ehtylen/propylen-Copolymer, Poly(1,2-di(difluormethylen)-perfluor-tetrahydrofuran) oder Teflon verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Tintenstrahldrucken eine Tinte verwendet wird, welche ein Lösungsmittel sowie darin gelöste dispergierte metallische Nanopartikel aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Metall Silber, Gold, Platin, Palladium, Nickel oder Kupfer verwendet wird.
5. Organischer Feldeffekttransistor aufweisend: ein Substrat (1), eine Sourceelektrode (2), eine Drainelektrode (3), wobei zwischen Sourceelektrode (2) und Drainelektrode (3) organisches, halbleitendes Material (4) angeordnet ist, eine Gateelektrode (8), welche im Bereich des halbleitenden Materials (4) zwischen Sourceelektrode (2) und Drainelektrode (3) angeordnet ist, wobei zwischen Gateelektrode (8) und halbleitendem Material (4) ein Gate-Isolator (5) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Gate-Isolator (5) und Gateelektrode (8) eine Metallhaftverbesserungsschicht (6) angeordnet ist, die mindestens eine funktionelle Gruppe auf Stickstoffbasis aufweist.
6. Organischer Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Gate-Isolator (5) aus Polyvinylphenol, Polyvinylalkohol, Polyethylen, Polystyrol, Poly(vinyltoluol), Poly(methylmethacrylat), Poly(butylmethacrylat), Poly(cyclohexylmethacrylat), Polyisobutylen, Polypropylen, Polypropylen-co-1-buten, Poly-ethylen-co-1-buten oder ein fluoriertes Polymer, wie Polyhexafluorpropen, fluoriertes para-Xylol, Fluorpolyarylether, Fluorpolyalkylether, fluoriertes Polyamid, Poly(ethylen/tetrafluorethylen), Poly(ethylen/chlortrifluroethylen), fluoriertes Ehtylen/propylen-Copolymer, Poly(1,2-di(difluormethylen)-perfluor-tetrahydrofuran) oder Teflon ausgebildet ist.
7. Organischer Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die funktionelle Gruppe eine primäre Aminogruppe, eine sekundäre Aminogruppe, eine tertiäre Aminogruppe oder eine Amidgruppe ist.
8. Organischer Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallhaftverbesserungsschicht (6) eine Dicke zwischen 1 nm und 10 nm aufweist.