KR20060121099A - 유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계효과 트랜지스터를 포함하는 평판 표시장치 - Google Patents
유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계효과 트랜지스터를 포함하는 평판 표시장치 Download PDFInfo
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005024920A DE102005024920B4 (de) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102005024920.5 | 2005-05-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060121099A true KR20060121099A (ko) | 2006-11-28 |
Family
ID=37401768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060041503A KR20060121099A (ko) | 2005-05-23 | 2006-05-09 | 유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계효과 트랜지스터를 포함하는 평판 표시장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20060121099A (de) |
DE (1) | DE102005024920B4 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100878872B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2009-01-15 | 성균관대학교산학협력단 | 나노결정 전도성 탄소층을 게이트 전극으로 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하여 이루어진 유기 반도체 소자 |
KR20190118923A (ko) | 2018-04-11 | 2019-10-21 | 서울대학교산학협력단 | 유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 인버터 |
KR20200101877A (ko) | 2020-07-20 | 2020-08-28 | 서울대학교산학협력단 | 유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 인버터 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1282175A3 (de) * | 2001-08-03 | 2007-03-14 | FUJIFILM Corporation | Muster aus leitendem Material und Verfahren zur dessen Herstellung |
-
2005
- 2005-05-23 DE DE102005024920A patent/DE102005024920B4/de active Active
-
2006
- 2006-05-09 KR KR1020060041503A patent/KR20060121099A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100878872B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2009-01-15 | 성균관대학교산학협력단 | 나노결정 전도성 탄소층을 게이트 전극으로 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하여 이루어진 유기 반도체 소자 |
KR20190118923A (ko) | 2018-04-11 | 2019-10-21 | 서울대학교산학협력단 | 유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 인버터 |
KR20200101877A (ko) | 2020-07-20 | 2020-08-28 | 서울대학교산학협력단 | 유기 전계 효과 트랜지스터와 그 제조방법, 상기 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 인버터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005024920A1 (de) | 2006-12-07 |
DE102005024920B4 (de) | 2010-07-29 |
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