DE102004061865A1 - Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips Download PDF

Info

Publication number
DE102004061865A1
DE102004061865A1 DE102004061865A DE102004061865A DE102004061865A1 DE 102004061865 A1 DE102004061865 A1 DE 102004061865A1 DE 102004061865 A DE102004061865 A DE 102004061865A DE 102004061865 A DE102004061865 A DE 102004061865A DE 102004061865 A1 DE102004061865 A1 DE 102004061865A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer sequence
active layer
contact point
growth substrate
iii
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102004061865A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Andreas Dr. Plößl
Wilhelm Dr. Stein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102004061865A priority Critical patent/DE102004061865A1/de
Priority to PCT/DE2005/001684 priority patent/WO2006034686A2/de
Priority to KR1020077009684A priority patent/KR101249432B1/ko
Priority to US11/576,343 priority patent/US20080268560A1/en
Priority to JP2007533864A priority patent/JP2008515210A/ja
Priority to EP05791446.7A priority patent/EP1794816B1/de
Publication of DE102004061865A1 publication Critical patent/DE102004061865A1/de
Priority to US13/234,599 priority patent/US20120070925A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/124—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/835—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Led Devices (AREA)
DE102004061865A 2004-09-29 2004-12-22 Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips Withdrawn DE102004061865A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004061865A DE102004061865A1 (de) 2004-09-29 2004-12-22 Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
PCT/DE2005/001684 WO2006034686A2 (de) 2004-09-29 2005-09-23 Verfahren zur herstellung eines dünnfilmhalbleiterchips
KR1020077009684A KR101249432B1 (ko) 2004-09-29 2005-09-23 박막 반도체 칩의 제조 방법
US11/576,343 US20080268560A1 (en) 2004-09-29 2005-09-23 Method for Producing a Thin-Film Semiconductor Chip
JP2007533864A JP2008515210A (ja) 2004-09-29 2005-09-23 薄膜半導体チップの製造方法
EP05791446.7A EP1794816B1 (de) 2004-09-29 2005-09-23 Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
US13/234,599 US20120070925A1 (en) 2004-09-29 2011-09-16 Method for Producing a Thin-Film Semiconductor Chip

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004047392.7 2004-09-29
DE102004047392 2004-09-29
DE102004061865A DE102004061865A1 (de) 2004-09-29 2004-12-22 Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004061865A1 true DE102004061865A1 (de) 2006-03-30

Family

ID=35457637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004061865A Withdrawn DE102004061865A1 (de) 2004-09-29 2004-12-22 Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20080268560A1 (https=)
EP (1) EP1794816B1 (https=)
JP (1) JP2008515210A (https=)
KR (1) KR101249432B1 (https=)
DE (1) DE102004061865A1 (https=)
WO (1) WO2006034686A2 (https=)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007003282A1 (de) * 2007-01-23 2008-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
WO2009010762A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Photonstar Led Limited Vertical led with conductive vias
WO2009132641A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
WO2011072976A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur planarisirung eines halbleiterchips mittels einer lotverbindung und ein halbleiterchip
WO2012052415A1 (de) * 2010-10-21 2012-04-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2018077954A1 (de) * 2016-10-28 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers und halbleiterlaser

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007032283A1 (de) 2007-07-11 2009-01-15 Stein, Wilhelm, Dr. Dünnschichtsolarzellen-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008024517A1 (de) * 2007-12-27 2009-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers
DE102010015520A1 (de) * 2010-04-16 2011-10-20 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung von Lotdepots

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
US20030164503A1 (en) * 2002-03-04 2003-09-04 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
WO2005014896A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-17 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies A method of fabricating an epitaxially grown layer
DE102004004786A1 (de) * 2004-01-30 2005-08-18 Empacher Verwaltungs Gmbh Co. Kg Ruderboot für zwei Personen

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142160A (en) * 1972-03-13 1979-02-27 Hitachi, Ltd. Hetero-structure injection laser
US4044222A (en) * 1976-01-16 1977-08-23 Western Electric Company, Inc. Method of forming tapered apertures in thin films with an energy beam
US4307131A (en) * 1976-01-30 1981-12-22 Thomson-Csf Method of manufacturing metal-semiconductor contacts exhibiting high injected current density
DE59814431D1 (de) * 1997-09-29 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
TWI256976B (en) * 2000-08-04 2006-06-21 Hannstar Display Corp Method of patterning an ITO layer
US20020017652A1 (en) * 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
US6611002B2 (en) 2001-02-23 2003-08-26 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods including backside vias
JP2002313914A (ja) * 2001-04-18 2002-10-25 Sony Corp 配線形成方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
DE10141352A1 (de) * 2001-08-23 2003-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters
US6784462B2 (en) 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
JP2003282478A (ja) * 2002-01-17 2003-10-03 Sony Corp 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法
DE10307280B4 (de) 2002-11-29 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
US6929966B2 (en) * 2002-11-29 2005-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a light-emitting semiconductor component
JP2004235649A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電気コンタクト領域を備えたモジュールの製造方法および半導体層列および活性ゾーンを有するモジュール
US7122841B2 (en) * 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US6913985B2 (en) * 2003-06-20 2005-07-05 Oki Data Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
US7291529B2 (en) * 2003-11-12 2007-11-06 Cree, Inc. Methods of processing semiconductor wafer backsides having light emitting devices (LEDs) thereon

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
US20030164503A1 (en) * 2002-03-04 2003-09-04 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
WO2005014896A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-17 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies A method of fabricating an epitaxially grown layer
DE102004004786A1 (de) * 2004-01-30 2005-08-18 Empacher Verwaltungs Gmbh Co. Kg Ruderboot für zwei Personen

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008089728A3 (de) * 2007-01-23 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip mit metallischer spiegelschicht, durchkontaktierung, tunnelkontakt und ladungsträgerreservoir
DE102007003282A1 (de) * 2007-01-23 2008-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
DE102007003282B4 (de) 2007-01-23 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
US8212273B2 (en) 2007-07-19 2012-07-03 Photonstar Led Limited Vertical LED with conductive vias
WO2009010762A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Photonstar Led Limited Vertical led with conductive vias
WO2009132641A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US8530923B2 (en) 2008-04-30 2013-09-10 Osram Opto Semiconductor Gmbh LED chip
EP3032593A1 (de) * 2008-04-30 2016-06-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
WO2011072976A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur planarisirung eines halbleiterchips mittels einer lotverbindung und ein halbleiterchip
WO2012052415A1 (de) * 2010-10-21 2012-04-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US9076931B2 (en) 2010-10-21 2015-07-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing same
WO2018077954A1 (de) * 2016-10-28 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers und halbleiterlaser
CN109891691A (zh) * 2016-10-28 2019-06-14 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器
US10910226B2 (en) 2016-10-28 2021-02-02 Osram Oled Gmbh Method of producing a semiconductor laser and semiconductor laser
US11935755B2 (en) 2016-10-28 2024-03-19 Osram Oled Gmbh Method of producing a semiconductor laser and semiconductor laser

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070068435A (ko) 2007-06-29
US20080268560A1 (en) 2008-10-30
EP1794816B1 (de) 2015-11-04
EP1794816A2 (de) 2007-06-13
WO2006034686A3 (de) 2006-11-02
WO2006034686A2 (de) 2006-04-06
JP2008515210A (ja) 2008-05-08
KR101249432B1 (ko) 2013-04-03
US20120070925A1 (en) 2012-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2260516B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines solchen
DE69425186T2 (de) Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1920508B1 (de) Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterstapelwafers
DE102005029246B4 (de) Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips
DE112014002611B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
EP2415086B1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements, optoelektronisches bauelement und bauelementanordnung mit mehreren optoelektronischen bauelementen
EP2499668A1 (de) Dünnfilm-halbleiterbauelement mit schutzdiodenstruktur und verfahren zur herstellung eines dünnfilm-halbleiterbauelements
EP2332183A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102007032555A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102010034665A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
EP1906460A2 (de) Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper
EP2980864B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
EP2013917A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterkörper mit trägersubstrat und verfahren zur herstellung eines solchen
DE102009037319A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung und Licht emittierende Halbleitervorrichtung
EP1658643B1 (de) Strahlungemittierendes halbleiterbauelement
EP1794816B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
DE102014111482B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE10350707B4 (de) Elektrischer Kontakt für optoelektronischen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008038852B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
DE102014107306A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2014072410A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE10308322B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich
DE102006035487A1 (de) Gruppe III/Nitrid-basierte Verbindungshalbleitervorrichtung und dessen Herstellungsverfahren
DE102004004780B9 (de) Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich
DE102010002204A1 (de) Halbleiterdiode und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee