DE102004058133B4 - Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens und Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens - Google Patents

Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens und Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens, wobei ein Substrat (5) in einem Substrathalter (6) befestigt ist, wobei ein Poliertuch (2) auf einem Poliertuchhalter (1) befestigt ist, wobei eine Oberfläche (19) des Poliertuchs (2) mit einer Oberfläche (18) des Substrats (5) in Wirkverbindung steht, wobei das Poliertuch (2) und das Substrat (5) gegeneinander bewegt werden, so dass Material von der Oberfläche (18) des Substrats (5) abgetragen wird, wobei eine Messeinrichtung (8) vorgesehen ist, die in Wirkverbindung mit der Oberfläche (19) des Poliertuchs (2) steht, wobei die Messeinrichtung (8) ein von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) abhängiges Messsignal erzeugt, wobei das Messsignal zur Erkennung einer Änderung des Materials der Oberfläche (18) des Substrats (5) während des CMP-Polierverfahrens verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (8) eine Kraftwirkung oder eine Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch (2) und der Messeinrichtung (8) erfasst.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und eine Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 5.
  • CMP-Polierverfahren sind im Bereich der Halbleitertechnologie, insbesondere bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, wie z.B. Speicherbausteinen, wesentliche und wichtige Verfahren. Das CMP-Polierverfahren, d.h. das chemischmechanische Polieren ist ein Verfahren zum Bearbeiten einer Substratoberfläche. Das CMP-Polierverfahren wird beispielsweise bei der Herstellung eines Speicherbausteins eingesetzt, um eine Substratoberfläche zu ebnen oder abzutragen. Beim CMP-Polierverfahren wird eine rotierende Polierfläche gegen die Oberfläche des zu polierenden Substrates vorgespannt. Durch eine Relativbewegung zwischen der Polierfläche und dem Substrat wird von der Oberfläche des Substrates Material abgetragen. Während des Polierens kann eine Polierflüssigkeit mit sowohl chemischen als auch mechanisch abschleifenden Mitteln zwischen das Substrat und die Polierfläche eingebracht werden, um den Poliervorgang zu verbessern.
  • Ein wichtiger Parameter für ein präzises CMP-Polierverfahren ist die Erkennung eines festgelegten Endpunktes des Poliervorganges, bei dem das Substrat die gewünschte Oberfläche aufweist.
  • Aus DE 697 11 811 T2 ist ein Endpunktdetektor für ein chemisch-mechanisches Planiersystem bekannt, bei dem der Endpunkt des Poliervorganges durch eine abrupte Änderung des Reibungskoeffizienten an der Kontaktfläche zwischen der Polierauflage und dem Substrat erkannt wird. Mit der Änderung des Reibungskoeffizienten verändert sich auch das für die gewünschte Geschwindigkeit der Polierauflage gewünschte Drehmoment. Somit kann durch die Überwachung der Drehmomentänderung ein Endpunkt des Poliervorganges erkannt werden.
  • Weiterhin ist aus dem US-Patent US 62 57 953 B1 ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Steuern eines Polierverfahrens bekannt. Bei dieser Vorrichtung weist die Halterung des Poliertuches einen Sensor auf, der eine Kraft- und/oder Drehmomentänderung zwischen dem Poliertuch und dem Wafer erfasst, sodass aufgrund der Kraft- und/oder der Drehmomentänderung eine Steuerung des Polierverfahrens durchgeführt wird.
  • Weiterhin ist es aus dem Artikel von Norm V. Gitis „Tribology Issues in CMP", Semiconductor Fabtech, 18. Ausgabe, Seiten 125 bis 128 bekannt, eine Messanordnung bei einem CMP-Prozess vorzusehen, mit der die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuches erfasst wird. Die Messsignale der Messanordnung werden dazu verwendet, um einen Aufbereitungsprozess für das Poliertuch zu starten. Zudem wird das Messsignal der Messanordnung dazu verwendet, um die Abnutzung des Poliertuches zu erfassen.
  • Aus der US 2002/0039874 A1 ist ein Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bekannt. Es ist eine Messeinrichtung vorgesehen, die ein von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs abhängiges Messsignal erzeugt, wobei das Messsignal zur Erkennung einer Änderung des Materials der Oberfläche des Substrats während des CMP-Polierverfahrens verwendet wird.
  • Aus der US 64 94 765 B2 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Kontrollieren eines Poliervorgangs bekannt. Bei dem beschriebenen Verfahren wird eine Endpunkterkennung des Polierprozesses durchgeführt, wobei eine Vielzahl von Sensorsignalen zur Erfassung der Endpunkterkennung verwendet werden. Beispielsweise wird ein akkustisches Hochfrequenzsignal erfasst oder Kraft-/Drehmomentsensoren an verschiedenen Elementen des Rotationskopfes eingesetzt, um eine direkte Messung der Druckkraft und der Reibung zwischen dem Kopf und einer Platte für das Poliertuch zu erfassen.
    •
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes CMP-Polierverfahren und eine verbesserte Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens bereitzustellen.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch die Anordnung gemäß Patentanspruch 5 gelöst.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Anordnung besteht darin, dass das Messsignal der Messeinrichtung, mit der die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuches erfasst wird, zur Erkennung der Änderung der Materialbeschaffenheit des Wafers verwendet wird. Versuche haben gezeigt, dass das Messsignal der Messeinrichtung auch zur Steuerung des Polierverfahrens selbst eingesetzt werden kann. Somit kann das von der Messeinrichtung bereitgestellte Signal, das im Stand der Technik zur Beurteilung der Oberflächeneigenschaft des Poliertuches verwendet wird, zugleich zur Beurteilung der Oberflächenbeschaffenheit des Wafers und, insbesondere zur Steuerung des Polierverfahrens eingesetzt werden.
  • In der erfindungsgemäß Ausführungsform erfasst die Messeinrichtung eine Kraftwirkung zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung. Anstelle der Kraftwirkung, kann in einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform auch eine Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung erfasst werden, um eine Änderung des Materials der Oberfläche des Wafers zu erkennen. Die Verwendung der Kraftwirkung und/oder der Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung bietet den Vorteil, dass eine einfache Erfassung möglich ist. Dazu können Drehmoment- oder Kraftsensoren eingesetzt werden, die ein zuverlässiges Signal bereitstellen.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird eine Änderung der Oberflächenbeschaffenheit des Wafers erkannt, wenn sich das Messsignal der Messeinrichtung um einen festgelegten Wert ändert. Somit kann zuverlässig ein Endpunkt einer Schicht auf der Waferoberfläche oder der Beginn einer neuen Schicht auf der Waferoberfläche erkannt werden. Folglich kann eine präzise Steuerung des CMP-Polierverfahrens durchgeführt werden.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform sind für das Messsignal und/oder die Änderung des Messsignals Referenzwerte abgelegt, die einer festgelegten Materialänderung entsprechen. Somit kann durch einen einfachen Vergleich eine Materialänderung der Oberfläche des Wafers erkannt werden. Damit ist eine präzise Erkennung der Materialänderung auch bei verschiedensten Materialzusammensetzungen der Substratoberfläche möglich. In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird das Messsignal der Messeinrichtung zur Steuerung des CMP-Polierverfahrens und insbesondere zur Endpunkterkennung und zum Beenden des CMP-Polierverfahrens eingesetzt. Damit ist eine zuverlässige Steuerung des CMP-Polierverfahrens möglich.
    •
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen,
  • 1 eine schematische Darstellung einer Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens,
  • 2A/2B einen Teilquerschnitt durch ein Substrat vor und nach einem CMP-Polierverfahren und
  • 3 ein Diagramm mit Messsignalen der Messeinrichtung.
  • 1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens mit einer CMP-Polieranordnung. Die Anordnung weist einen Poliertuchhalter 1 auf, auf dem ein Poliertuch 2 befestigt ist. Der Poliertuchhalter 1 steht über eine Antriebswelle 3 mit einer Antriebseinheit 4 in Verbindung. Der Poliertuchhalter 1 ist über die Antriebseinheit 4 der Antriebswelle 3 drehbar gelagert.
  • Auf dem Poliertuch 2 liegt ein Substrat 5 in Form eines Wafers, beispielsweise eines Silizium-Wafers auf. Das Substrat 5 ist an einem Substrathalter 6 befestigt, der über eine zweite Antriebswelle 7 ebenfalls mit der Antriebseinheit 4 in Verbindung steht. Die Antriebseinheit 4 ist in der Weise ausgebildet, dass der Substrathalter 6 sowohl um die Mittenachse der zweiten Antriebswelle 7 drehbar als auch parallel zur Oberfläche des Poliertuches 2 verschiebbar ist. Zudem können der Poliertuchhalter 1 und der Substrathalter 6 gegeneinander unter Vorspannung gesetzt werden. Damit kann die Reibungskraft zwischen dem Poliertuch und dem Substrat eingestellt und somit die Geschwindigkeit des Abtragprozesses beeinflusst werden.
  • Weiterhin ist eine Messeinrichtung 8 vorgesehen, die eine Kontaktplatte 9, einen Sensor 10, eine Auswerteeinheit 11 und einen Datenspeicher 12 aufweist. Der Sensor 10 und die Kontaktplatte 9 sind an einer zweiten Antriebseinheit 13 befestigt, mit der die Kontaktplatte 9 und der Sensor 10 in Richtung auf das Poliertuch 2 bewegt werden können. Die Auswerteeinheit 11 ist über Signalleitungen 14 mit dem Sensor 10 verbunden. Zudem ist die Auswerteeinheit 11 über eine Datenleitung 15 mit dem Datenspeicher 12 verbunden. In eine bevorzugten Ausführungsform steht die Auswerteeinheit 11 über eine Steuerleitung 16 mit der Antriebseinheit 4 in Verbindung. Weiterhin ist eine Zuleitung 17 zum Zuführen von Polierflüssigkeit auf die Oberfläche des Poliertuches 2 vorgesehen.
  • Die Funktionsweise der CMP-Polieranordnung gemäß 2 wird im Folgenden erläutert. Beim Beginn des CMP-Polierverfahrens wird das Substrat 5 durch die Antriebseinheit 4 mit einer Oberfläche 18 des Substrats 5 auf eine Oberfläche 19 des Poliertuchs 2 aufgelegt. Dabei kann eine gewünschte Vorspannung des Substrates 5 gegen das Poliertuch 2 vorzugsweise eingestellt werden. Zudem wird über die Zuleitung 17 Polierflüssigkeit auf die Poliertuchoberfläche 19 aufgebracht. Die Polierflüssigkeit kann chemische Zusätze und/oder mechanische Partikel enthalten, die den Poliervorgang vorteilhaft beeinflussen.
  • Anschließend wird der Poliertuchhalter 1 in eine Drehbewegung versetzt, die entsprechend der Mittenachse der Antriebswelle 3 ausgerichtet ist. Zudem wird der Substrathalter 6 entsprechend der Mittenachse der zweiten Antriebswelle 7 in eine Drehbewegung versetzt. Der Substrathalter 6 wird zusätzlich in eine Pendelbewegung versetzt, bei der das Substrat 5 zwischen dem Mittelpunkt und dem Randbereich des Poliertuches 2 hin und her bewegt wird.
  • Weiterhin wird durch die zweite Antriebseinheit 13 die Kontaktplatte 9 gegen die Poliertuchoberfläche 19 mit einer festgelegten Kraft gedrückt. Zudem wird über den Sensor 10, der in dem dargestellten Ausführungsbeispiel als Kraft- und/oder Drehmomentsensor ausgebildet ist, eine zwischen der Kontaktplatte 9 und der Poliertuchoberfläche 19 wirkende Kraft und/oder wirkendes Drehmoment erfasst und an die Auswerteeinheit 11 über Signalleitungen 14 weitergeleitet. Der Sensor 10 erfasst vorzugsweise die Reibungskraft zwischen der Kontaktplatte 9 und der Poliertuchoberfläche 19.
  • In Abhängigkeit von der gewählten Ausführungsform ist es nicht erforderlich, dass die Kontaktplatte 9 während des gesamten CMP-Polierverfahrens auf der Poliertuchoberfläche 19 aufliegt, sondern es ist in einer bevorzugten Ausführungsform ausreichend, wenn die Kontaktplatte 9 in festgelegten Zeitabständen in Kontakt mit der Poliertuchoberfläche 19 gebracht wird.
  • Die von dem Sensor 10 an die Auswerteeinheit 11 übermittelten Messsignale werden von der Auswerteeinheit 11 mit festgelegten Referenzwerten verglichen. Die festgelegten Referenzwerte sind im Datenspeicher 12 abgelegt und entsprechen beispielsweise Reibungswerten und/oder Drehmomentwerten vordefinierter Substratoberflächen 18, d.h. vordefinierten Materialzusammensetzungen der Substratoberfläche und/oder vordefinierten Endpunkten des CMP-Polierverfahrens, bei dem das CMP-Polierverfahren eine gewünschte Substratoberfläche erzeugt hat und das CMP-Polierverfahren beendet wird. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind als Referenzwerte nicht die Reibungswerte und/oder Drehmomentwerte, sondern deren zeitliche Änderung als Referenzwerte abgelegt.
  • Vorzugsweise vergleicht die Auswerteeinheit 11 kontinuierlich während des CMP-Polierverfahrens, die vom Sensor 10 gelieferten Messsignale mit den abgespeicherten Referenzwerten. Er gibt der Vergleich, dass das Messsignal des Sensors 10 einem abgespeicherten Referenzwert entspricht, so wird eine entsprechende Materialzusammensetzung der Substratoberfläche 18 von der Auswerteeinheit 11 erkannt. Das Erkennen der vordefinierten Materialzusammensetzung der Substratoberfläche 18 wird nun vorzugsweise dazu verwendet, um das CMP-Polierverfahren zu steuern. Beispielsweise kann die Steuerung des CMP-Polierverfahrens darin bestehen, dass Parameter des CMP-Polierverfahrens, wie z.B. die Zusammensetzung der Polierflüssigkeit, die Vorspannung des Substrates 5 gegen das Poliertuch 2 und/oder die Bewegung des Substrathalters 6 und/oder die Bewegung des Poliertuchhalters 1 verändert werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform, bei der das vom Sensor 10 gelieferte Messsignal einem Endpunkt des CMP-Polierverfahrens entspricht, wird von der Auswerteeinheit 11 über ein Steuersignal an die Antriebseinheit 4 das CMP-Polierverfahren beendet. Dazu beendet die Antriebseinheit 4 die Ansteuerung der Antriebswelle 3 und der zweiten Antriebswelle 7 und hebt zudem das Substrat 5 vom Poliertuch 2 ab, sodass das Substrat 5 gegen ein neues Substrat ausgetauscht werden kann.
  • 2A zeigt ein Substrat 5 vor einem CMP-Polierverfahren. Das Substrat 5 weist eine abgestufte Oberfläche 18 auf, unter der eine Struktur mit Polysiliziumsäulen 20 ausgebildet ist, die jeweils mit einer Nitridschicht 21 bedeckt sind. Die gesamte Struktur ist mit einem Silikatglas 22 überfüllt. Im Datenspeicher 12 ist für dieses Ausführungsbeispiel ein Referenzwert für das Messsignal des Sensors 10 für den Reibungswert zwischen der Kontaktplatte 9 und der Poliertuchoberfläche 19 abgelegt, wenn beim CMP-Polierverfahren die Oberflächen der Polysiliziumsäulen 20 erreicht werden.
  • Das Substrat 5, das in 2A dargestellt ist, wird am Substrathalter 6 befestigt und gemäß dem vorab beschriebenen Verfahren einem CMP-Polierverfahren unterzogen. Dabei wird kontinuierlich über die Messeinrichtung 8 die Wirkverbindung zwischen der Kontaktplatte 9 und dem Poliertuch 2 erfasst. Die vom Sensor 10 erfassten Messsignale werden an die Auswerteeinheit 11 weitergeleitet. Die Auswerteeinheit 11 vergleicht die vom Sensor 10 übermittelten Messsignale mit dem im Datenspeicher 12 abgespeicherten Referenzwert. Ergibt der Vergleich, dass das vom Sensor 10 übermittelte Messsignal dem Referenzwert entspricht, so wird das CMP-Polierverfahren beendet. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist als Referenzwert die Reibungskraft im Datenspeicher 12 abgespeichert, die zwischen dem Poliertuch 2 und der Kontaktplatte 9 auftritt, wenn das Substrat 5 bis zu den Oberflächen der Polysiliziumsäulen 20 abgetragen ist, wie in 2B dargestellt ist. Dabei ist sowohl der absolute Reibungswert als auch eine zeitliche Ableitung des Reibungswertes im Datenspeicher 12 abgelegt, die beim Übergang von den Nitridschichten 21 auf die Polysiliziumsäulen 20 auftreten. Somit wird mit dem beschriebenen CMP-Polierverfahren aufgrund des Vergleichs des Messsignals und/oder der zeitlichen Änderung des Messsignals erkannt, dass mit dem CMP-Polierverfahren das Substrat 5 gemäß 2B abgetragen ist.
  • 3 zeigt ein Diagramm für das Messsignal des Sensors 10, das während des CMP-Polierverfahrens erfasst wurde, bei dem das Substrat 5 der 2A bis zu der in 2B dargestellten Schichtdicke abgetragen wurde.
  • In dem Diagramm der 3 ist das vom Sensor 10 erfasste Messsignal über der Zeit t aufgetragen. Zudem ist parallel über die Zeit ein Messsignal eines chemischen Sensors (EP-Signal) aufgetragen, das die chemische Zusammensetzung der Polierflüssigkeit darstellt. Das chemische Sensorsignal wird mit einem entsprechenden chemischen Sensor erfasst und zeigt einen Anstieg an, wenn die Nitridschichten 21 vollständig abgetragen wurden und begonnen wird, die Polysiliziumschichten 20 abzutragen. Zu einem Zeitpunkt T0 startet das CMP- Polierverfahren. Dabei steigt das Messsignal des Sensors 10 zuerst stark an, um dann über die Zeit annährend asymptotisch auf einen Zwischenwert abzufallen. Der Zwischenwert wird anschließend für eine festgelegte Zeitdauer bis zum ersten Zeitpunkt T1 annährend beibehalten, bis ein erneuter starker Abfall des Messignals eintritt. Dieser erneute starke Abfall zeigt den Wechsel beim CMP-Polierverfahren von den Nitridschichten 21 zu den Polysiliziumsäulen 20 an. Somit kann das Erreichen der Polysiliziumsäulen 20 gemäß 2B in der Weise erkannt werden, dass nach Erreichen eines Zwischenwertes das Messsignal, das ein Reibungssignal darstellt, erneut eine festgelegte zeitliche Abnahme aufweist, wobei sowohl die Zwischenwerte als auch die zeitliche Änderung des Reibungssignals im Datenspeicher 12 zum Vergleich und zum Erkennen der zugeordneten Oberflächensituation gemäß 2B abgespeichert sind.
  • Anstelle des in der 3 explizit dargestellten Reibungssignals kann auch ein Drehmomentsignal erfasst werden. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Anordnung können für die verschiedensten Arten von Substraten 5 eingesetzt werden, um eine definierte Materialänderung an der Oberfläche 18 des Substrates beim CMP-Polierverfahren zu erkennen. Dazu sind entsprechende Referenzwerte, die beispielsweise experimentell ermittelt wurden, im Datenspeicher 12 abgelegt.
    • 1
    Poliertuchhalter
    2
    Poliertuch
    3
    Antriebswelle
    4
    Antriebseinheit
    5
    Substrat
    6
    Substrathalter
    7
    zweite Antriebswelle
    8
    Messeinrichtung
    9
    Kontaktplatte
    10
    Sensor
    11
    Auswerteeinheit
    12
    Datenspeicher
    13
    zweite Antriebseinheit
    14
    Signalleitung
    15
    Datenleitung
    16
    Steuerleitung
    17
    Zuleitung
    18
    Substratoberfläche
    19
    Poliertuchoberfläche
    20
    Polysiliziumsäule
    21
    Nitridschicht
    22
    Silikatglas
    t
    Zeit
    T0, T1
    Zeitpunkt

Claims (6)

  1. Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens, wobei ein Substrat (5) in einem Substrathalter (6) befestigt ist, wobei ein Poliertuch (2) auf einem Poliertuchhalter (1) befestigt ist, wobei eine Oberfläche (19) des Poliertuchs (2) mit einer Oberfläche (18) des Substrats (5) in Wirkverbindung steht, wobei das Poliertuch (2) und das Substrat (5) gegeneinander bewegt werden, so dass Material von der Oberfläche (18) des Substrats (5) abgetragen wird, wobei eine Messeinrichtung (8) vorgesehen ist, die in Wirkverbindung mit der Oberfläche (19) des Poliertuchs (2) steht, wobei die Messeinrichtung (8) ein von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) abhängiges Messsignal erzeugt, wobei das Messsignal zur Erkennung einer Änderung des Materials der Oberfläche (18) des Substrats (5) während des CMP-Polierverfahrens verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (8) eine Kraftwirkung oder eine Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch (2) und der Messeinrichtung (8) erfasst.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine festgelegte Änderung des Messsignals als Änderung des Materials der Oberfläche (18) des Substrats (5) erkannt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsignal und/oder die Änderung des Messsignals mit einem Referenzwert verglichen wird, und dass abhängig von dem Vergleich die Änderung des Materials der Oberfläche (18) des Substrats (5) erkannt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsignal und/oder die Änderung des Messsignals mit einem Referenzwert verglichen wird, der dem Endpunkt des CMP-Polierverfahrens entspricht, und dass bei Übereinstimmung des Messsignals und/oder der Änderung des Messsignals mit dem Referenzwert der Endpunkt des CMP-Polierverfahrens erkannt wird und das CMP-Polierverfahren beendet wird.
  5. Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens mit einem Substrathalter (6) zum Halten eines Substrats (5), mit einem Poliertuchhalter (1) zum Halten eines Poliertuchs (2), mit einer Antriebseinheit (4), mit der der Substrathalter (6) und der Poliertuchhalter (1) gegeneinander bewegbar sind, wodurch das Poliertuch (2) in Wirkverbindung mit einer Oberfläche (18) des Substrats (5) bringbar ist, wobei eine Messeinrichtung (8) vorgesehen ist, die in Wirkverbindung mit dem Poliertuch (2) bringbar ist, wobei die Messeinrichtung (8) einen Sensor (10) aufweist, mit dem die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) erfassbar ist, wobei mit der Messeinrichtung (8) ein Messsignal erzeugbar ist, das von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) abhängt, mit einer Auswerteeinheit (11), die mit dem Sensor (10) verbunden ist, wobei die Auswerteeinheit (11) mit einem Datenspeicher (12) verbunden ist, wobei im Datenspeicher (12) Referenzwerte für das Messsignal des Sensors (10) abgelegt sind, die der Oberflächenbeschaffenheit des Substrats (5) zugeordnet sind, wobei der Auswerteeinheit (11) das Messsignal zuführbar ist, und wobei die Auswerteeinheit (11) über einen Vergleich zwischen dem Messsignal und einem der Referenzwerte die Oberflächenbeschaffenheit und/oder eine Änderung der Oberfläche (18) des Substrats (5) erkennt, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (10) als Messsignal einen Reibungswert zwischen dem Poliertuch (2) und der Messeinrichtung (8) erfasst, und dass die Auswerteeinheit (11) aus dem Reibungswert und dem im Datenspeicher (12) abgelegten entsprechendem Referenzwert die Oberflächenbeschaffenheit und/oder eine Änderung der Oberfläche (18) des Substrats (5) erkennt.
  6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass im Datenspeicher (12) Referenzwerte für das Messsignal abgelegt sind, die dem Endpunkt des CMP-Polierverfahrens entsprechen, dass die Auswerteeinheit (11) mit der Antriebseinheit (4) des Substrat- und Poliertuchhalters (6, 1) verbunden ist, und dass die Auswerteeinheit (11) aufgrund des Vergleichs zwischen dem Messsignal und dem Referenzwert den Endpunkt für das CMP-Polierverfahren erkennt und das CMP-Polierverfahren beendet.
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