DE102004054597B4 - Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils - Google Patents
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Abstract
Elektronisches Bauteil (1), insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul (2), das folgende Merkmale aufweist:ein Hohlraumgehäuse (3) mit einem Gehäuserahmen (4) mit Kunststoffwandungen (5), in welche Flachleiter (18) teilweise eingebettet sind und nach außen führen, und einem metallischen Gehäuseboden (9) mit mindestens einer Chipinsel (10), undmindestens einen auf der Chipinsel (10) angeordneten Halbleiterchip (11), der mit den Flachleitern (18) elektrisch verbunden ist,wobei die Kunststoffwandungen (5) aus einem Duroplast hergestellt sind und Oberflächen (36) aufweisen, die mit Oberflächen (37) des metallischen Gehäusebodens (9) über eine Lötverbindung verbunden sind, undwobei die mit den Oberflächen (37) des Gehäusebodens (9) verbundenen Oberflächen (36) der Kunststoffwandungen (5) aufweisen:einen lötfähigen Schichtaufbau (8) miteiner ersten Haftvermittlerschicht (13), die direkt auf den Kunststoffwandungen (5) aufgebracht ist und die Cr, NiCr, Ti und/oder Zn umfasst, undzumindest einer Lotschicht (30).
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil, insbesondere ein Hochfrequenz-Leistungsmodul, mit einem Kunststoffwandungen und einen Metallrahmen aufweisenden Gehäuserahmen, wobei die Kunststoffwandungen und der Metallrahmen über eine Lötverbindung verbunden sind. Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen einer Lötverbindung zwischen einem Duroplastbauteil und einem Metallteil.
- Elektronische Bauteile, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodule werden aufgrund der hohen Wärmeentwicklung und der Hochfrequenz-Eigenschaften häufig in Hohlraumgehäusen aus Keramik untergebracht. Darüber hinaus ist es im Stand der Technik bekannt, Hochleistungsmodule vollständig in einer Kunststoffmasse einzubetten, wobei deren Hochleistungshalbleiterchip auf einer Chipinsel angeordnet ist, von der mindestens eine Oberfläche eine Außenwand des Gehäuses bildet, die durch die Umgebung gekühlt werden kann.
- Hohlraumgehäuse aus Keramik sind jedoch in der Fertigung aufwendig und teuer. Andere Materialien, die auch in Verbindung mit den Hochfrequenz-Eigenschaften des in dem Gehäuse unterzubringenden Moduls verwendet werden können, wären, wie bereits erwähnt, Kunststoffmaterialien wie Thermoplaste oder Duroplaste. Duroplaste wären besonders geeignet, da sie aufgrund ihrer nach dem Aushärtungsprozess stabilen Struktur bei Erwärmung im Gegensatz zu Thermoplasten nicht aufweichen.
- Jedoch weisen die Hohlraumgehäuse auch metallische Bauteile auf, z. B. Metallrahmen in deren Fußbereich, die mit den Kunststoffwandungen haftfest und dicht verbunden werden müssen, wobei diese Verbindung auch den Belastungen standhalten muss, die beim Draht-Bonden mit Ultraschall auf das Bauteil und somit auch auf die Verbindungsstelle einwirken.
- Die
WO 2004 073 013 A2 offenbart ein elektronisches Bauteil, insbesondere ein Hochfrequenz-Leistungsmodul mit einem Hohlraumgehäuse, das einen Gehäuserahmen mit Kunststoffwandungen aufweist. Im Fußbereich der Kunststoffwandungen ist ein Metallrahmen über Ankerelemente formschlüssig mit den Kunststoffwandungen verbunden, so dass ein Gehäuseboden über eine Lötfuge mit dem Gehäuserahmen temperaturbeständig verbunden ist. - Daher ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein elektronisches Bauteil, welches ohne größeren herstellungstechnischen Aufwand sowie kostengünstig hergestellt werden kann und dabei den Anforderungen, die an ein Hochfrequenz-Leistungsmodul gestellt werden, standhält sowie ein entsprechendes Verfahren vorzusehen.
- Diese Aufgabe wird durch ein elektronisches Bauteil mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Anspruch 11 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
- Erfindungsgemäß bereitgestellt wird demnach ein elektronisches Bauteil, insbesondere ein Hochfrequenz-Leistungsmodul, das folgende Merkmale aufweist: ein Hohlraumgehäuse mit einem Gehäuserahmen mit Kunststoffwandungen in welche Flachleiter teilweise eingebettet sind und nach außen führen,, einem metallischen Gehäuseboden mit mindestens einer Chipinsel, mindestens einen auf der Chipinsel angeordneten Halbleiterchip, der mit den Flacheitern elektrisch verbunden ist, wobei die Kunststoffwandungen aus einem Duroplast hergestellt sind und Oberflächen aufweisen, die mit Oberflächen des metallischen Gehäusebodens über eine Lötverbindung verbunden sind. Die mit den Oberflächen des Metallrahmens verbundenen Oberflächen der Kunststoffwandungen weisen einen lötfähigen Schichtaufbau mit einer ersten Haftvermittlerschicht direkt auf den Kunststoffwandungen, welche Cr, NiCr, Ti und/oder Zn umfasst, und zumindest einer Lotschicht auf.
- Wie eingangs bereits erwähnt, weisen Duroplaste aufgrund ihrer stabilen Struktur nach dem Aushärten die für die Hochfrequenz-Anwendung und Temperaturbereiche der Anwendung gewünschten Eigenschaften auf. Im Gegensatz zu den Thermoplasten sind sie temperatur- und formstabil und halten im Allgemeinen auch höheren Belastungen stand. Weiterhin sind Duroplaste im Gegensatz zu Keramiken kostengünstig und einfach zu be- bzw. verarbeiten. Z. B. könnten die Duroplastwandungen des Gehäuses einfach entweder als Pressmassen oder auch im Spritzgießverfahren hergestellt werden.
- Die erfindungsgemäße Lötverbindung zwischen den Duroplastwandungen und dem Gehäuseboden des elektronischen Bauteils erzeugt eine haftfeste Verbindung, die zuverlässiger ist als eine herkömmliche Klebeverbindung. Auch ist die Lötverbindung, welche insbesondere mittels Weichlöten hergestellt wird, in einem größeren Temperaturbereich stabil und in der Langzeitanwendung zuverlässiger als die aus dem Stand der Technik bekannte Klebeverbindung zwischen Kunststoffteil und Metallteil.
- Vorzugsweise weist der Schichtaufbau weiterhin eine zweite Haftvermittlerschicht, welche Cu umfasst, auf. Es ist besonders bevorzugt, wenn die Lötverbindung durch Weichlöten hergestellt ist.
- Es ist besonders vorteilhaft, wenn der Schichtaufbau weiterhin eine Diffusionsbarriereschicht aufweist, welche Ni oder eine Ni-Legierung umfasst.
- Darüber hinaus weist der Schichtaufbau zumindest eine Lotschicht auf, welche vorzugsweise Sn umfasst. Die Lotschicht kann aber auch andere Materialien aufweisen; es kann beispielsweise auch Gold-Zinn-Lot eingesetzt werden.
- In dem Fall, wo Cu als Haftvermittlerschicht verwendet wird, ist es jedoch auch möglich, die Cu-Schicht gleichzeitig als Lotschicht zu verwenden.
- Vorzugsweise weist die erste Haftvermittlerschicht eine Dicke von 0,05 µm auf, und die zweite Haftvermittlerschicht weist eine Dicke von 0,5 - 1 µm auf.
- Es ist vorteilhaft, wenn die Diffusionsbarriere eine Dicke von 1,0 µm und die Lotschicht eine Dicke von 1,0 µm aufweist.
- Besonders bevorzugt sind die Ausführungsformen, bei denen als Duroplast Bakelit, Polyurethan, Melaminharz, Phenolharz oder Epoxidharz verwendet ist bzw. die Kunststoffwandungen des Gehäuserahmens des elektronischen Bauteils aus zumindest einem dieser Materialien hergestellt sind. Es können aber auch jegliche andere Duroplaste wie z. B. KMC 180-7 (= Pressmasse der Firma Shin-Etsu) verwendet werden.
- Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils insbesondere eines Hochfrequenz-Leistungsmoduls nach Anspruch 1, welches die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen des Hohlraumgehäuses mit dem Gehäuserahmen mit den Kunststoffwandungen aus Duroplast und dem metallischen Gehäuseboden mit der mindestens einen Chipinsel; Reinigen einer für die Lötverbindung vorgesehenen Oberfläche des Duroplastbauteils; Plasmavorbehandlung der Oberfläche des Duroplastbauteils zur Metallisierung; Metallisieren der Oberfläche des Duroplastbauteils, wobei ein Schichtaufbau mit zumindest einer ersten Haftvermittlerschicht und der zumindest einen Lotschicht erzeugt wird.
- Der erfindungsgemäße lötfähige Schichtaufbau auf dem Duroplastbauteil erzeugt eine haftfeste und dichte Verbindung. Die Lötverbindung ist zuverlässiger als eine Klebeverbindung. Sie ist auch, wie bereits erwähnt, über einen größeren Temperaturbereich stabil. Weiterhin bietet die so vorgesehene Lötverbindung eine steife Verbindung zwischen Kunststoff und Metall, wie sie beispielsweise zum Draht-Bonden mit Ultraschall notwendig ist. Die Prozesszeit zur Herstellung der Verbindung liegt darüber hinaus im Sekundenbereich verglichen mit bis zu 1,5 Stunden Aushärtetemperatur eines Klebers. Weiterhin ist der Lötprozess identisch mit einem Chipmontageprozess, so dass beide Montageprozesse parallel durchgeführt werden können und damit die Montagezeit und somit die Kosten reduziert werden können.
- Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiels des Verfahrens wird die Oberfläche des Duroplastbauteils in dem Reinigungsschritt mit Alkohol gereinigt.
- Weiterhin ist es bevorzugt, wenn die Plasmavorbehandlung der Oberfläche des Duroplastbauteils mittels Glimmentladung durchgeführt wird.
- In einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Plasmavorbehandlung der Oberfläche des Duroplastbauteils mittels Metallionenbehandlung durchgeführt.
- Darüber hinaus ist es vorteilhaft, wenn der Metallisierungsschritt mittels eines hochaktiven PVD-Verfahrens durchgeführt wird.
- Gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Lotschicht galvanisch aufgebracht wird. Dies ist aus Kostengründen vorteilhaft, besonders wenn Schichtdicken von einigen zehn Mikrometer erforderlich sind.
- Besonders bevorzugt ist hierbei ein Vakuumbogenverfahren.
- Vorzugsweise umfasst die erste Haftvermittlerschicht Cr, und die erste Haftvermittlerschicht wird vorzugsweise in einer Dicke von 0,05 µm aufgebracht.
- In einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel des Verfahrens umfasst die Lotschicht Sn und wird in einer Dicke von 0,5 - 1 µm aufgebracht.
- Es ist weiterhin vorteilhaft, wenn über der ersten Haftvermittlerschicht eine zweite Haftvermittlerschicht aufgebracht wird.
- Besonders von Vorteil ist bei dem Verfahren, wenn über der ersten Haftvermittlerschicht und/oder zweiten Haftvermittlerschicht weiterhin zumindest eine Diffusionsbarriereschicht aufgebracht wird.
- Vorzugsweise umfasst die zweite Haftvermittlerschicht Cu und wird in einer Dicke von 0,5 bis 1,0 µm aufgebracht.
- Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt
-
1 einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil mit einem Hohlraumgehäuse gemäß dem Stand der Technik; -
2 einen schematischen Querschnitt durch ein Hohlraumgehäuse eines elektronischen Bauteils gemäß der Erfindung; -
3a, b ,c einen schematischen Querschnitt durch erfindungsgemäße Schichtaufbauten; -
4 einen schematischen Querschnitt durch den Geräteaufbau, der für ein Vakuumbogenverfahren verwendet wird. -
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil1 mit einem Hohlraumgehäuse3 . Das Hohlraumgehäuse3 weist einen nach oben und unten offenen Gehäuserahmen4 auf. Ein von dem Gehäuserahmen4 umschlossener Hohlraum wird von Kunststoffwandungen5 umgeben, wobei in einem Fußbereich der Kunststoffwandungen5 ein Metallrahmen6 angeordnet ist, der sich mit seiner Oberseite7 an den Fußbereich22 des Gehäuserahmens4 anschließt. - Das Hohlraumgehäuse
3 wird nach unten von einem metallischen Gehäuseboden9 abgeschlossen der hier als Wärmesenke16 ausgebildet ist. Der Gehäuseboden9 ist über eine Lötfuge15 mit der Rückseite38 des Metallrahmens6 verbunden. Der Metallrahmen6 weist Ankerelemente14 auf, die als Schwalbenschwanz ausgestaltet sind, so dass eine formschlüssige Verankerung des Metallrahmens6 im Fußbereich22 der Kunststoffwandungen5 vorhanden ist. - Flachleiter
18 , die gleichzeitig mit den Ankerelementen14 in den Kunststoffwandungen5 eingebettet sind, weisen jeweils einen Außenabschnitt24 , einen in den Kunststoff eingebetteten Mittenabschnitt21 und einen auf einem stufenförmigen Ansatz20 des Gehäuserahmens4 angeordneten Innenabschnitt19 auf. - Auf dem Gehäuseboden
9 sind drei Chipinseln10 angeordnet, die aus einer Goldbeschichtung bestehen, während der Gehäuseboden9 aus einer Kupferlegierung hergestellt ist. Mit dieser Goldbeschichtung der Chipinseln10 bildet das Silicium der Halbleiterchips11 beim Aufbringen unter entsprechend hohen Temperaturen eine eutektische Legierung, so dass die Halbleiterchips11 sicher mit dem Gehäuseboden9 verbunden sind und beim Anlöten des Gehäusebodens9 an den Metallrahmen6 auf den Chipinseln10 fixiert bleiben. - Die Ankerelemente
14 sorgen dafür, dass beim Anlöten des Gehäusebodens9 an den Metallrahmen6 sich der Metallrahmen6 nicht von den Kunststoffwandungen5 löst. - Das Verbinden der Flachleiter
18 mit Kontaktflächen27 auf aktiven Oberseiten12 der Halbleiterchips11 erfolgt über mehrere Hundert parallel geschaltete Bonddrähte einerseits zwischen den Innenabschnitten19 der Flachleiter18 und Kontaktflächen27 und andererseits zwischen Kontaktflächen27 der Halbleiterchips11 untereinander. Elektrische Verbindungen23 werden auch durch gebondete Flachleiterbänder realisiert. - Um ein Bonden auf möglichst gleichem Niveau
n zu ermöglichen, weist der Gehäuseboden9 einen Metallsockel17 auf, der zusammen mit der Dicke der Chipinsel10 eine Höheh aufweist, die derart bemessen ist, dass die Dicked der Halbleiterchips11 plus der Höheh des Metallsockels17 das Niveaun der Flachleiter18 erreicht. Damit lassen sich die elektrischen Verbindungen23 in einer einzigen Bondebene durchführen. - Das elektronische Bauteil
1 mit dem Hochfrequenz-Leistungsmodul2 im Hohlraum25 ist durch einen Gehäusedeckel26 nach oben abgeschlossen, der aus einer Kupfer- oder Nickellegierung oder Thermoplast/oder Duroplast/oder Keramik ausgebildet ist und mit einem stufenförmigen Ansatz20 des Gehäuserahmens4 in Eingriff steht. Durch die metallische Ausführung des Gehäusedeckels26 als auch des Gehäusebodens9 wird das Hochfrequenz-Leistungsmodul2 gegen elektrische äußere Streufelder abgeschirmt. -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Hohlraumgehäuse eines elektronischen Bauteils1 gemäß der Erfindung. Hier weist der Gehäuserahmen4 Kunststoffwandungen5 auf, die aus einem Duroplast hergestellt sind. Der Fußbereich22 des Gehäuserahmens4 ist mit einem lötfähigen Schichtaufbau8 beschichtet, über welchen der metallische Gehäuseboden9 mit dem Fußbereich22 haftfest und temperaturstabil verlötet werden kann. - Der im Stand der Technik vorgesehene Metallrahmen
6 , der über Ankerelemente14 mit den Kunststoffwandungen5 verbunden ist (siehe1 ), um wiederum mit dem metallischen Gehäuseboden9 verlötet zu werden kann entfallen. Es wäre jedoch auch möglich einen Metallrahmen6 vorzusehen, der auf die gleiche Art und Weise wie der Gehäuseboden9 mit dem Fußbereich22 der Kunststoffwandungen5 verlötet wird. Jegliche Ankerelemente14 wären dann überflüssig, da eine ausreichende Verbindung der Bauteile9 und4 , bzw. einer Oberfläche36 der Kunststoffwandungen5 des Gehäuserahmens4 mit einer Oberfläche37 des metallischen Gehäusebodens9 über die Lötstelle erfolgt. -
3a bisc zeigen einen schematischen Querschnitt durch verschiedene erfindungsgemäße Schichtaufbauten.3a zeigt einen Schichtaufbau8 mit lediglich zwei Schichten, die auf der Oberfläche36 des Fußbereichs22 des Gehäuserahmens4 aufgebracht sind. Hierbei ist die erste Schicht, die direkt auf den Duroplast der Kunststoffwandung5 im Fußbereich22 des Gehäuserahmens4 (siehe2 ) aufgebracht ist, eine erste Haftvermittlerschicht13 aus Cr. Direkt auf der ersten Haftvermittlerschicht13 ist die Lotschicht30 , welche in diesem Fall aus Sn besteht, aufgebracht. - Die Dicke der ersten Haftvermittlerschicht
13 beträgt 0,05 µm und die Dicke der Lotschicht30 beträgt 1,0 µm. - Im zweiten Beispiel eines erfindungsgemäßen Schichtaufbaus, wie er in
3b dargestellt ist, sind drei Schichten13 ,28 und30 auf der Oberfläche36 des Fußbereichs22 des Gehäuserahmens4 (siehe2 ) aufgebracht. Die erste Schicht, die wiederum in direktem Kontakt mit dem Duroplast steht, ist die erste Haftvermittlerschicht13 . Darauf aufgebracht befindet sich eine zweite Haftvermittlerschicht28 aus Cu. Auf dieser zweiten Haftvermittlerschicht28 ist wiederum eine Lotschicht30 aus Sn aufgetragen. - Im dritten Beispiel eines erfindungsgemäßen Schichtaufbaus, wie er in
3c dargestellt ist, sind vier Schichten übereinander aufgetragen worden. Die unterste, mit dem Duroplast in direktem Kontakt stehende Schicht ist wiederum eine erste Haftvermittlerschicht13 . Darüber befindet sich eine zweite Haftvermittlerschicht28 , welche von einer Diffusionsbarriereschicht29 überlagert wird. Darüber ist dann noch die Lotschicht30 aufgebracht. Die erste Haftvermittlerschicht13 besteht ausCr , die zweite Haftvermittlerschicht28 besteht ausCu und dient zur Adhäsion des darüber abgelagertenNi der Diffusionsbarriereschicht29 . Die Ni-Diffusionsbarriereschicht29 dient als Barriere für das Cu der zweiten Haftvermittlerschicht28 . Die Lotschicht30 ist wiederum aus Sn hergestellt. - Die besten Resultate bezüglich der Haftfestigkeit der Lötverbindung zwischen Duroplast und Metall zeigen sich, wenn zumindest eine Schicht des lötfähigen Schichtaufbaus
8 aus Cu besteht. Weiterhin wird eine prozesssichere Lötbarkeit dann erzielt, wenn die Schichtdicke des lötfähigen Schichtaufbaus8 einige zehn Mikrometer aufweist. - Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Kunststoff aus einem Duroplast mit einem lötfähigen Schichtaufbau
8 versehen. Die Duroplastbauteile31 werden dabei einer Vorbereitung unterzogen, die wie folgt ausgeführt wird: Zunächst wird die Duroplastbauteiloberfläche chemisch gereinigt. Insbesondere eignet sich eine Reinigung mit Alkohol. Dann werden die Duroplastbauteile31 in eine Vakuumkammer eingebaut. Wenn der Arbeitsdruck erreicht ist, erfolgt eine Plasma-Vorbehandlung. Diese findet unmittelbar vor Beginn der Beschichtung statt. Hierzu werden vorwiegend Glimmentladungen (normale Glimmentladung oder arc enhanced glow discharge (AEGD) mit verschiedenen Plasmagasen verwendet. Eine andere Möglichkeit ist die Metallionenbehandlung der Duroplastbauteile31 . Dabei werden hochenergetische Metallionen zur Reinigung und Aktivierung der Substratoberfläche genutzt. - Darauf folgend wird die Metallisierung der Duroplast Bauteil-Oberflächen vorgenommen, welche mit Metallen entsprechend dem gewünschten lötfähigen Schichtaufbau
8 durchgeführt wird. Als Beschichtungsverfahren kann das Vakuumbogenverfahren verwendet werden. -
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Geräteaufbau, der für das Vakuumbogenverfahren verwendet wird. Der Geräteaufbau umfasst: einen Gaseinlass32 , einen Verdampfer33 , eine Bias-Quelle35 und ein Vakuumsystem34 . Die Duroplastbauteile31 werden in einem dafür vorgesehenen Halter in die Probenkammer eingesetzt und dort bedampft. Am Verdampfer33 (Kathode der Bogenentladung) wird durch eine Bogenentladung das Kathodenmaterial verdampft und ionisiert. Das so produzierte Metallplasma wird zur Beschichtung der Proben genutzt. Mögliche Beschichtungsmaterialien sind: Cr, Cu, Ni, Sn, NiV7, Ti, Zn. - Der Vorteil dieses Verfahrens liegt darin, dass das Beschichtungsmaterial vollständig ionisiert vorliegt. Dadurch können u. a. sehr dichte Schichten bei sehr guter Haftung auf dem Substrat, hier also auf dem Duroplastteil
31 , erzeugt werden. - Das Aufbringen einer Lotschicht
30 , welche beispielsweise aus Zinn besteht, kann anschließend durch ein galvanisches Verfahren verstärkt werden. - Die mit einem gemäß dem oben beschriebenen Verfahren hergestellten Schichtaufbau versehenen Duroplastbauteile
31 sind dadurch gut mit Metallteilen verlötbar, so dass eine dauerhaft haftfeste Verbindung vorgesehen wird. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- elektronisches Bauteil
- 2
- Hochfrequenz-Leistungsmodul
- 3
- Hohlraumgehäuse
- 4
- Gehäuserahmen
- 5
- Kunststoffwandung
- 6
- Metallrahmen
- 7
- Oberseite
- 8
- lötfähiger Schichtaufbau
- 9
- Gehäuseboden
- 10
- Chipinsel
- 11
- Halbleiterchip
- 12
- aktive Oberseite des Halbleiterchips
- 13
- erste Haftvermittlerschicht
- 14
- Ankerelemente
- 15
- Lötfuge
- 16
- Wärmesenke
- 17
- Metallsockel
- 18
- Flachleiter
- 19
- Innenabschnitt der Flachleiter
- 20
- stufenförmiger Ansatz des Gehäuserahmens
- 21
- Mittenabschnitt der Flachleiter
- 22
- Fußbereich des Gehäuserahmens
- 23
- elektrische Verbindung
- 24
- Außenabschnitt der Flachleiter
- 25
- Hohlraum
- 26
- Gehäusedeckel
- 27
- Kontaktflächen
- 28
- zweite Haftvermittlerschicht
- 29
- Diffusionsbarriereschicht
- 30
- Lotschicht
- 31
- Duroplastbauteil
- 32
- Gaseinlass
- 33
- Verdampfer + I-Quelle
- 34
- Vakuumsystem
- 35
- Bias-Quelle
- 36
- Oberfläche
- 37
- Oberfläche
- 38
- Rückseite
- n
- Niveau der Flachleiter
- d
- Dicke des Halbleiters
- h
- Höhe des metallsockels und der Chipinsel
Claims (22)
- Elektronisches Bauteil (1), insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul (2), das folgende Merkmale aufweist: ein Hohlraumgehäuse (3) mit einem Gehäuserahmen (4) mit Kunststoffwandungen (5), in welche Flachleiter (18) teilweise eingebettet sind und nach außen führen, und einem metallischen Gehäuseboden (9) mit mindestens einer Chipinsel (10), und mindestens einen auf der Chipinsel (10) angeordneten Halbleiterchip (11), der mit den Flachleitern (18) elektrisch verbunden ist, wobei die Kunststoffwandungen (5) aus einem Duroplast hergestellt sind und Oberflächen (36) aufweisen, die mit Oberflächen (37) des metallischen Gehäusebodens (9) über eine Lötverbindung verbunden sind, und wobei die mit den Oberflächen (37) des Gehäusebodens (9) verbundenen Oberflächen (36) der Kunststoffwandungen (5) aufweisen: einen lötfähigen Schichtaufbau (8) mit einer ersten Haftvermittlerschicht (13), die direkt auf den Kunststoffwandungen (5) aufgebracht ist und die Cr, NiCr, Ti und/oder Zn umfasst, und zumindest einer Lotschicht (30).
- Elektronisches Bauteil (1) nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Schichtaufbau (8) eine zweite Haftvermittlerschicht (28), welche Cu, Pt und/oder Pd umfasst, aufweist. - Elektronisches Bauteil (1) nach
Anspruch 2 , dadurch gekennzeichnet, dass die Lötverbindung durch Weichlöten hergestellt ist. - Elektronisches Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schichtaufbau (8) weiterhin eine Diffusionsbarriereschicht (29) aufweist, welche Ni oder eine Ni-Legierung und/oder Ti, TiN, TiO2 und/oder SiO2 umfasst.
- Elektronisches Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lotschicht (30) des Schichtaufbaus (8) Sn oder Sn-Legierungen umfasst.
- Elektronisches Bauteil (1) nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , dadurch gekennzeichnet, dass die erste Haftvermittlerschicht (13) eine Dicke von 0,02 µm - 0,2 µm aufweist. - Elektronisches Bauteil nach einem der
Ansprüche 2 bis6 , dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Haftvermittlerschicht (28) eine Dicke von 0,02 µm - 1 µm aufweist. - Elektronisches Bauteil (1) nach einem der
Ansprüche 4 bis7 , dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsbarriereschicht (29) eine Dicke von 0,2 µm - 2 µm aufweist. - Elektronisches Bauteil (1) nach einem der
Ansprüche 5 bis8 , dadurch gekennzeichnet, dass die Lotschicht (30) eine Dicke von 0,5 µm - 4 µm aufweist. - Elektronisches Bauteil (1) nach einem der
Ansprüche 1 bis9 , dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffwandungen (5) aus Bakelit, Polyurethan, Melaminharz, Phenolharz oder Epoxidharz hergestellt sind. - Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils (1), insbesondere eines Hochfrequenz-Leistungsmoduls (2), nach
Anspruch 1 , welches die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen des Hohlraumgehäuses (3) mit dem Gehäuserahmen mit den Kunststoffwandungen (5) aus Duroplast und dem metallischen Gehäuseboden mit der mindestens einen Chipinsel (10), Reinigen einer für die Lötverbindung vorgesehenen Oberfläche (36) des Duroplastbauteils (31); Plasmavorbehandlung der Oberfläche (36) des Duroplastbauteils (31) zur Metallisierung; Metallisieren der Oberfläche (36) des Duroplastbauteils (31), wobei der lötfähige Schichtaufbau mit der ersten Haftvermittlerschicht (13) und der Lotschicht (30) erzeugt wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 , bei welchem die Oberfläche (36) des Duroplastbauteils (31) in dem Reinigungsschritt mit Alkohol gereinigt wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 oder12 , bei welchem die Plasmavorbehandlung der Oberfläche (36) des Duroplastbauteils (31) mittels Glimmentladung durchgeführt wird. - Verfahren nach
Anspruch 11 oder12 , bei welchem die Plasmavorbehandlung der Oberfläche (36) des Duroplastbauteils (31) mittels Metallionenbehandlung durchgeführt wird. - Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei welchem der Metallisierungsschritt mittels eines hochaktiven PVD-Verfahrens durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der
Ansprüche 11 bis14 , bei welchem die Lotschicht (30) galvanisch aufgebracht wird. - Verfahren nach
Anspruch 15 , bei welchem das PVD-Verfahren ein Vakuumbogenverfahren ist. - Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei welchem die erste Haftvermittlerschicht (13) Cr umfasst und in einer Dicke von 0,0 - 0,2 µm aufgebracht wird.
- Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei welchem die Lotschicht (30) Sn umfasst und in einer Dicke von 0,5 µm - 4 µm aufgebracht wird.
- Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei welchem über der ersten Haftvermittlerschicht (13) eine zweite Haftvermittlerschicht (28) aufgebracht wird.
- Verfahren nach
Anspruch 20 , bei welchem über der ersten Haftvermittlerschicht (13) und/oder zweiten Haftvermittlerschicht (28) weiterhin zumindest eine Diffusionsbarriereschicht (29) aufgebracht wird. - Verfahren nach
Anspruch 20 oder21 , bei welchem die zweite Haftvermittlerschicht (28) Cu umfasst und in einer Dicke von 0,02 µm bis 1,0 µm aufgebracht wird.
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