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Die
Erfindung betrifft ein Speichermodul zum Bereitstellen einer Speicherkapazität mit einem
oder mehreren Speicherbausteinen.
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Moderne
Datenverarbeitungsgeräte
benötigen
für ihre
Funktion Speicherkapazitäten,
die ihnen in Form von Speichermodulen zur Verfügung gestellt werden können. Die
Speichermodule weisen Schnittstellen z.B. in Form von Steckverbindern
auf, so dass sie wahlweise in das Datenverarbeitungsgerät eingesetzt
werden können,
um je nach Anwendung mehr oder weniger Speicherkapazität bereit
zu stellen. Die Speichermodule weisen üblicherweise zum Bereitstellen
einer ausreichend großen
Speicherkapazität mehrere
Speicherbausteine auf, die auf einer Leiterplatte des Speichermoduls
aufgebracht sind und die über
die Verbindungsschnittstelle mit dem Datenverarbeitungsgerät verbunden
werden können,
um den Datenaustausch zwischen dem Speichermodul und dem Datenverarbeitungsgerät zu ermöglichen.
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Es
besteht eine Schwierigkeit darin, die Herstellung von Speichermodulen
mit hohen Speicherkapazitäten
mit hoher Ausbeute zu realisieren. In Speichermodulen nach dem Stand
der Technik sind bis zu 32 einzelne Speicherbausteine und mehr (z.B. 32 × 1 Gb-chips,
um ein 4 GB-Speichermodul zu realisieren) angeordnet. Die Ausbeute
im Herstellungsprozess bei solchen Modulen wird zunehmend vor allem
aufgrund eines technischen Effektes sehr klein, bei dem die Datenhaltezeit
nach thermischem Stress degradiert (retention degradation after
thermal stress).
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Um
die Ausfallrate zu verringern, werden die Speicherzellen in den
Speicherbausteinen noch im unzersägten Zustand getestet und versucht,
fehlerhafte Speicherzellen zu erkennen, de ren Datenhaltezeit eine
bestimmte Zeitdauer nicht übersteigt.
Diese Zellen werden als fehlerhaft erkannt und in einem Reparaturschritt
durch redundante Speicherzellen ersetzt. Üblicherweise wird beim Testen
die Zeitdauer, während
der fehlerfreie Zellen das gespeicherte Datum sicher halten müssen, größer gewählt, als
die durch die Spezifikation vorgegebene Zeitdauer für die Datenhaltezeit,
um die aufgrund einer möglichen Degradation
gefährdeten
Zellen bereits ebenfalls im Vorfeld zu erkennen und durch redundante
Zellen ersetzen zu können.
Beispielsweise wird die Zeitdauer für die Datenhaltezeit bezüglich der
die Speicherzellen der Speicherschaltungen getestet werden, auf das
etwa Doppelte der in der Spezifikation angegebene Zeitdauer angesetzt.
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Jedoch
werden DRAM-Speicherzellen aller bekannten Technologien durch die
Degradation der Datenhaltezeit nach thermischem Stress beeinflusst. Thermischer
Stress tritt beim Prozess des Einhäusens der Chips auf ebenso
wie beim Zusammenbau der Speichermodule, der einen Lötprozess
erfordert. Thermischer Stress aktiviert Fehlermechanismen und verursacht
eine Veränderung
(Reduktion) der Datenhaltezeiten in einzelnen Speicherzellen der Speicherbausteine.
Aufgrund der zunehmenden Speicherdichte in Speichermodulen tritt
dieser Effekt häufiger
auf, so dass die Ausbeute beim Aufbau der Speichermodule geringer
wird.
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Um
die Ausbeute bei der Herstellung von Speichermodulen zu erhöhen, ist
es möglich,
die Zeitdauer für
die Datenhaltezeit zu vergrößern, um vorsorglich
weitere Speicherzellen durch redundante Speicherzellen zu ersetzen,
deren Datenhaltezeit kleiner ist als die Zeitdauer, mit der die
Speicherzellen getestet werden. Dies führt jedoch dazu, dass die Gesamtausbeute
an funktionierenden Speicherbausteinen sinkt, da eine größere Anzahl
von Speicherbausteinen als nicht reparierbar verworfen werden muss,
da die zu reparierenden Speicherzellen die Anzahl der zur Verfügung stehenden
redundanten Speicherzellen übersteigt.
Des weiteren ist es möglich,
Reparaturme chanismen in dem Speicherbaustein zur Verfügung zu
stellen, die es ermöglichen, die
auf das Speichermodul aufgebrachten Speicherbausteine, d.h. nach
der Fertigstellung des Speichermoduls, einem Reparaturschritt unterziehen
zu können.
Da die Speicherschaltung in der Regel von außen nicht mehr zugänglich ist,
da diese in einem Gehäuse
eingebaut ist, kann beispielsweise vorgesehen sein, als Einstellmöglichkeit
elektrische Fuse-Elemente in dem Speicherbaustein vorzusehen. Diese
ermöglichen
es, nach dem Zusammenbau des Speichermoduls erkannte Fehler durch
einen Programmierschritt reguläre
Speicherzellen durch redundante Speicherzellen gezielt zu ersetzen.
Dieser Ansatz erfordert es jedoch, elektrische Fuse-Elemente auf dem
Chip gemeinsam mit der Speicherschaltung vorzusehen, was jedoch
ein aufwändigeres
Herstellungsverfahren erfordert und somit teurer ist.
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Auch
wird durch das Vorsehen von elektrischen Fuse-Elementen das Design
der Speicherschaltungen beeinträchtigt,
da das Programmieren der elektrischen Fuse-Elemente spezielle Spannungspegel
und einen gesonderten Zugang zu den Speicherbausteinen auf Speichermodulebene
für diese
Zweck benötigt
werden. Ein zusätzlicher
Nachteil des Ansatzes mit den elektrischen Fuse-Elementen besteht
darin, dass die bekannten technologischen Verfahren zur Herstellung
von Fuse-Elementen nicht oder nicht ausreichend skalierbar sind, wenn
neue Technologie-Generationen eingeführt werden. Dies würde ständig einen
neuen Aufwand erfordern, Technologien zur Herstellung von elektrischen
Fuse-Elementen zu entwickeln.
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Aus
der Druckschrift US 6,586,823 B2 ist ein Speichermodul zum Bereitstellen
einer Speicherkapazität
bekannt, dass eine Leiterplatte, Speicherbausteine, die auf die
Leiterplatte aufgebracht sind und eine Verbindungsschnittstelle
aufweist. Es ist weiterhin ein programmierbarer Fehlerspeicher vorgesehen,
der separat auf der Leiterplatte aufgebracht ist und einen von einem
Programmierschritt abhängigen Programmierzustand
aufweist. Mithilfe einer Redundanzschaltung, die mit dem programmierbaren
Fehlerspeicher und mit einen oder den mehreren Speicherbausteinen
verbunden ist, wird abhängig von
dem Programmierzustand des programmierten Fehlerspeichers bei Anliegen
eines bestimmten Adressdatums einen regulären Speicherbereich oder ein
redundanter Speicherbereich in einen der Speicherbausteine adressiert.
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Aus
der Druckschrift
DE
42 41 327 A1 ist ein Speicher mit mehreren regulären Speicherzellenblöcken oder
Redundanzzellen bekannt, bei dem ein zusätzlicher, eigenständiger Redundanzspeicherblock vorgesehen
ist, um defekte Zellen der regulären Speicherblöcke zu ersetzen.
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Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Speichermodul zur Verfügung zu
stellen, das mit einer besseren Herstellungsausbeute herstellbar
ist und wobei eine Reparaturmöglichkeit
zur Verfügung gestellt
wird, bei der das Speichermodul nach seinem Zusammenbau repariert
werden kann.
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Diese
Aufgabe wird durch jedes der Speichermodule nach Anspruch 1, 2 oder
3 gelöst.
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Weitere
vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Speichermodul zum
Bereitstellen einer Speicherkapazität vorgesehen. Das Speichermodul
weist eine Leiterplatte auf, auf der ein oder mehrere Speicherbausteine
aufgebracht sind, die jeweils einen regulären Speicherbereich und einen
redundanten Speicherbereich aufweisen. Das Speichermodul umfasst
weiterhin eine Verbindungsschnittstelle zum Verbinden des Speichermoduls
mit einem Gesamtsystem und zum Empfangen eines bestimmten Adressdatums,
das eine Adresse in einem Speicherbereich eines der Speicherbausteine
kennzeichnet, von dem Daten gelesen oder in den Daten geschrieben
werden sollen. Auf der Leiterplatte ist separat ein programmierbares
Fuse-Element aufgebracht, das einen von einem Programmierschritt
abhängigen
Programmierzustand aufweist. Ferner ist eine Redundanzschaltung
mit dem Fuse-Element und mit einer oder mehreren Speicherbausteinen verbunden,
um abhängig
von der Programmierzustand des Fuse-Elementes bei Anliegen des bestimmten
Adressdatums den regulären
Speicherbereich oder den redundanten Speicherbereich in einem der
Speicherbausteine zu adressieren.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann ein Speichermodul
vorgesehen sein, das eine Leiterplatte aufweist, auf dem ein oder
mehrere Speicherbausteine aufgebracht sind und die jeweils einen
regulären
Speicherbereich aufweisen. Ferner ist auf der Speicherplatte ein
separater redundanter Speicherbaustein mit einem redundanten Speicherbereich
vorgesehen. Abhängig
von einem Programmierzustand eines programmierbaren Fuse-Elements
wird durch eine Redundanzschaltung bei Anliegen des bestimmten Adressdatums
entweder der entsprechende reguläre
Speicherbereich in dem einen oder mehreren Speicherbausteinen oder der
redundante Speicherbereich in dem redundanten Speicherbaustein adressiert.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann ein Speichermodul
vorgesehen sein, das eine Leiterplatte aufweist, auf dem ein oder
mehrere Speicherbausteine aufgebracht sind. Ferner sind auf der
Leiterplatte separate Fuse-Elemente vorgesehen. Mithilfe einer Redundanzschaltung,
die mit den Fuse-Elementen und dem einen oder den mehreren Speicherbausteinen
verbunden ist, kann abhängig
von einem Programmierzustand des programmierbaren Fuse-Elements
bei Anliegen des bestimmten Adressdatums entweder der reguläre Speicherbereich
in dem einen oder den mehreren Speicherbausteinen oder ein redundanter
Speicherbereich in der Redundanzschaltung adressiert werden.
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Erfindungsgemäß wird ein
Speichermodul zur Verfügung
gestellt, das eine vorgegebene Speicherkapazität zur Verfügung stellt und das in einem Gesamtsystem,
z.B. in eine Datenverarbeitungseinheit mit Hilfe der Verbindungsschnittstelle
einsetzbar ist. Auf dem Speichermodul werden ein oder mehrere programmierbare
Fuse-Elemente vorgesehen, die nach dem Zusammenbau des Speichermoduls
in einem Programmierschritt programmiert werden können und
die mit einer Redundanzschaltung verbunden sind, so dass bei Anliegen
einer Adresse, mit der eine nach dem Zusammenbau des Moduls als
fehlerhaft erkannte Speicherzelle adressiert werden würde, durch
eine redundante Speicherzelle bzw. einen redundanter Speicherbereich
adressiert wird, um so die Funktion des Speichermoduls zu gewährleisten.
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Dabei
ist es wesentlich, dass das programmierbare Fuse-Element von den Speicherbausteinen getrennt
ausgebildet ist. Da sich die Speicherbausteine in der Regel in einem
Gehäuse
befinden, können Fuse-Elemente,
die sich in dem Speicherbaustein befinden, nicht von außen zugänglich sein.
Die separat auf der Leiterplatte aufgebrachten Fuse-Elemente ermöglichen
es also, auch nach Fertigstellung des Speichermoduls und einem anschließenden Testen des
Speichermoduls zum Erkennen von fehlerhaften Speicherzellen bzw.
fehlerhaften Speicherbereichen mit Hilfe eines Programmierschrittes
die Fuse-Elemente zu programmieren, um die fehlerhaften Speicherzellen
bzw. Speicherbereiche durch redundant vorgesehene Speicherzellen
bzw. Speicherbereiche zu ersetzen.
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Vorzugsweise
ist das Fuse-Element als ein Laser-Fuse-Element ausgebildet. Laser-Fuse-Elemente
können
mithilfe eines Laser-Trimming-Verfahrens
in einfacher Weise programmiert werden. Laser-Fuse-Elemente bestehen
in der Regel aus einer dünnen
Leitungsverbindung, die durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl aufgeschmolzen
bzw. verdampft werden kann, um die Leitungsverbindung zu unterbrechen.
Eine ursprünglich
leitende Leitungsverbindung wird so durchtrennt, und es können, je nach
dem, ob die Laser-Fuse leitend oder nicht leitend ist, verschiedene
Zustände
eingestellt werden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann das Laser-Fuse-Element
mithilfe einer auf einer Oberfläche
freiliegenden Leiterbahn ausgebildet sein. Alternativ kann das Laser-Fuse-Element in einem
Fuse-Bauelement vorgesehen sein, das separat hergestellt ist und
das auf der Leiterplatte aufgebracht ist, wobei die Fuse-Elemente
für den
Laserprozess freiliegend sind.
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Insbesondere
kann der redundante Speicherbereich durch eine oder mehrere Registerzellen
gebildet sein, die einzeln adressierbar sind.
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Alternativ
kann der redundante Speicherbereich im Wesentlichen baugleich zum
regulären Speicherbereich
aufgebaut sein.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann die Redundanzschaltung in einem von den Speicherbausteinen
getrennten Pufferbaustein vorgesehen sein, wobei der Pufferbaustein
zwischen den Speicherbausteinen und der Verbindungsschnittstelle
angeordnet ist, um an der Verbindungsschnittstelle empfangene Daten
parallelisiert an die Speicherbausteine weiterzuleiten und um von
den Speicherbausteinen zu sendende Daten zu seriellisieren und über die
Verbindungsschnittstele auszugeben.
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Bevorzugte
Ausführungsformen
der Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen
näher erläutert. Es
zeigen:
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1 ein
Speichermodul gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung, und
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2 ein
Speichermodul gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung, und
-
3 ein
Speichermodul gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung.
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In 1 ist
ein Speichermodul gemäß der vorliegenden
Erfindung dargestellt. Das Speichermodul weist eine Leiterplatte 1 auf,
die mit einer Verbindungseinrichtung 2 versehen ist, um
das Speichermodul mit einem Gesamtsystem, wie z.B. einer Datenverarbeitungseinheit,
zu verbinden. Die Verbindungseinrichtung 2 ist häufig als
Steckverbinder oder als Kontaktleiste ausgeführt und bietet die Möglichkeit,
mit dem Speichermodul mit Hilfe einer großen Anzahl von Signalen, wie
z.B. Speichersignalen, Adresssignalen, Befehlssignalen zu kommunizieren sowie
Versorgungsspannungen dem Speichermodul zur Verfügung zu stellen.
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Die
Verbindungseinrichtung 2 steht mit auf der Leiterplatte 1 aufgebrachten
Speicherbausteinen 3 über
Umverdrahtungsleitungen (nicht dargestellt) in Verbindung, so dass
abhängig
von angelegten Signalen ein Speicherbereich in einem der Speicherbausteine 3 adressiert
wird. Daten können über die
Verbindungseinrichtung 2 an den betreffenden adressierten
Speicherbaustein 3 gesendet oder von dem adressierten Speicherbaustein 3 empfangen
werden. Die dazu notwendigen Versor gungsleitungen und sonstige Signalleitungen
sind aus Gründen
der Übersichtlichkeit
nicht dargestellt.
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Auf
der Leiterplatte 1 befindet sich des weiteren eine Redundanzschaltung 4,
die in Form eines separaten Bausteins auf der Leiterplatte 1 angeordnet
ist. Weiterhin sind auf der Leiterplatte 1 Fuse-Elemente 5 vorgesehen,
die mit der Redundanz-Schaltung 4 verbunden sind. Die Fuse-Elemente 5 sind
als sogenannte Laser-Fuse-Elemente ausgebildet und stellen trennbare,
freiliegende Leitungsverbindungen auf der Leiterplatte 1 dar.
Die Leitungsverbindungen sind üblicherweise
aus einem metallischen oder einem sonstigen durch Aufschmelzen oder
Verdampfen durchtrennbaren Material gebildet. Das Durchtrennen der
Leitungsverbindungen der Laser-Fuses 5 wird mithilfe eines
sogenannten Laser-Trimming-Verfahrens vorgenommen, bei dem ein Laserstrahl
auf eine der Laser-Fuse-Elemente 5 fokussiert wird, so
dass die Leitungsverbindung aufgeschmolzen bzw. verdampft wird,
so dass eine zuvor bestehende leitende Verbindung nicht-leitend
wird. Durch die Auswahl derjenigen Laser-Fuse-Elemente 5,
die durchtrennt werden sollen, aus einer Anzahl von Laser-Fuse-Elementen
lassen sich Einstellungen vornehmen, die in die Redundanzschaltung 4 durch
Detektieren des leitenden bzw. nicht leitenden Zustandes jedes der
Laser-Fuse-Elemente
eingelesen wird.
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Nach
dem Zusammenbau des Speichermoduls werden die Speicherzellen der
Speicherbausteine getestet und evtl. Fehler einzelner Speicherzellen oder
Speicherbereiche festgestellt. Mithilfe einer geeigneten Einstellung
der Laser-Fuse-Elemente ist es nun möglich, die Adressen der fehlerhaften
Speicherzellen oder Speicherbereiche zu kodieren, so dass bei Anliegen
der Adresse mit dem fehlerhaften Speicherbereich ein redundanter
Speicherbereich adressiert wird. Beispielsweise weist jeder der Speicherbausteine 3 einen
solchen redundanten Speicherbereich 6 auf, der entweder
ausschließlich für die Reparatur
auf Speichermodulebene zur Verfügung
gestellt ist oder bei der Reparatur auf der Wafer-Level-Ebene, d.h.
bei der Reparatur der Speicherschaltungen im unzersägten Zustand,
nicht verwendet worden ist.
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Die
redundanten Speicherbereiche können als
Registerzellen, d.h. als SRAM-Zellen ausgebildet sein oder gleichartig
wie der reguläre
Speicherbereich als Teil des DRAM-Speicherzellen ausgebildet sein.
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Das
Speichermodul ist so gestaltet, dass nach dem Einschalten der Versorgungsspannung
zunächst
die Redundanzschaltung 4 die Einstellungen der Laser-Fuse-Elemente 5 ausliest
und diese Information in geeigneter Weise, vorzugsweise seriell
die Speicherbausteine 3 weiterleitet. Zu diesem Zweck können zusätzliche
Anschlüsse 7 und
eine geeignete Steuereinheit (nicht gezeigt) in den Speicherbausteinen 3 vorgesehen
sein. Z.B. kann das Übertragen der
aus der Laser-Fuse ausgelesenen Informationen durchgeführt werden,
indem einer der Speicherbausteine 3 ein Taktsignal vorgibt,
das an die Redundanzschaltung 4 übermittelt wird, wodurch die Übertragung
der Laser-Fuse-Informationen an die Speicherbausteine 3 synchronisiert
wird. Selbstverständlich
kann das erzeugte Taktsignal auch von der Redundanzschaltung 4 erzeugt
werden, um den Flächenbedarf
des Speicherbausteins 3 zu reduzieren.
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In
jedem Fall ist die zusätzlich
in den Speicherbausteinen 3 vorhandene Steuereinheit so vorgesehen,
dass sie in geeigneter Weise die Fuse-Information von der Redundanzschaltung 4 empfangen
kann und redundant vorgesehene Speicherbereiche abhängig von
der empfangenen Laser-Fuse-Information bei Anliegen einer bestimmten,
durch die Laser-Fuse-Information vorgegebenen Adresse adressiert
oder ist.
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In 2 ist
eine weitere Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Ausführungsform der 2 unterscheidet
sich in zwei nicht voneinander abhängigen Aspekten von der Ausführungsform
der 1. Gleiche Elemente sind in beiden Ausführungsformen
mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
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Anstelle
der auf der Leiterplatte 1 aufgebrachten Fuse-Elemente 5,
die in 1 dargestellt sind, sind die Fuse-Elemente in einem
separaten Fuse-Baustein 10 vorgesehen, in dem die Fuse-Elemente
vorgesehen sind. In diesen Fall können die Fuse-Elemente auch
als elektrische Fuse ausgebildet sein, In diesem Fall befindet sich
in dem Fuse-Baustein 10 kein Speicherzellenfeld, so dass technologische
Unverträglichkeiten
zwischen den Herstellungsprozessen für elektrische Fuse-Elemente und Speicherelemente
nicht auftreten können.
Die elektrischen Fuse-Elemente können
durch Anlegen einer geeigneten Programmierspannung programmiert
werden, d.h. in ihrem Leitfähigkeitszustand
verändert
werden, so dass verschiedene Programmierzustände auslesbar sind. Üblicherweise
weisen elektrische Fuse-Elemente im unveränderten Zustand einen sehr
hohen elektrischen Widerstand auf, der durch einen Programmierschritt
stark verringert werden kann.
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Der
Fuse-Baustein 10 kann jedoch auch freiliegende Laser-Fuse-Elemente aufweisen,
die nach dem Fertigstellen des Speichermoduls in einem Laser-Trimming-Verfahren
durch einen Laserstrahl zugänglich
sind. Das Layout der Leiterplatte 1 ist so gestaltet, dass
der Fuse-Baustein 19 mit der Redundanzschaltung 4 so
verbunden ist, dass die Redundanzschaltung 4 den Zustand
der einzelnen Fuse-Elemente des Fuse-Bausteins auslesen kann.
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Ein
davon unabhängiger
Aspekt, d.h. im Wesentlichen auch mit der Ausführungsform der 1 kombinierbar,
besteht darin, dass nicht in jedem Speicherbaustein 3 eine
geeignete Redundanz für die
Reparatur auf der Speichermodulebene vorgesehen ist. Statt dessen
kann vorgesehen sein, dass mindestens einer der auf dem Speichermodul
aufgebrachten Speicherbausteine 3 als redundanter Speicherbaustein 11 vorgesehen
ist, der ausschließlich
zur Reparatur von fehlerhaften Speicherzellen in den Speicherbausteinen 3 dient.
Eine solche Ausgestaltung ist insbesondere dann sinnvoll, wenn das Speichermodul
sehr viele Speicherbausteine 3 aufweist, bei denen eine
große
Anzahl von Speicherzellenfehler auftreten können bzw. zu erwarten ist.
Beim Adressieren des Speichermoduls kann es in diesem Fall vorgesehen
sein, dass die anliegenden Adressen, z.B. in der Redundanzschaltung 4, überprüft werden
und bei Anliegen einer fehlerhaften Adresse, die beispielsweise
ebenfalls in dem redundanten Speicherbaustein gespeichert sein kann,
eine entsprechende redundante Speicherzelle bzw. redundanter Speicherbereich
in dem redundanten Speicherbaustein 11 adressiert wird.
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Wie
in 3 dargestellt ist, ist gemäß einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung auf der Leiterplatte 1 ein Pufferbaustein 12 vorgesehen,
der dazu dient, eine Punkt-zu-Punkt-Verbindung zwischen einem Speicherkontroller
des externen Gesamtsystems und dem Speichermodul herzustellen. Der
Pufferbaustein 12 hat die Funktion, eine sehr schnelle
serielle Datenverbindung zu dem Speicherkontroller herzustellen.
Von dem externen System, d.h. von dem Speicherkontroller empfangene
Daten werden in dem Pufferbaustein parallelisiert und an den entsprechenden
Speicherbaustein 3 weitergeleitet. Von den Speicherbausteinen
zu sendende Daten werden an den Pufferbaustein 12 geleitet,
der diese zu sendenden Daten seriellisiert und über die Verbindungseinrichtung 2 an
den Speicherkontroller sendet. Die zuvor beschriebene Redundanzschaltung kann
nun in einem solchen Pufferbaustein 12 vorgesehen sein,
so dass der Pufferbaustein 12 die Information über fehlerhafte
Speicherbereiche in den Speicherbausteinen 3 hat. Der Pufferbaustein 12 kann
selbst redundante Speicherbereiche 13 vorsehen, um fehlerhafte
Speicherbereiche in den Speicherbausteinen 3 ersetzen zu
können.
Der Pufferbaustein 3 empfängt dabei die seriellen Adressdaten
und vergleicht diese mit in dem Pufferbaustein 12, z.B.
in einem Fehleradressenspeicher, gespeicherten Fehleradressen, um
zu erkennen, wenn der adres sierte Speicherbereich durch einen der
redundanten Speicherbereiche 13 ersetzt werden soll.
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Ist
im Wesentlichen das Vorsehen eines Pufferbausteins mit den oben
beschriebenen verschiedenen Varianten des erfindungsgemäßen Speichermoduls
kombinierbar, so können
Fuse-Elemente sowohl
auf der Leiterplatte 1 als auch in einem separaten Baustein
angeordnet sein. Weiterhin kann der redundante Speicherbereich,
anstatt in dem Pufferbaustein 12 angeordnet zu sein, sowohl
in einem separaten Speicherbaustein zum Bereitstellen redundanter Speicherbereiche
gemäß der Ausführungsform
der 2 als auch als Speicherabschnitt in den Speicherbausteinen 3 vorgesehen
sein.
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- 1
- Leiterplatte
- 2
- Verbindungseinrichtung
- 3
- Speicherbaustein
- 4
- Redundanzschaltung
- 5
- Fuse-Element
- 6
- redundanter
Speicherbereich
- 7
- zusätzliche
Anschlüsse
- 8
- regulärer Speicherbereich
- 9
- redundanter
Speicherbereich
- 10
- Fuse-Baustein
- 11
- redundanter
Speicherbaustein
- 12
- Pufferbaustein
- 13
- redundanter
Speicherbereich