DE102004013405B4 - Leistungshalbleiterbauelement mit optimiertem Randbereich - Google Patents
Leistungshalbleiterbauelement mit optimiertem Randbereich Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004013405B4 DE102004013405B4 DE102004013405A DE102004013405A DE102004013405B4 DE 102004013405 B4 DE102004013405 B4 DE 102004013405B4 DE 102004013405 A DE102004013405 A DE 102004013405A DE 102004013405 A DE102004013405 A DE 102004013405A DE 102004013405 B4 DE102004013405 B4 DE 102004013405B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- semiconductor
- edge
- conductivity type
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 163
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 241001354791 Baliga Species 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/405—Resistive arrangements, e.g. resistive or semi-insulating field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8611—Planar PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0638—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for preventing surface leakage due to surface inversion layer, e.g. with channel stopper
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist:
– einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten und zweiten Seite (101, 102) und einem Rand (103), sowie einer Innenzone (110) und einem in lateraler Richtung zwischen der Innenzone (110) und dem Rand (103) angeordneten Randzone (120),
– eine im Bereich der ersten Seite (101) in der Innenzone (110) angeordnete, sich in lateraler Richtung bis an die Randzone erstreckende erste Halbleiterzone (11; 211; 311) eines ersten Leitungstyps und eine sich an diese erste Halbleiterzone (11; 211; 311) anschließende zweite Halbleiterzone (21) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps, wobei
– die erste Halbleiterzone (11; 211; 311) in einem Übergangsbereich (12) zwischen der Innenzone (110) und der Randzone (120) eine schwächer dotierte Halbleiterzone (12) des ersten Leitungstyps aufweist, die sich ausgehend von der ersten Seite (101) in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt als die höher dotierten Bereiche der ersten Halbleiterzone...
– einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten und zweiten Seite (101, 102) und einem Rand (103), sowie einer Innenzone (110) und einem in lateraler Richtung zwischen der Innenzone (110) und dem Rand (103) angeordneten Randzone (120),
– eine im Bereich der ersten Seite (101) in der Innenzone (110) angeordnete, sich in lateraler Richtung bis an die Randzone erstreckende erste Halbleiterzone (11; 211; 311) eines ersten Leitungstyps und eine sich an diese erste Halbleiterzone (11; 211; 311) anschließende zweite Halbleiterzone (21) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps, wobei
– die erste Halbleiterzone (11; 211; 311) in einem Übergangsbereich (12) zwischen der Innenzone (110) und der Randzone (120) eine schwächer dotierte Halbleiterzone (12) des ersten Leitungstyps aufweist, die sich ausgehend von der ersten Seite (101) in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt als die höher dotierten Bereiche der ersten Halbleiterzone...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit einer ersten und zweiten Seite und einem Rand, sowie einer Innenzone und einem in lateraler Richtung zwischen der Innenzone und dem Rand angeordneten Randzone, bei dem im Bereich der ersten Seite in der Innenzone eine sich in lateraler Richtung bis an die Randzone erstreckende erste Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps und eine sich an diese erste Halbleiterzone anschließende zweite Halbleiterzone eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps vorgesehen ist.
- Ein solches Bauelement mit einem im Bereich einer der Seiten angeordneten pn-Übergang ist hinlänglich bekannt und beispielsweise in Baliga: ”Power Semiconductor Devices”, PWS Publishing, 1995, Seiten 82–105 beschrieben.
- Die Spannungs- und Strombelastbarkeit eines Leistungshalbleiterbauelements ist maßgeblich bestimmt durch die Eigenschaften des Bauelements im Randbereich. Zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit im statischen Sperrfall, also bei Anliegen einer Sperrspannung an dem pn-Übergang, sind verschiedenste Randabschlusskonzepte, beispielsweise Feldplatten-Feldring-Anordnungen oder eine Abschrägung des Bauelements im Randbereich, bekannt, die in Baliga, a. a. O, beschrieben sind. Diese Randabschlusskonzepte dienen dazu, im statischen Sperrfall die Feldstärkebelastung des Bauelements im Randbereich zu reduzieren, um dadurch die statische Spannungsbelastbarkeit zu erhöhen.
- Neben statischen Effekten sind bei der Gestaltung des Bauelements im Randbereich auch dynamische Effekte zu beachten. Bei einem schnellen Sperren des zunächst in Flussrichtung gepol ten pn-Übergangs kann es zu einem Lawinendurchbruch im Randbereich kommen, wie nachfolgend kurz erläutert ist. Bei in Flussrichtung gepoltem pn-Übergang fließen auch Ladungsträger in der Randzone des Bauelements, die von dort bei Anlegen einer Sperrspannung, bzw. bei Abschalten des Bauelements, abgeführt werden müssen. Bei schnellen Abschaltvorgängen können dabei im Randbereich sehr hohe Stromdichten entstehen, die wiederum zur Erzeugung neuer Ladungsträger führen können. Es kommt dann zu einem Lawinendurchbruch im Randbereich, der be reits bei Sperrspannungen auftreten kann, die weit unterhalb der maximalen statischen Sperrspannung liegen können.
- In der
DE 198 04 580 C2 ist eine in einem Halbleiterkörper integrierte Leistungsdiode beschrieben, bei der ein pn-Übergang zwischen einem im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers angeordneten p-Emitter und einer n-Basis gebildet ist. An die n-Basis schließt sich im Bereich der Rückseite des Halbleiterkörpers ein n-Emitter an, der stärker als die n-Basis dotiert ist. Dieser n-Emitter ist in lateraler Richtung des Bauelements auf eine Innenzone des Bauelements beschränkt und erstreckt sich in lateraler Richtung des Bauelements weniger weit in Richtung der Randzone als der p-Emitter, ist also im Vergleich zum p-Emitter gegenüber der Randzone ”zurückgezogen”. Hierdurch wird eine Injektion von Ladungsträgern in die Randzone des Bauelements reduziert und dadurch die Robustheit des Bauelements bei schnellen Abschaltvorgängen erhöht. Außerdem kann bei diesem Bauelement die Dotierungskonzentration des im Bereich der Vorderseite angeordneten p-Emitters in Richtung der Randzone abnehmen. - Die
DE 38 32 750 A1 undDE 38 32 732 A1 beschreiben jeweils Halbleiterbauelemente mit einer in einer Innenzone eines Halbleiterkörpers angeordneten Halbleiterzone und mit Feldringen, die in einer Randzone des Halbleiterkörpers angeordnet sind. Die Feldringe reichen in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers tiefer in den Halbleiterkörper hinein als die Halbleiterzone im Innenbereich, wobei sich einer der Feldringe unmittelbar an die Halbleiterzone im Innenbereich anschließt. - Die
EP 0 768 714 A1 beschreibt ein Halbleiterbauelement mit einer in einem Innenbereich eines Halbleiterkörpers angeordneten Halbleiterzone und mit einem sich an diese Halbleiterzone anschließenden, im Randbereich des Halbleiterkörpers angeordneten tiefreichenden Randring (deep edge ring). - Das Zurückziehen des n-Emitters bei dem zuvor erläuterten Bauelement reduziert allerdings dessen Stossstrombelastbarkeit, da der fließende Strom auf eine kleinere Fläche des n-Emitters verteilt ist.
- Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Leistungshalbleiterbauelement zur Verfügung zu stellen, das eine hohe Robustheit bei schnellen Schaltvorgängen, eine hohe statische Spannungsfestigkeit und darüber hinaus eine hohe Strombelastbarkeit aufweist.
- Dieses Ziel wird durch ein Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 erreicht. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
- Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten und zweiten Seite und einem Rand, sowie einer Innenzone und einer in lateraler Richtung zwischen der Innenzone und dem Rand angeordneten Randzone. Im Bereich der ersten Seite ist in der Innenzone eine erste Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps vorhanden, die sich in lateraler Richtung bis an die Randzone erstreckt und die mit einer sich an diese erste Halbleiterzone anschließenden zweiten Halbleiterzone eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps einen pn-Übergang bildet. Erfindungsgemäß weist die erste Halbleiterzone in einem Übergangsbereich zwischen der Innenzone und der Randzone eine schwächer dotierte Halbleiterzone des ersten Leitungstyps auf, die sich ausgehend von der Vorderseite in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper hinein erstreckt als die höher dotierten Bereiche dieser ersten Halbleiterzone.
- Diese schwächer dotierte Übergangszone, die sich tiefer als die übrigen Bereiche der ersten Halbleiterzone in den Halbleiterkörper hinein erstreckt bewirkt eine erheblich reduzierte Injektion von Ladungsträgern des ersten Leitungstyps in die Randzone des Bauelements. Es kann somit eine sich an die zweite Halbleiterzone im Bereich der Rückseite anschließende dritte Halbleiterzone des zweiten Leitungstyps vorgesehen werden, die in lateraler Richtung des Bauelements eine größere Fläche aufweisen kann, als eine entsprechende Halbleiterzone bei einem herkömmlichen Bauelement, um die Stossstrombelastbarkeit des Bauelements gegenüber einem herkömmlichen Bauelement zu erhöhen, ohne jedoch die dynamische Robustheit des Bauelements zu reduzieren.
- Das erfindungsgemäße Konzept, nämlich das Vorsehen einer schwächer dotierten und sich tiefer in den Halbleiterkörper hinein erstreckenden Übergangszone in der ersten Halbleiterzone, die im Bereich einer der Seiten des Halbleiterkörpers angeordnet ist, ist auf beliebige Leistungsbauelemente mit einem pn-Übergang anwendbar. Bei einer Leistungsdiode bildet die erste Halbleiterzone beispielsweise deren p-Emitter, und die zweite Halbleiterzone deren n-Basis an die sich ein n-Emitter anschließt. Bei einem IGBT bildet die erste Halbleiterzone beispielsweise dessen p-Basis und die zweite Halbleiterzone dessen n-Basis bzw. dessen Driftzone, wobei in der p-Basis dessen n-Emitter angeordnet ist und wobei eine Gate-Elektrode vorhanden ist, die einen leitenden Kanal in der p-Basis zwischen dem n-Emitter und der n-Basis bzw. der Driftzone steuert. Bei einem Thyristor bildet die erste Halbleiterzone ebenfalls dessen p-Basis, in der dessen n-Emitter angeordnet ist. Die zweite Halbleiterzone bildet bei einem Thyristor dessen n-Basis.
- Zur Erzielung einer ausreichenden statischen Spannungsfestigkeit umfasst das Bauelement vorzugsweise einen planaren Randabschluss. Hierzu ist in der Randzone beispielsweise wenigstens eine Feldzone bzw. ein Feldring des ersten Leitungstyps in die zweite Halbleiterzone eingebracht und eine Passivierungsschicht auf die Vorderseite oberhalb der Randzone aufgebracht. Die Feldzone umschließt die erste Halbleiterzone vorzugsweise im Bereich einer der Seiten des Halbleiterkörpers ringförmig. Die Passivierungsschicht ist vorzugsweise als amorphe wasserstoffhaltige Kohlenstoffschicht (aC:H-Schicht) ausgebildet. Es können allerdings auch Feldplatten in Kombination mit Feldringen oder ohne solche Feldringe als Randabschluss des Bauelements vorgesehen werden.
- Die Dotierungskonzentration der Dotierstoffatome des ersten Leitungstyps in der Übergangszone beträgt zwischen 1014 cm–3 und 1016 cm–3. Die in diese Übergangszone eingebrachte Dosis an Dotierstoffatomen des ersten Leitungstyps beträgt zwischen 1012 cm–2 und 1013 cm–2.
- Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert.
-
1 zeigt ausschnittsweise eine als Leistungsdiode ausgebildetes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt. -
2 zeigt ausschnittsweise ein als Leistungs-IGBT ausgebildetes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt. -
3 zeigt ausschnittsweise ein als Leistungsthyristor ausgebildetes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt. -
1 zeigt ausschnittsweise ein als Leistungsdiode ausgebildetes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt. Das Bauelement umfasst einen Halbleiterkörper100 mit einer ersten und zweiten Seite101 ,102 und einem Rand103 , wobei die erste Seite101 in dem Beispiel die Vorderseite und die zweite Seite102 die Rückseite bildet. Der Halbleiterkörper100 untergliedert sich in eine Innenzone110 und eine zwischen der Innenzone110 und dem Rand103 angeordnete Randzone120 , wobei die Innenzone110 den aktiven Bauelementbereich bildet. - Es sei darauf hingewiesen, dass die Innenzone
110 flächenmäßig üblicherweise wesentlich größer als die Randzone120 ist, und dass die Randzone120 bei Draufsicht auf das Bauelement die Innenzone110 in radialer Richtung vollständig umgibt. Da der wesentliche Aspekt der vorliegenden Erfindung im Übergangsbereich zwischen der Innenzone110 und der Randzone120 liegt, ist in den Figuren aus Gründen der Übersichtlichkeit nur der Randbereich120 und ein kleiner Ausschnitt des Innenbereichs110 dargestellt. - Das als Diode ausgebildete Halbleiterbauelement umfasst eine erste Halbleiterzone
11 , die im Bereich der ersten Seite101 in der Innenzone110 angeordnet ist und die mit einer sich an die erste Halbleiterzone11 anschließenden, komplementär do tierten zweiten Halbleiterzone21 einen pn-Übergang bildet. Die erste Halbleiterzone11 ist in dem Ausführungsbeispiel p-dotiert und bildet den p-Emitter bzw. die Anodenzone der Diode. Die zweite Halbleiterzone21 bildet die n-Basis der Leistungsdiode und erstreckt sich in lateraler Richtung des Bauelements bis an den Rand103 . die Dotierung dieser zweiten Halbleiterzone21 ergibt sich beispielsweise aus einer Grunddotierung des Halbleiterkörpers100 . - An die zweite Halbleiterzone
21 schließt sich im Bereich der zweiten Seite102 des Halbleiterkörpers100 eine stark n-dotierte dritte Halbleiterzone22 an, die den n-Emitter oder die Kathodenzone der Leistungsdiode bildet. Dieser n-Emitter22 ist durch eine Kathodenelektrode62 kontaktiert, die in dem Beispiel ganzflächig auf die zweite Seite102 des Halbleiterkörpers100 aufgebracht ist. Der p-Emitter11 ist in entsprechender Weise durch eine Anodenelektrode61 kontaktiert, die auf die erste Seite101 des Halbleiterkörpers100 aufgebracht ist. Bei Anlegen einer den pn-Übergang zwischen dem p-Emitter11 und der n-Basis21 in Durchlassrichtung polenden Spannung werden p-Ladungsträger, also Löcher, in die n-Basis21 injiziert und fließen zum rückseitigen n-Emitter22 . Um eine Injektion von p-Ladungsträgern in die Randzone120 zu reduzieren, ist bei dem Halbleiterbauelement erfindungsgemäß eine Übergangszone12 in der p-Basis11 zwischen der Innenzone110 und der Randzone120 vorgesehen, die schwach p-dotiert ist und die sich in vertikaler Richtung ausgehend von der Vorderseite101 weiter in den Halbleiterkörper100 hineinerstreckt, als die stärker p-dotierten Bereiche der p-Basis11 . Die Abmessungen der schwächer dotierten Übergangszone12 in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers100 betragen etwa das 1,1-fache bis 1,5-fache der Abmessungen der stärker p-dotierten Bereiche der p-Basis11 . - Die gestrichelte Linie in
1 veranschaulicht den Verlauf der stark p-dotierten Bereiche der p-Basis11 an der Grenze zu der Übergangszone12 . Der stark n-dotierte n-Emitter22 erstreckt sich in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers100 vorzugsweise in etwa genauso weiter Richtung des Randes103 wie die p-Basis11 . Ein stärkeres Zurückziehen des n-Emitters22 in lateraler Richtung ist bei dem erfindungsgemäßen Bauelement, bei dem die schwächer dotierte, sich tiefer in den Halbleiterkörper100 hineinerstreckende Übergangszone12 die Injektion von Ladungsträgern in den Randbereich120 reduziert, anders als bei herkömmlichen derartigen Bauelementen nicht erforderlich. - Vorzugsweise ist zwischen dem n-Emitter
22 und dem Rand103 eine n-dotierte Halbleiterzone23 vorhanden, die schwächer als der n-Emitter22 , jedoch stärker als die n-Basis21 dotiert ist. - Das Bauelement in
1 weist einen planaren Randabschluss auf, die Vorderseite101 des Halbleiterkörpers100 ist im Randbereich120 also nicht abgeschrägt. In der Randzone120 sind in der n-Basis21 p-dotierte Feldzonen bzw. Feldringe31 ,32 vorhanden, die beabstandet zueinander und beabstandet zu der Übergangszone12 angeordnet sind. Zwischen den Feldzonen bzw. Feldringen31 ,32 und dem Rand ist darüber hinaus eine stark n-dotierte Feldstoppzone41 vorhanden. Die Vorderseite101 ist im Bereich der Randzone120 mit einer Passivierungsschicht51 passiviert, die vorzugsweise als amorphe wasserstoffhaltige Kohlenstoffschicht realisiert ist. Diese Passivierungsschicht51 reicht in lateraler Richtung wenigstens bis an die Feldstoppschicht41 und kann sich vollständig bis zum Rand103 erstrecken. In der anderen Richtung erstreckt sich die Passivierungsschicht51 vorzugsweise bis über den stark dotierten Abschnitt des p-Emitters11 . Die Anodenmetallisierung61 reicht in lateraler Richtung vorzugsweise nicht bis an die schwach p-dotierte Übergangszone12 heran, um einen statischen oder dynamischen Durchgriff der Raumladungszone bis zu dieser Metallisierung bei Anlegen einer Sperrspannung an den pn-Übergang zu verhindern. -
2 zeigt in Seitenansicht im Querschnitt ausschnittsweise ein als IGBT ausgebildetes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement. Bei diesem Bauelement ist in dem Halbleiterkörper100 in der Innenzone110 im Bereich der Vorderseite101 eine stark p-dotierte erste Halbleiterzone211 vorhanden, die bei dem IGBT dessen p-Basis oder Body-Zone bildet. In dieser p-Basis sind stark n-dotierte Halbleiterzonen213 ausgebildet sind, die die n-Emitterzonen des Bauelements bilden. Zur Steuerung eines n-leitenden Kanals in der p-Basis211 zwischen den n-Emitterzonen213 und Abschnitten der zweiten Halbleiterzone21 , die zwischen Abschnitten der p-Basis211 bis an die Vorderseite101 des Halbleiterkörpers reichen, ist eine als Steuerelektrode dienende Gate-Elektrode271 vorhanden, die in dem Beispiel oberhalb der Vorderseite101 ausgebildet und durch eine Isolationsschicht272 gegenüber dem Halbleiterkörper100 isoliert ist. Die n-Emitterzonen213 und die p-Basiszone211 sind gemeinsam durch eine oberhalb der Vorderseite100 angeordnete Anschlusselektrode261 kontaktiert, die die Emitterelektrode des Bauelements bildet. - Die p-Basiszone
211 weist im Übergangsbereich zwischen der Innzone110 und der Randzone120 eine schwächer p-dotierte Übergangszone12 auf, die sich in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper100 hinein erstreckt, als die übrigen stärker p-dotierten Bereiche der p-Basis211 . - Im Bereich der Rückseite
102 ist eine stark p-dotierte Kollektorzone222 vorhanden, die durch die rückseitige Anschlusselektrode62 kontaktiert ist, die bei dem IGBT gemäß2 dessen Kollektorelektrode bildet. Die Kollektorzone222 erstreckt sich vorzugsweise in lateraler Richtung in etwa genauso weit in Richtung des Randes103 wie die stark p-dotierten Abschnitte der p-Basis211 . - Die Halbleiterzone
222 kann anstelle der p-Dotierung auch eine n-Dotierung aufweisen, um anstelle eines IGBT einen MOSFET, in dem Beispiel einen n-Kanal-MOSFET, zu erhalten. Diese Halbleiterzone bildet dann die Drain-Zone des MOSFET, während die Halbleiterzone21 dessen Driftzone, die Halbleiterzone311 dessen Body-Zone und die Halbleiterzone313 dessen Source-Zone bildet. - Das bislang anhand einer Leistungsdiode und eines Leistungs-IGBT erläuterte Konzept, bei einem Leistungsbauelement den p-Emitter
11 bzw. die p-Basis211 in einem Übergangsbereich zwischen der Innenzone110 und der Randzone120 mit einem schwächer dotierten Halbleiterbereich12 zu versehen, der in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper100 als die stärker dotierten Bereiche hinein reicht, ist bezugnehmend auf3 auch auf Thyristorbauelemente anwendbar. -
3 zeigt ein als Thyristor ausgebildetes Halbleiterbauelement bei dem im Bereich der Vorderseite101 des Halbleiterkörpers100 in der Innenzone110 eine stark p-dotierte Halbleiterzone311 vorhanden ist, die die p-Basis des Thyristors bildet. Die Dotierung dieser Halbleiterzone311 ist üblicherweise geringer als die Dotierung der Body-Zonen211 bei einem des IGBT/MOSFET. Gleiches gilt für die Feldzonen31 ,32 . - In der p-Basis
311 sind stark n-dotierte Halbleiterzonen313 vorhanden, die n-Emitterzonen des Thyristors bilden und die durch eine auf die Vorderseite101 aufgebrachte Emitterelektrode361 kontaktiert sind. Die p-Basis311 reicht abschnittsweise vorzugsweise bis an Emitterelektrode361 , um abschnittsweise Kurzschlüsse zwischen der p-Basis311 und der Kathodenmetallisierung361 vorzusehen. An die die p-Basis bildende erste Halbleiterzone311 schließt sich die zweite Halbleiterzone21 an, die die n-Basis des Thyristors bildet, und die mit der p-Basis311 einen pn-Übergang bildet. In einem Übergangsbereich zwischen der Innenzone110 und der Randzone120 weist die p-Basis311 eine schwächer p-dotierte Übergangszone12 auf, die sich in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper100 hineinerstreckt, als die stärker dotierten Bereiche der p-Basis311 . - Im Bereich der Rückseite
102 ist eine stark p-dotierte Halbleiterzone322 vorhanden, die den p-Emitter des Thyristorbauelements bildet. Dieser p-Emitter322 erstreckt sich in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers100 in etwa genauso weit in Richtung des Randes103 wie die stark dotierten Zonen der p-Basis311 . Zwischen dieser p-Emitter-Zone322 und dem Rand kann optional eine schwächer p-dotierte Zone323 vorgesehen werden, um eine Rückwärtssperrfähigkeit des Bauelements zu gewährleisten. Um hohe Oberflächenfeldstärken am Rand zu vermeiden, kann der Rand103 in diesem Fall unter einem positiven Winkel abgeschrägt werden. - Zum Zünden des Thyristorbauelements ist beispielsweise eine an die p-Basis
211 angeschlossene Gate-Elektrode381 in der Innenzone110 des Bauelements vorhanden, wie dies in3 dargestellt ist. Selbstverständlich können auch beliebige weitere Zündstrukturen, beispielsweise BOD-Strukturen (BOD = Break Over Diode), vorgesehen werden. -
- 11
- erste Halbleiterzone, p-Emitter
- 12
- Übergangszone
- 22
- n-Emitter
- 23
- n-dotierte Halbleiterzone
- 41
- Kanalstoppzone
- 51
- Passivierungsschicht
- 61
- Anschlusselektrode, Anodenelektrode
- 62
- Anschlusselektrode, Kathodenelektrode
- 31, 32
- Feldzonen
- 100
- Halbleiterkörper
- 101
- erste Seite, Vorderseite
- 102
- zweite Seite, Rückseite
- 103
- Rand
- 110
- Innenzone
- 120
- Randzone
- 211
- erste Halbleiterzone, p-Basis
- 213
- n-Emitterzone
- 222
- p-Emitter, Kollektor
- 261
- Emitterelektrode
- 271
- Gate-Elektrode
- 272
- Isolationsschicht
- 311
- erste Halbleiterzone, p-Basis
- 313
- n-Emitter
- 322
- p-Emitter
- 323
- schwach p-dotierte Halbleiterzone
- 361
- Anschlusselektrode
- 381
- Gate-Elektrode
Claims (13)
- Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (
100 ) mit einer ersten und zweiten Seite (101 ,102 ) und einem Rand (103 ), sowie einer Innenzone (110 ) und einem in lateraler Richtung zwischen der Innenzone (110 ) und dem Rand (103 ) angeordneten Randzone (120 ), – eine im Bereich der ersten Seite (101 ) in der Innenzone (110 ) angeordnete, sich in lateraler Richtung bis an die Randzone erstreckende erste Halbleiterzone (11 ;211 ;311 ) eines ersten Leitungstyps und eine sich an diese erste Halbleiterzone (11 ;211 ;311 ) anschließende zweite Halbleiterzone (21 ) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps, wobei – die erste Halbleiterzone (11 ;211 ;311 ) in einem Übergangsbereich (12 ) zwischen der Innenzone (110 ) und der Randzone (120 ) eine schwächer dotierte Halbleiterzone (12 ) des ersten Leitungstyps aufweist, die sich ausgehend von der ersten Seite (101 ) in vertikaler Richtung weiter in den Halbleiterkörper (100 ) hinein erstreckt als die höher dotierten Bereiche der ersten Halbleiterzone (11 ;211 ;311 ), – eine Dotierungskonzentration der Dotierstoffatome des ersten Leitungstyps in dem Übergangsbereich (12 ) zwischen 1014 cm–3 und 1016 cm–3 beträgt, und – ein Randabschluss in der Randzone (120 ) vorhanden ist, der Feldringe (31 ,32 ) des ersten Leistungstyps und/oder Feldplatten aufweist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem sich die zweite Halbleiterzone (
21 ) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers bis an den Rand (103 ) erstreckt und bei dem in der Randzone (120 ) wenigstens eine Feldzone (31 ,32 ) des ersten Leitungstyps im Bereich der Vorderseite (101 ) in die zweite Halbleiterzone (21 ) eingebracht ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, bei dem eine Passivierungsschicht (
51 ) auf die erste Seite (101 ) oberhalb der Randzone (120 ) aufgebracht ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, bei dem die Passivierungsschicht eine amorphe wasserstoffhaltige Kohlenstoffschicht ist.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das als Leistungsdiode ausgebildet ist und bei dem sich an die zweite Halbleiterzone (
21 ) im Bereich der Rückseite (102 ) eine stärker als die zweite Halbleiterzone (21 ) dotierte dritte Halbleiterzone (22 ) anschließt. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, bei dem die dritte Halbleiterzone (
22 ) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100 ) vor dem Rand (103 ) endet. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, bei dem zwischen der dritten Halbleiterzone und dem Rand (
103 ) eine schwächer als die dritte Halbleiterzone (22 ) dotierte vierte Halbleiterzone (23 ) des zweiten Leitungstyps angeordnet ist. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das als Transistorbauelement ausgebildet ist und das folgende weitere Merkmale aufweist: – eine in der ersten Halbleiterzone (
211 ) angeordnete Anschlusszone (213 ) des zweiten Leitungstyps, – eine isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper (100 ) angeordnete und sich benachbart zu der ersten Halbleiterzone (211 ) von der Anschlusszone (213 ) zu der zweiten Halbleiterzone (21 ) erstreckende Anschlusselektrode (271 ), – eine die erste Halbleiterzone (211 ) und die erste Anschlusszone (213 ) kontaktierende erste Anschlusselektrode (261 ). - Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, bei dem sich an die zweite Halbleiterzone (
21 ) im Bereich der Rückseite (102 ) eine stärker als die zweite Halbleiterzone (21 ) dotierte zweite Anschlusszone (222 ) anschließt, die vom ersten oder zweiten Leitungstyp ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, bei dem die zweite Anschlusszone (
222 ) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100 ) vor dem Rand (103 ) endet. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das als Thyristorbauelement ausgebildet ist und folgende weitere Merkmale aufweist: – eine in der ersten Halbleiterzone (
311 ) angeordnete erste Anschlusszone (313 ) des zweiten Leitungstyps, – eine sich an die zweite Halbleiterzone (21 ) im Bereich der Rückseite (102 ) anschließende, stärker als die zweite Halbleiterzone (21 ) dotierte zweite Anschlusszone (322 ) vom ersten Leitungstyp, – eine die erste Halbleiterzone (311 ) und die erste Anschlusszone (313 ) kontaktierende erste Anschlusselektrode (361 ). - Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, bei der die zweite Anschlusszone (
322 ) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100 ) vor dem Rand (103 ) endet. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, bei der eine schwächer als die zweite Anschlusszone (
322 ) dotierte Halb leiterzone (323 ) des ersten Leitungstyps zwischen der zweiten Anschlusszone (322 ) und dem Rand angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004013405A DE102004013405B4 (de) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | Leistungshalbleiterbauelement mit optimiertem Randbereich |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004013405A DE102004013405B4 (de) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | Leistungshalbleiterbauelement mit optimiertem Randbereich |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004013405A1 DE102004013405A1 (de) | 2005-10-06 |
DE102004013405B4 true DE102004013405B4 (de) | 2010-08-05 |
Family
ID=34980625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004013405A Expired - Fee Related DE102004013405B4 (de) | 2004-03-18 | 2004-03-18 | Leistungshalbleiterbauelement mit optimiertem Randbereich |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102004013405B4 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006055151B4 (de) * | 2006-11-22 | 2011-05-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement mit Halbleiterzone sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
JP5186868B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2013-04-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3832750A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterbauelement |
DE3832709A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Asea Brown Boveri | Thyristor |
DE3832732A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterdiode |
EP0768714A1 (de) * | 1995-10-09 | 1997-04-16 | Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe | Herstellungsverfahren für Leistungsanordnung mit Schutzring |
DE19851461A1 (de) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Schnelle Leistungsdiode |
DE19804580C2 (de) * | 1998-02-05 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Leistungsdiode in Halbleitermaterial |
-
2004
- 2004-03-18 DE DE102004013405A patent/DE102004013405B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3832750A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterbauelement |
DE3832709A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Asea Brown Boveri | Thyristor |
DE3832732A1 (de) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterdiode |
EP0768714A1 (de) * | 1995-10-09 | 1997-04-16 | Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe | Herstellungsverfahren für Leistungsanordnung mit Schutzring |
DE19804580C2 (de) * | 1998-02-05 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Leistungsdiode in Halbleitermaterial |
DE19851461A1 (de) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Schnelle Leistungsdiode |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Baliga, B.J.: Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 1995, S. 82-105 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102004013405A1 (de) | 2005-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006050338B4 (de) | Halbleiterbauelement mit verbessertem Speicherladung zu Dioden-Softness Trade-off | |
DE102007020657B4 (de) | Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102006036347B4 (de) | Halbleiterbauelement mit einer platzsparenden Randstruktur | |
DE10361136B4 (de) | Halbleiterdiode und IGBT | |
DE102010039258B4 (de) | Transistorbauelement mit reduziertem Kurzschlussstrom | |
DE102006024504B4 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit vertikaler Gatezone und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102010043567B4 (de) | Hochspannungshalbleitervorrichtung | |
DE102012201911B4 (de) | Super-Junction-Schottky-Oxid-PiN-Diode mit dünnen p-Schichten unter dem Schottky-Kontakt | |
DE10297021B4 (de) | Grabenstruktur für Halbleiterbauelemente | |
DE102006046845B4 (de) | Halbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit | |
DE102004053761A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren für deren Herstellung | |
EP0760528B1 (de) | Halbleiterbauelement auf Siliciumbasis mit hochsperrendem Randabschluss | |
DE102005056426B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
WO2013017413A1 (de) | Super-junction-schottky-pin-diode | |
WO2011015397A1 (de) | Feldeffekttransistor mit integrierter tjbs-diode | |
EP1131852B1 (de) | Halbleiterbauelement mit dielektrischen oder halbisolierenden abschirmstrukturen | |
EP0913000B1 (de) | Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement | |
DE69835052T2 (de) | Kontakt auf P-Typ Gebiet | |
DE10360574B4 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit sanftem Abschaltverhalten | |
EP1157425B1 (de) | Igbt mit pn-isolation | |
DE10202479A1 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung mit einer Struktur zur Verringerung eines Minoritätsladungsträgerstromes | |
DE102005029263B4 (de) | Halbleiterbauelement mit verbesserter dynamischer Belastbarkeit | |
DE102004013405B4 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit optimiertem Randbereich | |
DE102015204137A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit einer Trench-Schottky-Barrier-Schottky-Diode | |
DE102005041335B4 (de) | Randstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Randstruktur für ein Leistungshalbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |