DE10149688A1

DE10149688A1 - Verfahren zum Herstellen einer Mikrokontaktfeder mit einem Substrat

Info

Publication number: DE10149688A1
Application number: DE10149688A
Authority: DE
Inventors: Alexander Ruf
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2001-10-09
Filing date: 2001-10-09
Publication date: 2003-04-24
Anticipated expiration: 2021-10-10
Also published as: US20030071351A1; US6649441B2; DE10149688B4

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Mikrokontaktfeder auf einem Substrat (1) mit wenigstens einem Kontakt-Pad (2) und einer ersten Isolatorschicht (13) mit einem Fenster über dem Kontakt-Pad (2). DOLLAR A Um das kostengünstige Kontaktieren bzw. Verdrahten von mehreren Siliziumchips auf Wafer-Ebene glerichzeitig zu ermöglichen, umfasst das erfindungsgemäße Verfahren die Schritte: a) Erzeugen einer Via-Öffnung (19) in einer zweiten Isolatorschicht (16) über einer zu kontaktierenden Stelle; b) Erzeugen einer Vertiefung (20) in der zweiten Isolatorschicht (16); c) Auffüllen der Via-Öffnung (19) und der Vertiefung (20) in der zweiten Isolatorschicht (16) mit einem Metall; d) Einebnen der durch die vorangegangenen Schritte entstandenen Oberfläche, so dass überschüssiges Metall und Isolatormaterial entfernt wird; e) selektives Rückätzen einer ersten vorgegebenen Dicke der zweiten Isolatorschicht (16), so dass die zweite Isolatorschicht (16) mit einer zweiten vorgegebenen Dicke stehen bleibt, so dass ein Abschnitt der Via-Öffnung (19) erhalten bleibt und der resultierenden Mikrokontaktfeder als mechanischer Halt dient.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Mikrokontaktfeder auf einem Substrat, die insbesondere für Testverbindungen mit einem Halbleiter-Wafer verwendet werden kann.
Vorrichtungen, um eine parallele Kontaktierung bzw. Verdrahtung von Siliziumchips und Testboards bzw. Leiterplatten auf Wafer-Ebene zu realisieren, sind an sich bekannt.

Aus US 6 184 053 ist ein Verfahren zum Herstellen von mikroelektronischen Federkontaktelementen bekannt, bei dem wenigstens eine erste Schicht aus Metall in Öffnungen abgeschieden wird, die durch Maskierungsschichten auf einer Oberfläche des Substrats beispielsweise eines elektronischen Bauelements wie ein aktives Halbleiterbauelement vorgegeben sind. Jedes Federelement hat ein Basisende, ein Kontaktende und einen Zentralabschnitt. Das Kontaktende ist in z- Richtung (in der Höhe) und in x- oder y- Richtung gegenüber dem Basisende versetzt. Das Verfahren zum Herstellen eines Federkontaktelements auf einem Substrat umfasst im wesentlichen die Schritte: Abscheiden wenigstens einer ersten Schicht aus Maskierungsmaterial auf einer Oberfläche des Substrats mit Öffnungen für Kontaktierungsbereiche auf der Oberfläche, Abscheiden einer Schicht aus einem ersten leitfähigen Material, so dass die Öffnungen gefüllt sind, Einschränken definierter Bereiche des ersten leitfähigen Materials, selektives Abscheiden eines zweiten leitfähigen Materials im wesentlichen über den definierten Bereichen des ersten leitfähigen Materials und Entfernen der ersten Schicht aus Maskierungsmaterial, so dass ein frei stehendes Federkontaktelement aus dem zweiten leitfähigen Material stehen bleibt.

Bei diesem Stand der Technik stellt sich das selektive Abscheiden des zweiten leitfähigen Materials über den definierten Bereichen des ersten leitfähigen Materials als schwierig heraus. Es ist außerdem ein eigenes Verfahren, das nicht ohne weiteres in den heute üblichen Fertigungsablauf von Halbleiterchips eingepasst werden kann.

Aus DE 198 53 445 sind Kontaktnadeln bekannt, zu derer Herstellung die Schritte galvanisches Ausbilden der Nadelspitzen in den Strukturen einer Schicht Resistmaterial, galvanisches Ausbilden des an der Nadelspitze ansetzenden Federbügels in den Strukturen zumindest einer weiteren Resistschicht, die auf der ersten Resistschicht angeordnet ist, und Entfernen des Resistmaterials durchgeführt werden. Die resultierende Kontaktnadel weist einen galvanisch gebildeten Federbügel aus mindestens einem ersten Kontaktnadelmaterial und eine galvanisch gebildete Nadelspitze aus mindestens einem zweiten Kontaktmaterial auf, die unter einem Winkel am Federbügel angeordnet ist.

Das Verfahren nach diesem Stand der Technik ist optimiert für eine Schrägbelichtung und damit auf eine bestimmte Belichtungsgeometrie eingeschränkt. Außerdem kann es ebenfalls nicht ohne weiteres in den heute üblichen Fertigungsablauf von Halbleiterchips eingepasst werden.

Ein weiterer Stand der Technik ist die weltweit von verschiedenen Arbeitsgruppen untersuchte Herstellung von sog. "Softbumps". Bei der Herstellung der Softbumps wird der federnde Kontakt über einen elastischen Bump realisiert, auf dem sich eine metallische Leiterbahn befindet. Der Nachteil dabei ist, dass die Bump-Technologie in der Siliziumfertigung unbekannt ist und an die heute üblichen Fertigungsverfahren angepasst werden muss. Ferner werden bei Temperaturänderungen aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Bump und metallischer Leitbahn mechanische Spannungen vor allem in der Metallbahn verursacht, die zu Materialermüdung führen.

Aufgabe der Erfindung ist es, das kostengünstige Kontaktieren bzw. Verdrahten von mehreren Siliziumchips auf Wafer-Ebene gleichzeitig zu ermöglichen.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Bei der erfindungsgemäßen Lösung wird eine Metallfeder mittels eines dual-damascene-Prozesses realisiert. Der dual-damascene-Prozess ist an sich in der Wafer-Fertigung zur Herstellung von Cu-Metallisierungsbahnen oder Cu- Verdrahtungen bekannt. Daher ist seine Integration in heute übliche Fertigungsabläufe bei der Herstellung von Halbleiterchips ohne weiteres möglich.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Mikrokontaktfeder auf einem Substrat mit wenigstens einem Kontakt-Pad und einer ersten Isolatorschicht mit einem Fenster über dem Kontakt-Pad umfasst die Schritte: a) Erzeugen einer Via-Öffnung in einer zweiten Isolatorschicht über einer zu kontaktierenden Stelle; b) Erzeugen einer Vertiefung in der zweiten Isolatorschicht; c) Auffüllen der Via-Öffnung und der Vertiefung in der zweiten Isolatorschicht mit einem Metall; d) Einebnen der durch die vorangegangenen Schritte entstandenen Oberfläche, so dass überschüssiges Metall und Isolatormaterial entfernt wird; e) selektives Rückätzen einer ersten vorgegebenen Dicke der zweiten Isolatorschicht, so dass die zweite Isolatorschicht mit einer zweiten vorgegebenen Dicke stehen bleibt, so dass ein Abschnitt der Via-Öffnung erhalten bleibt und der resultierenden Mikrokontaktfeder als mechanischer Halt dient.

Bei einer ersten bevorzugten Ausführungsform ist die zu kontaktierende Stelle ein Kontakt-Pad. Bei einer alternativen bevorzugten Ausführungsform ist auf der ersten Isolatorschicht eine Passivierungsschicht aufgebracht, und es wird eine metallische Verbindung von der zu kontaktierende Stelle über die Passivierungsschicht in lateraler und transversaler Richtung herausgeführt.

Zur Verbesserung der Abscheidung des Metalls und zur Verhinderung von Diffusion von Metall in darunter liegende Schichten wird vorzugsweise nach Schritt b) eine Galvanikstartschicht erzeugt. Dabei kann die Galvanikstartschicht aus wenigstens zwei Metallschichten aufgebaut sein, wobei eine erste Schicht insbesondere aus Kupfer oder Nickel besteht und eine zweite Schicht als Barriere- und Haftschicht dient.

Insbesondere erfolgt das Einebnen von überschüssigem Metall und Isolatormaterial einschließlich der Galvanikstartschicht durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP). Die Mikrokontaktfeder wird in Schritt e) vorzugsweise durch einen isotropen Nass- oder Trockenätzschritt freigelegt.

Die zweite Isolatorschicht kann eine Polyimidschicht sein.

Das Erzeugen einer Via-Öffnung in Schritt a) wird vorzugsweise mittels Photolithographie mit anschließendem Trockenätzen durchgeführt.

Als Metall zum Auffüllen der Via-Öffnung und der Vertiefung in der zweiten Isolatorschicht in Schritt c) wird vorzugsweise W oder Ni verwendet.

Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, dass kein thermischer Stress in der Mikrokontaktfeder entsteht, da sie eine reine Metallfeder ist. Ein weiterer Vorteil ist es, dass alle Eigenschaften der Feder durch Wahl der Verfahrensparameter eingestellt werden können: so kann die Federkonstante bestimmt werden, das Material kann gewählt werden, der Kontaktpunkt der Feder kann vorgegeben werden, die Reproduzierbarkeit bei ihrer Herstellung ist gewährleistet. Insbesondere ist die Herstellung von Federn mit kleiner Grundflächen möglich, und es muss keine Metallisierung auf die Passivierung geführt werden.

Wie bereits oben erwähnt ist ein wesentliches Merkmal der Erfindung, dass bekannte und kostengünstige Prozesse (Oxidabscheidung, Lithographie, Ätzen, CMP, PVD, Mikrogalvanik) zur Siliziumfertigung, die außerdem auf 300 mm- Wafer übertragbar sind, eingesetzt werden und damit die Kompatibilität mit heute angewendeten Verfahren gegeben ist.

Die Erfindung wird anhand bevorzugter Ausführungsformen erläutert, wobei Bezug auf die beigefügten Zeichnungen genommen wird.
Fig. 1 zeigt eine Kontaktfeder nach dem Stand der Technik.
Fig. 2 zeigt eine weitere Kontaktfeder nach dem Stand der Technik.
Fig. 3A und 3B zeigen zwei Ausführungsformen der Mikrokontaktfeder gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 4A bis 4G zeigen die einzelnen Verfahrensschritte gemäß der Erfindung, wobei Fig. 4E, 4F und 4G verschiedene Arten der entstehenden Mikrokontaktfeder zeigen.
In Fig. 1 ist eine Feder aus Drähten gezeigt. Auf einem Halbleiter-Wafer 1 befindet sich eine Kontaktfläche oder Pad 2, das in der Regel aus Al hergestellt ist. Die Kontaktfläche 2 ist umgeben von einer ersten Isolatorschicht 3, i. a. einer Oxidschicht, die an den Stellen der Kontaktfläche 2 Fenster aufweist. Über diese Fenster in der ersten Isolatorschicht 3 wird das Pad 2 kontaktiert. Dazu wird durch eine zweite Isolatorschicht 4 auf der ersten Isolatorschicht 3 ein weiteres Fenster definiert, in dem eine Metallschicht 5 abgeschieden wird. Auf der Metallschicht 5 befindet sich schließlich eine Ti-Schicht 6. Der Federkontakt wird mit einem Draht 8 hergestellt, der auf einer Anschlussfläche 7 mit der Metallisierung 5 und der Ti-Schicht 6 kontaktiert ist.
Ein Nachteil bei diesem Verfahren besteht darin, dass zwar auf Wafer-Ebene gearbeitet werden kann, aber jedes Pad 2 einzeln kontaktiert werden muss. Das ist teuer und aufwendig. Dagegen kommen Frontend-Prozesse der Siliziumfertigung im Stand der Technik nur eingeschränkt zum Einsatz.
Ein weiteres Beispiel einer Feder nach dem Stand der Technik ist in Fig. 2 gezeigt. Die Feder wird mittels Heißprägen oder Feinfräsen hergestellt: die Federn 9 enden in sog. "compression Stopps" 10, die sich unmittelbar auf Kontaktflächen oder Pads befinden. Zur Einstellung der Federspannung bestehen die Federn 9 aus einem ersten Metall 11 und einem zweiten Metall 12.
Bei diesem Verfahren können mehrere Federn parallel hergestellt werden, allerdings sind Heißprägen und Feinprägen keine Prozesse, die in der Wafer-Fertigung routinemäßig eingesetzt werden. Es liegen damit auch noch keine Erfahrungen vor, ob diese Prozesse kompatibel zu 300 mm- Wafern sind. Insgesamt ist die Herstellung der Federn 9 mit compression Stopps 10 sehr aufwendig.
In Fig. 3A und 3B sind Mikrokontaktfedern gezeigt, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurden. Fig. 3A zeigt eine Mikrokontaktfeder mit einer Metallbahnverdrahtung auf die Passivierung, und Fig. 3B zeigt eine Mikrokontaktfeder mit einer direkten Kontaktierung der Kontaktfläche (Pad).
In Fig. 3A wird auf einem (nicht dargestellten) Substrat mit einem Kontakt-Pad 2 eine erste Isolatorschicht 13 erzeugt und darauf eine Passivierungsschicht 14 abgeschieden, die in der Regel eine Siliziumnitridschicht ist. Anschließend wird eine Verbindung 15 aus elektrisch leitfähigem Material erzeugt (vorzugsweise Cu), durch die eine Kontaktierung des Pads 2 von außerhalb der Passivierungsschicht zu ermöglichen. Darüber wird eine weitere Isolatorschicht 16 erzeugt, die später den Fuß der herzustellenden Mikrokontaktfeder 17 bedeckt und hält.
In Fig. 3B ist eine Mikrokontaktfeder gezeigt, die direkt auf dem Pad 2 angeordnet ist, so dass die Verbindung 15 entfällt. Sowohl in dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 3A als auch in dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 3B werden die im Federfuß auftretenden Spannungen durch die noch am Federfuß vorhandene Isolatorschicht 16 aufgenommen. Die Isolatorschicht 16 kann eine Oxidschicht, eine Oxidnitridschicht, eine Polyimidschicht oder eine Photolackschicht sein.
Die Krümmung der Feder 17 wird durch die Spannung im Federmaterial oder durch das Gewicht des Federbalkens, das eine Knickung verursacht, herbeigeführt. Die Isolatorschicht 16 dient daher als mechanische Verankerung und gleichzeitig auch als Durchbiegestop.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand der Darstellungen in den Fig. 4A bis 4G erläutert. In Fig. 4A ist ein Querschnitt durch den Aufbau auf einem Substrat gezeigt, bei dem auf der zweiten Isolatorschicht 16 ein Photolack 18 abgeschieden ist. Dieser Photolack dient in dem hier dargestellten Fall dazu, einen Bereich zu definieren, in dem eine Via-Öffnung 19 in der zweiten Isolatorschicht 16 erzeugt wird. Die Via-Öffnung 19 wird wie allgemein bekannt mittels Photolithographie mit anschließendem Trockenätzen durchgeführt. Die Via-Öffnung 19 befindet sich dann über einer zu kontaktierenden Stelle. Bei dem in Fig. 4A bis 4G gezeigten Bauelement befindet sich diese zu kontaktierende Stelle nicht unmittelbar über dem Pad 2, sondern auf der Passivierungsschicht 14 in einem vertikalen und lateralen Abstand von dem Pad 2. Die Verbindung 15 stellt einen elektrischen Kontakt zwischen dem Pad 2 und der zu kontaktierenden Stelle her.
In dem in Fig. 4B gezeigten Zustand des Bauelements ist mit einer Photoschicht 18' ein Bereich unmittelbar neben der Via- Öffnung 19 definiert worden. In diesem Bereich wird eine Vertiefung 20 in der zweiten Isolatorschicht 16 erzeugt. Die Vertiefung 19 ist dabei so angeordnet, dass der obere Teil der Via-Öffnung 19 einem Seitenabschnitt der Vertiefung 20 entspricht.
Die Photolackschicht 18' wird entfernt, und die Via-Öffnung 19 und die Vertiefung 20 in der zweiten Isolatorschicht 16 werden mit einem Metall aufgefüllt. Damit ist im wesentlichen die gesamte Oberfläche des Bauelements in diesem Stadium des Fertigungsprozesses mit Metall bedeckt. Dieser Zustand ist in Fig. 4C gezeigt. In Fig. 4C ist außerdem eine Galvanikstartschicht 21 dargestellt, die dazu dient, einerseits die Haftung zwischen Metall und Isolator oder Halbleiter sicherzustellen, andererseits aber auch verhindert, dass Metall in darunter liegende Schichten diffundiert. Daher kann insbesondere die Galvanikstartschicht 21 aus zwei (nicht dargestellten) Metallschichten aufgebaut sein, wobei die erste Schicht insbesondere aus Kupfer oder Nickel besteht und eine zweite Schicht als Barriere- und Haftschicht dient. Dadurch werden beide genannte Zwecke optimal erreicht.
Wie in Fig. 4D gezeigt wird die durch die vorangegangenen Schritte entstandene Oberfläche des Bauelements eingeebnet, so dass überschüssiges Metall und Isolatormaterial der Schicht 16 entfernt wird. Als Ergebnis erhält man eine Wanne an der Oberfläche des Bauelements, die über einen Kanal, nämlich die Via-Öffnung 19 mit der Verbindung 15 verbunden ist. Das Einebnen der Oberfläche erfolgt vorzugsweise durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP), es kann aber prinzipiell auch durch isotropes Plasma- oder Nass-Ätzen erfolgen.
In einem weiteren Schritt wird die zweite Isolatorschicht 16 selektiv zurückgeätzt, so dass nur ein Teil der zweiten Isolatorschicht 16 stehen bleibt. Dieser untere Teil der Isolatorschicht 16 hat eine vorgegebene Dicke. Die Dicke ist so gewählt, dass einerseits ein Balken 23, der der früheren Vertiefung 20 entspricht, auf seiner Unterseite freigelegt wird und andererseits ein Fuß 22, der dem Abschnitt der Via- Öffnung 19 entspricht, erhalten bleibt. Der Fuß 22 dient als mechanischer Halt der resultierenden Mikrokontaktfeder. Das selektive Rückätzen der Isolatorschicht 16 erfolgt vorzugsweise durch einen isotropen Nass- oder Trockenätzschritt.
Die Form des Balkens 23 der Mikrokontaktfeder hängt von Parametern bei dem Bedecken der Oberfläche des Bauelements in dem Schritt in Fig. 4C ab. Wie z. B. aus US 6 184 699 bekannt ist, können verschiedene Biegemomente in Metallschichten erzeugt werden, indem im Verlauf der Abscheidung von Metall, beispielsweise durch Sputtern, die Gaszusammensetzung in der Reaktionskammer verändert wird. Ebenso gut kann auch der Winkel geändert werden, unter dem das Metall abgeschieden wird, oder es kann der Druck des Plasma-Gases verändert werden, das vorzugsweise Argon ist. Die Änderungen können kontinuierlich oder in Stufen erfolgen.
Dementsprechend ist als ein Ergebnis des letzten Schrittes in Fig. 4E eine Mikrokontaktfeder gezeigt, deren Balken 23 nach den Freilegen aus dem Isolator 16 nach oben zeigt. In Fig. 4F ist eine Mikrokontaktfeder gezeigt, deren Balken 23 nach dem letzten Schritt nach unten zeigt.
Je nach Ausrichtung des Balkens 23 wird der Kontaktpunkt gewählt, d. h. der Punkt, an dem der elektrische Kontakt zu der Mikrokontaktfeder hergestellt wird. Der Kontaktpunkt wird dabei entweder gezielt über den Stress in der Feder, einen Bi-Metalleffekt oder eine bewusst herbeigeführte Knickung bestimmt.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 4E ist der Kontaktpunkt das freie Ende des Balkens 23. Bei der Ausführungsform nach Fig. 4F ist der Kontaktpunkt das Ende des Balkens, an dem er mit dem Fuß 22 der Mikrokontaktfeder verbunden ist.
In Fig. 4G ist schließlich der Fall gezeigt, dass die Ausrichtung des Balkens 23 durch sein Eigengewicht bedingt ist. Auch hier liegt der Kontaktpunkt an dem Ende des Balkens, an dem der Balken 23 mit dem Fuß 22 der Mikrokontaktfeder verbunden ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich zusammenfassen in den folgenden Schritten:

a) Nachdem die metallische Verdrahtung vom Pad auf die Passivierung vorliegt, wird eine Oxidschicht aufgebracht und in diese mittels eines Photolithographieschritts mit anschließendem Trockenätzen die Negativform des Federfußes realisiert.
b) Nach der Entfernung der ersten Lackschicht wird eine neue Lackschicht aufgebracht und mittels Photolithographie so strukturiert, dass die Negativform des Federbalkens im Oxid mittels eines Trockenoxidprozesses realisiert werden kann. Die Negativform des Fußes ist dabei mit Lack gefüllt, damit die unterliegende Metallbahn beim Trockenätzen nicht beschädigt wird.
c) Nach Entfernung der Photolackschicht wird mittels eines PVD-Verfahrens eine Galvanikstartschicht aufgebracht. Diese Schicht kann aus verschiedenen Metallen aufgebaut sein, wobei eine Schicht eine Barriere- und Haftfunktion über nimmt, während eine zweite z. B. aus Kupfer oder Nickel die eigentliche Startschicht darstellt.
d) Über den metallischen Kontakt der Startschicht als Kathode wird die Negativform der Feder (Fuß und Balken) metallisch aufgefüllt.
e) Das überschüssige Metall einschließlich der Startschicht bzw. möglicher Haft- und Barriereschichten wird durch einen CMP-Schritt entfernt.
f) Die Federn werden durch einen isotropen Nass- oder Trockenätzschritt freigelegt, so dass der Fuß noch weiter bedeckt ist und als mechanischer Halt fungiert.

Die Federkonstante der so hergestellten Mikrokontaktfeder lässt sich aus der folgenden Beziehung:

berechnen, wobei d der Durchmesser bei rundem Querschnitt des Federbalkens ist, L die Höhe der Mikrokontaktfeder ist und E das Elastizitätsmodul ist, das für Nickel 225 GPa beträgt. Nickel lässt sich besonders gut abscheiden, ebenfalls kann aber W verwendet werden, das nach Erzeugen einer dünnen TiN- Haftschicht mit CVD abgeschieden werden kann. So werden beispielsweise bei einer Mikrokontaktfeder mit d = 50 µm und L = 815 µm eine Federkonstante von ca. 410 Nm erreicht. Bei einer Mikrokontaktfeder mit d = 1,1 µm und L = 5 µm wird eine Federkonstante von ca. 420 Nm erreicht, wobei das herstellbare Aspektverhältnis 5 beträgt.
Damit ist erstmals eine Kontaktfeder mit einem dual- damascene-Prozess realisiert worden. Bezugszeichen 1 Wafer
2 Kontakt-Pad
3 erster Isolator mit Pad-Öffnung
4 zweiter Isolator mit Kontakt-Fenster
5 Metallisierung
6 Ti-Schicht (?)
7 Anschlussfläche
8 Draht
9 Feder
10 Compression Stop
11 erstes Federmetall
12 zweites Federmetall
13 erste Oxidschicht
14 Siliziumnitridschicht
15 mit Kupfer gefüllte Verbindung
16 zweite Oxidschicht
17 Kontaktelement
18 erste Photolackschicht, 18' zweite Photolackschicht
19 Via-Öffnung
20 Vertiefung
21 Startschicht für Galvanisieren
22 Fuß der Mikrokontaktfeder
23 Balken der Mikrokontaktfeder

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer Mikrokontaktfeder auf einem Substrat (1) mit wenigstens einem Kontakt-Pad (2) und einer ersten Isolatorschicht (13) mit einem Fenster über dem Kontakt-Pad (2), das die Schritte umfasst:

a) Erzeugen einer Via-Öffnung (19) in einer zweiten Isolatorschicht (16) über einer zu kontaktierenden Stelle;

b) Erzeugen einer Vertiefung (20) in der zweiten Isolatorschicht (16);

c) Auffüllen der Via-Öffnung (19) und der Vertiefung (20) in der zweiten Isolatorschicht (16) mit einem Metall;

d) Einebnen der durch die vorangegangenen Schritte entstandenen Oberfläche, so dass überschüssiges Metall und Isolatormaterial entfernt wird;

e) selektives Rückätzen einer ersten vorgegebenen Dicke der zweiten Isolatorschicht (16), so dass die zweite Isolatorschicht (16) mit einer zweiten vorgegebenen Dicke stehen bleibt, so dass ein Abschnitt der Via-Öffnung (19) erhalten bleibt und der resultierenden Mikrokontaktfeder als mechanischer Halt dient.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zu kontaktierende Stelle ein Kontakt-Pad (2) ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf der ersten Isolatorschicht (13) eine Passivierungsschicht (14) aufgebracht ist und eine metallische Verbindung (15) von der zu kontaktierende Stelle über die Passivierungsschicht (14) in lateraler und transversaler Richtung herausgeführt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach Schritt b) eine Galvanikstartschicht (20) erzeugt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Galvanikstartschicht (20) aus wenigstens zwei Metallschichten aufgebaut ist, wobei eine erste Schicht insbesondere aus Kupfer oder Nickel besteht und eine zweite Schicht als Barriere- und Haftschicht dient.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Einebnen von überschüssigem Metall und Isolatormaterial einschließlich der Galvanikstartschicht (20) durch CMP erfolgt.

7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrokontaktfeder in Schritt e) durch einen isotropen Nass- oder Trockenätzschritt freigelegt wird.

8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Isolatorschicht (16) eine Polyimidschicht ist.

9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt a) mittels Photolithographie mit anschließendem Trockenätzen durchgeführt wird.

10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall in Schritt c) W oder Ni ist.