DE10137664A1 - Halbleiterprüfvorrichtung - Google Patents

Halbleiterprüfvorrichtung

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DE10137664A1
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Claus Dietrich
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Andreas Kary
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterprüfvorrichtung zum elektrischen Kontaktieren von auf Wafern befindlichen Halb­ leiterbauteilen mittels Sondennadeln aufweisenden Sondenköp­ fen, mit einer Bodenplatte zur Aufnahme eines mit einer Wa­ feraufnahme mit zugehörigem Chuck versehenen x/y-Tisches, sowie einer Halteeinrichtung für die Sondennadeln oberhalb der Waferaufnahme.
Halbleiterbauteile werden in der Regel aus scheibenförmigem Wafermaterial dadurch hergestellt, dass durch eine Abfolge von verschiedenen halbleitertechnischen Fertigungsprozessen, beispielsweise Aufbringen oder Strukturieren von Schichten, auf einer einzigen Halbleiterscheibe gleichzeitig eine Viel­ zahl von Halbleiterbauteilen gefertigt wird. Anschließend werden durch Vereinzeln des auf diese Weise gefertigten Wa­ fers die einzelnen Halbleiterbausteine gewonnen. Während der Produktion muss aber bereits noch im Waferverbund eine Funk­ tionsprüfung der Halbleiterbauteile in den verschiedenen Stufen der Herstellung erfolgen.
Zu dieser Funktionsprüfung der einzelnen Halbleiterbausteine im Waferverbund werden Halbleiterprüfvorrichtungen der er­ wähnten Art verwendet, die auch als Waferprober bezeichnet werden. Sie weisen üblicherweise sogenannte Sondenköpfe auf, die an einem vorragenden Arm Sondennadeln tragen, über die von oben elektrische Kontakte zu den auf dem Wafer befindli­ chen Halbleiterbauteilen hergestellt werden können, um eine Überprüfung derselben zu ermöglichen. Die Anzahl der verwen­ deten Sondennadeln ist dabei von der Anzahl der auf den Halbleiterbauteilen befindlichen Kontaktinseln, die auch als Bondpads bezeichnet werden, abhängig.
Bekannte Halbleiterprüfvorrichtungen weisen in der Regel ei­ ne Bodenplatte und eine darüber befindliche Brücke auf, die oberhalb eines zuüberprüfenden Wafers liegt. Von dieser Brücke ragen die mit den Sondenadeln versehenen Arme der Sondenköpfe nach unten. Durch ein Aufsetzen der Sondennadeln auf den Wafer kann man den gewünschten elektrischen Kontakt herstellen. Die optische Überwachung der richtigen Lage der Sondennadeln erfolgt meist mit einem Mikroskop.
Um die im Waferverbund befindlichen Halbleiterbauteile elektrisch zu kontaktieren, ist es erforderlich, die Spitzen der Sondennadeln und den Wafer relativ zueinander zu verfah­ ren, wozu in der Regel eine x/y-Verstellvorrichtung für den Wafer vorgesehen ist. Da während dieser Relativbewegung ein gewisser Abstand zwischen Nadeln und Waferoberfläche ein­ gehalten werden muss, um eine Beschädigung der auf dem Wafer befindlichen Bauteile zu vermeiden, ist in der Regel auch eine sogenannte z-Achsen-Verstellvorrichtung vorgesehen, mit welcher der Wafer auf die Sondennadeln zu bzw. von diesen wegbewegt werden kann.
Da auf Grund des Waferdurchmessers, der 10 Zoll und mehr betragen kann, die Arme der Sondenköpfe, an deren Spitze sich die Sondennadeln befinden, eine beträchtliche Länge aufweisen können, sind an die mechanische Stabilität des Systems, insbesondere an die Erschütterungsfreiheit, große Anforderungen zu stellen.
Es ist deshalb üblich, die Bodenplatte sowie die darüber be­ findliche Brücke aus einem hochfesten Material hoher Dichte, z. B. aus Stahl, herzustellen, um die Resonanzfrequenz des mechanischen Aufbaus möglichst gering zu halten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter­ prüfvorrichtung der beschriebenen Art derart fortzubilden, dass eine besonders hohe Stabilität und Schwingungsfestig­ keit sowie thermische Stabilität erreicht wird.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 ge­ löst.
Das erfindungsgemäße Konzept verwendet für die Bodenplatte, die die Sondenköpfe tragende plattenförmige Brücke und die Stützen, welche die plattenförmige Brücke tragen, einen Konstruktionswerkstoff mit geringem thermischen Ausdehnungs­ koeffizienten und/oder einen schwingungsdämpfenden Konstruk­ tionswerkstoff.
Derartige Konstruktionswerkstoffe können ein Verbundwerk­ stoff, z. B. ein Faserverbundwerkstoff, ein keramischer Werk­ stoff, eine Metall-Sandwichkonstruktion, oder auch Granit, bzw. ein anderes natürliches oder künstliches Material sein.
Dadurch wird die Stabilität der Gesamtkonstruktion und ins­ besondere die Schwingungssteifigkeit gegenüber herkömmlichen Konstruktionswerkstoffen (Stahl, Al-Legierungen) ganz we­ sentlich erhöht, da die Verwendung derartiger Werkstoffe zu einer extrem stabilen und verwindungssteifen Struktur führt, wodurch die Resonanzfrequenz der gesamten Struktur weiter abgesenkt wird. Als Ergebnis ergibt sich eine weiter vermin­ derte Schwingungsanfälligkeit der Arme der Sondenköpfe, was insbesondere unter dem Gesichtspunkt der aus Gründen der Fertigungsökonomie steigenden Waferdurchmesser vorteilhaft ist.
Die Zahl und Anordnung der Stützen, die auch als Platten ausgebildet sein können, kann prinzipiell frei gewählt wer­ den.
So ist es beispielsweise denkbar, sämtliche Seiten sowie die hintere Randkante der plattenförmigen Brücke auf Platten zu stellen, so dass diese die Form eines "U" bilden. Diese Kon­ struktion erreicht eine besonders hohe Stabilität.
Soll das Gewicht allerdings in gewissen Grenzen gehalten werden, beispielsweise um die Halbleiterprüfvorrichtung noch auf üblichen Labortischen lagern zu können oder eine manuel­ le Transportierbarkeit zu ermöglichen, kann man die Platten auch nur teilweise an den oben erwähnten Seiten- und Rück­ seitenkanten vorsehen. Weiter ist es zur Gewichtsverminde­ rung auch möglich, in den Platten Ausnehmungen vorzusehen.
Die Dicke des verwendeten Plattenmaterials kann für die Bo­ denplatte, die Stützen und die plattenförmige Brücke inner­ halb der gewünschten Stabilitätsgrenzen weitgehend beliebig gewählt werden.
Als besonders vorteilhaft hinsichtlich Stabilität und Ge­ wicht hat es sich jedoch gezeigt, wenn die Bodenplatte di­ cker als die Stützen und diese wiederum dicker als die plat­ tenförmige Brücke sind.
Einen besonders schwingungsarmen Aufbau erhält man, wenn die Halbleiterprüfvorrichtung durch Dämpfungselemente von der sie tragenden Unterlage getrennt werden. Hier ist prinzi­ piell jede bekannte Schwingungsentkopplung denkbar, beson­ ders bevorzugt sind aus Kostengründen Elastomerfüße, auf de­ nen die Bodenplatte ruht. Verwendbar sind selbstverständlich auch Luftdämpfer, oder andere geeignete Schwingungsdämpfer.
Für besonders verlässliche Messergebnisse sollte die Halb­ leiterprüfvorrichtung bzw. die Ebene, in der sich die Wafe­ roberfläche befindet, genau horizontal waagerecht ausgerich­ tet sein. Besonders einfach läßt sich dies gewährleisten, wenn die Halbleiterprüfvorrichtung bereits bei der Aufstel­ lung waagerecht ausgerichtet wird, was besonders bequem durch höhenverstellbare Füße bzw. Dämpfungselemente für die Bodenplatte erreicht werden kann.
Zur Durchführung einer Messung müssen die an Sondenköpfen angebrachten Sondennadeln auf die Oberfläche des Wafers auf­ gesetzt werden, wobei hier eine vorgegebene Kraft nicht überschritten werden darf, mit der die Nadel auf die Wafer­ oberfläche drückt. Ansonsten kann es zu Beschädigungen des kontaktierten Halbleiterbauteils kommen.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist es deshalb vorgese­ hen, die auf der Bodenplatte befindliche Waferaufnahme, auf der der Wafer mit dem zu prüfenden Halbleiterbauteil liegt, in Richtung der z-Achse., d. h. senkrecht zur Waferoberfläche, verstellbar, oder durch geeignete Adapter höheneinstellbar auszubilden.
Zur Überprüfung mehrerer an verschiedenen Stellen auf der Waferoberfläche liegender Halbleiterbauteile müssen die Son­ dennadeln in der Waferebene (im folgenden x/y-Ebene) ver­ stellbar sein. Dies kann prinzipiell durch Verstellen der Sondenköpfe erreicht werden, besonders bevorzugt ist es je­ doch, den Wafer selbst entlang der diese Ebene aufspannenden x/y-Achsen zu verschieben.
Es ist deshalb in einer Weiterbildung der Erfindung vorgese­ hen, die waferaufnahme, die den Wafer trägt, entlang der x/y-Achsen zu verstellen. Besonders einfach ist diese Verstellung, wenn die Waferoberfläche parallel zur Bodenplatte liegt, da dann die gesamte Waferaufnahme ver­ schoben werden kann.
Diese Verstellung in der x/y-Ebene kann prinzipiell beliebig erfolgen, besonders bevorzugt ist es jedoch, in der Wafe­ raufnahme einen x/y-Tisch vorzusehen, der für die x- und die y-Achse jeweils einen Antrieb mit Linearführung aufweist, da dann über eine elektrische Ansteuerung des Linearantriebs eine schnelle und präzise Überführung in eine neue Position erreicht werden kann.
Die Sondenköpfe, welche die die waferoberfläche kontaktie­ renden Nadeln tragen, müssen auf der Brücke fest verankert werden, wobei eine lösbare Verbindung unter dem Gesichts­ punkt der universellen Einsetzbarkeit der Halbleiterprüfvor­ richtung zu bevorzugen ist. Hierbei ist insbesondere an zwei Befestigungsmöglichkeiten zu denken: durch Unterdruck und mittels Magnetkraft.
Für die erste Befestigungsart ist es zu bevorzugen, den Kon­ struktionswerkstoff der plattenförmigen Brücke an der Ober­ seite zumindest in einem die Einbuchtung umgebenden Strei­ fen so plan zu schleifen, dass die mit einer Einrichtung zur Erzeugung von Unterdruck verbundenen Probenköpfe durch ein Vakuum sicher auf der plattenförmigen Brücke fixiert werden können.
Soll die Halterung mittels Magnetkraft realisiert werden, sollte die Oberseite der plattenförmigen Brücke zumindest in einem die Einbuchtung umgebenden Streifen eine ferromagneti­ sche Metallplatte tragen, so dass mit den Sondenköpfen ver­ bundene Magnete entsprechend wirken können.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Ge­ genstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung in einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer Halblei­ terprüfvorrichtung, allerdings ohne Waferaufnahme und optischen Einrichtungen;
Fig. 2 einen Schnitt durch die Halbleiterprüfvorrich­ tung der Fig. 1 entlang der Linie A-A, jedoch mit Wafer­ aufnahme und Mikroskopträger;
Fig. 3 eine Draufsicht der Halbleiterprüfvorrichtung der Fig. 1 von vorn, jedoch wiederum mit Waferaufnahme und Mikroskopträger;
Fig. 4 eine Draufsicht der Halbleiterprüfvorrichtung der Fig. 3 von oben;
Fig. 5 eine vereinfachte Darstellung eines Sondenkop­ fes;
Fig. 6 eine vereinfachte Darstellung der x/y- Verstellvorrichtung für die Waferaufnahme;
Fig. 7 eine Draufsicht auf den Chuckhalter der Halb­ leiterprüfvorrichtung der Fig. 2; und
Fig. 8 eine Schnittdarstellung durch den Chuckhalter der Fig. 7 entlang der Linie B-B.
In Fig. 1 ist das Grundgerüst eines Probers 1 schematisch dargestellt. Es handelt sich dabei um eine Bodenplatte 2, die in der Mitte eine Öffnung 8 hat, durch die Druckluft und elektrische Anschlüsse herangeführt werden können. Auf der Bodenplatte 2 stehen seitlich zwei Stützen 4, 5 sowie an der Rückseite eine (aufgrund der perspektivischen Darstellung nicht erkennbare) Stütze 6. Auf den Platten 4, 5, 6 ruht ei­ ne plattenförmige Brücke 3, die an ihrer Vorderseite eine Einbuchtung 7 aufweist.
Für die Bodenplatte 2, die plattenförmige Brücke 3 und die Stützen 4, 5, 6 wird ein Konstruktionswerkstoff mit geringem thermischen Ausdehnungskoeffizienten und/oder ein schwin­ gungsdämpfender Konstruktionswerkstoff bevorzugt. Ein sol­ cher Konstruktionswerkstoff kann z. B. ein Faserverbundwerk­ stoff, ein keramischer Werkstoff, eine Metall- Sandwichkonstruktion, oder auch Granit, bzw. ein anderes na­ türliches oder künstliches Material sein.
Damit kann die Stabilität der Gesamtkonstruktion ganz we­ sentlich erhöht werden, da die Verwendung derartiger Materi­ alien zu einer extrem stabilen und verwindungssteifen Struk­ tur führt, wodurch die Resonanzfrequenz der gesamten Struk­ tur weiter abgesenkt wird.
Bei der Verwendung von Granit der Art impala nera sollten die Bodenplatte 2 ist 50 mm, die Stützplatten 4, 5, 6 40 mm und die Brücke 3 ist 25 mm dick sein.
Auf der Bodenplatte 2 befindet sich, wie nachfolgend noch erläutert werden wird, eine Waferaufnahme, die einen Wafer mit den zu prüfenden Halbleiterbauteilen, beispielsweise als Zwischenprodukt während einer Produktion, trägt. Der Wafer kommt dabei genau unter der Einbuchtung 7 zu liegen. Auf der Brücke 3 können Sondenköpfe, die anhand von Fig. 5 noch er­ läutert werden, befestigt werden, die den nahe unter der Einbuchtung 7 befindlichen Wafer zum Überprüfen kontaktie­ ren. Auf der Brücke 3 ist weiter ein optisches Mikroskop an­ gebracht, das nachfolgend noch beschrieben wird.
Fig. 2 zeigt eine Schnittdarstellung entlang der Linie A-A der Fig. 1, wobei hier die bereits erwähnte Waferaufnahme 9 und eine noch zu beschreibende Mikroskophalterung 16 einge­ zeichnet sind. Die Bodenplatte 2 ruht auf höhenverstellbaren Dämpfungselementen 10. Als Dämpfungselemente 10 können hö­ henverstellbare Elastomerfüße, Luftdämpfer, oder andere ge­ eignete Schwingungsdämpfer verwendet werden.
Über der Öffnung 8 befindet sich die Waferaufnahme 9. Diese weist einen x/y-Tisch 11 auf, der durch die Öffnung 8 elekt­ risch und mit Druckluft versorgt wird. Auf einem x/y-Tisch, der noch anhand der Fig. 6 beschrieben wird, befindet sich eine z-Achsenverstellvorrichtung 12, die über eine Mikrome­ terschraube 13 betätigbar ist und eine Verstellung senkrecht zur Bodenplatte 2 ermöglicht. Die z- Achsenverstellvorrichtung 12 ist über den x/y-Tisch in der senkrecht zur z-Achse liegenden x/y-Ebene verstellbar und trägt eine Chuckhalterung 15, auf die noch anhand der Fig. 7 und 8 eingegangen wird. Die Chuckhalterung 15 lagert einen Chuck, auf dem sich der Wafer befindet und mittels Unter­ druck fixiert wird. Er liegt genau in der Einbuchtung 7.
Auf der Brücke 3 befindet sich eine Mikroskophalterung 16, die ebenfalls einen x/y-Mikroskoptisch und eine daran befes­ tigte Montageplatte 17 für ein optisches Mikroskop oder eine Videokamera aufweist. Dieses (der besseren Übersichtlichkeit nicht in Fig. 2 eingezeichnete) Mikroskop dient zur opti­ schen Überprüfung und Kontrolle der Messung. Die Mikroskop­ halterung 16 kann in entsprechender Ausgestaltung mit einer längeren Säule auch auf der Bodenplatte 2 angeordnet werden.
In Fig. 3 ist der Prober 1 noch einmal in Vorderansicht zu sehen. Hier ist zusätzlich noch zu erkennen, daß die Chuck­ halterung der Waferaufnahme 9 über einen Spindelgriff 14 be­ tätigbar ist. Außerdem sind die drei Stützen 4, 5 und 6, links, rechts bzw. an der Hinterkante der Bodenplatte 2 gut zu sehen. Auf der plattenförmigen Brücke 3 befindet sich in der Ausführungsform der Fig. 3 die Einbuchtung 7 umgebend eine Metallplatte 20, auf der über Magnetkräfte die Sonden­ köpfe befestigbar sind.
Ein beispielhafter Sondenkopf 45 ist in Fig. 5 dargestellt. Er hat einen Magnetfuß 49, der über eine (nicht dargestell­ te) Absenkvorrichtung den Sondenkopf 45 auf der Metallplatte 20 fixieren kann. Über drei Mikrometerschrauben, eine z- Mikrometerschraube 46, eine x-Mikrometerschraube 47 und eine y-Mikrometerschraube 48 ist der vom Sondenkopf 45 getragene Arm 50, an dessen Spitze eine Sondennadel 51 befestigt ist, entlang dreier, senkrechter Achsen verstellbar. Die Sonden­ nadel 51 ist über (nicht dargestellte) elektrische Steckkon­ takte am Sondenkopf 45 elektrisch anschließbar, so daß über die Sondennadel 51 ein elektrischer Abgriff der elektrischen Kontakte auf einer Waferoberfläche möglich ist.
Die Metallplatte 20, auf der der Magnetfuß 49 des Sondenkop­ fes 45 verankert werden kann, ist in Fig. 4, die eine Drauf­ sicht des Probers 1 von oben zeigt, gut zu erkennen. Fig. 4 zeigt den Prober 1 ohne eingesetzten Chuck, so daß der Chuckhalter 24 zu sehen ist. Er weist einen Rahmen 19 auf, auf den der Chuck gelegt und an dem er dann über Drehen des Spindelgriffs 14 arretiert wird. Dies ist genauer in Fig. 7 gezeigt, die hier jedoch den Rahmen 19 in einer anderen Aus­ gestaltung als Ring zeigt.
Fig. 8 zeigt eine Schnittdarstellung der Fig. 7 entlang der Linie B-B. Eine Drehung des Spindelgriffs 14 verschiebt über ein Spindelgetriebe 23, 26 zwei Klemmstücke 22, die jeweils mit Vorsprüngen 25 an ihrer Oberseite versehen sind. Die vom Spindelgriff 14 betätigte Spindel ist im Rahmen 19 in einem Spindellager 29 gelagert und dort über eine Madenschraube 27, die in eine Ringnut der Spindel eingreift, fixiert, so daß eine Drehung des über eine Madenschraube 28 mit der Spindel drehfest verbundenen Spindelgriffs 14 die Spindel und damit die Spindelgetriebe 23, 26 in Drehung versetzt. Diese Drehung verschiebt die Klemmstücke 22 im Rahmen 19 nach innen oder außen.
Legt man einen Chuck 32, der in Fig. 8 gestrichelt einge­ zeichnet ist, auf die Chuckhalterung, so sorgt ein Deckel 30 über dem Spindellager 29, der in eine entsprechende Ausneh­ mung 34 des Chucks 32 greift, für die entsprechende Zentrie­ rung des Chucks 32 auf dem Chuckhalter. Durch geeignete Dre­ hung des Spindelgriffs 14 werden die Klemmstücke 22 mit ih­ ren Vorsprüngen 25 in entsprechend ausgebildete Hinter­ schneidungen 33 des Chucks 30 eingerückt, wodurch der Chuck 32 arretiert ist.
Anstelle eines mit einer entsprechenden Ausnehmung 34 und Hinterschneidungen 33 versehenen Chucks kann auch eine der­ art gestaltete Grundplatte verwendet werden, die unter einem Chuck befestigt wird.
Zum Überprüfen eines auf einem Wafer befindlichen Halblei­ terbauteils müssen in der Regel mehrere Kontakte gelegt wer­ den; man verwendet so viele Sondenköpfe 45 wie Kontakte nö­ tig sind. Auf jeden Kontaktpunkt wird durch geeignete Ein­ stellung des Sondenkopfes 45 über dessen Mikrometerschrauben 46 bis 48 eine Nadel 51 gesetzt. Um nun mehrere Halbleiter­ bauteile nacheinander kontaktieren zu können, ist die Wafe­ raufnahme mit der schon erwähnten z- Achsenverstellvorrichtung 12 und dem x/y-Tisch 11 versehen.
Der x/y-Tisch 11 ist in Fig. 6 schematisch dargestellt. Er besteht aus einer Unterplatte 35, die zwei y- Führungsschienen 39 an ihrer Oberseite trägt. Auf diesen Führungsschienen ruht eine Mittelplatte 36, auf deren Ober­ seite wiederum senkrecht zu den y-Führungsschienen liegende x-Führungsschienen 38 angeordnet sind. Auf diesen x- Führungsschienen ruht eine Deckplatte 37. Auf der Unterplat­ te 35 ist in einer entsprechenden Ausbuchtung oder Ausneh­ mung ein y-Achsen-Sekundärteil 41 eines Linearantriebes an­ geordnet. Dabei handelt es sich um entsprechend ausgebildete Magnetspulen, die mit entsprechenden Magnetspulen eines y- Achsen-Primärteils 40 zusammenwirken, das auf oder in der Mittelplatte 36 über dem y-Achsen-Sekundärteil 41 liegt. Das y-Achsen-Primärteil 40 und das y-Achsen-Sekundärteil 41 er­ möglichen eine Verstellung der Mittelplatte 36 gegenüber der Unterplatte 35 in y-Richtung. Ebenso ist ein x-Achsen- Primärteil 42 an der Deckplatte 37 und ein x-Achsen- Sekundärteil 43 an der Mittelplatte 36 befestigt, um eine x- Achsenverstellung entlang der x-Führungsschiene 38 zu ermög­ lichen.
Die Deckplatte 37, die Mittelplatte 36 und die Unterplatte 35 haben weiter eine Öffnung 44, durch die Druckluftzufuhr zur auf der Deckplatte 37 angeordneten z- Achsenverstellvorrichtung 12 geführt wird.
Bezugszeichenliste
1
Prober
2
Bodenplatte
3
Brücke
4
Stützplatte
5
Stützplatte
6
Stützplatte
7
Einbuchtung
8
Öffnung
9
Waferaufnahme
10
Dämpfungselement
11
x/y-Tisch
12
z-Achsenverstellvorrichtung
13
Mikrometerschraube
14
Spindelgriff
15
Chuckhalterung
16
Mikroskophalterung
17
Montageplatte
18
x/-Mikroskoptisch
19
Rahmen
20
Metallplatte
21
Stützplatte
22
Klemmstücke
23
Spindelgetriebe
24
Chuckhalter
25
Vorsprung
26
Spindelgetriebe
27
Madenschraube
28
Madenschraube
29
Spindellager
30
Deckel
31
Schraube
32
Chuck
33
Hinterschneidung
34
Ausnehmung
35
Musterplatte
36
Mittelplatte
37
Deckplatte
38
x-Führungsschiene
39
y-Führungsschiene
40
y-Achsen-Primärteil
41
y-Achsen-Sekundärteil
42
x-Achsen-Primärteil
43
x-Achsen-Sekundärteil
44
Öffnung
45
Sondenkopf
46
Z-Mikrometerschraube
47
x-Mikrometerschraube
48
y-Mikrometerschraube
49
Magnetfuß
50
Arm
51
Sondennadel

Claims (17)

1. Halbleiterprüfvorrichtung zum elektrischen Kontaktieren von auf Wafern befindlichen Halbleiterbauteilen mittels Sondennadeln (Prüfspitzen) aufweisenden Sondenköpfen, mit einer Bodenplatte zur Aufnahme eines mit einer Wa­ feraufnahme mit zugehörigem Chuck versehenen x/y- Tisches, sowie einer Halteeinrichtung für die Sondenna­ deln oberhalb der Waferaufnahme, dadurch gekennzeich­ net, dass die Halteeinrichtung für die Sondennadeln (51) als plattenförmige Brücke (3) ausgebildet ist und auf Stützen (4, 5, 6) ruht, die sich auf der Boden­ platte (2) abstützen, dass die plattenförmige Brücke (7) an einem Ende eine Einbuchtung (7) aufweist, nahe der sich die Waferaufnahme (9) befindet, und dass we­ nigstens die Bodenplatte (2), die Stützen (4, 5, 6) oder die plattenförmige Brücke (3) aus einem schwin­ gungsdämpfenden Konstruktionswerkstoff und/oder einem Konstruktionswerkstoff mit geringem thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten bestehen.
2. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass der Konstruktionswerkstoff ein Ver­ bundwerkstoff ist.
3. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, dass der Verbundwerkstoff ein Faserver­ bundwerkstoff ist.
4. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass der Konstruktionswerkstoff ein ke­ ramischer Werkstoff ist.
5. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass der Konstruktionswerkstoff eine Me­ tall-Sandwichkonstruktion ist.
6. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass der Konstruktionswerkstoff Granit ist.
7. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützen (4, 5, 6) höheneinstellbar sind.
8. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Stützen (4, 5, 6) höhenverstell­ bar sind.
9. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützen (4, 5, 6) als Platten ausgebildet sind.
10. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bodenplatte (2) gleich dick oder dicker als die Säulen (4, 5, 6) ist und diese dicker als die Brücke (3) ist/sind.
11. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Waferaufnahme (9) entlang zweier im wesentlichen parallel zur Boden­ platte (2) liegenden x/y-Achsen und entlang einer im wesentlichen senkrecht zur Bodenplatte (2) liegenden z- Achse verstellbar ist.
12. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Waferaufnahme (9) zur x/y- Achsenverstellung einen Antrieb mit Linearführung auf­ weist.
13. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bodenplatte (2) auf Dämpfungselementen (10) ruht.
14. Halbleiterprüfvorrichtung nach Anspruch 13, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Dämpfungselemente (10) als hö­ henverstellbare Elastomerfüße ausgebildet sind.
15. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Brücke (3), oder der Bodenplatte (3) eine Mikroskophalterung (16) für ein Mikroskop befestigt ist, mit dem die Lage der Prüfspitzen auf einem auf der Wafer-Aufnahme (9) befindlichen Wafer kontrolliert werden kann.
16. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Konstruktions­ werkstoff der Brücke (3) auf deren Oberseite zumindest in einem die Einbuchtung (7) umgebenden Streifen plan­ geschliffen ist.
17. Halbleiterprüfvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Oberseite der Brücke (3) zumindest in einem die Einbuchtung (7) umgebenden Streifen eine ferromagnetische Metallplatte (20) befestigt ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017217519A1 (de) * 2017-09-29 2019-04-04 Jonas & Redmann Automationstechnik Gmbh Anordnung und Verfahren zum Positionieren von Bauteilen an und Abheben der Bauteile von eienr Aufnahmeeinrichtung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009149725A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Manipulator for positioning a test head

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017217519A1 (de) * 2017-09-29 2019-04-04 Jonas & Redmann Automationstechnik Gmbh Anordnung und Verfahren zum Positionieren von Bauteilen an und Abheben der Bauteile von eienr Aufnahmeeinrichtung

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