DE10122678A1 - Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer Musterstruktur - Google Patents

Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer Musterstruktur

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10355264A1 (de) * 2003-11-26 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020123866A1 (en) * 2001-01-05 2002-09-05 Lin Benjamin Szu-Min Optical proximity correction algorithm for pattern transfer
JP4156221B2 (ja) * 2001-10-11 2008-09-24 大日本印刷株式会社 光学構造体
US7233887B2 (en) * 2002-01-18 2007-06-19 Smith Bruce W Method of photomask correction and its optimization using localized frequency analysis
US7457736B2 (en) * 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7315636B2 (en) * 2003-09-18 2008-01-01 Accuray, Inc. Generation of reconstructed images
JP4562374B2 (ja) * 2003-10-27 2010-10-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 転写用マスクデータ補正装置
KR100846633B1 (ko) * 2006-11-09 2008-07-16 삼성전자주식회사 패턴 결함 검출 방법 및 장치
US7923815B2 (en) * 2008-01-07 2011-04-12 International Business Machines Corporation DRAM having deep trench capacitors with lightly doped buried plates
JP5159501B2 (ja) * 2008-08-06 2013-03-06 キヤノン株式会社 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイス製造方法
US8392009B2 (en) * 2009-03-31 2013-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Advanced process control with novel sampling policy
KR102682483B1 (ko) * 2016-09-30 2024-07-05 삼성전자주식회사 픽셀 기반 학습을 이용한 마스크 최적화 방법
CN111580359B (zh) * 2020-04-29 2021-06-18 中国科学院光电技术研究所 一种用于超分辨光刻精密掩模的智能校正装置控制系统
US12653001B2 (en) * 2021-06-30 2026-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices and pattern formation method for manufacturing semiconductor devices
KR20250147713A (ko) 2024-03-27 2025-10-14 주식회사 지니웍스 인공지능 추천 알고리즘 기반 지도 연동을 통한 여행상품 시각화 방법 및 시스템

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61221963A (ja) 1985-03-28 1986-10-02 Toshiba Corp フ−リエ変換装置
JP3245882B2 (ja) * 1990-10-24 2002-01-15 株式会社日立製作所 パターン形成方法、および投影露光装置
JP3343919B2 (ja) * 1991-08-22 2002-11-11 株式会社ニコン マスク及び回路素子製造方法並びに露光方法
JP2658679B2 (ja) * 1991-10-21 1997-09-30 三菱電機株式会社 位相シフトマスク設計データ検証装置
JPH06163351A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置
JPH06204112A (ja) * 1992-12-30 1994-07-22 Sony Corp 露光方法及び露光装置
JP2531114B2 (ja) * 1993-10-29 1996-09-04 日本電気株式会社 光強度分布解析方法
JP3418768B2 (ja) 1994-04-18 2003-06-23 大日本印刷株式会社 集積回路マスクパターンデータの演算処理方法
JPH08297692A (ja) * 1994-09-16 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法
JPH09167731A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置、収差評価用マスクパタン、収差量評価方法、収差除去フィルター及び半導体装置の製造方法
JPH10282635A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Sony Corp パターンデータ補正方法、電子線描画方法、フォトマスク及びその作製方法、露光方法、半導体装置及びその製造方法、並びにパターンデータ補正装置
US6078738A (en) * 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
JP3784136B2 (ja) * 1997-06-02 2006-06-07 株式会社ルネサステクノロジ 投影露光装置および投影露光方法
JPH11110585A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd 三次元画像表示装置およびそのデータ削減方法
US6091845A (en) * 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
JPH11272724A (ja) 1998-03-20 1999-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 階層データの演算処理方法及び演算処理装置
US6263299B1 (en) * 1999-01-19 2001-07-17 Lsi Logic Corporation Geometric aerial image simulation
US6171731B1 (en) * 1999-01-20 2001-01-09 Lsi Logic Corporation Hybrid aerial image simulation
US6496597B1 (en) * 1999-03-03 2002-12-17 Autodesk Canada Inc. Generating image data
WO2001054046A1 (en) * 2000-01-20 2001-07-26 Lsi Logic Corporation Geometric aerial image simulation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10355264A1 (de) * 2003-11-26 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion
DE10355264B4 (de) * 2003-11-26 2008-08-14 Qimonda Ag Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion

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