DE10122678A1 - Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer Musterstruktur - Google Patents
Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer MusterstrukturInfo
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
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- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214002A JP4671473B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | マスクデータ補正装置、転写用マスクの製造方法、および、パターン構造を有する装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10122678A1 true DE10122678A1 (de) | 2002-01-31 |
Family
ID=18709661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10122678A Ceased DE10122678A1 (de) | 2000-07-14 | 2001-05-10 | Maskendatenkorrekturvorrichtung, Fouriertransformationsvorrichtung, Vorrichtung zur höheren Abtastung, Vorrichtung zur niedrigeren Abtastung, Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer Musterstruktur |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831997B2 (enExample) |
| JP (1) | JP4671473B2 (enExample) |
| KR (1) | KR100385804B1 (enExample) |
| DE (1) | DE10122678A1 (enExample) |
| TW (1) | TW492070B (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE10355264A1 (de) * | 2003-11-26 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verbesserung eines Simulationsmodells der photolithographischen Projektion |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020123866A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-09-05 | Lin Benjamin Szu-Min | Optical proximity correction algorithm for pattern transfer |
| JP4156221B2 (ja) * | 2001-10-11 | 2008-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 光学構造体 |
| US7233887B2 (en) * | 2002-01-18 | 2007-06-19 | Smith Bruce W | Method of photomask correction and its optimization using localized frequency analysis |
| US7457736B2 (en) * | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Synopsys, Inc. | Automated creation of metrology recipes |
| US7315636B2 (en) * | 2003-09-18 | 2008-01-01 | Accuray, Inc. | Generation of reconstructed images |
| JP4562374B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2010-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 転写用マスクデータ補正装置 |
| KR100846633B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2008-07-16 | 삼성전자주식회사 | 패턴 결함 검출 방법 및 장치 |
| US7923815B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | DRAM having deep trench capacitors with lightly doped buried plates |
| JP5159501B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8392009B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advanced process control with novel sampling policy |
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| US20230005738A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices and pattern formation method for manufacturing semiconductor devices |
| KR20250147713A (ko) | 2024-03-27 | 2025-10-14 | 주식회사 지니웍스 | 인공지능 추천 알고리즘 기반 지도 연동을 통한 여행상품 시각화 방법 및 시스템 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61221963A (ja) | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Toshiba Corp | フ−リエ変換装置 |
| JP3245882B2 (ja) * | 1990-10-24 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法、および投影露光装置 |
| JP3343919B2 (ja) * | 1991-08-22 | 2002-11-11 | 株式会社ニコン | マスク及び回路素子製造方法並びに露光方法 |
| JP2658679B2 (ja) * | 1991-10-21 | 1997-09-30 | 三菱電機株式会社 | 位相シフトマスク設計データ検証装置 |
| JPH06163351A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置 |
| JPH06204112A (ja) * | 1992-12-30 | 1994-07-22 | Sony Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JP2531114B2 (ja) * | 1993-10-29 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | 光強度分布解析方法 |
| JP3418768B2 (ja) | 1994-04-18 | 2003-06-23 | 大日本印刷株式会社 | 集積回路マスクパターンデータの演算処理方法 |
| JPH08297692A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法 |
| JPH09167731A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置、収差評価用マスクパタン、収差量評価方法、収差除去フィルター及び半導体装置の製造方法 |
| JPH10282635A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Sony Corp | パターンデータ補正方法、電子線描画方法、フォトマスク及びその作製方法、露光方法、半導体装置及びその製造方法、並びにパターンデータ補正装置 |
| US6078738A (en) * | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
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-
2000
- 2000-07-14 JP JP2000214002A patent/JP4671473B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-06 TW TW090108272A patent/TW492070B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-09 US US09/827,903 patent/US6831997B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-09 KR KR10-2001-0025149A patent/KR100385804B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-10 DE DE10122678A patent/DE10122678A1/de not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002031882A (ja) | 2002-01-31 |
| KR100385804B1 (ko) | 2003-06-02 |
| TW492070B (en) | 2002-06-21 |
| US20020018599A1 (en) | 2002-02-14 |
| US6831997B2 (en) | 2004-12-14 |
| JP4671473B2 (ja) | 2011-04-20 |
| KR20020007983A (ko) | 2002-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8131 | Rejection |