TW492070B - Mask data correction apparatus, Fourier transformation apparatus, up sampling apparatus, down sampling apparatus, method of manufacturing transfer mask, and method of manufacturing device having pattern structure - Google Patents

Description

492070 五、發明說明（l) -- 發明所屬技術領域 本發明係有關於光罩資料修正裝置、傅立葉轉換裝 置、上取樣裝置、下取樣裝置、轉印用光罩之製造方法以 及具^圖形構造之製造方法，尤其有關於用以在保持精度 下提高效率之改良。 習知技術 近年來，大規模積體電路（LSI)之微細化之進展顯 著’但是使得其可實現的係微細加工技術之進展。其中尤 其光轉印技術藉著成批曝光之高生產力、丨〇〇年來連續培 養之光學技術之實績等，現在也仍位居微細加工技術之中 可是，在微細圖案之加工尺寸變成比曝光光之波長小 之：在，纟清光轉印技術之界限、克服解析度及焦點深度 之界限等變得重要。為了進行這種分析，進行光學像計算 ΐΐ術1修正自所計算之光學像發生之變形之技術等近年 ，特別文到注目。圖32係舉例表示在特開平8_297692號公 報(以下，文獻1 )公開之本發明者之發明之光罩資料修正 方法之步驟之流程圖。 、 ^ 本^法詳細的公開於文獻丨，因係已周知之技術， 此止於簡單之介紹。本方法之處理S9〇開始時，藉著 電路設計及佈局設計（S91、S92)，首先將佈局資料儲存於 =媒體（S93)。該佈局資料規定具有階層構造 之 基本要素之形狀和階層構造。其次，展開佈

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(S94)，輸入製程條件（S95)。然後，產生網格（S96)，、 行影像計算（S97) °接著，經由影像計算之結果和佈 $ 料之比較，進行圖形之修正（S98)，藉著輸出係其結果貢 修正資料（S99)，完成處理S90。 、" 之 此外，在使用這些技術時，需要注意，由光學系之像差 所引起之光學像之惡化等。關於本技術，都在本發明者 發明之特開平9- 1 6773 1號公報（以下，文獻2)或特開平之 1 0-335224號公報（以下，文獻3)詳述。此外，也有臨限值 位準之長距離相關成為問題之事例。 & 為了進行這些評估或最佳化，需要對於各種事例調杳 關於光學像之計算結果和實驗結果之對應關係。可是，關 於光學像之計算’將光罩圖形傅立葉轉換後需要反傅立葉 轉換等，一般需要大量之計算量。因而，為了高速的執行 傅立葉轉換，有很多提案。在一般之提案上，周知的如 下。 (1) 高速傅立葉轉換（FFT ; Fast Fourier Transformat ion)(例如，記載於「科學量測所需之波形資 料處理」南茂夫，CQ出版社）； (2) 0CA(0ptical Coherent Approximation)(例如， 記載於Y.C Pali and T.Kailath J.OP Soc.AM A，

Vol. 1 1 ( 1 994) 2438 ) (3) 不等間隔傅立葉轉換（例如，記載於E. Bar ouch， B.Bradie ，U.Hollerbach ，and S.A.Orszag ，J.Vac.Sci· and Technol.B8(1990)1432; E.Barouch ，B.Bradie ，

2108-3902-PF.ptd 第7頁 492070 五、發明說明（3) U.Hollerbach ，and S.A.Orszag ’Proc.SPIE Vol. 1 465 ( 1 99 1 ) 254 ; Ε·Barouch，B.Bradie， U.Ho 11erbach，and S·A.Orszag 5 B.Brad i e and M,Peckcrar 5 IEEE Electron Device Lett. 5 EDL-12(1991)513 等）； (4) 部分同調近似（例如，記載於M .Yeung :

Proc.Kodak Microelectronics Seminar INTERFACE，85(KTI Chemicals ， Inc.San Diego ， 1986)p. 115 ;M.Yeung :Proc.SPIE Vol.992( 1 988) 1 49 等）；及 (5) 超並列計算（例如，記載於K.Kamon， W.Wakamyia ’H.Nagata ，K.Moriizumi ，T.Miyamoto ，Υ· Myoi and M.Takana ；Proc.SPIE Vo 1. 25 1 2 ( 1 995 ) 49 1 ； T. Hanawa ， K.Kamon 5 A.Nakae j S.Nakao ，K.Moriizumi ; Proc.SPIE Vol. 272 6 ( 1 996 ) 640 ；A.Nakae ^ K.Karaon ^ T· Hanawa 5 K. Mori izurai and S,Nakao ： Jpn J.Appl.phys.Vol.35 ( 1 996 ) 6365 等）。 經由這些技術，近年來顯著高速化。這些技術各自係 很有效之技術，對微細加工技術之革新貢獻很大，但是在 LSI之全攝景（full shot)計算，組合這些技術也尚未充 分。因為，例如目前開發中之1G位元之DRAM，藉著在縱橫 舖滿1G個個數魔大之電晶體，形成記憶體單元陣列之緣 故。又’係邏輯組件（邏輯電路），也具有包含很多小規模 之RAM之構造。此外，LSI今後也將愈來愈高密集化。 以往一般係在一度全展開後處理圖形資料之手法（例

2108-3902-PF.ptd 第8頁 492070 五、發明說明（4) 如cadence公司之dracula)。而，為了處理大 開發利用圖形資料之階層構造執行佈局驗證等° >’ 裝置（例如arant公司之hercules ; menter公司之 异之 caliber ; lucent 公司之ciover 等）。這些 子所示1幾個資料集合成單元91，而I: =例 配置或階層構造下，藉著圖形計算等處理以言、亲:兀間之 33 ’在影像產生區域9〇配置複數單 g :在圖 圖形之基本要素92。 在早兀9!中配置 ^裝置’因可迅速執行圖形間之簡單之計算、比較 3尺Ϊ:於設計法則檢查、圖形間之簡單之邏輯運算或ί 疋尺寸等用途。 竹咬异4有 發明要解決之課 可是，在某 況，因不得不展 高速化，反而甚 而，在光學 之可干涉距離内 效應或在光罩描 此，需要計算圖 在以微影為首之 是本質。而，該 複數單元之情況 此，將階層化之 題 圖形之影響或相 開各要素單元， 至有處理性能惡 像計算之用途， 。又，在乾蝕刻 繪之近接效應有 形要素間相互干 各種製程模擬， 光學性干涉性或 多’在以往需要 資料用於近接修 關廣為橫跨複數單元之情 不僅無法達成資料處理之 化之情況。 某圖形之影響達到光學系 之微負载（microloading) 南達約1 0 // m之情況，因 /步或影響之情況。反而， 可說計算該相關之情況才 各種近接效應因一般橫跨 王展開專*元後評估。因 正計算，最後也還是不得

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階層處理之有效性之問題點。 術之上述之問題點，其目的在 置、傅立葉轉換裝置、上取樣 光罩之製造方法以及具有圖形 用佈局資料之階層構造，可在 率〇 不全展開，有無法充分發揮 本發明為解決在習知技 於提供一種光罩資料修正裝 裝置、下取樣裝置、轉印用 構造之製造方法，有效的利 保持高精度下提高處理之效 解決課題之手段

第1項發明之裝置係以抑制在製程預測之變形之形熊 j生規定具有圖形構造之圖形之基本要素之形狀和該階“層 構造之佈局貧料及依據製程條件表達在製程使用之轉印用 光罩之圖形形狀之光罩資料之光罩資料修正裝置，包括： 傅立葉轉換部，藉著將該基本要素傅立葉轉換而得到該某 本要素之傅立葉像；合成部，藉著依據該階層構造在^二 葉空間將該基本要素之傅立葉像合成，得到該圖形之 葉像；空間濾波部，對於該圖形之傅立葉像進行和該 對應之空間濾波處理；反傅立葉轉換部，藉著對於該处^ 濾波處理後之傅立葉像進行反傅立葉轉換，得到反映^ 變形之反傅立葉像；圖形轉換部，將該反傅立葉像轉= 圖形，以及圖形修正部，藉著比較該圖形轉換部輪之; 圖形和該佈局資料規定之該圖形，向抑制該變形之方向= 正邊佈局資料規定之圖形後，作為該光罩資料輪出。σ 第2項發明之裝置係在第丨項發明之光罩資料修正襄 置，該變形包含依據該光罩資料使用電子束描繪形成^轉

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五、發明說明（7) 第8項私 置，該要素'月之褒置係在第7項之發明之光罩資料修正裝 算空間頻率1立葉轉換部在為了得到該傅立葉像而計 算。 、、分時，使用原始函數分析性的進行定積分計 第9項名& 光罩資料佟明壯之裝置係在第1至8項之其中一項之發明之 葉空間設，還包括網格產生部，在實空間和傅立 該網格產生ΐ ΐ ί生區域後在該影像產生區域設定網格； 計算在製t "匕括·最小相關距離計算部，依據製程條件 寬在不超二：卞:";距離；及網格數最佳化部，如網格 ί向沿著該影像產生區域之正交之二方向之各 事置第=:i裝置係在第9項之發明之光罩資料修正 (;】、二:Λ佳化部f該正整數限定為由-2⑽ 使用高速傅立3筆鏟i數）規定之正整數η ;該傅立葉轉換部 使用同速傅立葉轉換進行該傅立葉轉換。 光罩Γ二ΐίΠϊ在第1至8項之其中-項之發明之 葉空間設定影像產生區域後在該，二工間和傅立 網格附加部，對該空間據波處理；:象；=設定網格； 格；以及新網格資料設定部，對；料附加新的網 〜I 7尸汀附加之網格卜夕寮後資 料設定零之值後，和附加網格之前之影像資料一=出；、 該反傅立葉轉換部對於該新網格資料設定二 料進行該反傅立葉轉換。 勒出之〜像貝

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第12項發明之裝置係在第1至8項之其 j罩資料修正裝置’還包括網格產生部：在；之 葉空間設定影像產生區域後在該影像產生 & —傅立 及網格除去部，自該空間濾波處理後之旦彡二=故疋網格； :之網格；該反傅立葉轉換部對於該網格除去：：：： 像資料進行該反傅立葉轉換。 别出之衫 第1 3項發明之製造方法係轉印用光罩之f造方去勺 括U)使用第1至12項之其中一項之發明之光罩資料修正| 置產生該光罩資料之製程；（b)使用在該製程（a)產生之^ 罩資料形成轉印用光罩之製程。 第14項發明之製造方法係具有圖形構造之裝置之製造 方法，包括：（a)使用第1至12項之其中一項之發明之光罩 資料修正裝置產生該光罩資料之製程；（b)使用在該製程 (a)產生之光罩資料形成轉印用光罩之製程；（c)在作為製 造對象之裝置之材料之表面形成光阻劑之製程；（d)向該 光阻劑轉印在該製程（b )所形成之轉印用光罩之製程；（e ) 將光阻劑形成為在該製程（d )所轉印之圖形形狀之製程； 以及（f )藉著將形成圖形之該光阻劑用作遮蔽體對該材料 進行選擇性處理之製程。 第1 5項發明之裝置係將具有階層構造之圖形傅立葉轉 換之傅立葉轉換裝置，包括··圖形分割部，將該階層構造 之基本要素分割為係三角形、四角形以及圓形之其中之一 之要素圖形之群；要素圖形傅立葉轉換部，藉著對於該要 素圖形之群之各要素圖形個別的進行傅立葉轉換，得到該

2108-3902-PF.ptd 第13頁 492070 五、發明說明（9) — ，素圖形之群之各要素圖形 著依據該階層構造在傅立葉 葉像合成，得到該圖形之傅 第1 6項發明之裝置係對 樣裝置，包括：傅立葉轉換 7L之空間内規定之離散資料 料變換為頻率成分之集合； 集合作為在和該一次元或多 所設定之網格上之資料後， 内；新網格資料設定部，對 值後’和附加之前之網格上 葉轉換部，對於該新網格資 立葉轉換。 第17項發明之裝置係對 樣裝置，包括：傅立葉轉換 元之空間内規定之離散資料 料變換為頻率成分之集合； 集合作為在和該一次元或多 所設定之網格上之資料後， 之網格後輸出；以及反傅立 輸出之資料進行反傅立葉轉 t傅立葉像；以及合成部，藉 二間内將該基本要素之該傅立 立葉像。 ^離散資料進行上取樣之上取 部’藉著對於在一次元或多次 進行傅立葉轉換，將該離散資 網格附加部，將該頻率成分之 次元同一次元之傅立葉空間内 將新的網格附加於傅立葉空間 所附加之網格之資料設為零之 之資料一起輸出；以及反傅立 料設定部輸出之資料進行反傅 於離散資料進行下取樣之下取 部’藉著對於在一次元或多次 進行傅立葉轉換，將該離散資 網格除去部，將該頻率成分之 次元同一次元之傅立葉空間内 在該傅立葉空間内除去_部分 葉轉換部，對於該網格除去部 換0 發明之實施例 實施例1

五、發明說明（10) 及液Γ顯係示表裝不置製造對象之裝置(例如半導體裝置 製程之各種製造裝c至產品出貨之本實施例之 像計算部42之内部Κ 塊圖。圖2係表示圖1之影 m 1夕欠絲别4壯#化·之方塊圖。此外，圖3係表示使用 回 、仏、置執行之製程之步驟之流程圖。 、去下，參照圖1〜圖3邊說明本實施例之裝置及方 ί德Ϊ ^ 之影像計算部42以夕卜之各要素及在圖3之 I别與你& $ ^ 1早之說明。又，在以下之說明，主 作為製造對象之裝置係半導體裝置之例子，但是本 發明未限定為本形態。 置30 : : ί $ : ^之裝置之製程開始時，利用原圖製作裝 行圖之佈局資料(S1)。在此，原圖意指和進 ㈡作業員由外部輪入之設計條件利用^ 计：31進仃電路設計(s⑴。電路設計使得作為設計 對象之電路可達成所要之功能及性能。 然後，依據關於電路設計後之電路之資料和由外 ^之設計條件利用佈局設計部32進行佈局設計（S12)。 P’產生規^Μ在半導體基板上實現所設計<電路 二2光ΐ之圖形形狀之佈局資料。所產生之佈局資料儲存 於佈局負料用記憶媒體33(S13)。 存 在大規模積體電路，在記憶體單元陣列等電 中將複數基本要素排列成陣列狀之情況多。這種電路之佈

492070 五、發明說明（11) η二ϊί:基本要素"皆層構造之形式儲存時，因可節 ^ ψη VI m 2 效率佳。因而，大規模積體電路 之佈局貝枓以具有階層構造之圖形之 層構造之資料儲存。 不要素之形狀和P白 圖)：舉例表示在佈局資料之階層構造之說明圖。在 圖4之例子，在半導體晶片 及ϋΜ雷踗“ 、、片置隐體2、輸出入介面3以 ΐΐ 。在記憶體2配置周邊電路5和記憶 在記憶體單元陣列6將複數半導體單元7配 置士矩陣狀（圖4(b))。在半導體單元7配置位於階層構造 之最下階之圖形之基本要素1〇、U、12 (圖4(c))。 其次，在未進行圖形修正之情況（Sla)，佈局資料作 為用以形成轉印用光罩之光罩資料直接利用。而，在進行 ::修正之情況(Sla)，利用光罩資料修正裝置⑼執行影 及圖形修正(S3)。影像產生⑽利用影像產生 裝置40執订，圖形修正（S3)利用圖形修正裝置5〇執行。 在衫像產生（S2)，首先，自佈局資料用記憶 條件（即，關於製程之條件）（S22)。製程條件規定例如 印用光罩之描繪方法（電子束描繪、雷射描繪、低反射光 罩之種類、移相法之種類）、曝光裝置之光學參數（波長、 數值孔徑、數值孔徑比σ、超解析度之種類等）、關於 阻劑之條件（前烘烤、ΡΕΒ、負•正、Novolak系、化學放 大系、乾/濕現象等）以及蝕刻條件（乾/濕等）等。 其次’利用網格產生部41在實空間和傅立葉空間設定

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影像產生區域（即，評估對象之計算對象區域），在該影 產生區域設定網格（S23)。具體而言，在圖上未示之"記憶 媒體之中指派和實空間之影像產生區域及傅立葉空間之： 像產生區域對應之記憶體區域。 〜 f次，利用影像計算部42進行影像計，算（S24)。在影 像計算（S24)，首先利用傅立葉轉換部421 (圖2)對佈局資 料所規定之基本要素進行傅立葉轉換，因而得到基本要素 之，立葉像。其次，利用合成部42 2藉著依據佈局資料所、 規定之階層構造在傅立葉空間内將基本要素之傅立葉像重 疊，得到影像產生區域整體之傅立葉像（S242 )。 、 接著，利用空間濾波部423對於整體圖形之傅立葉像 進行和在製程預測之變形對應之空間濾波處理。依照製程 條件預測變形。如在實施例2之詳述所示，在製程之各階 段產生E1〜E5。至於令反映其中那一個，如圖j所示，白 作業貝自外部指示。 和各種變形對應之空間濾 如，考慮光學系之數值孔徑之 濾波處理。又，考慮在製造裝 可進行橢圓形之濾波處理即可 波處理本身係周知技術。例 影響時，可進行圓形之低通 置之特性之方向相依性時， 其次’利用反傅立葉轉 理後之傅立葉像進行反傅立 傅立葉像。即，自影像計算 葉像。 換部424藉著對於空間濾波處 葉轉換，得到反映了變形之反 部42輸出反映了變形之反傅立 圖5及圖6係舉例表示上述之網格產生_及影像計算

五、發明說明（13) αΜ 2之動作之說明圖。在圖5之例子，在圖4所 2設定影像產生區域。網格產生 /、之屺憶體 5(a)所示般执宏於，每〜 ° 斤產生之網格20圖 tna)所不叙叹疋於在貫空間之影像產生區域L。 q 空間遽波處理之情況，即，在未反映變形之情況旦進行 之反傅立葉像例如變成如圖5(b)=:=計 5(b)，例表示在圖4(c)所畫基本要素以 ^圖 在圖4(c)所示之基本要㈣……在佈局工 述為圖形資料。在圖形資料，基本要素1〇、u^ 上記 例如以其各自之角之座標值之組記H傅立葉轉1f 421如以往周知般在作為設於傅立葉空 上之轉、部 資料上產生傅立葉像。 上之衫像 又，反傅立葉轉換部424如圖5(b)之例子所示， 反傅立葉像’ #為設於實空間之網格2〇上之影像資料。 5(b)對網格20之各分區舉例表示影像資料之數值。在圖圖 5(b)之例子，在基本要素12所在之分區數值係〇，而在義 本要素12不存在之分區數值係i。按照存在之比例賦與广 之範圍之值。 在圖5(b)之例子，因未反映變形，反傅立葉像表達之 基本要素12之形狀和佈局資料表達之基本要素12(圖4(c)) 相同。而，在進行空間濾波處理之情況，即，在反映變形 之情況，影像計算部4 2輸出之反傅立葉像例如變成如圖6 所示。 回到圖1〜圖3 ’係影像計算部4 2輸出之影像資料之反 傅立葉像利用圖形轉換部4 3轉換為和佈局資料一樣之圖形

492070 五、發明說明（14) ' — - 貝料之形式（S25)。圖形修正部5〇藉著比較圖形轉換部43 輸出之圖形和佈局資料規定之圖形，向抑制變形之方°向修 正佈局資料規定之圖形後，作為光罩資料輸出（S3)。〆 例如，在影像計算部42之計算結果，藉著對於預料大 幅度加工之部分進行取較小的，反之對於預料小幅度加工 之部分進行取過大的，以提高綜合之製程邊限。圖"係舉 例表示修正後之基本要素12b圖形形狀之說明圖。在圖了之 例子，因無變形時基本要素12之形狀如圖5(b)所示，而 慮到隻瓜時基本要素1 2之形狀如圖6所示，為了抑制或消 除變形，如圖7所示進行圖形修正。此外，關於圖形修正 部50之構造及動作，詳細公開於文獻j，因係周知之技術 之一，省略詳細說明。 、、周格產生裝置6 1依據圖形修正部5 〇輸出之光罩資料產 生轉印用光罩（S4)。光轉印裝置62對作為半導體裝置之材 料之在半導體基板之表面所形成之光阻劑轉印轉印用光罩 (S5)。如周知般，轉印後之光阻劑模製成轉印後之圖形形 狀。基板蝕刻裝置6 3藉著將模製後之光阻劑用作遮蔽體， 對半導體基板進行選擇性蝕刻處理（S6)。CMp裝置或深蝕 亥J裝置6 4對於堆積於選擇性餘刻處理後之丰導㈣美 膜進撕(化學機械性研磨)或深㈣匕"藉體著基:由上這之 樣之各種處理，半導體裝置變成產品。 ^ 如上述所示，在本實施例之光罩資料修正裝置2 9，藉 著依據階層構造合成基本要素之傅立葉像，因得到圖形整 體之傅立葉像，可在保持精度下以高效率修正在圖形包含

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大量之基本要素之光罩資料。 實施例2 在本實施例，說明反映至影像計算部42之製程上之各 種變形。以作為製造對象之裝置係半導體裝置之情況為 例，但是在液晶顯示裝置等別的裝置之製程，也可設想一 樣之變形」可令向影像計算部42反映。令向空間濾波^ 423反映這些變形之技術及在圖形修正裝置5〇令抑制變形 之技術本身係以往周知的。 圖8係表示光罩產生裝置61之周知之構造例之部分切 掉之立體圖。用ag 6電子搶61〇所產生之電子束通過構成可 變成型透鏡部61a之第一成形孔611、第一成形透鏡612、 第一成形偏向器613、第二成形透鏡614、第二成形孔 615、縮小透鏡616以及遮沒電極617後，經由構成合聚偏 向透鏡部61b之偏向器618與縮小透鏡619，會聚於^印用 光罩60上之一點。依據向網格產生裝置61輸入之光罩資 料，在轉印用光罩60描繪光罩資料表達之圖形。 、 此時’在光罩資料表達之圖形和畫在轉印用光 圖形之間發生描繪變形E1(圖3)。畫在轉印用光罩6〇 形相田於電子束之能量之儲存分布像。在使用雷射光回 代電子束之情況，所描繪之圖形相當於雷射光束之能旦 儲存分布像。在光罩資料修正裝置29，使用這些能=== 口存分布像可進行貼近修正，因而可抑制或消除描繪變形：

492070 五、發明說明（16) 圖9係表示光轉印裝置62之周知之構造例之說明圖。 $外’在本專利說明書，在轉印用光罩之轉印使用之 光」廣泛代表也包含紫外線等之電磁波。在燈泡6 2 0所 產生之光經過反射鏡621、透鏡622、複眼透鏡6 23、透鏡 622a、二次光源板625、透鏡622b、反射鏡621a、透鏡 622c、轉印用光罩、透鏡622d、瞳面626以及透鏡 622e ’照射於半導體基板（半導體晶圓）ι〇〇之表面。藉 此’轉印用光罩60之圖形轉印至半導體基板1〇〇之表面。 此時，在晝在轉印用光罩6〇之圖形和半導體基板1〇〇之表 面之轉印像之間發生轉印變形£2(圖3)。在光罩資料修正 裝置29，可使用光學像進行光貼近修正，因而可抑制或消 除轉印變形E2。 圖1 0係舉例表示半導體製造裝置之製程之製程圖。在 本製程’首先準備半導體基板100(圖10(&))，其次在半導 體基板1 0 0之主面上塗抹光阻劑丨〇丨（圖丨〇 (b D。然後，藉 著使用光轉印裝置6 2將轉印用光罩之圖形轉印至光阻劑 1 〇 1後’進行顯像處理，形成光阻劑圖形丨〇 2 (圖丨〇 (c))。 其次’藉著將光阻劑圖形1 〇 2用作遮蔽體，在半導體 基板1 0 0之主面進行選擇性蝕刻（圖丨〇 (d。在此時形成之 餘刻圖形發生係來自轉印像之變形之姓刻變形E 3 (圖3)。 在光罩資料修正裝置29，使用在蝕刻之微負載 (microloading)效應像，可進行光貼近修正，因而可抑制 或消除蝕刻變形E3。 接著，藉著進行各向同性沈澱，如包覆蝕刻後之半導

圖12係表示在圖丨〇(6)之製程後進行替RCMp之 處：之製程之製程圖1用本製程 ： 形發生沿著半導體基板1〇〇之主面之法 刻Θ 形E5。在光罩資料p正梦f 2q， 、、友方向之，衣餘刻I 庀皁貝枓修正裝置29，可使用深蝕刻像進杆攸 ’因而可抑制或消除深餘刻變形E 5。 少 492070 五、發明說明（17) 體基板100般堆積膜1〇4(圖10(e))。如圖1〇(e)所示，在膜 1 0 4之表面形成和餘刻圖形對應之凹凸。然後，料著進行 CMP ’至半導體基板100之主面露出為止研磨膜(圖 10(f))。 、 " 圖11係表示CMP裝置64之周知之構造例之平面圖。在 方疋轉工作台640上放置半導體基板1〇〇後，半導體基板IQ。 在工作台640上再自轉。在圖11，以矩形晝半導體基板1〇〇 之晶片形成區域110。在工作台640之上方安裝圖上未示之 研磨布，將該研磨布向半導體基板丨〇〇之各自之主面推7^ 壓。而且，經由工作台640之公轉和半導體基板1〇〇之自 之二種旋轉模式，利用和研磨布之機械性摩擦及藥 學作用研磨半導體基板100之主面。 、 化 回到圖10(f)，在蝕刻圖形存在疏密時，在且 圖形之膜1 05發生沿著半導體基板丨00之主面之法磨 研磨變形E4。纟光罩資料修正裝置29，可使用研 ^ CMP修正，因而可抑制或消除研磨變形E4。 行 實施例3 圖13係表示傅立葉轉換部421之較佳之内部構造

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弋’圖14係表示依據傅立葉轉換部421之傅立苹轉 之較佳之内部流程之流程圖。圖"所示之傅立轉苹 =Γ，包圖括Λ形分⑽^ , 回/刀割部4 2 1 1包括三角形分割部4 2 1 3、四角 形分割部4214以及圓形分割部4215。在這些分判部421 4214以及4215輸入佈局資料。 、 一傅立葉轉換（S241)開始時，三角形分割部4213將佈局 負料規疋之基本要素分割成一個或複數三角形（s 2 41 1 )。σ 例如，對於圖15所示之基本要素10，如圖16所示，自基本 要素10分離直角三角形l〇a。因而，在基本要素1〇殘留直 角多角形10b。 其次’四角形分割部42 1 4將基本要素分割成一個或複 數四角形（S2412)。例如，自圖16所示之直角多角形iQb， 如圖17所示，分離成四角形i〇c、l〇d。於是，基本要素係 如何複雜之多角形，也可分割為簡單之三角形和四角形。' 在佈局資料規疋之基本要素也包含圓之情況，利用圓 形分割部4 2 1 5再分離圓（S 2 41 3)。照這樣做，將基本要素 分割為係三角形、四角形以及圓形之其中之一之要素圖形 之集合。 要素圖形傅立葉轉換部4212藉著對於分割而成之要素 圖形群之各要素圖形個別的進行傅立葉轉換，得到要素圖 形群之各要素圖形之傅立葉像（S2 414)。因三角形、四角 开》以及圓形都是簡單之开> 狀’要素圖形傅立葉轉換部4 2 1 2 經由簡單之計算可容易且迅速的完成傅立葉轉換。在要素

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492070 五、發明說明（19)

各要素圖形之傅立 生區域整體之圖形 葉像利 之傅立 圖形傅立葉轉換部4 2 1 2所得到之 用合成部423(圖2)合成為影像產 葉像。 如上 三角形、 各要素圖 影像產生 如何複雜 對於影像 換，因未 又， 合，除了 單且迅速 換裝置， 述所示 四角形 形進行 區域整 之多角 產生區 含近似 本實施 對光罩 的得對 應用於 ，在本實施 以及圓形之 傅立葉轉換 體之圖形之 形，也在短 域整體之圖 計算，得到 例之傅立葉 資料修正裝 於一般複雜 各種領域。 其中之一之要，素 後’將其結果重 傅立葉像。因而 時間且不會令精 形之傅立葉像。 不是近似之正確 轉換部421藉著矛 置29之用途以外 之圖形之傅立葉 圖形之群，斜 疊，得到對於 ，基本要素係 度惡化的達成 在傅立葉轉 之傅立葉像。 合成部423組 ，也可作為簡 像之傅立葉轉 實施例4 圖18係表示要素圖形傅立葉轉換部4212及合成部“？ 之較好之内部構造之方塊圖。又，圖19係表示^素圖形傅 立葉轉換部4212之處理（82414)及合成部422之處理（3242) 之較好之内部流程之流程圖。圖丨8所示之要素圖形傅立葉 轉換部42 1 2包括按照要素圖形之形狀之3種空間頻率成分' 計算部421 21、421 22、42 1 23。在空間頻率成分計算部 42121、421 22、421 23輸入圖形分割部4211(圖131)輸^之 要素圖形資料。又，合成部422包括第一合成部4221及第

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492070 五、發明說明（20) 合成部4 2 2 2 在要素圖形傅立葉轉換部4212輸入要素圖形資料時 (S24141) ’3種空間頻率成分計算部42121、42 1 22、42123 各自個別的執行對於要素圖形中之三角形、四角形以及圓 形之傅立葉轉換後，得到各自之傅立葉像（即空間頻率成 集合）（S24142、S24143、S241 44)。藉著執行沿著在 實空間之X、y方向之傅立葉積分得到各空間頻率成分。 第一合成部422 1按照階層構造將各要素圖形之傅立葉 像重疊（S2421 )。因而，對各要素圖形得到對於影像產生 區域整體之要素圖形之傅立葉像。第二合成部4222將在第 一合成部422 1所得到之各要素圖形之傅立葉像重疊 (52422) 。然後，若對於影像產生區域整體之圖形之處理 未終了（S2422 )，處理回到步驟ST 24142 ;反之若終了 (52423) ，得到對於影像產生區域整體之圖形之傅立 像。 ^

在以上之步驟，按照階層構造重複利用藉著一度計算 之要素圖形之傅立葉積分所得到之空間頻率成分。因此， 因傅立葉積分之次數及三角函數之計算次數顯著減少，傅 立葉轉換之處理能力飛躍似的提高。此外，係大規模之資 料也可在實用之計算時間内處理。又，本階芦未斤 似，因係嚴密之計算，計算精度高。此外，^認所得到之 結果和將階層構造展開後進行各圖形之傅立荦積分情 完全相同，實際驗證計算精度不會惡化。㈣W 若依據係習知技術之在實空間上之重疊，都有難正確

2108.3902-PF.ptd 第25頁 492070 五、發明說明（21) 的引入相關距離長之（1)齋，i ^ (2 1 #與地工* 電子束之刚方散射或後方散射、 ^ )先子性干涉效應、（3 )料 m m ’ 微負載（micro loading)效應、 、4 )研磨布之變形效雇算 ^ , t 炎❿双應寻之問題點。而，在本發明之各實 方也例，因在傅也整六pq、社 相關艰雜且 ^ 行重疊’容易令正確的反映這些 相關距離長之效應。 實施例5 只施例3及4之要素圖形傅立葉轉換部4212在計算要素 圖形之空間頻率成分時，可採用將要夺圄祀s ^ 分之在傅立葉轉換之-般之手法。可是，可 立葉轉換之對象之圖形活用簡單之三角形、四 數心)後’蚀如以下之式1所示’求傅立葉積分之原始函 數F(x)後，使用該原始函數分析性計算 此，傅立荦韓拖夕拌疮妲义 丨"刀之手法。藉 茱轉換之精度棱向，同時達成高速計算。 (式1 ) 1 ^

Pb f (x)dx = [ F(x)] a b 實施例6 圖。，二 格產生夂部41之較好之内部構造之方塊 之内部流i之部=生網格(S23)之較好 格（S23)時\ Λ 所不網格產生部41開始產生網 枪時，最小相關距離計算 度王、、周 製程之最小相關, 製程條件計算在 夕衅、關（）。最小相關距離例如在糸與备 之隋況相g於最小解析度R，R= λ/ 1先予糸 在此，λ係曝光

492070 五、發明說明（22) 波長’ NA係投影透鏡之數值孔徑。 其次，利用影像產生區域設定部412設定像 =圖^))(S232)。其次，利用網格數最佳化=3生決&定 =:網格數。如網格寬在不超過最小相關距離之 ί最大而且網格數變成正整數般將沿著影像產生區域之正 ^之一方向之各方向之網格數決定為最佳之網格數γ最好 如網格寬在不超過最小相關距離笳 數η變成,· ·, 圍成取大而且網格 (1、j、k係〇或正整數）般決定（S234、 F 之/況’可利用在2、3、5之倍數可使用之 μ u同速傅立葉轉換）。 在該條件之特殊之情況上，為了滿足n=2i(i係正整 數)’如滿足如下之式2之條件般決定假分割數nQ。在此， c:格：ϊ ί f數化函數。其次，#⑮式3決定網格數n後， (FFT)。灸成之乘方，這也便於利用高速傅立葉轉換 nO = ce i1(L/R) (式2) (式3) n = 2ceil(logn/1〇g2) 、、周格產生部41 4按照在網格數最佳化部4 1 3所決定之網 格數產生網格（S233 )。 、 如上述所示，在本實施例，因可設定所需最低限之網 格 由计算精度之觀點可節省由產生超過了所需限度之 、祠秸之浪費之汁算，可在保持尚計算精度下使處理高速

492070 五、發明說明（23) 化0 實施例7 按照實施例6使用計算精度上所需最低限之網格數計 算後令顯示其結果時，有在人之視覺上覺，粗糙之情況。在 此情況，進行上取樣即可。圖22係表示為了這種目的而在 圖2之空間濾波部423和反傅立葉轉換部424之間插入之上 取樣部44之内部構造之方塊圖。上取樣部44包括網格附加 部4 4 1及新網格資料設定部4 4 2。又’圖2 3係表示上取樣部 44之處理之流程圖。 7 " 網格附加部441對自空間濾波部423輸入之影像資料 加新的網格（S261)。新網格資料設定部442對所附加之網 格上之影像資料設定零之值後，和附加網格之前之影像 料一起向反傅立葉轉換部424輸出（S262)。 、 圖24係表示網格附加部441及新網格資料設定部 f :之說明圖。在傅立葉空間之傅立葉像F(圖24(a) ^傅=葉轉換部424之反傅立葉轉換轉換為實空間上/ 2葉像R(圖24⑻）。而，對於在傅立葉空間附加網二 網格上之影像資料附加零之值時(圖24(a))，/ 傅變成如圖24(c)所示，比圖24⑻之影像緻" 例如，在傅立葉空間上附 為在二次元2 X 2倍之網格之情 間時，上取樣為在二次元2 χ 2 加新的網格後令網格數增加 況’在反傅立葉轉換為實空 倍之網格。令網格數增加之

492070 五、發明說明（24) 比例一般係任意，但是例如如2 X 2倍般設為可利用f f T之 比例較好。 如上述所示，在本實施例，因在傅立葉空間上進行上 取樣，所得到之内插點變成考慮到影像整體的，實現比單 純之線性插值平滑且自然之内插。因此，得到插值之精度 高之優點。 實施例8 和實施例7之情況相反，在計算之網格比顯示裝置之 網格多之情況，藉著進行下取樣，可不會令畫質惡化的提 高顯示速度。圖25係表示為了這種目的而在圖2之空間濾 波部423和反傅立葉轉換部424之間插入之下取樣部45之内 部構造之方塊圖。下取樣部45包括網格除去部451。又， 圖2 6係表示下取樣部4 5之處理步驟之流程圖。 網格除去部451自空間濾波部4 23所輸入之影像資料除 去一部分之網格（S271)。向反傅立葉轉換部424輸出除去 了網格之影像資料。 圖27係表示下取樣部45之處理之說明圖。在傅立葉空 間之傅立葉像F (圖27 (a))藉著反傅立葉轉換部424之反傅 立葉轉換轉換為實空間上之反傅立葉像R(圖27(b))。而， 在傅立葉空間除去一部分之網格時（圖2 7 (a D，其反傅立 葉像R變成如圖27(c)所示，比圖27(b)之影像粗。 八2如，除去傅立葉空間上之傅立葉像F周圍之高頻成 /刀4 k成在二次元1/2><1/2倍之網格之情況，在反傅立葉

492070 五、發明說明（25) 轉換為實空間時，下取樣為在二次元1/2 χ 1/2倍之網格。 令網格數減少之比例一般係任意，但是例如如1 / 2 X 1 / 2倍 般設為可利用FFT之比例較好。 如上述所示，在本實施例，因在傅立葉空間上進行下 取樣’所得到之内插點變成考慮到影像整體的，實現比單 純之線性插值平滑且自然之内插。又，因計算結果之顯示 度變快，系統之操作性提高。 實施例9 藉著利用使用實施例卜8之光罩資料修正裝置29修正 後之光罩資料，可得到便宜且精度高之轉印用光罩。藉著 使用該特殊之轉印用光罩製造半導體積體電路等之半導體 裝置，可到便宜且可靠性高之半導體裝置。不限於半導體 裝置，對於液晶顯示裝置等具有圖形構造之別的裝置也一 樣。關於這些裝置之製造方法，因在實施例2邊參照圖i 〇 及圖11邊詳細說明，省略更詳細之說明。如圖3所示，在 經過圖10或圖11所舉例表示之製程S5〜S7後，一般藉著在 進行分成幾階段之處理，完成作為產品之半導體X褒9置 曰曰顯不裝置等具有圖形構造之裝置。 實施例1 0 實施例7所示之上取樣部44藉著附加傅立 反傅立葉轉換部，可構成自光罩資料修正裝置2換部及 取樣裝置。一樣的，實施例8所示之下取^獨立之上 卜取樣部45藉著附加

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五、發明說明（26) 傅立葉轉換部及反傅立葉轉換部，可構成自光罩資料彳各正 裝置29獨立之下取樣裝置。在本實施例，說明照接 之上取樣裝置及下取樣裝置。 ’ 圖28係表示本實施例之上取樣裝置8〇之構造例之方塊 圖。圖2 9係表示其處理（S8 )之步驟之流程圖。上取樣裝置 80首先接收在一次元或多次元之空間内規定之離散資^ (S81)。於是，傅立葉轉換部81藉著對於所接收之離散資 料進行傅立葉轉換（S82)，將頻率成分之集合作為在和該 一士元或多次元同一次元之傅立葉空間内所設定之網格^ 之資料之集合後’將新的網格附加於傅立葉空間内 (S83)。 ’、 新網格資料設定部83對所附加之網格之資料設為零 〜το〜只 叹构·务二 值後，和附加之前之網格上之資料一起輸出（S84)。反傅 立葉轉換部84藉著對於新網格資料設定部83輸出之資料進 行反傅立葉轉換，得到上取樣資料（S85)，而且輸出所得 到之上取樣資料（S86)。 在上取樣裝置8〇，因在傅立葉空間内進行上取樣，進 行反映了離散資料之集合之整體之插值。目而，得到 純之線性插值等盔法得釗之伞、、典α & 吹专…、沽付刿之十滑且自然之上取樣處理後之 資料。 Η =:ίί示本實施例之下取樣裝置90之構造例之方塊 理(S9)之步驟之流程圖。下取樣裝置 9 0 百先接收在7Γ ^ ΤΓΓ . ^ ^ ^夕A 70之空間内規定之離散資料 (S8U。於疋，傅立葉轉換部81藉著對於所接收之離散資

2108-3902-PF.ptd 第31胃 492070 五、發明說明（27) 料進行傅立葉轉換（S82)，將離散資料轉換為頻率成分之 集合。 網格除去部85將頻率成分之集合作為在和該一次元或 多次元同一次元之傅立葉空間内所設定之網格上之 集合後，在傅立葉空間内除去了—部分之，網格後輸出/ = '傅立葉㈣部84藉著對*反傅立葉轉 ❻ ===料進行反傅立葉轉換，得到下取樣資料（s85) ’而 且輸出所得到之下取樣資料（S88)。 —在下取樣裝置90 ’因在傅立葉空間内進行下取樣，進 行反映了離散資料之集合之整體 彡 ’ 奴分丨、…t ^ S體之插值。因而，雖然取樣 數減 付到在單純之線性插值等盔 之上取樣處理後之資料。值專無法侍到之平滑且自然 發明之效果 基本G1 之項傅發立明葦之 ’、傅立葉像而得到圖形整體之傅立笹作 精度下以高效率達成在圖形包含，；保持 料之修正。 〇3穴里之基本要素之光罩資 在第2項發明之裝置，因如 般修正，得到可柚制.絲< m卩制匕3描緣變形之變形 資料。 轉17用光罩出現之描繪變形之光罩 在第3項發明夕# @ 般修正，得到可抑制、 、抑制包含轉印變形之變形 資料。 轉17用光罩出現之轉印變形之光罩 492070 五、發明說明（28) - 在第4項發明 般 料 d之裝置，因如抑制包含蝕刻變形之變形 修 _Γί ’ 彳f 到 〇Γ 4> . 仰制在钱刻圖形出現之鍅刻變形之光罩資 在第5項| ΒΒ 〜、 月之裝置，因如抑制包含研磨變形之變形 般修正’付到可抑制在研磨後之圖形出現之研磨變形之光 罩資料。 ^ Μ & / 70 在第6項务明之裝置，因如抑制包含深餘刻變形之變 升y般G正得到可抑制在深触刻後之圖形出現之深餘刻變 形之光罩資料。 /在第7項發明之裝置，藉著將該基本要素分割為係三 角形角形以及圓形之其中之一之要素圖形之群，對於 各要素圖形進行傅立葉轉換後，將其結 圖形整體之傅立葉像。因而，苴士面主〆里且付刻耵〜 #，+力# Μ 、像因 基本要素係如何複雜之形 狀 也在短時間且不會令精声亞/μ M、去》如 傅立葉轉換。其結果：=達成對於圖形整體之 以更高效率達成。 、科之仏正不會令精度惡化， 在第8項發明之裝置，活 單之要素圖形之群，在計算空問將瓶基//素分割為形狀簡 數分析性的進行定積分計算。而^ 、刀，，使用原始函 提高，同時計算所需之時間更縮短傅立葉轉換之精度更 在第9項發明之裝置，因絪 算時間，以高精度達成光罩資 最佳化’不會浪費計 * I Γη 〇 在第1 0項發明之裝置，因 / 立葉轉換之個數，使用高速傅☆林各數限制為適合高速傅 立#轉換進行傅立葉轉換，

Η1 2108-3902-PF.ptd 頁 492070 五、發明說明（29) 不會令精度惡化，提高計算之效率。 在第1 1項發明之裝置，因在傅立葉空間内進行上取 樣，進行反映了圖形整體之插值。因而，得到在單純之線 性插值等無法得到之平滑且自然之修正後之光罩資料。 在第1 2項發明之裝置，因在傅立葉空,間内進行下取 樣’進行反映了圖形整體之插值。因而，雖然網格數減 少，卻得到在單純之線性插值等無法得到之平滑且自然之 修正後之光罩資料。 ’ 在第1 3項發明之製造方法，因使用本發明之光罩資料 修正裝置產生光罩資料後，使用該光罩資料形成棘如 罩，以高效率得到高精度之轉印用光罩。…用先 在第1 4項發明之製造方法，因使用本發明之光罩資料 修正裝置產生光罩資料後，使用該光罩資料形成轉印^光 罩，再使用轉印用光罩進行對光阻劑之轉印、光阻劑之圖 形形成以及選擇性處理，以高效率得到高精度之具戶 構造之裝置。 白曰 在第15項發明之裝置，藉著將基本要素分割為係三角 形、四角形以及圓形之其中之一之要素圖形之群，對各要 素圖形進行傅立葉轉換後，將其結果重疊，得 整體之傅立葉像。因而，基本要素係如何複雜之形狀Y也 =^時間且不會令精度惡化的達成對於圖形整體之傅立葉 在第16項發明之裝置 样 ^ c ^ %丨寸乂朱文間内進行上取 樣，進订反映了離散資料整體之插值。因而，得到在單系

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492070 之線性插值等無法得到之平滑且自然之上取樣處理後之資 料。 、 在第1 7項發明之裝置，因在傅立葉空間内進行下取 樣，進行反映了離散資料整體之插值。因而，雖然取樣數 減少，卻付到在單純之線性插值等無法得到之平滑且自然 之下取樣處理後之資料。 圖式簡單說明 圖1係表示實施例之各種製造裝置之方塊圖。 圖2係表示圖1之影像計算部4 2之内部構造之方塊圖。 圖3係表示圖1之各種製造裝置之製程之流程圖。 圖4 (a)〜（c)係表示實施例1之處理之說明圖。 圖5 ( a )〜（b )係影像計算部4 2之動作之說明圖。 圖6係影像計算部42之動作之說明圖。 圖7係圖形修正裝置5〇之動作之說明圖。 圖8係表示光罩產生裝置61之構造例之部分切掉之立 體圖。 圖9係表示光轉印裝置62之構造例之說明圖。 圖1 〇 ( a )〜（f )係舉例表示半導體製造裝裏之製程之製 程圖。 义 圖U係表示CMP裝置64之構造例之平面圖。 圖1 2係舉例表示半導體製造裝置之製程i製程圖。 圖1 3係表示傅立葉轉換部42 1之内部構造之方塊圖。 圖14係表示傅立葉轉換部421之處理之涑輕圖。

492070 五、發明說明（31) 圖1 5係表示傅立葉轉換部4 2 1之處理之動作說明圖。 圖16係表示傅立葉轉換部421之處理之動作說明圖。 圖17係表示傅立葉轉換部421之處理之動作說明圖。 圖18係表示要素圖形傅立葉轉換部4212及合成部422 之内部構造之方塊圖。 圖19係表示要素圖形傅立葉轉換部4212及合成部422 之内部構造之流程圖。 圖2 0係表示網格產生部41之内部構造之方塊圖。 圖21係表示網格產生部41之處理之流程圖。 圖2 2係表示上取樣部4 4之内部構造之方塊圖。 圖2 3係表示上取樣部4 4之處理之流程圖。 圖24(a)〜（c)係表示上取樣部μ之處 圖 圖 圖 π 1下說明 圖25係表示下取樣部45之内部構造之方 圖26係表示下取樣部45之處理之流程圖。回。 圖〜（c)係表示下取樣部“之處理之動作說明 =ίί示上取樣裝置8°之構造之方塊圖。 S t!示上取樣裝置8°之處理之流程圖。 示下取樣裝置9。之構造之方塊圖。 囷係表不下取樣裝置9〇之處理之流程閽 圖32係表示以往之光罩資料修正步驟 夕驟之流程 圖3 3係表示在以往之光罩厂 492070 五、發明說明（32) 造例之說明圖。 符號說明 10、11、12〜基本要素、 10a、10c、10d〜要素圖形、 2 0〜網格、 29〜光罩資料修正裝置、 41〜網格產生部、 4 11〜最小相關距離計算部、 41 3〜網格數最佳化部、 421〜圖形分割部、 42 1 2〜要素圖形傅立葉轉換裝部、 422〜合成部、 423〜空間濾波部、 4 3〜圖形轉換部、 4 5 1〜網格除去部、 5 0〜圖形修正裝置（圖形修正部）、 6 0〜轉印用光罩、 80〜上取樣裝置、 81、 421〜傅立葉轉換部、 ....................—' …―…-…_ - .''…-.…--- — 82、 441〜網格附加部、 83、 442〜新網格資料設定部、 84、 424〜反傅立葉轉換部、 9 0〜下取樣裝置、

2108-3902-PF.ptd 第37頁 492070 五、發明說明（33) 100〜半導體基板（材料）、 1 0 2〜光阻劑圖形、 1 0 4〜膜、 E1〜描繪變形、 E 2〜轉印變形、 E3〜蝕刻變形、 E4〜研磨變形、 E5〜深蝕刻變形、 F〜傅立葉像、 F(x)〜原始函數、 L〜影像產生區域、 R〜反傅立葉像。

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Claims (1)

1. 492070 六、申請專利範圍 ' 1. 一種光罩資料修正裝置，以 之形態產生規定具有圖形構造之圖形之刪之變形 該階層構造之佈局資料及依據製程 ^ J之形狀和 轉印用光罩之圖形形狀之光罩資料包括達在I程使用之 傅立葉轉換部，藉著將該基本要立 該基本要素之傅立葉像； ’、寻立葉轉換而得到 合成部，藉著依據該階層構沪力 要素之傅立葉像合成，得到該間將該基本 應之理對於該圖形之傅立葉像進行和該變形對 荦傻t:專f ί轉ί部’ 11著對於該空間濾波處理後之傅立 I像進订反傅立葉轉換，得到反映了該變形之反傅立葉 圖形轉換部’將該反傅立葉像轉換為圖形；以及 哕佑，开: 著比較該圖形轉換部輸出之該圖形和 之該圖•，向抑制該變形之方向修正該佈 局資料規定之圖形後，作為該光罩資料輸出。 师 2.如申請專利範圍第131之光罩資料修正裝置，其 中，該變形包含依據該光罩資料使用 形成 印用光罩時發生之描繪變形。 W 3·如申請專利範圍第！項之光罩資料修正裝置，其 該變形包含使用依據該光單資料所形成之該轉印 罩時轉印時發生之轉印變形。 4.如申請專利範圍第μ之光罩資料修正裝置，其

   2108-3902-PF.ptd 第39頁 六、申請專利範圍 中’该變形 轉印用光罩 名虫刻變形。 5 ·如申 中’該變形 該轉印用光 所堆積之膜 形。 6·如申 中，該變形 該轉印用光 所堆積之膜 姓刻變形。 7·如申 修正裝置， 圖形分 以及圓形之 要素圖 各要素圖形 之各要素圖 8 ·如申 中，該要素 鼻空間頻率 算。 請專利範 包含在使 罩所形成 執^于研磨 請專利範 包含在使 罩所形成 執行深名虫 5月專利範 其中，該 割部，將 其中之一 形傅立葉 個別的進 形之傅立 請專利範 圖形傅立 成分時， 戶:：$用藉著轉印依據該★罩資料所形成之該 成之光阻劑圖形執行選擇性蝕刻時發生之 圍第1項之光罩資料修正裝置，其 用藉著轉印依據該光罩資料所形成之 之光阻劑圖形執行選擇性姓刻後對於 處理時在研磨後之圖形發生之研磨變 圍第1項之光罩資料修正裝置，其 用藉著轉印依據該光罩資料所形成之 之光阻劑圖形執行選擇性蝕刻後對於 刻處理時在深蝕刻後之圖形發生之深 圍第1、2、3、4、5或6項之光罩資料 傅立葉轉換部包括： 、’' 該基本要素分割為係三角形、四 之要素圖形之群；及 少 轉換部’藉著對於該要素圖形之群 行傅立葉轉換，得到該要素圖 葉像。 ^之群 圍第7項之光罩資料修正裝置，其 葉轉換部在為了得到該傅立葉像而1 使用原始函數分析性的進行定積分

   _ 六、申請專利範圍 ^如申請專利範圍第t、2、〇 修正裝置’其中，還包括網格產生部，5或J項之光罩資料 空間=像產生區域後在該影像產生間和傅立葉 該網格產生部包括： 玍區域設定網格； 农】相關距離計算部，依據 ^ 小相關距離；及 条件計算在製程之最 之範圍變成最j:二過相關距離 產生Γ如之申tv二方向之各ί向著該影像 • 甲叫專利範圍第9項之光罩警钮炊工狀 中，該網格數最佳化邱將兮τ效虹罩貝枓修正裝置，其 j、_或正整數）規i之;：=η數限定為由㈣⑴扣、 換，傅立葉轉換部使用高速傅立葉轉換進行該傅立葉轉 11 ·如申請專利範圍第] 料修正裝置，其中，還包I:2、3、4'5或6項之光罩資 诚德：：士 m在實空間和傅立葉空間設定影像產生f 域後在該衫像產生區域設定網格； 生區 =格附加部’對該空間濾 的網格；以及 狄心〜你貝针附加新 新網格資料設定部’對所附 定零；值後，#附加網格之前之影像資料一起輸出象… μ反4立葉轉換部對於該新網 像資料進行該反傅立葉轉換。 寸 之於 2108-3902-PF.ptd 第41頁 六、申請專利範圍 或6項之光罩資 1 2·如申請專利範圍第1 料修正裝置，其中，還包括 網格產生部，在實空間和傅立 ~ 域後在該影像產生區域設定網袼；^工B叹疋影像產生區 網袼除去部，自該空間濾波處理 部分之網格； 後之衫像資料除去一 、-該反傅立葉轉換部對於該網袼除 進行該反傅立葉轉換。 ’、σ卩輸出之影像資料 13· 種上取樣裝置，對於雜& 括： 離放資料進行上取樣，包 傅立葉轉換部，藉著對於在一 之離散資料進行傅立葉轉換，將該以::：之空間内 率成分之集合； 月文貝料變換為頻 網格附加部，將該頻率成分 或多次元同一次元之傅 Q作為在和該一次元 後，將新的網格附加】傅；；設定之網格上之資料 新網格資料設定部，對η， 值後，和附加之前之網格上資：2之資料設為零之 反傅立葉轉換部ϊΐί，—起輸出；以及 料進行反傅：葉轉換。網格資料設定部輸出之資 括：14. -種下取樣裝置，對於離散資料進行下取樣，包 傅立葉轉換部，藉著 一 規定之離散資料進行 =二7"或多次元之空間内 仃傅立葉轉換，將該離散資料變換為= 2108-3902-PF.ptd 第42頁 492070 六 申請專利範圍 率成分之集合； 網格除去部，將該頻率成分之集合作為在和該一—一 或多次元同一次元之傅立葉空間内所設定之網袼：之；： 後，在該傅立葉空間内除去一部分之網格後輸出；以及科 反傅立葉轉換部，對於該網格除去部輸資 反傅立葉轉換。 职又貝枓進仃 15. —種具有圖形構造之裝置之製造方法，包括： (a)使用如申請專利範圍第1、2、3、4 ^ 二 罩資料修正裝置產生該光罩資料之製程；或6項之光 之製(】)使用在該製程⑷產生之光罩資料形成轉印用光罩 之製(』)在作為製造對象之裝置之材料之表面形成光阻劑 之製(Γ向該光阻劑轉印在該製程（b)所形成之轉印用光罩 (e )將光阻劑形成為 製程；以及 m耘⑷所轉印之圖形形狀之 (f)藉著將形成圖形之兮伞 進行選擇性處理之製程。以卩蜊用作遮蔽體對該材料