DE10085097B4 - Verfahren und Einrichtung zum Steuern kompensierter Puffer - Google Patents

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    • H03K19/00384Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits

Abstract

Integrierte Schaltung (10), enthaltend:
eine zur Lieferung eines ersten Kompensationswerts (18) geeignete Kompensationseinheit (16); und
einen zur Verarbeitung des ersten Kompensationswerts (18) und eines zweiten Kompensationswerts (19) geeigneten Kompensationswertgenerator (15) zur Bildung eines dritten Kompensationswerts (25); wobei
der zweite Kompensationswert (19) außerhalb der integrierten Schaltung (10) bestimmt wird; und
enthaltend Sicherungen, die so geschaltet sind, daß sie einen vierten Kompensationswert liefern, und wobei der Kompensationswertgenerator (15) geeignet ist, den ersten Kompensationswert (18), den zweiten Kompensationswert (19) und den vierten Kompensationswert zur Entwicklung des dritten Kompensationswerts (25) zu verarbeiten.

Description

  • Mit Technologiefortschritten wächst die Zahl von Transistoren innerhalb eines Halbleiterscheibchens, die Zahl von auf einem Halbleiter-Wafer hergestellten Scheibchen und die gesamte Größe des Halbleiter-Wafers. Infolgedessen können Schwankungen im Herstellungsprozeß dazu führen, daß Transistoren verteilt über einen Halbleiter-Wafer, variierende Betriebscharakteristiken haben. Dies kann dazu führen, daß Scheibchen innerhalb enger Nachbarschaft voneinander auf einem Halbleiter-Wafer unterschiedlich arbeiten, obwohl sie unter Verwendung des im wesentlichen gleichen Prozesses hergestellt wurden.
  • Außerdem kann die physikalische Anordnung von Transistoren innerhalb einer Scheibe im Vergleich zu einer Anordnung anderer Transistoren dazu führen, daß einige der Transistoren größeren elektro-mechanischen Belastungen während des Betriebs unterworfen sind. Dieses Problem kann durch die Betriebsbedingungen, wie beispielsweise Temperatur, die dem Bauelement von einem Benutzer auferlegt werden können, weiter verschärft werden. Wenn die Veränderung im Betriebsverhalten zu extrem wird, kann das Bauelement außerhalb des vom Benutzer als akzeptabel angesehenen Bereichs arbeiten. In diesem Falle kann das Bauelement nicht verkauft werden und es wird für gewöhnlich mangels Einhalten der Betriebsbedingungen als Ausschuß behandelt. Daher werden die Gesamtkosten der Herstellung von Halbleiterscheibchen wenigstens teilweise aufgrund des Verlusts des Ausschuß-Scheibchens aufgrund inakzeptablen Betriebsverhaltens erhöht.
  • Dieses Problem der Schwankung im Betriebsverhalten kann dadurch angegangen werden, daß eine zusätzliche Schaltung dem Scheibchen hinzugefügt wird, welche das Betriebsverhalten einiger Transistoren innerhalb des Scheibchens moduliert. Eine solche Methode ist beschrieben in der US-PS 5,869,983 mit der Bezeichnung "Verfahren und Einrichtung zum Steuern kompensierter Puffer", erteilt für Ilkabahar u. a. am 9. Februar 1999, welches Patent auf die gleiche Erwerberin wie die vorliegende Erfindung übertragen worden ist.
  • Eine digitale Treiberschaltung für eine integrierte Schaltung, welche an eine Lastkapazität angepasst werden kann, ist in der EP 0714167A1 beschreiben.
  • Eine Einrichtung zur Kompensation von Veränderungen in einer Verarbeitungsgeschwindigkeit ist in in der EP 0606727 A1 offenbart.
  • Eine andere Einrichtung zur Kompensation von Herstellungsparametern ist der EP0611053 A2 zu entnehmen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine flexiblere Lösung zum Steuern kompensierter Puffer bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss gelöst durch eine Schaltung gemäss Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren nach Patentanspruch 11.
  • Sowohl hinsichtlich der Organisation als auch des Betriebsverfahrens läßt sich die Erfindung zusammen mit ihren Aufgaben, Merkmalen und Vorteilen jedoch am besten unter Bezugnahme auf die folgende Detailbeschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen verstehen, in denen:
  • 1 ein Blockschaltbild eines Abschnitts einer integrierten Schaltung mit einer Kompensationseinheit und einem Kompensationswertgenerator nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist;
  • 2 eine schematische Darstellung des Ausführungsbeispiels der in 1 gezeigten Kompensationseinheit ist; und
  • 3 eine graphische Darstellung ist, die den möglichen Effekt des Ausführungsbeispiels gemäß 1 auf das Betriebsverhalten einiger Transistoren in der integrierten Schaltung darstellt.
  • Es leuchtet ein, daß aus Gründen der einfachen und klaren Darstellung die in den Figuren dargestellten Elemente nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet sind. So sind beispielsweise die Dimensionen einiger der Elemente im Vergleich zu anderen Elementen aus Gründen der Klarheit der Darstellung übertrieben gezeichnet. Soweit es zweckmäßig erschien, wurden einige Bezugszeichen in den Figuren wiederholt, um entsprechende oder analoge Elemente anzuzeigen.
  • In der folgenden Detailbeschreibung werden zahlreiche spezielle Einzelheiten angegeben, um das Verständnis für die vorliegende Erfindung zu vertiefen. Es ist jedoch für den Fachmann klar, daß die vorliegende Erfindung auch ohne die speziellen Einzelheiten realisiert werden kann. In anderen Fällen wurden bekannte Methoden, Verfahren, Komponenten und Schaltungen nicht im einzelnen beschrieben, um das Verständnis für die vorliegende Erfindung nicht unnötig zu belasten.
  • 1 ist eine Blockschaltbilddarstellung eines Abschnitts einer erfindungsgemäß ausgebildeten integrierten Schaltung 10. Ausführungsbeispiele der Erfindung können verschiedene Baugruppen enthalten. Obwohl die Erfindung hinsichtlich ihres Schutzumfangs in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist, kann die integrierte Schaltung 10 unterschiedliche Halbleiterbauelemente bzw. -baugruppen, einschließlich beispielsweise eines Mikroprozessors, eines Mikrocontrollers, eines statischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff (SRAM), eines dynamischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff (DRAM), eines nicht-flüchtigen Speichers o. dgl. enthalten.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel kann die integrierte Schaltung 10 einen Kompensationswertgenerator 15 enthalten. In diesem Zusammenhang, ein Kombinationswertgenerator enthält ein Bauelement, das als Eingangssignale zwei oder mehr Werte aufnimmt, unter Maßgabe dieser Empfangswerte Operatio nen ausführt, um als Ausgangssignal einen Wert auszugeben, der mathematische Algorithmen (d. h. Prozesse) mit verschiedenen Kompensationswerten ausführen kann, um für die integrierte Schaltung 10 einen für die Einstellung des Betriebsverhaltens der Gesamtheit oder eines Teils der integrierten Schaltung 10 verwendbaren aktualisierten Kompensationswert zur Verfügung zu stellen.
  • Wie weiter oben im einzelnen erläutert wurde, kann der Kompensationswertgenerator 15 logische Transistoren oder Schalter enthalten, welche den aus zwei unterschiedlichen Quellen gelieferten Kompensationswert verarbeiten, um einen aktualisierten Kompensationswert zu berechnen. Die von dem Kompensationswertgenerator 15 verarbeiteten Kompensationswerte können Digitalwerte enthalten, die dem Kompensationswertgenerator 15 von externen Quellen, wie anderen Schaltungen, Speicherplätzen, einem Benutzerinterface o. dgl. zur Verfügung gestellt werden. Der aktualisierte Kompensationswert kann danach von anderen Abschnitten der integrierten Schaltung 10 (z. B. Kompensationspuffern) zum Einstellen des Betriebsverhaltens der anderen Transistoren (nicht gezeigt) innerhalb der integrierten Schaltung 10 beispielsweise von Eingangs-/Ausgangs (I/O)-Treibern oder einem kompensierten Puffer bereitgestellt werden.
  • Wie in dem Beispiel gemäß 1 gezeigt ist, verarbeitet der Kompensationswertgenerator 15 Kompensationswerte 18 und 19, die von Speicherplätzen 16 bzw. 17 zur Verfügung gestellt werden. Es ist jedoch einzusehen, daß der Kompensationswertgenerator 15 derart modifiziert sein kann, daß er eine Vielzahl von Kompensationswerten verarbeitet, und daß die vorliegende Erfindung nicht auf das Hinzufügen von gerade zwei Werten beschränkt ist.
  • Außerdem braucht keiner der Kompensationswerte 18 und 19 an einem Speicherplatz gespeichert zu sein, da er, wenn erwünscht, dynamisch bereitgestellt werden kann.
  • Kompensationswert 18 stellt einen binären Kompensationswert dar, der von einer anderen Schaltung innerhalb oder außerhalb der integrierten Schaltung 10 bestimmt wird. Ein Beispiel einer solchen Schaltung ist in 2 gezeigt. Obwohl der Schutzumfang der Erfindung in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist, zeigt 2 eine Schaltung, die zum Bestimmen des Kompensationswerts 18 verwendet werden kann. Die Schaltung weist eine Kompensationseinheit 30 auf, welche mit einem Vergleicher 35 und Transistoren 3133 verbunden ist. Zu beachten ist, daß die Erfindung nicht auf diese spezielle Konfiguration beschränkt ist, da andere Komparatorelemente verwendet werden könnten, und die Anzahl von mit der Kompensationseinheit 30 verbundenen Transistoren geändert werden könnte.
  • Einfach ausgedrückt, führt die Kompensationseinheit 30 eine Analyse an einer Untergruppe der innerhalb der integrierten Schaltung 10 befindlichen Transistoren durch. Diese Analyse führt zu einer Erzeugung eines Kompensationswertes, der von anderen Abschnitten der integrierten Schaltung 10 zur Verwendung der richtigen Kompensation benutzt wird. Daher ist der Kompensationswert eine Folge von binären Werten, welche das Ergebnis der von der Kompensationseinheit durchgeführten Analyse anzeigt.
  • Bei dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel vergleicht Komparator 35 eine Referenzspannung (VREF) am Knoten 36 mit der am Knoten 37 bereitgestellten Spannung. Die Spannung am Knoten 37 wird zumindest teilweise durch die am Knoten 38 bereitgestellte Spannung (z. B. Betriebsspannung VCC) und den Spannungsabfall aufgrund des durch ein Widerstandselement 40 fließenden Stroms bestimmt. Die Logikschaltung innerhalb der Kompensationseinheit 30 wird zum Aktivieren/Entaktivieren jedes der Transistoren 3133 verwendet, bis der die Transistoren 3133 durchfließende Strom ausreicht, damit die Spannung am Knoten 37 angenähert gleich der Spannung am Knoten 36 ist. Der Zustand jedes der Transi storen 3133 (d. h. aktiviert oder entaktiviert) wird von der Kompensationseinheit 30 bestimmt und stellt den Kompensationswert 18 (siehe 1) ganz oder teilweise dar. Der Kompensationswert 18 kann dann an einem Speicherplatz 16 (z. B. Cash, Register usw.) gespeichert oder gewünschtenfalls dem Addierer 15 dynamisch zur Verfügung gestellt werden.
  • Zurückkommend auf 1, verarbeitet der Kompensationswertgenerator 15 einen am Speicherplatz 17 gespeicherten Kompensationswert 19. Auch dies ist keine Notwendigkeit für das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, da der Kompensationswert 19 dem Kompensationswertgenerator 15 beispielsweise auch dynamisch zur Verfügung gestellt werden kann. Kompensationswert 19 enthält einen einstellbaren Wert, der beispielsweise durch Software, wie das Basic-Input/Output-System (BIOS) zur Verwendung als Steuerung des Betriebs der integrierten Schaltung 10, variiert werden kann.
  • Wenn beispielweise einige integrierte Schaltungen, wie Mikroprozessoren, Mikrocontroller o. dgl. eingeschaltet werden, kann die integrierte Schaltung eine Initialisierungsroutine beginnen. Die Befehle für die Initialisierungsroutine können als BIOS-Befehle gespeichert werden. Die BIOS-Befehle können aus verschiedenen Gründen und zum Voreinstellen von Werten in der integrierten Schaltung verwendet werden. Insbesondere können die BIOS-Befehle zum Initialisieren von in Registern, Flags usw. gespeicherten Werten verwendet werden. Demgemäß können bei einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung die BIOS-Befehle zum Laden des Speicherplatzes 17 mit einem Kompensationswert verwendet werden. Daher kann der in den Speicherplatz 17 geladene Wert von den Herstellern der integrierten Schaltung vorausbestimmt werden, so daß ein Anfangswert jedesmal dann gespeichert ist, wenn die integrierte Schaltung 10 eingeschaltet wird. Außerdem kann ein Anfangswert vom Benutzer eingestellt werden, der die Möglichkeit besitzt, die BIOS-Befehle zu modifizieren.
  • Zurückkommend auf das in 1 dargestellte Ausführungsbeispiel, enthält der Kompensationswert 19 einen einstellbaren oder programmierbaren Kompensationswert, der zur Feineinstellung des Betriebsverhaltens der integrierten Schaltung 10 verwendet wird. Die Größe oder der Wert des Kompensationswerts 19 kann wenigstens teilweise von dem aktuellen Wert des Kompensationswerts 18, einem vorausgesagten Wert des Kompensationswerts 18 oder einem den niedrigsten gewünschten Kompensationswert darstellenden Wert für die integrierte Schaltung 10 bestimmt werden. Es ist jedoch zu beachten, daß der Schutzumfang dieses Ausführungsbeispiels nicht auf diese Beispiele beschränkt ist. Daher kann ein Kompensationswert 19 verwendet werden, der den von der Kompensationseinheit 30 bereitgestellten Kompensationswert erhöht, reduziert oder einstellt. Dies schafft die Feineinstellung der Kompensation, die an die Transistoren in der integrierten Schaltung 10 angelegt wird.
  • Außerdem kann der Kompensationswert 19 eine Binärsignalkette sein, die vom Hersteller der integrierten Schaltung zur Verbesserung des Betriebs der integrierten Schaltung 10 für Anwendungen mit Temperatur-, Spannungs-, Frequenz-, usw. -Bereichen bestimmt werden kann. Ein Hersteller kann auch den Kompensationswert 19 zur Verminderung der elektro-mechanischen Beanspruchung von Transistoren innerhalb der integrierten Schaltung 10 einstellen. Ein solches Tuning kann in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren zweckmäßig sein, z. B. von dem zur Verkapselung der integrierten Schaltung 10 verwendeten Gehäuse oder der Anwendung eines speziellen Benutzers.
  • 3 soll ein Beispiel dafür darstellen, wie ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zum Einstellen des Betriebsverhaltens einer integrierten Schaltung verwendet werden kann. Bei diesem Beispiel weist die integrierte Schaltung sowohl p-Kanal-Metalloxid-Halkbleiter (PMOS) als auch n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter (NMOS)-Transistoren auf, obwohl die Erfindung nicht auf eine solche Ausführungsform beschränkt ist. 3 ist eine graphische Darstellung der Strom-/Spannungs-(I/V)-Charakteristiken eines PMOS-Bauelements (Kurve 50) gegenüber eines NMOS-Bauelements (Kurve 51). Wie gezeigt, ist das NMOS-Bauelement nicht so linear wie das PMOS-Bauelement. Dementsprechend kann die Sourcinggegen Sinking-Fähigkeit der Transistoren innerhalb der integrierten Schaltung 50 nicht ideal sein. Dementsprechend kann es erwünscht sein, die Steigung von NMOS-Bauelementen zur Verbesserung der Betriebsweise der integrierten Schaltung 10 einzustellen.
  • Insbesondere kann eine Kompensationseinheit wie diejenige, die in 2 gezeigt ist, zum Einstellen des Betriebsverhaltens von NMOS-Bauelementen verwendet werden. Beispielsweise kann eine Kompensationseinheit die gewünschte Kompensationsstärke bestimmen, und diese Kompensation kann dann mit der Kompensationsschaltung (nicht gezeigt) implementiert werden. Daher kann eine Kompensationsschaltung zum Einstellen der Linearität von NMOS-Bauelementen in der mit den Kurven 60 und 61 in 3 gezeigten Weise verwendet werden (das unkompensierte Betriebsverhalten ist durch die Kurve 60 und das kompensierte Betriebsverhalten durch die Kurve 61 angegeben). Die Stärke des Effekts der Kompensation ist in 3 durch einen Abschnitt 62 gezeigt. Die zum Einstellen des Betriebsverhaltens verwendete Kompensation wird als binärer Kompensationswert dargestellt. Daher kann ein Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Vergleichsschaltung verwenden, die den Betrieb eines PMOS-Transistors mit dem Betrieb eines NMOS-Transistors zur Erzeugung eines Kompensationswertes vergleicht. Dieser einstellbare oder programmierbare Kompensationswert wird danach zum Kompensationswert vom Kompensationswertgenerator 15 (siehe 1) hinzuaddiert, um die integrierte Schaltung 10 mit einem aktualisierten Kompensationswert zu versehen.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel führt der Kompensationswertgenerator 15 eine binäre, Bit-für-Bit-Addition des Kompensationswerts 18 und des Kompensationswerts 19 zur Bildung eines aktualisierten, berechneten Kompensationswerts 25 aus. Alternativ kann es erwünscht sein, daß der Kompensationswertgenerator 15 eine andere Verarbeitung ausgeführt, beispielsweise eine nur partielle Addition, Multiplikation oder eine einfache Bestimmung dessen, welcher aus einer Gruppe von Werten größer ist. Demgemäß erzeugt der Kompensationswertgenerator 15 einen finalen oder berechnetenten Kompensationswert, der zumindest teilweise auf einer Mehrzahl von Kompensationswerten basiert, welche aus unterschiedlichen Quellen bereitgestellt werden können.
  • Nach der Erzeugung durch Kompensationswertgenerator 15, kann der berechnete Kompensationswert 25 von der Kompensationsschaltung, wie einem kompensierten Puffer 28, zum Einstellen des Betriebsverhaltens der integrierten Schaltung 10 verwendet werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der kompensierte Puffer 28 beispielsweise den berechneten Kompensationswert 25 dekodieren und die geeignete Schaltung aktivieren, um die integrierte Schaltung 10 mit der gewünschten Kompensation zu versehen. Wie in 1 gezeigt ist, kann der berechnete Kompensationswert 25 optionell in einem Speicherplatz 26 gespeichert werden. Dies ist jedoch nicht als eine Beschränkung der vorliegenden Erfindung beabsichtigt, und es ist einzusehen, daß der Kompensationswert 25 direkt an den kompensierten Puffer 28 angelegt werden kann. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann eine Auswahlschaltung (nicht gezeigt) der in 1 gezeigten Schaltung hinzugefügt werden, so daß der kompensierte Puffer 28, Kompensationswert 18, Kompensationswert 19 oder einen berechneten Kompensationswert 25 erhält. In wiederum einem anderen Ausführungsbeispiel kann außerdem eine externe Lese- /Schreib-Signalleitung hinzugefügt werden, um das Einschreiben eines extern erzeugten Werts in Speicherplatz 26 zu ermöglichen.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel kann die integrierte Schaltung 10 eine Klammerschaltung (Clamp) 27 aufweisen, die mit dem vom Kompensationswertgenerator 15 gemäß 1 zur Verfügung gestellten berechneten Kompensationswert beaufschlagt ist. Es ist jedoch einzusehen, daß das Clamp 27 fortgelassen werden kann und die Erfindung einen Einbau eines Clamp nicht erforderlich macht. Hier ist das Clamp 27 so konzipiert, daß es einen akzeptablen Clamp-Bereich hat und verwendet wird, um festzustellen, ob der vom Kompensationswertgenerator 15 erzeugte Wert außerhalb dieses akzeptablen Bereichs liegt. Wenn der berechnete Kompensationswert 25 nicht innerhalb des akzeptablen Bereichs liegt, so kann das Clamp 27 eingreifen, um den kompensierten Puffer 28 mit einem alternativen Kompensationswert zu versehen. Dieses Merkmal kann erwünscht sein, wenn beispielsweise der Kompensationswert 18 und/oder der Kompensationswert 19 einen negativen Wert enthalten, oder wenn die vom Kompensationswertgenerator 15 durchgeführte Verarbeitung zu einem Wert führt, der für das Betriebsverhalten der integrierten Schaltung 10 eine unerwünschte Einstellung darstellt. Beispielsweise kann das Clamp 27 benutzt werden, um einen ausgewählten Minimalwert der Kompensation zu gewährleisten oder eine übermäßige Kompensation innerhalb der integrierten Schaltung 10 zu verhindern.
  • Bei einem wiederum anderen alternativen Ausführungsbeispiel kann der Kombinationswert 19 durch eine Serie von Sicherungen 20 gebildet oder in einem nicht-flüchtigen Speicher (z. B. elektrisch löschbaren und programmierbaren Nur-Lese-Speicher (EEPROM), elektrisch programmierbaren Nur-Lese-Speicher (EPROM), Flash EEPROM, usw.) innerhalb oder außerhalb der integrierten Schaltung 10 gespeichert werden. Dieses Ausführungsbeispiel ermöglicht es der integrierten Schaltung 10, wenn erwünscht, einen Anfangskompensationswert zu haben. Wenn beispielsweise die Herstellungsbedingungen oder Target-Betriebsspezifikationen der integrierten Schaltung 10 schwanken, so kann der geeignete Kombinationswert voreingestellt werden, um alternative Werte bereitzustellen, welche ihrerseits die Fähigkeit der Kompensationsschaltung zur weiteren Einstellung des Betriebsverhaltens der integrierten Schaltung 10 verbessern.
  • Außerdem kann der Kompensationswert 19 über eine Benutzerinterface an die integrierte Schaltung 10 angelegt werden. Eine Benutzerinterface kann beispielsweise ein Bus oder ein Register sein, das einem Benutzer die Bereitstellung eines Kompensationswerts 19 aus einer externen Quelle ermöglicht. Dies kann sowohl dem Hersteller einer integrierten Schaltung als auch einem Benutzer die Flexibilität zum Einstellen der Größe der innerhalb der integrierten Schaltung 10 angelegten Kompensation geben.
  • Aus dem Vorstehenden ist zu erkennen, daß dieses Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Schaltung zum Kompensieren des Betriebsverhaltens einer integrierten Schaltung zur Verfügung stellt. Dieses Ausführungsbeispiel bietet Vorteile, die mit bekannten Methoden, wie sie in der oben genannten US-PS 5,869,983 beschrieben sind, nicht zur Verfügung standen, da dieses Ausführungsbeispiel das Anlegen des Kompensationswertes von zwei oder mehr Quellen ermöglicht, die nach Wunsch kombiniert werden, um ein verbessertes Tuning des Betriebsverhaltens von integrierten Schaltungen zu ermöglichen. Bekannte Methoden ermöglichten nur eine Auswahl unter ein oder zwei Kombinationswerten und nicht die Verarbeitung der beiden Werte zur Bereitstellung eines dritten Werts, der selbst zumindest teilweise auf den beiden Eingabewerten basiert. Daher bietet das Ausführungsbeispiel gemäß 12 eine höhere Flexibilität wie sie bisher nicht zur Verfügung stand.
  • Obwohl gewisse Merkmale der Erfindung vorstehend beschrieben und dargestellt wurden, sind viele Abwandlungen, Substitutionen, Änderungen und Äquivalente für den Fachmann erkennbar. Beispielsweise könnte der Addierer 15 derart modifiziert werden, daß er die Verarbeitung mehrerer Eingangswerte ermöglicht. Es ist daher einzusehen, daß nur die nachfolgenden Ansprüche den Umfang solcher Modifikationen und Änderungen innerhalb des Erfindungsgedankens abdecken.

Claims (15)

  1. Integrierte Schaltung (10), enthaltend: eine zur Lieferung eines ersten Kompensationswerts (18) geeignete Kompensationseinheit (16); und einen zur Verarbeitung des ersten Kompensationswerts (18) und eines zweiten Kompensationswerts (19) geeigneten Kompensationswertgenerator (15) zur Bildung eines dritten Kompensationswerts (25); wobei der zweite Kompensationswert (19) außerhalb der integrierten Schaltung (10) bestimmt wird; und enthaltend Sicherungen, die so geschaltet sind, daß sie einen vierten Kompensationswert liefern, und wobei der Kompensationswertgenerator (15) geeignet ist, den ersten Kompensationswert (18), den zweiten Kompensationswert (19) und den vierten Kompensationswert zur Entwicklung des dritten Kompensationswerts (25) zu verarbeiten.
  2. Integrierte Schaltung (10) nach Anspruch 1, ferner enthaltend wenigstens einen zur Speicherung des zweiten Kompensationswerts (19) geeigneten Speicherplatz (17).
  3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, ferner enthaltend einen kompensierten Puffer (28), der zur Aufnahme wenigstens eines der ersten (18), zweiten (19) und dritten (25) Kompensationswerte geeignet ist.
  4. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner enthaltend wenigstens einen Speicherplatz (26), der zum Speichern des dritten Kompensationswerts (25) geeignet ist.
  5. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der dritte Kompensationswert (25) ein Digitalwert ist und die Binärsumme aus dem ersten Kompensationswert (18) und dem zweiten Kompensationswert (19) enthält.
  6. Integrierte Schaltung (10) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, ferner enthaltend den kompensierten Puffer (28), der zur Aufnahme des dritten Kompensationswerts (25) geeignet angeordnet ist; und ein mit dem kompensierten Puffer (28) gekoppeltes Clamp (27), das einen Clampbereich hat, und wobei das Clamp (27) einen beidseitig begrenzten (clamped) kompensierten Wert an den kompensierten Puffer (28) anlegt, wenn der dritte Kompensationswert (25) nicht im Clampbereich liegt.
  7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Kompensationswertgenerator (15) zur Ausführung einer Binäraddition wenigstens eines Teils des ersten Kompensationswerts (18) und wenigstens eines Teils des zweiten Kompensationswerts (19) geeignet ist.
  8. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, mit einem Benutzerinterface zur Lieferung des zweiten Kompensationswerts (19).
  9. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, enthaltend: Mittel zum Speichern des ersten Kompensationswerts (18).
  10. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Kompensationseinheit (16) eine Vielzahl von Transistoren (3133) enthält, wobei wenigstens ein Teil der Vielzahl von Transistoren (3133) geeignet ist, den ersten Kompensationswert (18) zu bestimmen.
  11. Verfahren zur Schaltungskompensation, enthaltend: Erzeugen eines ersten digitalen Kompensationswerts (18) innerhalb einer integrierten Schaltung (10); Erzeugen eines zweiten digitalen Kompensationswerts (19) außerhalb der integrierten Schaltung; und Verarbeiten des ersten digitalen Kompensationswerts (18) und des zweiten digitalen Kompensationswerts (19) zur Erzeugung eines dritten Kompensationswerts (25), wobei ein vierter Kompensationswert mittels Sicherungen bereitgestellt wird und der erste Kompensationswert (18), der zweite Kompensationswert (19) und der vierte Kompensationswert zur Entwicklung des dritten Kompensationswerts (25) verarbeitet werden.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Erzeugen des zweiten digitalen Kompensationswerts (19) das Vergleichen der Operation einer ersten Mehrzahl von Transistoren mit der Operation einer zweiten Mehrzahl von Transistoren enthält.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei eine Schaltung einen n-Kanal-Metalloxid Halbleiter (NMOS)-Transistor und einen p-Kanal-Metalloxid Halbleiter (PMOS)-Transistor aufweist und das Verfahren weiter das Vergleichen der Operation des NMOS-Transistors mit der Operation des PMOS-Transistors enthält.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Verarbeiten des ersten digitalen Kompensationswerts (18) und des zweiten digitalen Kompensationswerts (19) das Addieren wenigstens eines Teils des ersten digitalen Kompensationswerts (18) zu wenigstens einem Teil des zweiten digitalen Kompensationswerts (19) enthält.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei der Schritt der Erzeugung des zweiten Kompensations werts (19) das Laden eines Kompensationswerts entsprechend einem BIOS Befehl enthält.
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WO (1) WO2001029967A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6535047B2 (en) 2001-05-17 2003-03-18 Intel Corporation Apparatus and method to use a single reference component in a master-slave configuration for multiple circuit compensation
US6545522B2 (en) * 2001-05-17 2003-04-08 Intel Corporation Apparatus and method to provide a single reference component for multiple circuit compensation using digital impedance code shifting
US6633178B2 (en) 2001-09-28 2003-10-14 Intel Corporation Apparatus and method for power efficient line driver
JP4502177B2 (ja) * 2003-10-14 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 出力回路
US7009894B2 (en) * 2004-02-19 2006-03-07 Intel Corporation Dynamically activated memory controller data termination

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4079456A (en) * 1977-01-24 1978-03-14 Rca Corporation Output buffer synchronizing circuit having selectively variable delay means
JPS63135882A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 電子デバイス駆動回路
EP0606727A1 (de) * 1993-01-13 1994-07-20 AT&T Corp. Automatische Steuerung der Schaltgeschwindigkeit einer Pufferschaltung
EP0611053A2 (de) * 1993-02-08 1994-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. Pufferschaltungen
JPH0722597A (ja) * 1993-06-23 1995-01-24 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路装置
US5463331A (en) * 1993-06-08 1995-10-31 National Semiconductor Corporation Programmable slew rate CMOS buffer and transmission line driver with temperature compensation
EP0714167A1 (de) * 1994-11-22 1996-05-29 Deutsche ITT Industries GmbH Digitale Treiberschaltung für eine integrierte Schaltung
EP0718977A2 (de) * 1994-12-20 1996-06-26 STMicroelectronics, Inc. Ausgangssteuerschaltung mit auswählbarem, eingeschränktem Hochspannungsausgang
US5717313A (en) * 1994-09-13 1998-02-10 Norand Corporation Battery charging method and apparatus with thermal mass equalization
JPH1117516A (ja) * 1997-06-10 1999-01-22 Ind Technol Res Inst 制御されたスルーレートを有する高速及び低速出力バッファー
US5870001A (en) * 1996-10-22 1999-02-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Apparatus, and associated method, for calibrating a device
US5869983A (en) * 1997-03-24 1999-02-09 Intel Corporation Method and apparatus for controlling compensated buffers
US5883801A (en) * 1996-05-14 1999-03-16 Microwave Science, Llc Method and apparatus for managing electromagnetic radiation usage
US5898321A (en) * 1997-03-24 1999-04-27 Intel Corporation Method and apparatus for slew rate and impedance compensating buffer circuits

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975598A (en) * 1988-12-21 1990-12-04 Intel Corporation Temperature, voltage, and process compensated output driver
JPH0583111A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Cmos集積回路
US5303191A (en) * 1992-01-23 1994-04-12 Motorola, Inc. Memory with compensation for voltage, temperature, and processing variations
US5640122A (en) * 1994-12-16 1997-06-17 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit for providing a bias voltage compensated for p-channel transistor variations
US5959481A (en) * 1997-02-18 1999-09-28 Rambus Inc. Bus driver circuit including a slew rate indicator circuit having a one shot circuit
US6031385A (en) 1997-03-24 2000-02-29 Intel Corporation Method and apparatus for testing compensated buffer circuits
US6092030A (en) * 1997-04-02 2000-07-18 Credence Systems Corporation Timing delay generator and method including compensation for environmental variation
US5912569A (en) * 1997-09-22 1999-06-15 Cypress Semiconductor Corp. Methods, circuits and devices for improving crossover performance and/or monotonicity, and applications of the same in a universal serial bus (USB) low speed output driver

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4079456A (en) * 1977-01-24 1978-03-14 Rca Corporation Output buffer synchronizing circuit having selectively variable delay means
JPS63135882A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 電子デバイス駆動回路
EP0606727A1 (de) * 1993-01-13 1994-07-20 AT&T Corp. Automatische Steuerung der Schaltgeschwindigkeit einer Pufferschaltung
EP0611053A2 (de) * 1993-02-08 1994-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. Pufferschaltungen
US5463331A (en) * 1993-06-08 1995-10-31 National Semiconductor Corporation Programmable slew rate CMOS buffer and transmission line driver with temperature compensation
JPH0722597A (ja) * 1993-06-23 1995-01-24 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路装置
US5717313A (en) * 1994-09-13 1998-02-10 Norand Corporation Battery charging method and apparatus with thermal mass equalization
EP0714167A1 (de) * 1994-11-22 1996-05-29 Deutsche ITT Industries GmbH Digitale Treiberschaltung für eine integrierte Schaltung
EP0718977A2 (de) * 1994-12-20 1996-06-26 STMicroelectronics, Inc. Ausgangssteuerschaltung mit auswählbarem, eingeschränktem Hochspannungsausgang
US5883801A (en) * 1996-05-14 1999-03-16 Microwave Science, Llc Method and apparatus for managing electromagnetic radiation usage
US5870001A (en) * 1996-10-22 1999-02-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Apparatus, and associated method, for calibrating a device
US5869983A (en) * 1997-03-24 1999-02-09 Intel Corporation Method and apparatus for controlling compensated buffers
US5898321A (en) * 1997-03-24 1999-04-27 Intel Corporation Method and apparatus for slew rate and impedance compensating buffer circuits
JPH1117516A (ja) * 1997-06-10 1999-01-22 Ind Technol Res Inst 制御されたスルーレートを有する高速及び低速出力バッファー

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