DE10065838A1 - Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser - Google Patents

Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser mit ersten Schaltungsmitteln zur Erzeugung eines Konstantstroms und zweiten Schaltungsmitteln zur Modulation des Konstantstroms, die in Abhängigkeit von einem digitalen Datensignal einen Modulationsstrom erzeugen, der dem Konstantstrom überlagert wird, wobei der modulierte Strom einem Halbleiterlaser zugeführt wird. Erfindungsgemäß sind zusätzlich dritte Schaltungsmittel (T3, R) vorgesehen, die die Treiberschaltung an einer ansteigenden und/oder einer abfallenden Flanke des Stroms durch den Halbleiterlaser (1) jeweils niederohmig halten. Hierdurch kann die Signalform der optischen Ausgangssignale des Halbleiterlasers verbessert und die Treiberschaltung bei höheren Datenraten, insbesondere bei Datenraten bis zu 12 Gbit/s, betrieben werden.

Description

Die Erfindung betrifft eine elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Es ist bekannt, Laserdioden zur Lichterzeugung in optischen Datenübertragungssystemen einzusetzen. Die optische Ausgangsleistung einer Laserdiode wird dabei durch eine Treiberschaltung festgelegt, die der Laserdiode einen Vorstrom zuführt, der in Abhängigkeit von dem zu übertragenden Datensignal moduliert wird.
Fig. 6 zeigt eine bekannte Treiberschaltung zur direkten Modulation eines Halbleiterlasers bzw. einer Laserdiode 1. Zur Erzeugung eines Konstantstroms (Vorstroms) I4 sind zwei Transistoren T4, T5 vorgesehen. Der Transistor T5 stellt dabei einen Stromspiegel zu dem Transistor T4 dar, das heißt die beiden Transistoren und zugehörigen Ströme sind identisch. Hierdurch wird ein durch den Transistor T5 fließender Referenzstrom Iref dem Transistor T4 als Konstant­ strom I4 eingeprägt. Der Konstantstrom I4 fließt bei ge­ schlossenem Transistor T2 in die Laserdiode 1. Der durch die Laserdiode 1 fließende Strom ist gleich I4 (Ivcsel = I4).
Bei der Laserdiode 1 handelt es sich bevorzugt um eine ober­ flächenemittierende VCSEL(vertical cavity surface emitting laser)-Laserdiode, die in der Regel einen hohen Innenwiderstand aufweist.
Des weiteren ist ein Differenzverstärker vorgesehen, der durch zwei Transistoren T1, T2 gebildet wird, deren Emitter- Anschlüsse an eine Stromquelle T6 angeschlossen sind. An den Basisanschlüssen der Transistoren T1, T2 liegt eine Eingangsspannung VDat an, die das zu übertragende, digitale Datensignal repräsentiert. Sofern ein Logik-Signal anliegt, fließt durch den Transistor T2 ein Strom I2, so dass der durch die Laserdiode 1 fließende Strom um diesen Strom I2 vermindert ist (Ivcsel = I4 - I2). Der Strom durch die Laserdiode 1 und damit die optischen Ausgangsleistung der Laserdiode 1 wird somit entsprechend dem Signal VDat moduliert. Dabei ist der Strom I2 in der Regel kleiner oder gleich dem Strom I4, da der Schwellstrom des Lasers 1 stets fließen sollte. Durch den Transistor T6 fließt der Strom Imod, der im wesentlichen dem Strom I2 entspricht.
Der Nachteil der bekannten Schaltung besteht darin, dass ihre Geschwindigkeit aufgrund eines hohen Ausgangswiderstandes der Schaltung (an den Kollektoren der Transistoren T2, T4) sowie aufgrund eines normalerweise relativ hochohmigen Laserinnenwiderstandes (insbesondere bei der Verwendung von VCSEL-Lasern) begrenzt ist. Dies ist insbesondere bei hohen Bitraten im Gigahertzbereich nachteilig.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser zur Verfügung zu stellen, die direkt modulierte Halbleiterlaser auch bei hohen Datenraten bis 12 Gbit/s ansteuern kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine elektronische Treiberschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Danach sind erfindungsgemäß Schaltungsmittel vorgesehen, die die Treiberschaltung an einer ansteigenden und/oder einer abfallenden Flanke des Stroms durch den Halbleiterlaser jeweils niederohmig halten. Der Treiber wird somit beim Zuschalten bzw. Abschalten des Modulationsstroms niederohmig gehalten. Hierdurch wird eine Vorverzerrung (Peaking) der ansteigenden und/oder abfallenden Flanken des Signals bzw. Stroms durch den Halbleiterlaser erreicht.
Durch die Vorverzerrung können parasitäre Elemente der Treiberschaltung wie parasitäre Induktivitäten und Kapazitäten kompensiert werden und wird dementsprechend eine verbesserte optische Signalform bereitgestellt, so daß ein Betrieb der Laserdiode auch bei hohen Datenraten von bis zu bis 12 GBit/s möglich ist.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung stellen die dritten Schaltmittel beim Ansteigen des Stroms durch den Halbleiterlaser einen zusätzlichen Stromimpuls für den Halbleiterlaser bereit. Ein solcher Stromimpuls kann alternativ oder zusätzlich auch beim Abfallen des Stroms als negativer Stromimpuls für den Halbleiterlaser bereitgestellt werden.
Die dritten Schaltmittel weisen hierzu bevorzugt einen Transistor auf, dessen Emitteranschluss über einen Widerstand mit dem Halbleiterlaser verbunden ist und dessen Basisstrom von einer Basis-Emitter-Steuerspannung festgelegt wird, die während der ansteigenden Flanke des Stroms durch den Halbleiterlaser Peaks aufweist.
Alternativ ist vorgesehen, daß die dritten Schaltmittel sowohl positive als auch negative Spannungspeaks entsprechend den ansteigenden und abfallenden Flanken des Stroms durch den Halbleiterlaser bereitstellen, wobei über einen Stromspiegel an dem Transistor ein Konstantstrom erzeugt wird, der entsprechend einer angelegten Basis-Emitter-Steuerspannung moduliert wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Treiberschaltung;
Fig. 2 die zeitliche Abfolge der Signale der Treiberschal­ tung der Fig. 1;
Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsge­ mäßen Treiberschaltung;
Fig. 4 die zeitliche Abfolge der Signale der Treiberschal­ tung der Fig. 3;
Fig. 5 die Laserkennlinie bei den Treiberströmen der Treiberschaltung gemäß Fig. 3 und
Fig. 6 eine Treiberschaltung gemäß dem Stand der Technik.
Eine Treiberschaltung gemäß dem Stand der Technik war eingangs anhand der Fig. 6 erläutert worden.
Die Treiberschaltung der Fig. 1 weist zusätzlich zu der Stromspiegelschaltung mit den Transistoren T4, T5 und dem Differenzverstärker mit den Transistoren T1, T2 und der Stromquelle T6 für den Modulationsstrom Imod einen NPN-Tran­ sistor T3 und einen Widerstand R auf. Der Widerstand R dient dabei der Strombegrenzung und muss entsprechend der geforderten Zeitkonstanten dimensioniert werden.
Der Kollektoranschluss des Transistors T3 ist mit einer Bezugsspannung verbunden. Der Emitteranschluss des Transistors T3 ist über den Widerstand R mit dem Knoten zwischen den Transistoren T2 und T4 verbunden, an den die Laserdiode 1 angeschlossen ist. Der Stromfluss durch den Transistor T3 wird durch einen Basisstrom gesteuert, der durch eine Basis-Emitter-Steuerspannung Vpk erzeugt wird, die jeweils an der ansteigenden Flanke eines Datensignals einen Spannungspuls bereitstellt. Die Spannungspulse der Spannung Vpk werden dabei beispielsweise über das zu übertragende Datensignal getriggert.
Mittels der Spannungsimpulse wird an der ansteigenden Flanke des Signalstroms durch die Laserdiode 1 ein zusätzlicher Stromimpuls bereitgestellt, der den Knoten "Laserdiode 1" schneller auflädt. Hierdurch können parasitäre Elemente, wie die angedeuteten Induktivitäten Lpar und Cpar kompensiert werden.
Durch die zusätzlichen Stromimpulse wird die Treiberschaltung jeweils während der ansteigenden bzw. abfallenden Flanke des Stroms durch die Laserdiode 1 niederohmig.
In Fig. 2 ist das zugehörige Spannungs- und Stromdiagramm in Abhängigkeit von der Zeit dargestellt. Das mittlere Signal repräsentiert als VDat das zu übertragende Datensignal, das am Differenzverstärker mit den Transistoren T1, T2 anliegt. Bei Vorliegen eines High-Pegels ändert sich die Signalform des Stroms Ivcsel durch die Laserdiode 1 entsprechend.
Über die Spannung Vpk, die an dem Basis-Anschluss des Transistors T3 anliegt, werden zusätzliche "Peaking-Pulse" P erzeugt, die zusätzliche Strompulse an den ansteigenden Flanken des Signalsstroms Ivcsel durch die Laserdiode 1 bereitstellen.
Bei dem alternativen Ausführungsbeispiel der Fig. 3 erfolgt eine bidirektionale Vorverzerrung des Stroms Ivcsel durch die Laserdiode 1, das heißt es werden sowohl auf die ansteigenden als auch auf die abfallenden Flanken des Signals Peaking- Pulse gegeben.
Dabei ist ein zusätzlicher Strom I7 durch den Transistor T3 vorgesehen, der durch einen Stromspiegeltransistor T7 erzeugt wird. Hierdurch wird der Transistor T3 immer im aktiven Betrieb gehalten, auch wenn die Emitterspannung von T3 unter die Anodenspannung der Laserdiode 1 fällt. Dadurch ist es möglich, (negative) Peaking-Pulse auch an der negativen Flanke des Signales einzuprägen und damit auch die negative Flanke des Signals zu beschleunigen. Dabei muss der Konstantstrom I4 eventuell etwas erhöht werden, damit sich durch etwaige Stromverluste von I4 über dem Widerstand R und T7 die Stromverhältnisse im Laser 1 nicht ändern. Dies ist abhängig von der Dimensionierung von R, Vpk und I7.
In Fig. 4 sind die zugehörigen Signalverläufe in Abhängig­ keit von der Zeit dargestellt. Das zu übertragende Datensi­ gnal liegt wiederum als VDat an dem Differenzverstärker mit den Transistoren T1, T2 an. An der ansteigenden Flanke und der abfallenden Flanke des Datensignales liegt jeweils als Vpk ein positiver bzw. negativer Peaking-Puls bzw. Vorverzerrungspuls P an dem Basis-Anschluss des Transistors T3 an. Dies führt dazu, dass der Strom Ivcsel durch die Laserdiode 1 an den jeweiligen Flanken erhöht bzw. erniedrigt ist.
In Fig. 5 ist die Laserkennlinie des Lasers 1 bei Verwendung von Treiberströmen entsprechend den Fig. 1 und 3 dargestellt.
Dabei ist die Lichtleistung PLas der Laserdiode 1 in Abhängigkeit von dem Strom ILas durch den Laser dargestellt. Der Strom durch die Laserdiode weist einen Konstantstrom (entsprechend I4 der Fig. 1 und 3) auf, der auf die Laserstelle Ith gelegt wird. Hierauf wird ein Modulationsstrom Imod gelegt.
Bei einem rechteckförmigen Modulationsstrom Imod weist die Ausgangsleistung PLas des Lasers entsprechend der durchge­ zeichneten Linie eine Verzerrung der Signalform an den an­ steigenden bzw. abfallenden Flanken des Lichtsignals auf. Bei der erfindungsgemäßen Verwendung von Vorverzerrungspulsen P, die gestrichelt dargestellt sind, wird die optische Signalform des Ausgangssignals L wesentlich verbessert und einem rechteckigen Signal stark angenähert (gestrichelte Signalform L). Hierdurch ist es möglich, die Laserdiode auch bei hohen Datenraten bis zu 12 GBit/s zu betreiben.
Es wird darauf hingewiesen, daß das beschriebene Schaltungsprinzip auch für CMOS-Schaltungen angewendet werden kann. Dabei werden NPN-Transistoren durch n-Kanal FETs und PNP Transistoren durch p-Kanal FETs ersetzt. Die Geschwindigkeit der Treiberschaltung wird dann durch die Transistorbandbreite vorgegeben.
Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend dargestellten Ausführungsbeispiele. Wesentlich für die Erfindung ist allein, dass die Treiberschaltung zusätzliche Schaltmittel vorsieht, die an einer ansteigenden und/oder abfallenden Flanke des Stroms durch die Laserdiode die Treiberschaltung jeweils niederohmig halten.

Claims (5)

1. Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser mit
ersten Schaltungsmitteln zur Erzeugung eines Konstantstroms und
zweiten Schaltungsmitteln zur Modulation des Konstantstroms, die in Abhängigkeit von einem digitalen Datensignal einen Modulationsstrom erzeugen, der dem Konstantstrom überlagert wird, wobei der modulierte Strom einem Halbleiterlaser zugeführt wird, gekennzeichnet durch
dritte Schaltungsmittel (T3, R), die die Treiberschaltung an einer ansteigenden und/oder einer abfallenden Flanke des Stroms durch den Halbleiterlaser (1) jeweils niederohmig halten.
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die dritten Schaltmittel (T3, R) beim Ansteigen des Stroms einen zusätzlichen Stromimpuls für den Halbleiterlaser (1) bereitstellen.
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dritten Schaltmittel (T3, R) beim Abfallen des Stroms einen zusätzlichen ne­ gativen Stromimpuls für den Halbleiterlaser (1) bereitstellen.
4. Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die dritten Schaltmittel einen Transistor (T3) aufweisen, dessen Emitteranschluss über einen Widerstand (3) mit dem Halbleiterlaser (1) verbunden ist und dessen Basisstrom von einer Basis-Emitter-Steuerspannung (Vpk) festgelegt wird, die während der ansteigenden Flanke des Stroms durch den Halbleiterlaser (1) Peaks aufweist.
5. Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die dritten Schaltmittel eines Transistor (T3) aufweisen, dessen Emitteranschluss über einen Widerstand (3) mit dem Halbleiterlaser (1) verbunden ist, und dessen Basisstrom von einer Basis-Emitter-Steuerspannung (Vpk) festgelegt wird, die positive und negative Spannungspeaks entsprechend den ansteigenden und abfallenden Flanken des Stroms durch den Halbleiterlaser (1) aufweist, wobei über einen Stromspiegel (T7) an dem Transistor (T3) ein Konstantstrom (I7) erzeugt wird, der entsprechend der Basis-Emitter-Steuerspannung (Vpk) moduliert wird.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10250986A1 (de) * 2002-10-28 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser
DE10250981A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Schaltung zur Steuerung von Laserströmen
DE10320333A1 (de) * 2003-05-06 2004-12-09 Infineon Technologies Ag Elektrische Schaltung für eine direkt modulierte Halbleiterstrahlungsquelle

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261381A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Hamamatsu Photonics Kk 駆動電流供給回路
JP3908971B2 (ja) * 2001-10-11 2007-04-25 浜松ホトニクス株式会社 発光素子駆動回路
US6744795B2 (en) * 2002-07-11 2004-06-01 Intel Corporation Laser driver circuit and system
DE10393675T5 (de) * 2002-11-06 2005-10-27 Finisar Corp., Sunnyvale Steuern des Anhebens des Lasertreiberstroms zur Verbesserung der Augendiagrammqualität
US7339963B2 (en) * 2002-11-27 2008-03-04 International Business Machines Corporation High speed data channel including a CMOS VCSEL driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver
EP1445843B1 (de) * 2003-02-05 2006-09-20 Alcatel Ansteuerschaltung und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterlasers
JP4224001B2 (ja) * 2004-07-22 2009-02-12 浜松ホトニクス株式会社 Led駆動回路
US7458998B2 (en) * 2004-08-23 2008-12-02 Flint Hills Resources, L.P. Blending biodiesel with diesel fuel in cold locations
JP5791355B2 (ja) * 2011-04-27 2015-10-07 キヤノン株式会社 発光素子の駆動回路
US8957934B2 (en) * 2012-11-21 2015-02-17 Ricoh Company, Ltd. Light source drive circuit, optical scanning apparatus, semiconductor drive circuit, and image forming apparatus
US9153936B2 (en) 2013-06-20 2015-10-06 Fujitsu Limited Power-efficient high-speed driver for a vertical-cavity surface-emitting laser
EP3333989A1 (de) * 2014-10-15 2018-06-13 Fujikura Ltd. Optischer sender, aktives optisches kabel und verfahren zur optischen übertragung
JP6046288B1 (ja) * 2016-01-14 2016-12-14 株式会社東芝 電流出力回路及び光送信器
JP6904291B2 (ja) * 2018-03-20 2021-07-14 日本電信電話株式会社 Dmlドライバ
US12015886B2 (en) 2021-10-06 2024-06-18 Nokia Solutions And Networks Oy Control of optical-modulation amplitude for burst-mode transmission
CN114079223B (zh) * 2022-01-18 2022-04-26 长芯盛(武汉)科技有限公司 用于对驱动电流进行预加重处理的驱动装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835780A (en) * 1986-12-08 1989-05-30 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor laser output control circuit
DE3741305A1 (de) * 1987-12-05 1989-06-15 Standard Elektrik Lorenz Ag Schaltungsanordnung zur modulation eines halbleiter-injektionslasers fuer die optische nachrichtenuebertragung
JPH01202878A (ja) * 1988-02-09 1989-08-15 Fujitsu Ltd 半導体レーザの駆動回路
US5119392A (en) * 1990-11-21 1992-06-02 Gte Laboratories Incorporated Second-order predistortion circuit for use with laser diode
DE4025497C2 (de) * 1990-08-11 1996-12-19 Hell Ag Linotype Verfahren und Schaltungsanordnung zur Korrektur der Strahlungsleistung einer Laserdiode
EP0952644A2 (de) * 1998-04-21 1999-10-27 Lucent Technologies Inc. Dynamische Kontrolle von Steuerungsgeräte für Diodenlaser

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898583A (en) * 1972-03-29 1975-08-05 Xerox Corp Laser stabilization technique
DE69132464T2 (de) 1990-07-05 2001-05-10 Canon Kk Bilderzeugungsgerät und zugehörige Schaltvorrichtung für Konstantstromschaltung
FR2688361A1 (fr) * 1992-03-03 1993-09-10 Thomson Composants Militaires Etage de sortie push-pull pour amplificateur en circuit integre.
US5651017A (en) * 1995-04-21 1997-07-22 Xerox Corporation Drive circuit for high-speed modulation of a laser diode
US5724088A (en) * 1996-03-27 1998-03-03 Xerox Corporation High-speed, reflex-controlled laser circuit for an electrophotographic printer
US5999849A (en) * 1997-09-12 1999-12-07 Alfred E. Mann Foundation Low power rectifier circuit for implantable medical device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4835780A (en) * 1986-12-08 1989-05-30 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor laser output control circuit
DE3741305A1 (de) * 1987-12-05 1989-06-15 Standard Elektrik Lorenz Ag Schaltungsanordnung zur modulation eines halbleiter-injektionslasers fuer die optische nachrichtenuebertragung
JPH01202878A (ja) * 1988-02-09 1989-08-15 Fujitsu Ltd 半導体レーザの駆動回路
DE4025497C2 (de) * 1990-08-11 1996-12-19 Hell Ag Linotype Verfahren und Schaltungsanordnung zur Korrektur der Strahlungsleistung einer Laserdiode
US5119392A (en) * 1990-11-21 1992-06-02 Gte Laboratories Incorporated Second-order predistortion circuit for use with laser diode
EP0952644A2 (de) * 1998-04-21 1999-10-27 Lucent Technologies Inc. Dynamische Kontrolle von Steuerungsgeräte für Diodenlaser

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10250986A1 (de) * 2002-10-28 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser
US6901091B2 (en) 2002-10-28 2005-05-31 Infineon Technologies Ag Electronic driver circuit for directly modulated semiconductor lasers
DE10250986B4 (de) * 2002-10-28 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser
DE10250981A1 (de) * 2002-10-29 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Schaltung zur Steuerung von Laserströmen
DE10320333A1 (de) * 2003-05-06 2004-12-09 Infineon Technologies Ag Elektrische Schaltung für eine direkt modulierte Halbleiterstrahlungsquelle
EP1487242A2 (de) * 2003-05-06 2004-12-15 Infineon Technologies AG Elektrische Schaltung für eine direkt modulierte Halbleiterstrahlungsquelle
EP1487242A3 (de) * 2003-05-06 2006-06-14 Infineon Technologies AG Elektrische Schaltung für eine direkt modulierte Halbleiterstrahlungsquelle
US7224709B2 (en) 2003-05-06 2007-05-29 Infineon Technologies Ag Electrical circuit for a directly modulated semiconductor radiation source
DE10320333B4 (de) * 2003-05-06 2009-06-18 Infineon Technologies Ag Elektrische Schaltungen für eine direkt modulierte Halbleiterstrahlungsquelle

Also Published As

Publication number Publication date
US6587489B2 (en) 2003-07-01
US20020085599A1 (en) 2002-07-04
DE10065838C2 (de) 2003-06-26

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