DE10034895A1 - Verfahren zur Erkennung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen - Google Patents

Abstract

In gepulst betriebenen Plasmen bei vakuumtechnischen Prozessen, vorzugsweise in Zerstäubungsprozessen, treten Überschläge auf, die sich auf den Prozess negativ auswirken. Besonders ist es nachteilig bei Beschichtungsprozessen. Diese Überschläge sollen mit hoher Genauigkeit frühzeitig erkannt werden, um bekannte Maßnahmen einzuleiten, damit die Auswirkungen gering, möglichst vermieden werden. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird die Zündspannung der Plasmaentladung gemessen und dieser Wert mit dem einer normal verlaufenden Zündspannung verglichen. Aus der Differenz beider Werte werden in bekannter Weise Maßnahmen zur Verhinderung von Störungen eingeleitet. DOLLAR A Bevorzugtes Anwendungsgebiet sind Zerstäubungsprozesse im Vakuum (Sputtern), um Oberflächen von Bauteilen, Werkzeugen, Glas zu beschichten oder zu behandeln.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erkennung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen.

Derartige Plasmen werden in zahlreichen vakuumtechnischen Prozessen wirksam. Ein Anwendungsgebiet bilden Zerstäubungsprozesse im Vakuum, auch Sputtern genannt. Diese werden entweder in der Vakuumbeschichtungstechnik, also vorzugsweise zur Oberflächen­ veredelung von Bauteilen, Werkzeugen, Halbzeugen und Fertigteilen in der Optik, im Maschinenbau, in der Verpackungs-, Glas- und Elektroindustrie oder zur Behandlung von Oberflächen durch Sputterätzen eingesetzt.

Typische Zerstäubungsanlagen für die Vakuumbeschichtung enthalten Anordnungen aus Kathode und Anode im Vakuum, wobei einzelne Zerstäubungseinrichtungen bzw. auf ihnen befindliche Targets selbst Kathode oder Anode sein können. Zwischen den Kathoden und Anoden wird ein Plasma erzeugt, das zumindest in der Nähe des jeweils zu zerstäubenden Materials eine zum Sputtern geeignete Dichte aufweist.

Um auf einem Substrat eine dünne Schicht eines bestimmten Materials aufzubringen oder zu entfernen, wird häufig ein bipolarer Zerstäubungsprozess im Mittelfrequenzbereich angewendet. Bei diesem Verfahren wird an zwei Zerstäubungseinrichtungen, die mit Targets aus dem zu zerstäubenden Material ausgestattet und erdfrei in einer Vakuum­ beschichtungsanlage angeordnet sind, eine Wechselspannung im Mittelfrequenzbereich angelegt. Dadurch dienen beide Zerstäubungseinrichtungen jeweils abwechselnd als Kathode und Anode einer Plasmaentladung. Die Frequenz liegt im Bereich von einigen hundert Hz bis einigen hundert kHz. Bei dieser Art des Zerstäubens, dem sogenannten Mittelfrequenz-Zerstäuben, können Überschläge zwischen den beiden Zerstäubungs­ einrichtungen und auch zwischen den einzelnen Zerstäubungseinrichtungen und dem durch das Zerstäuben erzeugten Plasma entstehen. Schwere Überschläge führen zur Zerstörung der Targetoberfläche und infolge der Verdampfung von Targetmaterial zu Schichtdefekten in der auf dem Substrat abgeschiedenen Schicht. Wegen der zahlreichen physikalischen Ursachen, die zu Überschlägen führen können, ist es schwierig, Überschläge als solche zu verhindern. Um so mehr wächst die Bedeutung der Erkennung solcher Überschläge, die zur Zerstörung des Targets und zu Defekten auf dem Substrat führen können. Die Prozess­ stabilität hängt wesentlich von der Erkennung und der Reaktion auf Überschläge während des Zerstäubungsprozesses ab.

Das gilt insbesondere für die Herstellung dielektrischer Verbindungsschichten bei der reaktiven Schichtabscheidung durch die Mittelfrequenz-Zerstäubung. Im Allgemeinen wird hierbei zu einem Edelgas, dessen Ionen das elektrisch leitfähige Target zerstäuben, ein Reaktivgas hinzugefügt. Als Reaktivgase werden z. B. Stickstoff oder Sauerstoff eingesetzt, um die entsprechenden Nitride bzw. Oxide auf dem Substrat abzuscheiden. Auf dem Substrat reagiert das eingelassene Reaktivgas chemisch mit dem zerstäubten Targetmaterial. Durch auf das Target rückgestäubtes Material kommt es mit zunehmender Beschichtungs­ zeit zur Ausbildung von Rückstäubzonen auf der Targetoberfläche. Auf diesen Rückstäub­ zonen lagern sich in Gegenwart des eingelassenen Reaktivgases teilweise die gleichen di­ elektrischen Verbindungen ab wie auf dem Substrat, wodurch sich inhomogene Oberflächeneigenschaften auf jedem einzelnen Target einstellen können. Durch Glüh­ emission und thermische Emission von Ladungsträgern kann es zur Ausbildung von Über­ schlägen kommen. Weiterhin kann loses Material, welches sich in Form von Flittern und Clustern in der Vakuumbeschichtungsanlage befindet, Ursache von auftretenden Über­ schlägen sein. Bei vielen Targetmaterialien wie z. B. Zinn und Zink kommt es während der Zerstäubung zur Ausbildung von sogenannten "Pickeln" (Heinz, B.: Sputter Targets and Thin Film Defects. VACUUM & THINFILM, Oktober 1999, S. 22 bis 29). Auf Grund der er­ höhten Feldemission von Elektronen können auch diese "Pickel" Ursache für das Entstehen von Überschlägen sein. Zwar führt der Einsatz der bipolaren Mittelfrequenz-Zerstäubung bereits zu einer signifikanten Reduzierung des Auftretens von Überschlägen, jedoch sind diese nicht vollständig vermeidbar.

Da bei der bipolaren Mittelfrequenz-Zerstäubung hohe Beschichtungsraten erzielt werden sollen, sind hohe Leistungsdichten erforderlich. Dadurch kommt es im Zusammenhang mit den oben geschilderten Ursachen von Überschlägen und den elektrischen Wechselfeldern hoher Feldstärke auch bei der bipolaren Mittelfrequenz-Zerstäubung zur Ausbildung von schweren Überschlägen, die zu erheblichen Schädigungen der Targets bzw. zu Schicht­ defekten führen können.

Es sind Einrichtungen für die Unterdrückung und die Reaktion auf Lichtbögen - also schwere Überschläge - in Gasentladungsvorrichtungen bekannt. Das Prinzip der An­ ordnungen besteht in der Abschaltung der elektrischen Energiequelle (DE 41 27 504 A1), der Umleitung der Energie und der Dämpfung durch resonante Schaltungsanordnungen (DE 42 30 779 C2) oder dem Anlegen eines positiven Potentials an der Kathode (US 5,584,974). Der Nachteil dieser Einrichtungen liegt darin, dass sie sich nur zur Unter­ drückung von Überschlägen an Gleichstrom-Entladungen bzw. an Systemen mit einer Zerstäubungseinrichtung eignen. Für das Arbeiten mit Wechselstrom sind diese Erfindungen nicht geeignet.

Es sind weiterhin Einrichtungen zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungs­ einrichtungen die mit Wechselspannung betrieben werden bekannt (DE 44 20 951 C2, US 5,611,899). Diese umfassen Schaltungsanordnungen und beruhen auf der Annahme, dass man durch die Erfassung von Mikroüberschlägen eine Vorhersage über das Auftreten von schweren Überschlägen, auch als Makroüberschlag bezeichnet, treffen kann. Die Unter­ suchungen zeigten allerdings, dass Mikroüberschläge zeitlich und örtlich zufällig verteilt auftreten und für die Vorhersage von Makroüberschlägen nur sehr schlecht geeignet sind, da nur selten ein Zusammenhang zwischen Mikroüberschlägen und einem sich auf­ bauenden Makroüberschlag besteht. Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass es nicht möglich ist, die Kathode zu benennen, auf der der Mikroüberschlag stattgefunden hat. Das bedeutet, dass der Ort der Bogenentladung nicht bestimmt werden kann, was die Erkennung eines evtl. vorhandenen Zusammenhangs der oben beschriebenen Art zusätzlich erschwert.

Es ist weiterhin eine Einrichtung für die Unterdrückung von Lichtbögen in Gasentladungs­ vorrichtungen bekannt (DE 41 27 505 A1). Diese Lösung eignet sich zwar ebenfalls zum Arbeiten mit Wechselstrom, aber nicht in Prozessen, bei denen sich die Reaktivgasmenge (z. B. Stickstoff oder Sauerstoff) in kurzer Zeit stark verändert.

Der Grund für diese Einschränkung liegt darin, dass für die Erkennung der schweren Über­ schläge die Änderung der Entladungsspannung als Parameter für deren Auftreten herangezogen wird. Schnelle Änderungen der Reaktivgasmenge führen jedoch häufig zu einem deutlichen Arbeitspunktwechsel bezüglich der elektrischen Entladungsgrößen und somit auch die Entladungsspannung. Häufig existiert ein eindeutiger Zusammenhang zwischen dem Reaktivgasfluss und den elektrischen Entladungsgrößen, die sich bei jedem Arbeitspunktwechsel ändern. Kommt es zu schnellen Arbeitspunktänderungen, so kann nicht zwischen einem schweren Überschlag oder einer Änderung der Reaktivgasmenge unterschieden werden, wodurch die Änderung der Entladungsspannung fälschlicherweise als Überschlag interpretiert wird. Diese Einrichtung eignet sich auch nicht zur Detektion oder gar zur Unterdrückung von Mikroüberschlägen. Weiterhin kann die Schaltungsanordnung auf Grund der eingesetzten elektronischen Schalter (Thyristoren mit Zwangslöschung) nicht mit kurzen Ausschaltzeiten betrieben werden.

Wie Untersuchungen der Überschläge ergaben, kann man die Entstehung eines Überschlages durch den zeitlichen Verlauf der elektrischen Größen Entladungsstrom und Entladungsspannung beschreiben. Zur Detektierung eines Überschlages wird meist die elektrische Größe Entladungsstrom derart verwendet, dass eine Überhöhung gegenüber dem Nennwert festgestellt und die elektrische Energiequelle für eine bestimmte Zeit abgeschaltet wird. Die Bewertung der Entladungsspannung erfolgt meist in der Art, dass man den Wert der Entladungsspannung mit typischen Werten einer Lichtbogen­ brennspannung vergleicht und für den Fall einer kritischen Annäherung an diese Werte die elektrische Energiequelle abschaltet.

Es sind weiterhin Einrichtungen bekannt, die für die Erkennung von schweren Überschlägen in Wechselspannungs-Entladungen die Tatsache ausnutzen, dass sich bereits wenige Halb­ wellen vor der Ausbildung eines schweren Überschlages die Entladungsspannung und -stromstärke ändern, d. h. die Entladungsspannung sinkt und die Entladungsstromstärke steigt an (DE 198 48 636 A1). Nachteilig ist jedoch auch bei solchen Einrichtungen, dass besonders bei reaktiven Prozessen kleine Schwankungen der Entladungsparameter stets toleriert werden müssen. Um signifikante Änderungen von Entladungsspannung und Entladungsstromstärke auszunutzen, müssen deutliche Impedanzänderungen im Plasma abgewartet werden, wie sie gewöhnlich erst unmittelbar vor dem Zünden eines schweren Überschlages auftreten, um ein Kriterium für eine kurzzeitige Unterbrechung der Energie­ versorgung zu gewinnen.

Zusammenfassend ist also festzustellen, dass zwar mehrere Einrichtungen bekannt sind, mit denen es möglich ist, auftretende Überschläge zu unterbrechen oder erst gar nicht ent­ stehen zu lassen. Diese Einrichtungen eignen sich jedoch entweder nicht für die Arbeit mit einer Wechselspannung, oder sie ermöglichen nicht die Erkennung aller Überschläge auf den Kathoden, gestatteten oftmals nicht die Lokalisierung des Überschlages oder die Unterscheidung zwischen bipolarem und unipolarem Überschlag. Die Nachweis­ empfindlichkeit und Vorhersagewahrscheinlichkeit von Überschlägen ist für viele technologische Anwendungen zu gering.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, Überschläge bzw. sich ausbildende Überschläge in gepulst betriebenen Plasmen, insbesondere Zerstäubungsprozessen, mit hoher Genauigkeit und möglichst frühzeitig zu detektieren, um durch bekannte Maßnahmen eine schnelle Reaktion auf solche Überschläge zu ermöglichen, also schwere Überschläge zu vermeiden. Das soll unabhängig vom Elektroden- bzw. Targetmaterial und evtl. eingelassenen Reaktivgas­ mengen, von der eingebrachten elektrischen Leistung, dem Arbeitspunkt bezüglich der elektrischen Entladungsparameter und der Arbeitsfrequenz möglich sein. Eine weitere Forderung besteht darin, den Ort des Überschlages, also beispielsweise die Zerstäubungs­ einrichtung, auf welcher der Überschlag stattfindet, zu bestimmen. Es soll möglich sein, den Energieeintrag in den Überschlag, also die "Schwere" des Überschlages zu bestimmen. Es besteht weiterhin die Aufgabe, auch bei bipolar gepulsten Plasmen die Klassifizierung des Überschlages in einen bi- oder unipolaren Überschlag zu ermöglichen.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Mögliche vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind in den Unteransprüchen 2 bis 6 beschrieben.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass überraschenderweise die Zündspannung eines gepulst betriebenen Plasmas, d. h. die Spannung, bei der das Plasma in einzelnen Pulsen zündet, wesentlich empfindlicher auf das Auftreten von Überschlägen reagiert als die üblicherweise überwachten Parameter Entladungsstrom und Entladungsspannung.

Untersuchungen an zahlreichen Überschlägen zeigten, dass unmittelbar nach dem Aus­ bilden eines Überschlages, also bereits nach einer sehr kleinen Erhöhung des Entladungs­ stromes, die Zündspannung des Plasmas, anders als die Entladungsspannung, in der jeweils folgenden Halbwelle deutlich ansteigt. Die Höhe der Zündspannung steht in einem eindeutigen Zusammenhang mit der Stromerhöhung während der vorangegangen Halbwelle.

Ein entscheidender Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens gegenüber der Messung des Entladungsstromes besteht in der Tatsache, dass bei Auftreten eines Überschlages kleinste Änderungen im Entladungsstrom, die durch einfache Messung des Entladungsstromes nur schwer oder gar nicht detektiert werden könnten, einen deutlichen Anstieg der Zünd­ spannung der nachfolgenden Halbwelle zur Folge haben und somit auch Mikroüberschläge detektiert werden können. Bei Verfahren mit technologisch bedingten Schwankungen des Entladungsstromes können kleine Erhöhungen des Entladungsstromes nie eindeutig einem Überschlag zugeordnet werden. Die Erhöhung der Zündspannung weist dagegen bereits in der ersten Halbwelle nach seinem erstmaligen Auftreten eindeutig auf einen Überschlag hin. Die Fortdauer der Stromerhöhung in den folgenden Halbwellen steht im eindeutigen Zusammenhang mit der Fortdauer der Erhöhung der Zündspannung. Somit kann aus einer fortdauernden Überhöhung der Zündspannung auf die Fortdauer des Überschlages geschlossen werden. Die Höhe der Stromerhöhung in Bezug auf den Nennstrom steht im eindeutigen Zusammenhang mit der Höhe der Zündspannung in der darauf folgenden Halbwelle. Dies erlaubt eine quantitative und qualitative Aussage über die Höhe des Energieeintrages in den Überschlag, da jedem Überschlag eine Brenndauer zugeordnet werden kann.

Das Verfahren ist prinzipiell zur Erfassung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen geeignet.

Als besonders leistungsfähig hat sich das Verfahren bei der Überwachung bipolar mittel­ frequent gepulster Zerstäubungsprozesse erwiesen, bei denen schnelles Reagieren auf beginnende schwere Überschläge erforderlich ist. In diesem Anwendungsfall können eindeutige Aussagen über den Ort, die Art und die "Schwere" des auftretenden Über­ schlages getroffen werden. Der Überschlag wird innerhalb einer Pulsperiode, also praktisch sofort, erkannt. Die weitere Entwicklung des Überschlages ist durch Vergleich der Zünd­ spannung in aufeinanderfolgenden Halbwellen zu verfolgen. Sehr früh kann abgeschätzt werden, ob sich ein schwerer Überschlag anbahnt. Durch Vergleich der Zündspannungen aufeinanderfolgender Halbwellen unterschiedlicher Polarität kann eindeutig festgestellt werden, ob der Überschlag zwischen einzelnen Targets oder unipolar gegen das Plasma erfolgt.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Bestimmung des Targetzustandes einer jeden Zerstäubungseinrichtung und damit verbunden eine Aussage über eine evtl. not­ wendige Anpassung von Prozessparametern. In Abhängigkeit von der Art und des zeitlichen Verlaufes des Überschlages kann z. B. eine Beeinflussung des Zerstäubungsprozesses durch die Steuerung und Regelung der elektrischen Energiequelle durch bekannte Verfahren und Mittel erfolgen, um den Vakuumprozess störungsfrei fortzuführen.

Besonders zweckmäßig ist es, direkt an den Zerstäubungseinrichtungen die jeweils an­ liegende Spannung zu messen und einer Auswertung zuzuführen, die durch Analyse des zeitliche Verlaufs der Spannung den Wert der Zündspannung in jeder einzelnen Halbwelle ermittelt.

An einem Ausführungsbeispiel wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt den Aufbau einer Einrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in einer Zerstäubungsanlage.

Fig. 2-3 zeigen Strom- und Spannungsverläufe während verschiedener Überschläge in einem mittelfrequent bipolar gepulsten Zerstäubungsplasma.

Fig. 1: Im Rezipienten (1) einer an sich bekannten Vakuumbeschichtungsanlage befindet sich eine Zerstäubungseinrichtung zur Abscheidung von dünnen Zinkoxid-Schichten im Dickenbereich von 1 nm bis 1000 nm auf ein Glassubstrat (2). Zur Realisierung des mittel­ frequent bipolar gepulsten Zerstäubungsprozesses wird ein Doppel-Magnetronsystem (DM5) benutzt. Beide Magnetrons (3, 4) des DMS sind mit Zinktargets (5, 6) ausgestattet. Durch einen Gaseinlass (7) wird Sauerstoff als Reaktivgas und Argon als Inertgas eingelassen und durch ein Pumpsystem (8) aus dem Rezipienten geführt. Als Energiequelle wird ein Schwingkreiswechselrichter (9) mit einer Pulsfrequenz von etwa 40 kHz benutzt. Direkt an den Magnetrons (3, 4) erfolgt eine Erfassung der anliegenden Spannung durch ein Messgerät (10). Dieses ist mit einem an sich bekannten Rechnersystem (11) verbunden, in welchem eine Auswertung der gemessenen Spannungswerte im Hinblick auf die Erkennung von Überschlägen und eine Berechnung von für eine Prozessstabilisierung erforderlichen Parametereinstellungen erfolgt.

Mit einer derartigen Einrichtung ist eine Variation der Beschichtungsrate durch Variation der Entladungsleistung zu realisieren. Damit sind automatisch ständige Veränderungen der elektrischen Parameter Entladungsspannung und Entladungsstromstrom verbunden, was die frühzeitige Erkennung von Überschlägen auf herkömmliche Weise erschwert.

Zum Erkennung von Überschlägen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der zeitliche Verlauf der Spannung in jeder Halbwelle erfasst. Durch das Rechnersystem (11) erfolgt die Auswertung derart, dass durch Differenzieren des zeitlichen Verlaufes der Spannung für jede Halbwelle Zeitpunkt und Wert der Zündspannung bestimmt wird. Der aktuelle Wert der Zündspannung wird mit dem Wert der Zündspannung in der voran­ gegangenen Halbwelle oder mit einem Mittelwert der Zündspannungen über eine bestimmte Anzahl von Perioden verglichen. Weiterhin erfolgt ein Vergleich des aktuellen Wertes der Zündspannung mit dem Wert der jeweils anderen Polarität bzw. mit einem Mittelwert, gebildet aus den Werten der Zündspannung einer bestimmten Anzahl von Perioden der jeweils anderen Polarität. Mit Hilfe von rechenoptimierten Mikrokontrollern ist eine nahezu verzögerungsfreie Bestimmung möglich.

Durch die wiederholte Bestimmung der Zündspannung kann ein Überschlag sehr schnell erkannt werden, da sich die Zündspannung in diesem Fall erhöht. Der Energieeintrag in den Überschlag kann aus der gegebenen elektrischen Leistung, der Höhe der aktuellen Zünd­ spannung und der Brenndauer, gemessen in Pulsperioden, bestimmt werden. Entsprechend der Höhe des Energieeintrages in den Überschlag wird die elektrische Energiequelle ab­ geschaltet oder die Energiezufuhr beibehalten. Durch die Zuordnung der Erhöhung der Zündspannung zu einzelnen Halbwellen kann der Ort des Überschlages, also das betroffene Target, bestimmt werden.

Anhand der Fig. 1 und 2 werden die dem erfindungsgemäßen Verfahren zugrunde liegenden Zusammenhänge näher erläutert.

Fig. 2: Die in relativen Einheiten dargestellten Verläufe von Strom und Spannung während eines Überschlages in einer bipolar gepulst betriebenen Plasmaentladung zeigen, dass sich beim Auftreten eines Überschlages scheinbar bereits vor einer signifikanten Änderung des Entladungsstromes die Zündspannung erhöht (hier die 5. Spannungsspitze im Diagramm). Erst danach steigt auch der Entladungsstrom deutlich an. Tatsächlich hat sich bereits während der vor der erstmaligen Erhöhung der Zündspannung liegenden Halbwelle durch den beginnenden Überschlag eine minimale Erhöhung des Entladungsstromes ergeben, die schwer messbar ist und einem Überschlag nicht eindeutig zugeordnet werden kann. Die deutliche Erhöhung der Zündspannung weist eindeutig auf einen Überschlag hin. Sehr gut lässt sich auch die Dauer des Überschlages ermitteln, die hier etwa neun Pulsperioden beträgt.

Fig. 3: Anhand der mit hoher zeitlicher Auflösung in relativen Einheiten dargestellten Verläufe von Strom und Spannung während eines kleine Überschlages, eines sogenannten Mikroarc's, in einer bipolar gepulst betriebenen Plasmaentladung wird sichtbar, in welch unterschiedlicher Weise Entladungsspannung und Zündspannung auf minimale Änderungen des Entladungsstromes ansprechen. Die Zündspannung ist jeweils das erste lokale Maximum einer jeden Halbwelle des Spannungsverlaufes und liegt in diesem Fall meist unterhalb des Maximalwertes der Entladungsspannung. Lediglich unmittelbar nach der Stromerhöhung während nur einer einzelnen Halbwelle, die nicht ohne weiteres einem Überschlag zuge­ ordnet werden könnte, steigt die Zündspannung in der folgenden Halbwelle deutlich an, während sich die Entladungsspannung während des restlichen Pulses kaum ändert. Erst dadurch kann die vorangegangene Stromerhöhung einem kurzen Überschlag, der nur während einer Halbwelle auftrat, zugeordnet werden. Die Abbildung verdeutlicht die Empfindlichkeit des Verfahrens bezüglich der Detektierung bereits kleinster Überschläge.

Claims (6)

1. Verfahren zur Erkennung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen im Vakuum, vorzugsweise mittelfrequent gepulst betriebene Zerstäubungsprozesse, bei dem der zeitliche Verlauf der an mindestens einer zur Plasmaerzeugung erforderlichen Elektrode anliegenden Spannung gemessen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Zündspannung der Plasmaentladung gemessen wird, dieser gemessene aktuelle Wert der Zündspannung mit dem Wert der Zündspannung der normal verlaufenden Plasmaentladung verglichen wird und die Differenz aus beiden Werten als Information zur Erkennung eines Überschlages benutzt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der aktuelle Wert der Zündspannung mit dem Wert der Zündspannung in einer vorangegangenen Halbwelle der gleichen Polarität verglichen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei bipolar betriebenen Zerstäubungsprozessen der aktuelle Wert der Zündspannung mit dem Wert der Zünd­ spannung in einer vorangegangenen Halbwelle der anderen Polarität verglichen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der aktuelle Wert der Zündspannung mit dem Mittelwert, gebildet aus einer Anzahl von Werten der Zünd­ spannungen in vorangegangenen Halbwellen der gleichen Polarität, verglichen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei bipolar betriebenen Zerstäubungsprozessen der aktuelle Wert der Zündspannung mit dem Mittelwert, gebildet aus einer Anzahl von Werten der Zündspannungen in vorangegangenen Halbwellen der anderen Polarität, verglichen wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei bipolar betriebenen Zerstäubungsprozessen der aktuelle Wert der Zündspannung mit dem Mittelwert, gebildet aus einer Anzahl von Werten der Zündspannungen in vorangegangenen Halbwellen beider Polaritäten, verglichen wird.